【課題】
【解決手段】ウエハのベベル上の材料を除去するための装置が開示されている。ウエハの直径よりも小さい直径を有するウエハ支持体が設けられており、ウエハ支持体はウエハの第１の側に位置し、ウエハの外周エッジはウエハの周囲においてウエハ支持体を越えて広がる。ＲＦ電源が、ウエハに対して電気的に接続される。中央カバーが、ウエハ支持体から離間して配置されている。第１の導電リングが、ウエハから離間してウエハの第１の側に配置される。第２の導電リングが、ウエハから離間して配置される。導電ライナが、ウエハの外周エッジを囲んでいる。スイッチが、ライナと接地との間に配置され、ライナを接地状態から浮遊状態に切り替えることを可能にする。 （もっと読む）

電子源カソード（５）およびアノード機器（７）を備えたプラズマ放電機器を用いることによって、基板のプラズマエッチ洗浄が実行される。アノード機器（７）は、一方ではアノード電極（９）を、他方では、自身から電気的に孤立されている閉じ込め部（１１）を備えている。この閉じ込め部（１１）は、洗浄されるべき基板（２１）の領域（Ｓ）に向けられた、開口部（１３）を備えている。電子源カソード（５）およびアノード電極（９）は、供給源（１９）を有する供給回路によって、電気を供給されている。この回路は、電気的に浮遊して操作される。
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【課題】リードタイムを短くし、処理性能において従来よりも信頼性のある処理装置及び処理方法を提供する。
【解決手段】チャンバー１と、チャンバー内に設けられ、被処理物２を保持する保持手段３と、チャンバー内に活性原子を供給する活性原子供給手段４と、チャンバー内に薬液を供給する薬液供給手段５とを有し、被処理物の表面に対し、活性原子供給手段から供給される活性原子によるドライ処理及び薬液供給手段から供給される薬液によるウェット処理を行なう。 （もっと読む）

本発明において誘電体膜を洗浄する装置及び方法が提供される。一実施形態では、誘電体膜を洗浄する装置は、基板を支持するように適応されたチャンバ本体と、上記チャンバ本体へ複数の反応性ラジカルを与えるように適応されたリモートプラズマ源と、上記リモートプラズマ源を上記チャンバ本体に結合する通路と、上記通路に隣接して配設された少なくとも１つの磁石とを含む。別の実施形態では、誘電体膜を洗浄する方法は、処理チャンバに配設される少なくとも部分的に露出される誘電体層を有する基板を準備し、リモートプラズマ源において複数の反応性ラジカルを生成し、少なくとも１つの磁石を隣接して配設させた通路を通して、上記処理チャンバへ上記リモートプラズマ源から上記反応性ラジカルを流し込み、上記通路を通る上記反応性ラジカルを磁気的にろ過することを含む。 （もっと読む）

イン・サイチュでの裏側ポリマー除去のプラズマエッチングプロセスは、多孔性又は非多孔性カーボンドープされた酸化ケイ素誘電体層とフォトレジストマスクを表面に有するワークピースで開始される。ワークピースは、エッチングリアクタチャンバにおいて静電チャック上にクランプされる。このプロセスには、フルオロ−カーボンベースのプロセスガスを導入し、ＲＦバイアス電力を静電チャックに、ＲＦソース電力をオーバーヘッド電極に印加して、誘電体層の露出した部分をエッチングし、一方で、保護フルオロ−カーボンポリマーをフォトレジストマスク上に堆積することが含まれる。このプロセスには、フルオロ−カーボンベースのプロセスガスを除去し、水素ベースのプロセスガスを導入し、ＲＦソース電力をオーバーヘッド電極に印加することが更に含まれる。静電チャックのリフトピンを伸ばして、静電チャックの上にワークピースを上昇し、ワークピースの裏側をリアクタチャンバのプラズマに露出して、ポリマーが裏側から除去されるまで、裏側に以前に堆積したポリマーを還元する。
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基板エッジ領域を隔離して処理するための方法及び装置である。装置は、ドライ化学法によって基板のエッジ領域を含む基板の一部を隔離して処理するためのアイソレータを有する。アイソレータは、反応種の流れを基板のエッジ領域に供給するためのノズルと、基板をチャック上で回転させながら反応種の流れを排気プレナムに向けてバイアスさせるためのパージプレナムと、を有する。調節されたフロー制御により、反応種と反応副生成物が処理領域から移動することを防止する。アイソレータを使用して基板を処理するための方法は、反応種の流れを角度をなして基板のエッジ領域に供給しながら、パージプレナム及び排気プレナムによる流れ制御によって処理領域の周囲に境界を形成することを含む。
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基板からフッ素化ポリマーを除去するためのプラズマ発生装置。この実施例は通電電極、第１誘電層及びそれら通電電極と第１誘電層との間に提供された第１ワイヤメッシュを含む通電電極構造体を含んでいる。この実施例はまた、通電電極構造体の反対側に設置された接地電極構造体を含んでおり、プラズマを発生させる空洞部を形成している。プラズマが空洞部内に存在するとき第１ワイヤメッシュは第１誘電層から遮蔽される。空洞部はフッ素化ポリマーを除去するプラズマを提供するためにその１端に出口を有している。 （もっと読む）

【解決手段】 本出願は、ワイヤーボンディングされるように構成されたワイヤー（１２０）を洗浄するためのワイヤー洗浄システム（３００、４００、５００、６００、７００）について説明する。前記ワイヤー洗浄装置（３００、４００、５００、６００、７００）は、チャンバーを含み、ワイヤーボンディングされるように設定されたワイヤー（１２０）はワイヤーボンディングされる前に当該ワイヤーを通過して延出する。また、前記ワイヤー洗浄システム（３００、４００、５００、６００、７００）は、前記ワイヤー（１２０）がワイヤーボンディングされる前に前記チャンバー内で前記ワイヤー(１２０)から不純物を除去するエネルギー源も含む。 （もっと読む）

基板を処理する方法及びシステムは、上に酸化物を有する基板を処理チャンバ内に供する工程、処理チャンバと結合するリモートプラズマ源内で水素含有ガスを励起する工程、及び約９００℃よりも低い第１基板温度の基板を励起された水素ガスに曝露することによって基板から酸化物を除去する工程を有する。基板は第１基板温度とは異なる第２基板温度に維持され、第２基板温度に基板上にシリコン含有膜が形成される。
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本発明は、自然酸化膜、化学的酸化膜、及び損傷層をシリコン基板表面から除去し、金属表面から汚染物質を除去するためのプラズマを用いた表面洗浄装置及び方法を提供すること。プラズマ発生装置と基板との間で接地されたグリッド及びバッフルを用いてポテンシャルを吸収することにより、ラジカルのみが基板に通過し、フッ素酸（ＨＦ）ガスは第２工程ガスとして用いられる。これによって、自然酸化膜、化学的酸化膜、またはエッチングの時にシリコン基板上に形成された損傷層はＨフローとともに熱処理段階で除去される。チャンバの環境は各ウェーハ工程完了の後、コンディショニングガスを流入することによって一定に保持される。したがって、工程再現性は改善する。
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