【課題】被処理体の表面上に処理流体が滞留するのを防止して表面処理の均一性を向上させることができる高圧処理装置を提供する。
【解決手段】回転軸Ｊ回りに回転駆動される基板Ｗに対して噴出管５から噴出されるＳＣＣＯ2が基板Ｗの表面に平行に供給される。噴出管５は回転軸Ｊに平行な回動軸Ｋ回りに回動自在に設けられており、コントローラ４からの制御指令に基づき、サーボモータ７３が作動することで噴出管５が回動駆動される。これにより、噴出管５からのＳＣＣＯ2の噴出方向が変更可能となっている。このため、基板Ｗの表面処理のプロセス条件に応じてＳＣＣＯ2の噴出方向を自在に調整することができ、基板Ｗの表面上におけるＳＣＣＯ2の滞留を防止して表面処理の均一性を向上させることができる。 （もっと読む）

半導体製造プロセスチャンバー中の表面から不所望の物質を取り除くための方法および装置。フッ素源と酸素源とを含むガス混合物は前処理され、活性なフッ素種を含むようになる。前処理された混合物は、当面、ガス貯蔵デバイス中で貯蔵され、その後、半導体プロセスチャンバーに導入される。前処理されたガスの導入に先立って、チャンバー中の温度は、通常の動作温度以下の温度まで下げられる。チャンバー中でプラズマを発生させないか、または高温条件を発生させることなく、不所望の物質が前処理されたガス混合物との化学反応によって除去されるか、または取り除かれる。
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【課題】処理液の供給形態を工夫することにより、清浄度高く処理することができ、かつ乾燥不良を防止できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】左側の噴出管７からは純水の供給が停止され、右側の噴出管７のみから純水が供給される。これにより、ドライエアの供給方向と液面付近における純水の流れとが一致するので、純水の流れに澱みが生じにくく、洗浄時に基板Ｗから剥離されて純水中に漂うパーティクルが効率的に排出される。その結果、引き上げられる基板Ｗにパーティクルが付着するのを防止することができ、基板Ｗを清浄度高く処理することができる。また、液面の中央部が盛り上がることがなく、ドライエアにより液面中央に波立ちが生じるのを防止することができるので、引き上げ中の基板Ｗに飛沫が付着することを防止でき、基板Ｗの乾燥不良を防止することができる。 （もっと読む）

本発明において誘電体膜を洗浄する装置及び方法が提供される。一実施形態では、誘電体膜を洗浄する装置は、基板を支持するように適応されたチャンバ本体と、上記チャンバ本体へ複数の反応性ラジカルを与えるように適応されたリモートプラズマ源と、上記リモートプラズマ源を上記チャンバ本体に結合する通路と、上記通路に隣接して配設された少なくとも１つの磁石とを含む。別の実施形態では、誘電体膜を洗浄する方法は、処理チャンバに配設される少なくとも部分的に露出される誘電体層を有する基板を準備し、リモートプラズマ源において複数の反応性ラジカルを生成し、少なくとも１つの磁石を隣接して配設させた通路を通して、上記処理チャンバへ上記リモートプラズマ源から上記反応性ラジカルを流し込み、上記通路を通る上記反応性ラジカルを磁気的にろ過することを含む。 （もっと読む）

超小型電子デバイスへの薄膜の堆積または超小型電子デバイスからの不要な層、パーティクル、および／または残渣の除去のための連続流式超臨界流体（ＳＣＦ）装置および方法。ＳＣＦと他の薬液成分との均一な混合を保証するために、ＳＣＦ装置には動的ミキサが含まれることが好ましい。
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高圧処理システムにおける均質な処理環境を提供する方法及びシステム（１００）が開示される。高圧流体及び処理化学物質は、高圧処理システム（１１０）における基板に超臨界状態の流体を晒す前に、事前混合システム（１６０）において混合される。例えば、事前混合システムは、高圧流体及び処理化学物質が混合されるまで高圧処理システムをバイパスするように構成された流体循環システム（１２０）を含んでよい。或いは、事前混合システムは、混合室を含んでよく、選択的に、混合室内で高圧流体及び処理化学物質を攪拌する手段を含む。
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