基板処理装置
【課題】処理液の供給形態を工夫することにより、清浄度高く処理することができ、かつ乾燥不良を防止できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】左側の噴出管７からは純水の供給が停止され、右側の噴出管７のみから純水が供給される。これにより、ドライエアの供給方向と液面付近における純水の流れとが一致するので、純水の流れに澱みが生じにくく、洗浄時に基板Ｗから剥離されて純水中に漂うパーティクルが効率的に排出される。その結果、引き上げられる基板Ｗにパーティクルが付着するのを防止することができ、基板Ｗを清浄度高く処理することができる。また、液面の中央部が盛り上がることがなく、ドライエアにより液面中央に波立ちが生じるのを防止することができるので、引き上げ中の基板Ｗに飛沫が付着することを防止でき、基板Ｗの乾燥不良を防止することができる。
【解決手段】左側の噴出管７からは純水の供給が停止され、右側の噴出管７のみから純水が供給される。これにより、ドライエアの供給方向と液面付近における純水の流れとが一致するので、純水の流れに澱みが生じにくく、洗浄時に基板Ｗから剥離されて純水中に漂うパーティクルが効率的に排出される。その結果、引き上げられる基板Ｗにパーティクルが付着するのを防止することができ、基板Ｗを清浄度高く処理することができる。また、液面の中央部が盛り上がることがなく、ドライエアにより液面中央に波立ちが生じるのを防止することができるので、引き上げ中の基板Ｗに飛沫が付着することを防止でき、基板Ｗの乾燥不良を防止することができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハや液晶表示装置用のガラス基板（以下、単に基板と称する）に対して所定の処理を施す基板処理装置に係り、特に、処理槽に処理液を供給しつつ、処理液面の上方にて水平方向へ乾燥気体を供給するとともに処理液から基板を引き上げて基板に対して乾燥処理を行う技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の装置として、処理液を貯留する処理槽と、処理槽の底部から処理液を供給する噴出管と、基板を支持し、処理槽の内部と処理槽の上方とにわたって昇降可能に構成されたリフタと、処理槽の液面近傍に備えられ、一方側から他方側へドライエアを供給するためのノズルとを備えたものが挙げられる（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
このように構成された装置では、噴出管から純水を供給させ、処理槽の底部から上方へ向かうアップフローの液流を形成させることで、純水を処理槽から溢れさせる。そして、基板を支持したリフタを下降させて基板を純水に浸漬させ、所定時間の処理の後にリフタを純水から上昇させる。このとき、ノズルからドライエアを水平方向に供給することにより、純水の液面から順次に露出する基板を乾燥させる。
【特許文献１】特開平１１−３５４４８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の装置は、アップフローで供給された純水が、処理槽の中央部を上昇して液面近くで左右に分かれ、処理槽の上縁の左右に分かれて溢れる。一方、ノズルから供給されるドライエアは、一方側から他方側へと一方向へのみ供給されている関係上、溢れる純水の流れに逆らう部分が生じる。そのため、ドライエアの流れと純水の流れが反対となる部分において純水の流れに澱みが生じ、純水中のパーティクルの排出効率が低下するので、引き上げてゆく基板がパーティクルで汚染されるという問題がある。
【０００５】
また、アップフローにより中央部の液面が盛り上がり、乾燥気体によりその部分に波立ちが発生し、純水の液滴が飛散して引き上げ中の基板に付着するので、ウォータマークが発生して乾燥不良を生じることがあるという問題もある。
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、処理液の供給形態を工夫することにより、清浄度高く処理することができ、かつ乾燥不良を防止できる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、処理液で基板を処理した後、基板を処理液から引き上げつつ乾燥気体で乾燥処理を行う基板処理装置において、処理液を貯留する処理槽と、前記処理槽の上部にて、前記処理槽内に貯留する処理液面に沿って一方側から他方側へ乾燥気体を供給する乾燥気体供給手段と、前記処理槽の底部両端側に配設され、前記処理槽の底部中央に向けて処理液を供給する一対の噴出管と、基板を支持し、前記処理槽内部の処理位置と処理槽上方にあたる乾燥位置にわたって昇降自在に構成された支持手段と、前記支持手段を処理位置に位置させた状態で、前記一対の噴出管から処理液を供給させて基板に処理を行わせた後、前記乾燥気体供給手段から乾燥気体を供給させつつ前記支持手段を上昇させる際には、前記一対の噴出管のうち、前記乾燥気体供給手段における乾燥気体の排出側に位置する一方の噴出管のみから処理液を供給させる制御手段と、を備えていることを特徴とするものである。
【０００８】
［作用・効果］請求項１に記載の発明によれば、制御手段は、支持手段を処理位置に位置させた状態で、一対の噴出管から処理液を供給させて基板に処理を行わせた後、乾燥気体供給手段から乾燥気体を供給させつつ支持手段を上昇させる際には、一対の噴出管のうち、乾燥気体供給手段における乾燥気体の排出側に位置する一方の噴出管のみから処理液を供給させる。したがって、基板の処理中には、一対の噴出管から供給された処理液が底部中央から液面付近に向かって上昇しつつ処理槽の両側に向かって流れが分かれ、処理槽の両上縁から排出される。基板を引き上げ乾燥させる際には、一対の噴出管のうち乾燥気体の排出側に位置する一方の噴出管のみから処理液を供給させるので、供給された処理液は、処理槽の底部に沿って他方の噴出管側へ向かった後、処理槽の側壁に沿って上昇し、液面付近を乾燥気体の排出側へ向かって流れた後に処理槽の上縁から溢れて排出される。したがって、乾燥気体の供給方向と液面付近における処理液の流れとが一致するので、処理液の流れに澱みが生じにくく、処理液中のパーティクルが効率的に排出される。その結果、引き上げられる基板にパーティクルが付着するのを防止することができ、清浄度高く処理することができる。また、液面の中央部が盛り上がることがなく、乾燥気体により液面中央に波立ちが生じるのを防止することができるので、引き上げ中の基板に飛沫が付着することを防止でき、乾燥不良を防止することができる。
【０００９】
また、請求項２に記載の発明は、処理液で基板を処理した後、基板を処理液から引き上げつつ乾燥気体で乾燥処理を行う基板処理装置において、処理液を貯留する処理槽と、前記処理槽の上部にて、前記処理槽内に貯留する処理液面に沿って一方側から他方側へ乾燥気体を供給する乾燥気体供給手段と、前記処理槽の底部両端のうち、前記乾燥気体供給手段における乾燥気体の供給側に配設され、前記処理槽の底部中央へ処理液を供給する第１の方向と、処理槽の上方へ処理液を供給する第２の方向とを切り換え可能な第１の噴出管と、前記第１の噴出管とは前記処理槽の底部における反対側に配設され、前記処理槽の底部中央に向けて処理液を供給する第２の噴出管と、前記支持手段を処理位置に位置させた状態で、前記第１の噴出管から第１の方向へ処理液を供給させるとともに、前記第２の噴出管から処理液を供給させて基板に処理を行わせた後、前記乾燥気体供給手段から乾燥気体を供給させつつ前記支持手段を上昇させる際には、前記第２の噴出管からの処理液の供給を停止させるとともに、前記第１の噴出管から第２の方向へ処理液を供給させる制御手段と、を備えていることを特徴とするものである。
【００１０】
［作用・効果］請求項２に記載の発明によれば、制御手段は、支持手段を処理位置に位置させた状態で、第１の噴出管から第１の方向へ処理液を供給させるとともに、第２の噴出管から処理液を供給させて基板に処理を行わせた後、乾燥気体供給手段から乾燥気体を供給させつつ支持手段を上昇させる際には、第２の噴出管からの処理液の供給を停止させるとともに、第１の噴出管から第２の方向へ処理液を供給させる。したがって、基板の処理中は、第１の噴出管から第１の方向へ供給された処理液及び第２の噴出管から供給された処理液が底部中央から液面付近に向かって上昇しつつ処理槽の両側に向かって流れが分かれ、処理槽の両上縁から排出される。基板を引き上げ乾燥させる際には、第１の噴出管の第２の方向のみから処理液を供給させるので、供給された処理液は、処理槽の側壁に沿って上昇し、液面付近を乾燥気体の排出側へ向かって流れた後に処理槽の上縁から溢れて排出される。したがって、乾燥気体の供給方向と液面付近における処理液の流れとが一致するので、処理液の流れに澱みが生じにくく、処理液中のパーティクルが効率的に排出される。その結果、引き上げられる基板にパーティクルが付着するのを防止することができ、清浄度高く処理することができる。また、液面の中央部が盛り上がることがなく、乾燥気体により液面中央に波立ちが生じるのを防止することができるので、引き上げ中の基板に飛沫が付着することを防止でき、乾燥不良を防止することができる。
【００１１】
また、本発明は、前記第１の噴出管は、縦断面円形状の筒部材と、筒部材の内部空間を二分する仕切り部材と、仕切り部材で仕切られた一方の内部空間に連通し、前記第１の方向へ処理液を供給する第１の噴出口と、仕切り部材で仕切られた他方の内部空間に連通し、前記第２の方向へ処理液を供給する第２の噴出口と、を備えていることが好ましい（請求項３）。筒部材を仕切り部材で仕切って第１の噴出口と第２の噴出口とを形成し、第１の噴出管への処理液の供給先を切り換えるだけで処理液の供給方向を切り換えることができる。したがって、余分なスペースを必要とせず、省スペース化を図ることができる。
【００１２】
また、本発明は、前記第１の噴出管は、第１の方向へ処理液を供給する第１の筒部材と、第２の方向へ処理液を供給する第２の筒部材と、を備えて別体で構成されていることが好ましい（請求項４）。別体の第１の筒部材と第２の筒部材とで第１の噴出管を構成しているので、両筒部材の構造を簡易化できる。
【００１３】
また、請求項５に記載の発明は、処理液で基板を処理した後、基板を処理液から引き上げつつ乾燥気体で乾燥処理を行う基板処理装置において、処理液を貯留する処理槽と、前記処理槽の上部にて、前記処理槽内に貯留する処理液面に沿って一方側から他方側へ乾燥気体を供給する乾燥気体供給手段と、前記処理槽の底部両端側に配設され、前記処理槽の底部中央に向けて処理液を供給する一対の噴出管と、前記処理槽の上部両側壁うち、前記乾燥気体供給手段の供給側に配設され、前記処理槽の液面付近にて前記乾燥気体供給手段の排出側に向けて処理液を供給する上部噴出管と、基板を支持し、前記処理槽内部の処理位置と処理槽上方にあたる乾燥位置にわたって昇降自在に構成された支持手段と、前記支持手段を処理位置に位置させた状態で、前記一対の噴出管から処理液を供給させて基板に処理を行わせた後、前記乾燥気体供給手段から乾燥気体を供給させつつ前記支持手段を上昇させる際には、前記一対の噴出管からの処理液の供給を停止させるとともに、前記上部噴出管から処理液を供給させる制御手段と、を備えていることを特徴とするものである。
【００１４】
［作用・効果］請求項５に記載の発明によれば、制御手段は、支持手段を処理位置に位置させた状態で、一対の噴出管から処理液を供給させて基板に処理を行わせた後、乾燥気体供給手段から乾燥気体を供給させつつ支持手段を上昇させる際には、一対の噴出管からの処理液の供給を停止させるとともに、上部噴出管から処理液を供給させる。したがって、基板の処理中には、一対の噴出管から供給された処理液が底部中央から液面付近に向かって上昇しつつ処理槽の両側に向かって流れが分かれ、処理槽の両上縁から排出される。基板を引き上げ乾燥させる際には、一対の噴出管からの処理液の供給を停止させるとともに、上部噴出管のみから処理液を供給させるので、供給された処理液は、液面付近を乾燥気体の排出側へ向かって流れた後に処理槽の上縁から溢れて排出される。したがって、乾燥気体の供給方向と液面付近における処理液の流れとが一致するので、処理液の流れに澱みが生じにくく、処理液中のパーティクルが効率的に排出される。その結果、引き上げられる基板にパーティクルが付着するのを防止することができ、清浄度高く処理することができる。また、液面の中央部が盛り上がることがなく、乾燥気体により液面中央に波立ちが生じるのを防止することができるので、引き上げ中の基板に飛沫が付着することを防止でき、乾燥不良を防止することができる。
【００１５】
また、本発明は、前記制御手段は、前記一対の噴出管からの処理液の供給を停止させることに代えて、前記一対の噴出管のうち、前記乾燥気体供給手段の供給側に位置する噴出管からの処理液の供給だけを停止させることが好ましい（請求項６）。一対の噴出管のうち、乾燥気体供給手段の供給側に位置する噴出管からの処理液の供給だけを停止させても、乾燥気体の供給方向と液面付近における処理液の流れとが一致する。処理槽内部の流れを止めないので、基板の引き上げ時であっても処理槽内部のパーティクルの排出を継続させることができる。
【００１６】
また、本発明は、前記処理槽の上部両側壁のうち、前記乾燥気体供給手段の供給側に、上縁から処理槽の中央部側に向かって延出された整流版をさらに備えていることが好ましい（請求項７）。乾燥気体の流速が速く供給側に整流版を設けているので、液面が波立つのを防止して液面から処理液の飛沫が飛散するのを防止できる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明に係る基板処理装置によれば、基板の処理中には、一対の噴出管から供給された処理液が底部中央から液面付近に向かって上昇しつつ処理槽の両側に向かって流れが分かれ、処理槽の両上縁から排出される。基板を引き上げ乾燥させる際には、一対の噴出管のうち乾燥気体の排出側に位置する一方の噴出管のみから処理液を供給させるので、供給された処理液は、処理槽の底部に沿って他方の噴出管側へ向かった後、処理槽の側壁に沿って上昇し、液面付近を乾燥気体の排出側へ向かって流れた後に処理槽の上縁から溢れて排出される。したがって、乾燥気体の供給方向と液面付近における処理液の流れとが一致するので、処理液の流れに澱みが生じにくく、処理液中のパーティクルが効率的に排出される。その結果、引き上げられる基板にパーティクルが付着するのを防止することができ、清浄度高く処理することができる。また、液面の中央部が盛り上がることがなく、乾燥気体により液面中央に波立ちが生じるのを防止することができるので、引き上げ中の基板に飛沫が付着することを防止でき、乾燥不良を防止することができる。
【実施例１】
【００１８】
以下、図面を参照して本発明の実施例１を説明する。
図１は、実施例１に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。
【００１９】
本実施例１に係る基板処理装置は、処理液を貯留する処理槽１を備えている。この処理槽１は、処理液を貯留し、起立姿勢とされた複数枚の基板Ｗを収容可能に構成されている。処理槽１の底部には、複数枚の基板Ｗが整列されている方向（紙面方向）に沿って長軸を有し、処理液を処理槽１内に供給するための一対の噴出管７が配設されている。右側の噴出管７には、供給管８の一端側が接続され、供給管８の他端側は、図示しない処理液供給源に連通接続されている。左側の噴出管７には、供給管９の一端側が接続され、供給管９の他端側は、図示しない処理液供給源に連通接続されている。供給管８，９は、フッ化水素酸や、硫酸・過酸化水素水の混合液などの薬液や、純水などを処理液として供給する。供給管８，９には、それぞれ流量制御弁１０，１１が取り付けられており、これらによって一対の噴出管７から処理槽１に供給される処理液の流量が調整される。
【００２０】
処理槽１は、その周囲がチャンバ１２で囲われている。チャンバ１２は、上部に開閉自在の上部カバー１３を備えている。起立姿勢で複数枚の基板Ｗを支持するリフタ１５は、チャンバ１２の上方にあたる「待機位置」と、処理槽１の内部にあたる「処理位置」と、処理槽１の上方であってチャンバ１２の内部にあたる「乾燥位置」とにわたって移動可能に構成されている。リフタ１５は、複数枚の基板Ｗを当接支持する支持部材１６を下部に備えている。
【００２１】
なお、上述したリフタ１５が本発明における支持手段に相当する。
【００２２】
処理槽１の底部には、排出口１７が形成されている。この排出口１７には、ＱＤＲ弁１９が取り付けられている。この排出口１７から処理槽１内の処理液を排出すると、処理液がチャンバ１２内の底部に一旦排出される。チャンバ１２の底部には排液弁２１が取り付けられており、排液弁２１が開放されると、チャンバ１２内に排出された処理液が外部に排出される。また、噴出管７から供給されて処理槽１を溢れ、チャンバ１２内に排出された処理液も同様にして排液弁２１を介して外部に排出される。
【００２３】
チャンバ１２のうち、処理槽１の上縁側方には、リフタ１５に支持された複数枚の基板Ｗの側方から乾燥気体であるドライエアを供給するための供給部２３が配設されている。また、処理槽１を挟んで供給部２３と対向する位置には、ドライエアを排出するための排出部２５が配設されている。供給部２３は、処理槽１に貯留している処理液の液面近傍に開口するように、ドライエアを噴出する噴射口２７を備え、排出部２５は、ドライエアをチャンバ１２外へ排出するための排出口２９を処理槽１側に備えている。
【００２４】
上述した供給部２３には、一端側がドライエア供給装置３１に連通接続された供給配管３３の他端側が連通接続されている。ドライエア供給装置３１は、エアを取り込んで除湿し、所定湿度に調整したドライエアを供給配管３３へ供給する。
【００２５】
なお、上述した供給部２３が本発明における乾燥気体供給手段に相当する。
【００２６】
上述したリフタ１５の昇降動作や、ＱＤＲ弁１９及び排液弁２１の開閉、流量制御弁１０，１１などは、本発明における制御手段に相当する制御部４７によって統括的に制御される。特に、流量制御弁１０，１１については、以下に説明するように、特徴的な操作が行われる。
【００２７】
次に、上述した構成の基板処理装置の動作について、図２及び図３を参照する。なお、図２は、洗浄処理時を示す模式図であり、図３は、乾燥処理時を示す模式図である。以下の説明においては、リフタ１５が既に処理位置に移動されているものとする。
【００２８】
＜洗浄処理時＞
制御部４７は、流量制御弁１０，１１を同じ流量に設定して開放し、一対の噴出管７から同じ流量で処理液として純水を処理総１内へ供給させる。すると、純水は、処理槽１の底部両端部から供給され、底部中央にて上方へ向かい、液面付近で左右に分かれて処理槽１から溢れ出る（図２）。この状態を所定時間だけ維持させることにより、基板Ｗに対して純水による洗浄処理が行われる。
【００２９】
＜乾燥処理時＞
制御部４７は、流量制御弁１１の流量をゼロに設定する。これにより、左側の噴出管７からは純水の供給が停止され、右側の噴出管７のみから純水が供給される。したがって、純水は、処理槽１の底部右側から底部に沿って左側の噴出管７側へ向かった後、処理槽１の側壁に沿って上昇し、液面付近を排出部２５側へ向かって流れた後に処理槽１の上縁から溢れて排出される（図３）。この状態で、制御部４７は、供給部２３の噴射口２７からドライエアを供給させるとともに、リフタ１５を乾燥位置に向けて上昇させる。すると、純水の液面から順次に露出する基板Ｗにドライエアが供給され、基板Ｗに対する乾燥処理が行われる。
【００３０】
上記のようにして基板Ｗの乾燥処理が行われるが、ドライエアの供給方向と液面付近における純水の流れとが一致するので、純水の流れに澱みが生じにくく、洗浄時に基板Ｗから剥離されて純水中に漂うパーティクルや処理槽１内の純水中に元々存在するパーティクルが効率的に排出される。その結果、引き上げられる基板Ｗにパーティクルが付着するのを防止することができ、基板Ｗを清浄度高く処理することができる。また、液面の中央部が盛り上がることがなく、ドライエアにより液面中央に波立ちが生じるのを防止することができるので、引き上げ中の基板Ｗに飛沫が付着することを防止でき、基板Ｗの乾燥不良を防止することができる。
【実施例２】
【００３１】
次に、図面を参照して本発明の実施例２を説明する。
図４は、実施例２に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図であり、図５は、第２の噴出管の縦断面図である。なお、上述した実施例１と同様の構成については、同符号を付すことで詳細な説明については省略する。
【００３２】
本実施例２に係る基板処理装置は、処理槽１の底部左側に第１の噴出管５１を備え、処理槽１の底部右側に第２の噴出管５３を備えている。第２の噴出管５３には、図示しない処理液供給源に一端側が連通接続された供給管５５の他端側が連通接続されている。供給管５５には、流量を調整する流量制御弁５７が取り付けられている。
【００３３】
第１の噴出管５１は、図５に示すように、縦断面が円形状を呈する筒部材５９と、この筒部材５９の内部空間を二分する仕切り部材６１と、筒部材５９に形成され、内部空間の一方に連通し、処理槽１の底部中央に向かう第１の方向へ処理液を供給可能な第１の噴出口６３と、筒部材５９に形成され、内部空間の他方に連通し、処理槽１の側壁に沿う上方へ向かう第２の方向へ処理液を供給可能な第２の噴出口６５と、第１の噴出口６３に連通した第１供給口６７と、第２の噴出口６５に連通した第２供給口６９とを備えている。
【００３４】
第１供給口６７と第２供給口６９には、一端側が図示しない処理液供給源に連通接続された供給管７１の他端側が三方弁７３を介して連通接続されている。つまり、第１供給口６７と第２供給口６９は、三方弁７３の操作により、いずれか一方のみから処理液が供給される。供給管７１には、流量を調整する流量制御弁７５が取り付けられている。
【００３５】
本実施例２における制御部４７は、リフタ１５などの制御の他、三方弁７３の切り換えも制御する。
【００３６】
次に、上述した構成の基板処理装置の動作について、図６及び図７を参照する。なお、図６は、洗浄処理時を示す模式図であり、図７は、乾燥処理時を示す模式図である。
【００３７】
＜洗浄処理時＞
制御部４７は、三方弁７３を第１供給口６７側に切り換えるとともに、流量制御弁５７，７５を同じ流量に設定して開放し、第１の噴出管５１と第２の噴射管５３とから同じ流量で処理液として純水を処理槽１内へ供給させる。第１の噴射管５１からは、第１の方向へ純水が供給される。すると、純水は、処理槽１の底部両端部から供給され、底部中央にて上方へ向かい、液面付近で左右に分かれて処理槽１から溢れ出る（図６）。この状態を所定時間だけ維持させることにより、基板Ｗに対して純水による洗浄処理が行われる。
【００３８】
＜乾燥処理時＞
制御部４７は、流量制御弁５７の流量をゼロに設定する。これにより、第２の噴出管５３からは純水の供給が停止される。さらに、流量制御弁７５を開いた状態で三方弁７３を第２供給口６９側に切り換える。これにより、第１の噴出管５１からは、純水が第２の方向だけに供給される。したがって、純水は、処理槽１の側壁に沿って上昇し、液面付近をドライエアの排出側へ向かって流れた後に処理槽１の上縁から溢れて排出される（図７）。この状態で、制御部４７は、噴射口２７からドライエアを供給させるとともに、リフタ１５を乾燥位置に向けて上昇させる。すると、純水の液面から順次に露出する基板Ｗにドライエアが供給され、基板Ｗに対する乾燥処理が行われる。
【００３９】
上述した本実施例２に係る基板処理装置であっても、上述した実施例１に係る基板処理装置と同等の効果を奏する。また、筒部材５９を仕切り部材６１で仕切って第１の噴出口６３と第２の噴出口６５とを形成し、第１の噴出管５１への処理液の供給先を切り換えるだけで処理液の供給方向を切り換えることができる。したがって、処理槽１に余分なスペースを必要とせず、省スペース化を図ることができる。
【００４０】
なお、上述した実施例２に係る基板処理装置は、図８に示すように構成してもよい。図８は、実施例２に係る基板処理装置の変形例を示すブロック図である。
【００４１】
すなわち、第１の噴出管５１が、第１の方向へ処理液を供給する第１の筒部材７７と、第２の方向へ処理液を供給する第２の筒部材７９との別体で構成されている点において上記実施例２とは構成が相違する。このような構成であっても、三方弁７３を上述したタイミングで切り換えることにより、同様の効果を奏する。また、同じ構成の二つの筒部材で第１の噴出管５１を構成するので、実施例２の第１の噴射管５１に比較して構造を簡易化できる。
【実施例３】
【００４２】
次に、図９〜図１１を参照して本発明の実施例３を説明する。
図９は、実施例３に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図であり、図１０は、洗浄処理時を示す模式図であり、図１１は、乾燥処理時を示す模式図である。なお、上述した実施例１と同等の構成については、同符号を付すことで詳細な説明については省略する。
【００４３】
本実施例３に係る基板処理装置は、一対の噴出管７を備え、これらの噴出管７には供給管８から処理液が供給される。また、処理槽１の上部両側壁のうち、ドライエアの供給部２３側には、上部噴出管８１が配設されている。この上部噴出管８１には、図示しない処理液供給源に一端側が連通接続された供給管８３の他端側が連通接続されており、上部噴出管８１は、処理槽１の液面付近において排出部２５側に向けて処理液を供給する。供給管８３には、流量を調整する流量制御弁８５が取り付けられている。
【００４４】
洗浄処理時（図１０）においては、流量制御弁８５の流量をゼロにして上部噴出管８１からの純水の供給を遮断させた状態で、一対の噴出管７から純水を供給させて基板Ｗに対して処理を行う。一方、乾燥処理時（図１１）においては、流量制御弁１０の流量をゼロにして純水の供給を停止させるとともに、流量制御弁８５の流量を所定値にして上部噴出管８１から純水を供給させる。
【００４５】
上述した本実施例３に係る基板処理装置であっても、上述した実施例１，２に係る基板処理装置と同等の効果を奏する。
【００４６】
なお、上記の実施例３において、実施例１のように制御部４７が、一対の噴出管７のうち、供給部２３側に位置する左側の噴出管７からの純水の供給だけを停止させるようにしてもよい。このようにしても、上記同様の効果を奏するとともに、処理槽１の内部の流れを止めないので、基板Ｗの引き上げ時であっても処理槽１内部のパーティクルの排出を継続させることができる。
【００４７】
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【００４８】
（１）上述した各実施例１〜３では、処理槽１が単槽で構成されているが、内槽と、内槽から溢れた処理液を回収する外槽とを備えた複槽式の処理槽であってもよい。
【００４９】
（２）上述した各実施例１〜３では、供給部２３からドライエアを供給しているが、これに代えてドライ窒素や他の乾燥気体を供給する構成としてもよい。
【００５０】
（３）上述した各実施例１〜３において、図１２に示す変形例のように構成を追加してもよい。
すなわち、処理槽１の上部両側壁のうち、供給部２３側に、処理槽１の側壁上縁から排出部２５側に向かって延出され、リフタ１５及び支持されている基板Ｗに干渉しない長さの整流板８７をさらに備えるようにしてもよい。この整流板８７を設けることにより、供給部２３側の液面が波立つのを防止して、液面から純水の飛沫が飛散するのを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】実施例１に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。
【図２】洗浄処理時を示す模式図である。
【図３】乾燥処理時を示す模式図である。
【図４】実施例２に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。
【図５】第２の噴出管の縦断面図である。
【図６】洗浄処理時を示す模式図である。
【図７】乾燥処理時を示す模式図である。
【図８】実施例２の変形例に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。
【図９】実施例３に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。
【図１０】洗浄処理時を示す模式図である。
【図１１】乾燥処理時を示す模式図である。
【図１２】変形例を示す概略構成図である。
【符号の説明】
【００５２】
Ｗ … 基板
１ … 処理槽
７ … 噴出管
８，９ … 供給管
１０，１１ … 流量制御弁
１２ … チャンバ
１５ … リフタ
２３ … 供給部
２５ … 排出部
３３ … 供給配管
４７ … 制御部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハや液晶表示装置用のガラス基板（以下、単に基板と称する）に対して所定の処理を施す基板処理装置に係り、特に、処理槽に処理液を供給しつつ、処理液面の上方にて水平方向へ乾燥気体を供給するとともに処理液から基板を引き上げて基板に対して乾燥処理を行う技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の装置として、処理液を貯留する処理槽と、処理槽の底部から処理液を供給する噴出管と、基板を支持し、処理槽の内部と処理槽の上方とにわたって昇降可能に構成されたリフタと、処理槽の液面近傍に備えられ、一方側から他方側へドライエアを供給するためのノズルとを備えたものが挙げられる（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
このように構成された装置では、噴出管から純水を供給させ、処理槽の底部から上方へ向かうアップフローの液流を形成させることで、純水を処理槽から溢れさせる。そして、基板を支持したリフタを下降させて基板を純水に浸漬させ、所定時間の処理の後にリフタを純水から上昇させる。このとき、ノズルからドライエアを水平方向に供給することにより、純水の液面から順次に露出する基板を乾燥させる。
【特許文献１】特開平１１−３５４４８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の装置は、アップフローで供給された純水が、処理槽の中央部を上昇して液面近くで左右に分かれ、処理槽の上縁の左右に分かれて溢れる。一方、ノズルから供給されるドライエアは、一方側から他方側へと一方向へのみ供給されている関係上、溢れる純水の流れに逆らう部分が生じる。そのため、ドライエアの流れと純水の流れが反対となる部分において純水の流れに澱みが生じ、純水中のパーティクルの排出効率が低下するので、引き上げてゆく基板がパーティクルで汚染されるという問題がある。
【０００５】
また、アップフローにより中央部の液面が盛り上がり、乾燥気体によりその部分に波立ちが発生し、純水の液滴が飛散して引き上げ中の基板に付着するので、ウォータマークが発生して乾燥不良を生じることがあるという問題もある。
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、処理液の供給形態を工夫することにより、清浄度高く処理することができ、かつ乾燥不良を防止できる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、処理液で基板を処理した後、基板を処理液から引き上げつつ乾燥気体で乾燥処理を行う基板処理装置において、処理液を貯留する処理槽と、前記処理槽の上部にて、前記処理槽内に貯留する処理液面に沿って一方側から他方側へ乾燥気体を供給する乾燥気体供給手段と、前記処理槽の底部両端側に配設され、前記処理槽の底部中央に向けて処理液を供給する一対の噴出管と、基板を支持し、前記処理槽内部の処理位置と処理槽上方にあたる乾燥位置にわたって昇降自在に構成された支持手段と、前記支持手段を処理位置に位置させた状態で、前記一対の噴出管から処理液を供給させて基板に処理を行わせた後、前記乾燥気体供給手段から乾燥気体を供給させつつ前記支持手段を上昇させる際には、前記一対の噴出管のうち、前記乾燥気体供給手段における乾燥気体の排出側に位置する一方の噴出管のみから処理液を供給させる制御手段と、を備えていることを特徴とするものである。
【０００８】
［作用・効果］請求項１に記載の発明によれば、制御手段は、支持手段を処理位置に位置させた状態で、一対の噴出管から処理液を供給させて基板に処理を行わせた後、乾燥気体供給手段から乾燥気体を供給させつつ支持手段を上昇させる際には、一対の噴出管のうち、乾燥気体供給手段における乾燥気体の排出側に位置する一方の噴出管のみから処理液を供給させる。したがって、基板の処理中には、一対の噴出管から供給された処理液が底部中央から液面付近に向かって上昇しつつ処理槽の両側に向かって流れが分かれ、処理槽の両上縁から排出される。基板を引き上げ乾燥させる際には、一対の噴出管のうち乾燥気体の排出側に位置する一方の噴出管のみから処理液を供給させるので、供給された処理液は、処理槽の底部に沿って他方の噴出管側へ向かった後、処理槽の側壁に沿って上昇し、液面付近を乾燥気体の排出側へ向かって流れた後に処理槽の上縁から溢れて排出される。したがって、乾燥気体の供給方向と液面付近における処理液の流れとが一致するので、処理液の流れに澱みが生じにくく、処理液中のパーティクルが効率的に排出される。その結果、引き上げられる基板にパーティクルが付着するのを防止することができ、清浄度高く処理することができる。また、液面の中央部が盛り上がることがなく、乾燥気体により液面中央に波立ちが生じるのを防止することができるので、引き上げ中の基板に飛沫が付着することを防止でき、乾燥不良を防止することができる。
【０００９】
また、請求項２に記載の発明は、処理液で基板を処理した後、基板を処理液から引き上げつつ乾燥気体で乾燥処理を行う基板処理装置において、処理液を貯留する処理槽と、前記処理槽の上部にて、前記処理槽内に貯留する処理液面に沿って一方側から他方側へ乾燥気体を供給する乾燥気体供給手段と、前記処理槽の底部両端のうち、前記乾燥気体供給手段における乾燥気体の供給側に配設され、前記処理槽の底部中央へ処理液を供給する第１の方向と、処理槽の上方へ処理液を供給する第２の方向とを切り換え可能な第１の噴出管と、前記第１の噴出管とは前記処理槽の底部における反対側に配設され、前記処理槽の底部中央に向けて処理液を供給する第２の噴出管と、前記支持手段を処理位置に位置させた状態で、前記第１の噴出管から第１の方向へ処理液を供給させるとともに、前記第２の噴出管から処理液を供給させて基板に処理を行わせた後、前記乾燥気体供給手段から乾燥気体を供給させつつ前記支持手段を上昇させる際には、前記第２の噴出管からの処理液の供給を停止させるとともに、前記第１の噴出管から第２の方向へ処理液を供給させる制御手段と、を備えていることを特徴とするものである。
【００１０】
［作用・効果］請求項２に記載の発明によれば、制御手段は、支持手段を処理位置に位置させた状態で、第１の噴出管から第１の方向へ処理液を供給させるとともに、第２の噴出管から処理液を供給させて基板に処理を行わせた後、乾燥気体供給手段から乾燥気体を供給させつつ支持手段を上昇させる際には、第２の噴出管からの処理液の供給を停止させるとともに、第１の噴出管から第２の方向へ処理液を供給させる。したがって、基板の処理中は、第１の噴出管から第１の方向へ供給された処理液及び第２の噴出管から供給された処理液が底部中央から液面付近に向かって上昇しつつ処理槽の両側に向かって流れが分かれ、処理槽の両上縁から排出される。基板を引き上げ乾燥させる際には、第１の噴出管の第２の方向のみから処理液を供給させるので、供給された処理液は、処理槽の側壁に沿って上昇し、液面付近を乾燥気体の排出側へ向かって流れた後に処理槽の上縁から溢れて排出される。したがって、乾燥気体の供給方向と液面付近における処理液の流れとが一致するので、処理液の流れに澱みが生じにくく、処理液中のパーティクルが効率的に排出される。その結果、引き上げられる基板にパーティクルが付着するのを防止することができ、清浄度高く処理することができる。また、液面の中央部が盛り上がることがなく、乾燥気体により液面中央に波立ちが生じるのを防止することができるので、引き上げ中の基板に飛沫が付着することを防止でき、乾燥不良を防止することができる。
【００１１】
また、本発明は、前記第１の噴出管は、縦断面円形状の筒部材と、筒部材の内部空間を二分する仕切り部材と、仕切り部材で仕切られた一方の内部空間に連通し、前記第１の方向へ処理液を供給する第１の噴出口と、仕切り部材で仕切られた他方の内部空間に連通し、前記第２の方向へ処理液を供給する第２の噴出口と、を備えていることが好ましい（請求項３）。筒部材を仕切り部材で仕切って第１の噴出口と第２の噴出口とを形成し、第１の噴出管への処理液の供給先を切り換えるだけで処理液の供給方向を切り換えることができる。したがって、余分なスペースを必要とせず、省スペース化を図ることができる。
【００１２】
また、本発明は、前記第１の噴出管は、第１の方向へ処理液を供給する第１の筒部材と、第２の方向へ処理液を供給する第２の筒部材と、を備えて別体で構成されていることが好ましい（請求項４）。別体の第１の筒部材と第２の筒部材とで第１の噴出管を構成しているので、両筒部材の構造を簡易化できる。
【００１３】
また、請求項５に記載の発明は、処理液で基板を処理した後、基板を処理液から引き上げつつ乾燥気体で乾燥処理を行う基板処理装置において、処理液を貯留する処理槽と、前記処理槽の上部にて、前記処理槽内に貯留する処理液面に沿って一方側から他方側へ乾燥気体を供給する乾燥気体供給手段と、前記処理槽の底部両端側に配設され、前記処理槽の底部中央に向けて処理液を供給する一対の噴出管と、前記処理槽の上部両側壁うち、前記乾燥気体供給手段の供給側に配設され、前記処理槽の液面付近にて前記乾燥気体供給手段の排出側に向けて処理液を供給する上部噴出管と、基板を支持し、前記処理槽内部の処理位置と処理槽上方にあたる乾燥位置にわたって昇降自在に構成された支持手段と、前記支持手段を処理位置に位置させた状態で、前記一対の噴出管から処理液を供給させて基板に処理を行わせた後、前記乾燥気体供給手段から乾燥気体を供給させつつ前記支持手段を上昇させる際には、前記一対の噴出管からの処理液の供給を停止させるとともに、前記上部噴出管から処理液を供給させる制御手段と、を備えていることを特徴とするものである。
【００１４】
［作用・効果］請求項５に記載の発明によれば、制御手段は、支持手段を処理位置に位置させた状態で、一対の噴出管から処理液を供給させて基板に処理を行わせた後、乾燥気体供給手段から乾燥気体を供給させつつ支持手段を上昇させる際には、一対の噴出管からの処理液の供給を停止させるとともに、上部噴出管から処理液を供給させる。したがって、基板の処理中には、一対の噴出管から供給された処理液が底部中央から液面付近に向かって上昇しつつ処理槽の両側に向かって流れが分かれ、処理槽の両上縁から排出される。基板を引き上げ乾燥させる際には、一対の噴出管からの処理液の供給を停止させるとともに、上部噴出管のみから処理液を供給させるので、供給された処理液は、液面付近を乾燥気体の排出側へ向かって流れた後に処理槽の上縁から溢れて排出される。したがって、乾燥気体の供給方向と液面付近における処理液の流れとが一致するので、処理液の流れに澱みが生じにくく、処理液中のパーティクルが効率的に排出される。その結果、引き上げられる基板にパーティクルが付着するのを防止することができ、清浄度高く処理することができる。また、液面の中央部が盛り上がることがなく、乾燥気体により液面中央に波立ちが生じるのを防止することができるので、引き上げ中の基板に飛沫が付着することを防止でき、乾燥不良を防止することができる。
【００１５】
また、本発明は、前記制御手段は、前記一対の噴出管からの処理液の供給を停止させることに代えて、前記一対の噴出管のうち、前記乾燥気体供給手段の供給側に位置する噴出管からの処理液の供給だけを停止させることが好ましい（請求項６）。一対の噴出管のうち、乾燥気体供給手段の供給側に位置する噴出管からの処理液の供給だけを停止させても、乾燥気体の供給方向と液面付近における処理液の流れとが一致する。処理槽内部の流れを止めないので、基板の引き上げ時であっても処理槽内部のパーティクルの排出を継続させることができる。
【００１６】
また、本発明は、前記処理槽の上部両側壁のうち、前記乾燥気体供給手段の供給側に、上縁から処理槽の中央部側に向かって延出された整流版をさらに備えていることが好ましい（請求項７）。乾燥気体の流速が速く供給側に整流版を設けているので、液面が波立つのを防止して液面から処理液の飛沫が飛散するのを防止できる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明に係る基板処理装置によれば、基板の処理中には、一対の噴出管から供給された処理液が底部中央から液面付近に向かって上昇しつつ処理槽の両側に向かって流れが分かれ、処理槽の両上縁から排出される。基板を引き上げ乾燥させる際には、一対の噴出管のうち乾燥気体の排出側に位置する一方の噴出管のみから処理液を供給させるので、供給された処理液は、処理槽の底部に沿って他方の噴出管側へ向かった後、処理槽の側壁に沿って上昇し、液面付近を乾燥気体の排出側へ向かって流れた後に処理槽の上縁から溢れて排出される。したがって、乾燥気体の供給方向と液面付近における処理液の流れとが一致するので、処理液の流れに澱みが生じにくく、処理液中のパーティクルが効率的に排出される。その結果、引き上げられる基板にパーティクルが付着するのを防止することができ、清浄度高く処理することができる。また、液面の中央部が盛り上がることがなく、乾燥気体により液面中央に波立ちが生じるのを防止することができるので、引き上げ中の基板に飛沫が付着することを防止でき、乾燥不良を防止することができる。
【実施例１】
【００１８】
以下、図面を参照して本発明の実施例１を説明する。
図１は、実施例１に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。
【００１９】
本実施例１に係る基板処理装置は、処理液を貯留する処理槽１を備えている。この処理槽１は、処理液を貯留し、起立姿勢とされた複数枚の基板Ｗを収容可能に構成されている。処理槽１の底部には、複数枚の基板Ｗが整列されている方向（紙面方向）に沿って長軸を有し、処理液を処理槽１内に供給するための一対の噴出管７が配設されている。右側の噴出管７には、供給管８の一端側が接続され、供給管８の他端側は、図示しない処理液供給源に連通接続されている。左側の噴出管７には、供給管９の一端側が接続され、供給管９の他端側は、図示しない処理液供給源に連通接続されている。供給管８，９は、フッ化水素酸や、硫酸・過酸化水素水の混合液などの薬液や、純水などを処理液として供給する。供給管８，９には、それぞれ流量制御弁１０，１１が取り付けられており、これらによって一対の噴出管７から処理槽１に供給される処理液の流量が調整される。
【００２０】
処理槽１は、その周囲がチャンバ１２で囲われている。チャンバ１２は、上部に開閉自在の上部カバー１３を備えている。起立姿勢で複数枚の基板Ｗを支持するリフタ１５は、チャンバ１２の上方にあたる「待機位置」と、処理槽１の内部にあたる「処理位置」と、処理槽１の上方であってチャンバ１２の内部にあたる「乾燥位置」とにわたって移動可能に構成されている。リフタ１５は、複数枚の基板Ｗを当接支持する支持部材１６を下部に備えている。
【００２１】
なお、上述したリフタ１５が本発明における支持手段に相当する。
【００２２】
処理槽１の底部には、排出口１７が形成されている。この排出口１７には、ＱＤＲ弁１９が取り付けられている。この排出口１７から処理槽１内の処理液を排出すると、処理液がチャンバ１２内の底部に一旦排出される。チャンバ１２の底部には排液弁２１が取り付けられており、排液弁２１が開放されると、チャンバ１２内に排出された処理液が外部に排出される。また、噴出管７から供給されて処理槽１を溢れ、チャンバ１２内に排出された処理液も同様にして排液弁２１を介して外部に排出される。
【００２３】
チャンバ１２のうち、処理槽１の上縁側方には、リフタ１５に支持された複数枚の基板Ｗの側方から乾燥気体であるドライエアを供給するための供給部２３が配設されている。また、処理槽１を挟んで供給部２３と対向する位置には、ドライエアを排出するための排出部２５が配設されている。供給部２３は、処理槽１に貯留している処理液の液面近傍に開口するように、ドライエアを噴出する噴射口２７を備え、排出部２５は、ドライエアをチャンバ１２外へ排出するための排出口２９を処理槽１側に備えている。
【００２４】
上述した供給部２３には、一端側がドライエア供給装置３１に連通接続された供給配管３３の他端側が連通接続されている。ドライエア供給装置３１は、エアを取り込んで除湿し、所定湿度に調整したドライエアを供給配管３３へ供給する。
【００２５】
なお、上述した供給部２３が本発明における乾燥気体供給手段に相当する。
【００２６】
上述したリフタ１５の昇降動作や、ＱＤＲ弁１９及び排液弁２１の開閉、流量制御弁１０，１１などは、本発明における制御手段に相当する制御部４７によって統括的に制御される。特に、流量制御弁１０，１１については、以下に説明するように、特徴的な操作が行われる。
【００２７】
次に、上述した構成の基板処理装置の動作について、図２及び図３を参照する。なお、図２は、洗浄処理時を示す模式図であり、図３は、乾燥処理時を示す模式図である。以下の説明においては、リフタ１５が既に処理位置に移動されているものとする。
【００２８】
＜洗浄処理時＞
制御部４７は、流量制御弁１０，１１を同じ流量に設定して開放し、一対の噴出管７から同じ流量で処理液として純水を処理総１内へ供給させる。すると、純水は、処理槽１の底部両端部から供給され、底部中央にて上方へ向かい、液面付近で左右に分かれて処理槽１から溢れ出る（図２）。この状態を所定時間だけ維持させることにより、基板Ｗに対して純水による洗浄処理が行われる。
【００２９】
＜乾燥処理時＞
制御部４７は、流量制御弁１１の流量をゼロに設定する。これにより、左側の噴出管７からは純水の供給が停止され、右側の噴出管７のみから純水が供給される。したがって、純水は、処理槽１の底部右側から底部に沿って左側の噴出管７側へ向かった後、処理槽１の側壁に沿って上昇し、液面付近を排出部２５側へ向かって流れた後に処理槽１の上縁から溢れて排出される（図３）。この状態で、制御部４７は、供給部２３の噴射口２７からドライエアを供給させるとともに、リフタ１５を乾燥位置に向けて上昇させる。すると、純水の液面から順次に露出する基板Ｗにドライエアが供給され、基板Ｗに対する乾燥処理が行われる。
【００３０】
上記のようにして基板Ｗの乾燥処理が行われるが、ドライエアの供給方向と液面付近における純水の流れとが一致するので、純水の流れに澱みが生じにくく、洗浄時に基板Ｗから剥離されて純水中に漂うパーティクルや処理槽１内の純水中に元々存在するパーティクルが効率的に排出される。その結果、引き上げられる基板Ｗにパーティクルが付着するのを防止することができ、基板Ｗを清浄度高く処理することができる。また、液面の中央部が盛り上がることがなく、ドライエアにより液面中央に波立ちが生じるのを防止することができるので、引き上げ中の基板Ｗに飛沫が付着することを防止でき、基板Ｗの乾燥不良を防止することができる。
【実施例２】
【００３１】
次に、図面を参照して本発明の実施例２を説明する。
図４は、実施例２に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図であり、図５は、第２の噴出管の縦断面図である。なお、上述した実施例１と同様の構成については、同符号を付すことで詳細な説明については省略する。
【００３２】
本実施例２に係る基板処理装置は、処理槽１の底部左側に第１の噴出管５１を備え、処理槽１の底部右側に第２の噴出管５３を備えている。第２の噴出管５３には、図示しない処理液供給源に一端側が連通接続された供給管５５の他端側が連通接続されている。供給管５５には、流量を調整する流量制御弁５７が取り付けられている。
【００３３】
第１の噴出管５１は、図５に示すように、縦断面が円形状を呈する筒部材５９と、この筒部材５９の内部空間を二分する仕切り部材６１と、筒部材５９に形成され、内部空間の一方に連通し、処理槽１の底部中央に向かう第１の方向へ処理液を供給可能な第１の噴出口６３と、筒部材５９に形成され、内部空間の他方に連通し、処理槽１の側壁に沿う上方へ向かう第２の方向へ処理液を供給可能な第２の噴出口６５と、第１の噴出口６３に連通した第１供給口６７と、第２の噴出口６５に連通した第２供給口６９とを備えている。
【００３４】
第１供給口６７と第２供給口６９には、一端側が図示しない処理液供給源に連通接続された供給管７１の他端側が三方弁７３を介して連通接続されている。つまり、第１供給口６７と第２供給口６９は、三方弁７３の操作により、いずれか一方のみから処理液が供給される。供給管７１には、流量を調整する流量制御弁７５が取り付けられている。
【００３５】
本実施例２における制御部４７は、リフタ１５などの制御の他、三方弁７３の切り換えも制御する。
【００３６】
次に、上述した構成の基板処理装置の動作について、図６及び図７を参照する。なお、図６は、洗浄処理時を示す模式図であり、図７は、乾燥処理時を示す模式図である。
【００３７】
＜洗浄処理時＞
制御部４７は、三方弁７３を第１供給口６７側に切り換えるとともに、流量制御弁５７，７５を同じ流量に設定して開放し、第１の噴出管５１と第２の噴射管５３とから同じ流量で処理液として純水を処理槽１内へ供給させる。第１の噴射管５１からは、第１の方向へ純水が供給される。すると、純水は、処理槽１の底部両端部から供給され、底部中央にて上方へ向かい、液面付近で左右に分かれて処理槽１から溢れ出る（図６）。この状態を所定時間だけ維持させることにより、基板Ｗに対して純水による洗浄処理が行われる。
【００３８】
＜乾燥処理時＞
制御部４７は、流量制御弁５７の流量をゼロに設定する。これにより、第２の噴出管５３からは純水の供給が停止される。さらに、流量制御弁７５を開いた状態で三方弁７３を第２供給口６９側に切り換える。これにより、第１の噴出管５１からは、純水が第２の方向だけに供給される。したがって、純水は、処理槽１の側壁に沿って上昇し、液面付近をドライエアの排出側へ向かって流れた後に処理槽１の上縁から溢れて排出される（図７）。この状態で、制御部４７は、噴射口２７からドライエアを供給させるとともに、リフタ１５を乾燥位置に向けて上昇させる。すると、純水の液面から順次に露出する基板Ｗにドライエアが供給され、基板Ｗに対する乾燥処理が行われる。
【００３９】
上述した本実施例２に係る基板処理装置であっても、上述した実施例１に係る基板処理装置と同等の効果を奏する。また、筒部材５９を仕切り部材６１で仕切って第１の噴出口６３と第２の噴出口６５とを形成し、第１の噴出管５１への処理液の供給先を切り換えるだけで処理液の供給方向を切り換えることができる。したがって、処理槽１に余分なスペースを必要とせず、省スペース化を図ることができる。
【００４０】
なお、上述した実施例２に係る基板処理装置は、図８に示すように構成してもよい。図８は、実施例２に係る基板処理装置の変形例を示すブロック図である。
【００４１】
すなわち、第１の噴出管５１が、第１の方向へ処理液を供給する第１の筒部材７７と、第２の方向へ処理液を供給する第２の筒部材７９との別体で構成されている点において上記実施例２とは構成が相違する。このような構成であっても、三方弁７３を上述したタイミングで切り換えることにより、同様の効果を奏する。また、同じ構成の二つの筒部材で第１の噴出管５１を構成するので、実施例２の第１の噴射管５１に比較して構造を簡易化できる。
【実施例３】
【００４２】
次に、図９〜図１１を参照して本発明の実施例３を説明する。
図９は、実施例３に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図であり、図１０は、洗浄処理時を示す模式図であり、図１１は、乾燥処理時を示す模式図である。なお、上述した実施例１と同等の構成については、同符号を付すことで詳細な説明については省略する。
【００４３】
本実施例３に係る基板処理装置は、一対の噴出管７を備え、これらの噴出管７には供給管８から処理液が供給される。また、処理槽１の上部両側壁のうち、ドライエアの供給部２３側には、上部噴出管８１が配設されている。この上部噴出管８１には、図示しない処理液供給源に一端側が連通接続された供給管８３の他端側が連通接続されており、上部噴出管８１は、処理槽１の液面付近において排出部２５側に向けて処理液を供給する。供給管８３には、流量を調整する流量制御弁８５が取り付けられている。
【００４４】
洗浄処理時（図１０）においては、流量制御弁８５の流量をゼロにして上部噴出管８１からの純水の供給を遮断させた状態で、一対の噴出管７から純水を供給させて基板Ｗに対して処理を行う。一方、乾燥処理時（図１１）においては、流量制御弁１０の流量をゼロにして純水の供給を停止させるとともに、流量制御弁８５の流量を所定値にして上部噴出管８１から純水を供給させる。
【００４５】
上述した本実施例３に係る基板処理装置であっても、上述した実施例１，２に係る基板処理装置と同等の効果を奏する。
【００４６】
なお、上記の実施例３において、実施例１のように制御部４７が、一対の噴出管７のうち、供給部２３側に位置する左側の噴出管７からの純水の供給だけを停止させるようにしてもよい。このようにしても、上記同様の効果を奏するとともに、処理槽１の内部の流れを止めないので、基板Ｗの引き上げ時であっても処理槽１内部のパーティクルの排出を継続させることができる。
【００４７】
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【００４８】
（１）上述した各実施例１〜３では、処理槽１が単槽で構成されているが、内槽と、内槽から溢れた処理液を回収する外槽とを備えた複槽式の処理槽であってもよい。
【００４９】
（２）上述した各実施例１〜３では、供給部２３からドライエアを供給しているが、これに代えてドライ窒素や他の乾燥気体を供給する構成としてもよい。
【００５０】
（３）上述した各実施例１〜３において、図１２に示す変形例のように構成を追加してもよい。
すなわち、処理槽１の上部両側壁のうち、供給部２３側に、処理槽１の側壁上縁から排出部２５側に向かって延出され、リフタ１５及び支持されている基板Ｗに干渉しない長さの整流板８７をさらに備えるようにしてもよい。この整流板８７を設けることにより、供給部２３側の液面が波立つのを防止して、液面から純水の飛沫が飛散するのを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】実施例１に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。
【図２】洗浄処理時を示す模式図である。
【図３】乾燥処理時を示す模式図である。
【図４】実施例２に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。
【図５】第２の噴出管の縦断面図である。
【図６】洗浄処理時を示す模式図である。
【図７】乾燥処理時を示す模式図である。
【図８】実施例２の変形例に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。
【図９】実施例３に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。
【図１０】洗浄処理時を示す模式図である。
【図１１】乾燥処理時を示す模式図である。
【図１２】変形例を示す概略構成図である。
【符号の説明】
【００５２】
Ｗ … 基板
１ … 処理槽
７ … 噴出管
８，９ … 供給管
１０，１１ … 流量制御弁
１２ … チャンバ
１５ … リフタ
２３ … 供給部
２５ … 排出部
３３ … 供給配管
４７ … 制御部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理液で基板を処理した後、基板を処理液から引き上げつつ乾燥気体で乾燥処理を行う基板処理装置において、
処理液を貯留する処理槽と、
前記処理槽の上部にて、前記処理槽内に貯留する処理液面に沿って一方側から他方側へ乾燥気体を供給する乾燥気体供給手段と、
前記処理槽の底部両端側に配設され、前記処理槽の底部中央に向けて処理液を供給する一対の噴出管と、
基板を支持し、前記処理槽内部の処理位置と処理槽上方にあたる乾燥位置にわたって昇降自在に構成された支持手段と、
前記支持手段を処理位置に位置させた状態で、前記一対の噴出管から処理液を供給させて基板に処理を行わせた後、前記乾燥気体供給手段から乾燥気体を供給させつつ前記支持手段を上昇させる際には、前記一対の噴出管のうち、前記乾燥気体供給手段における乾燥気体の排出側に位置する一方の噴出管のみから処理液を供給させる制御手段と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
処理液で基板を処理した後、基板を処理液から引き上げつつ乾燥気体で乾燥処理を行う基板処理装置において、
処理液を貯留する処理槽と、
前記処理槽の上部にて、前記処理槽内に貯留する処理液面に沿って一方側から他方側へ乾燥気体を供給する乾燥気体供給手段と、
前記処理槽の底部両端のうち、前記乾燥気体供給手段における乾燥気体の供給側に配設され、前記処理槽の底部中央へ処理液を供給する第１の方向と、処理槽の上方へ処理液を供給する第２の方向とを切り換え可能な第１の噴出管と、
前記第１の噴出管とは前記処理槽の底部における反対側に配設され、前記処理槽の底部中央に向けて処理液を供給する第２の噴出管と、
前記支持手段を処理位置に位置させた状態で、前記第１の噴出管から第１の方向へ処理液を供給させるとともに、前記第２の噴出管から処理液を供給させて基板に処理を行わせた後、前記乾燥気体供給手段から乾燥気体を供給させつつ前記支持手段を上昇させる際には、前記第２の噴出管からの処理液の供給を停止させるとともに、前記第１の噴出管から第２の方向へ処理液を供給させる制御手段と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の基板処理装置において、
前記第１の噴出管は、縦断面円形状の筒部材と、筒部材の内部空間を二分する仕切り部材と、仕切り部材で仕切られた一方の内部空間に連通し、前記第１の方向へ処理液を供給する第１の噴出口と、仕切り部材で仕切られた他方の内部空間に連通し、前記第２の方向へ処理液を供給する第２の噴出口と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項２に記載の基板処理装置において、
前記第１の噴出管は、第１の方向へ処理液を供給する第１の筒部材と、第２の方向へ処理液を供給する第２の筒部材と、を備えて別体で構成されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
処理液で基板を処理した後、基板を処理液から引き上げつつ乾燥気体で乾燥処理を行う基板処理装置において、
処理液を貯留する処理槽と、
前記処理槽の上部にて、前記処理槽内に貯留する処理液面に沿って一方側から他方側へ乾燥気体を供給する乾燥気体供給手段と、
前記処理槽の底部両端側に配設され、前記処理槽の底部中央に向けて処理液を供給する一対の噴出管と、
前記処理槽の上部両側壁うち、前記乾燥気体供給手段の供給側に配設され、前記処理槽の液面付近にて前記乾燥気体供給手段の排出側に向けて処理液を供給する上部噴出管と、
基板を支持し、前記処理槽内部の処理位置と処理槽上方にあたる乾燥位置にわたって昇降自在に構成された支持手段と、
前記支持手段を処理位置に位置させた状態で、前記一対の噴出管から処理液を供給させて基板に処理を行わせた後、前記乾燥気体供給手段から乾燥気体を供給させつつ前記支持手段を上昇させる際には、前記一対の噴出管からの処理液の供給を停止させるとともに、前記上部噴出管から処理液を供給させる制御手段と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求５に記載の基板処理装置において、
前記制御手段は、前記一対の噴出管からの処理液の供給を停止させることに代えて、前記一対の噴出管のうち、前記乾燥気体供給手段の供給側に位置する噴出管からの処理液の供給だけを停止させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記処理槽の上部両側壁のうち、前記乾燥気体供給手段の供給側に、上縁から前記処理槽の中央部側に向かって延出された整流板をさらに備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１】
処理液で基板を処理した後、基板を処理液から引き上げつつ乾燥気体で乾燥処理を行う基板処理装置において、
処理液を貯留する処理槽と、
前記処理槽の上部にて、前記処理槽内に貯留する処理液面に沿って一方側から他方側へ乾燥気体を供給する乾燥気体供給手段と、
前記処理槽の底部両端側に配設され、前記処理槽の底部中央に向けて処理液を供給する一対の噴出管と、
基板を支持し、前記処理槽内部の処理位置と処理槽上方にあたる乾燥位置にわたって昇降自在に構成された支持手段と、
前記支持手段を処理位置に位置させた状態で、前記一対の噴出管から処理液を供給させて基板に処理を行わせた後、前記乾燥気体供給手段から乾燥気体を供給させつつ前記支持手段を上昇させる際には、前記一対の噴出管のうち、前記乾燥気体供給手段における乾燥気体の排出側に位置する一方の噴出管のみから処理液を供給させる制御手段と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
処理液で基板を処理した後、基板を処理液から引き上げつつ乾燥気体で乾燥処理を行う基板処理装置において、
処理液を貯留する処理槽と、
前記処理槽の上部にて、前記処理槽内に貯留する処理液面に沿って一方側から他方側へ乾燥気体を供給する乾燥気体供給手段と、
前記処理槽の底部両端のうち、前記乾燥気体供給手段における乾燥気体の供給側に配設され、前記処理槽の底部中央へ処理液を供給する第１の方向と、処理槽の上方へ処理液を供給する第２の方向とを切り換え可能な第１の噴出管と、
前記第１の噴出管とは前記処理槽の底部における反対側に配設され、前記処理槽の底部中央に向けて処理液を供給する第２の噴出管と、
前記支持手段を処理位置に位置させた状態で、前記第１の噴出管から第１の方向へ処理液を供給させるとともに、前記第２の噴出管から処理液を供給させて基板に処理を行わせた後、前記乾燥気体供給手段から乾燥気体を供給させつつ前記支持手段を上昇させる際には、前記第２の噴出管からの処理液の供給を停止させるとともに、前記第１の噴出管から第２の方向へ処理液を供給させる制御手段と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の基板処理装置において、
前記第１の噴出管は、縦断面円形状の筒部材と、筒部材の内部空間を二分する仕切り部材と、仕切り部材で仕切られた一方の内部空間に連通し、前記第１の方向へ処理液を供給する第１の噴出口と、仕切り部材で仕切られた他方の内部空間に連通し、前記第２の方向へ処理液を供給する第２の噴出口と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項２に記載の基板処理装置において、
前記第１の噴出管は、第１の方向へ処理液を供給する第１の筒部材と、第２の方向へ処理液を供給する第２の筒部材と、を備えて別体で構成されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
処理液で基板を処理した後、基板を処理液から引き上げつつ乾燥気体で乾燥処理を行う基板処理装置において、
処理液を貯留する処理槽と、
前記処理槽の上部にて、前記処理槽内に貯留する処理液面に沿って一方側から他方側へ乾燥気体を供給する乾燥気体供給手段と、
前記処理槽の底部両端側に配設され、前記処理槽の底部中央に向けて処理液を供給する一対の噴出管と、
前記処理槽の上部両側壁うち、前記乾燥気体供給手段の供給側に配設され、前記処理槽の液面付近にて前記乾燥気体供給手段の排出側に向けて処理液を供給する上部噴出管と、
基板を支持し、前記処理槽内部の処理位置と処理槽上方にあたる乾燥位置にわたって昇降自在に構成された支持手段と、
前記支持手段を処理位置に位置させた状態で、前記一対の噴出管から処理液を供給させて基板に処理を行わせた後、前記乾燥気体供給手段から乾燥気体を供給させつつ前記支持手段を上昇させる際には、前記一対の噴出管からの処理液の供給を停止させるとともに、前記上部噴出管から処理液を供給させる制御手段と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求５に記載の基板処理装置において、
前記制御手段は、前記一対の噴出管からの処理液の供給を停止させることに代えて、前記一対の噴出管のうち、前記乾燥気体供給手段の供給側に位置する噴出管からの処理液の供給だけを停止させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記処理槽の上部両側壁のうち、前記乾燥気体供給手段の供給側に、上縁から前記処理槽の中央部側に向かって延出された整流板をさらに備えていることを特徴とする基板処理装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２００８−２０５３６０（Ｐ２００８−２０５３６０Ａ）
【公開日】平成２０年９月４日（２００８．９．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−４２１０６（Ｐ２００７−４２１０６）
【出願日】平成１９年２月２２日（２００７．２．２２）
【出願人】（０００２０７５５１）大日本スクリーン製造株式会社 (2,640)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年９月４日（２００８．９．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年２月２２日（２００７．２．２２）
【出願人】（０００２０７５５１）大日本スクリーン製造株式会社 (2,640)
【Ｆターム（参考）】
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