【課題】温度測定手段が完全に破損する前に故障報知を行うことにより、温度測定手段の破損に起因する稼働率低下を防止することができる。
【解決手段】温度センサ４１及び温度制御部４３は、一般的に、故障の前にはある出力信号となる。しかも、故障モードによって出力信号が固有値を示すことが多い。そこで、故障モードごとに固有値を記憶部５９に予め記憶させておき、温度センサ４１及び温度制御部４３からの出力信号が一時的であっても実質的にその固有値と一致した場合には、報知部６１を介して故障報知を行う。完全に破損する前に故障報知を行うことで、完全に故障する前に修理準備を整えることができるので、温度センサ４１及び温度制御部４３の破損に起因する稼働率低下を防止できる。 （もっと読む）

【課題】エッチング不良のロットを精度よく発見できると同時に、後続のエッチング不良のロットの発生を抑制する。
【解決手段】本実施形態のウエハ処理１００においては、ロット毎に、燐酸１０のエッチングレートが高い状態を維持するための純水の供給および停止を繰り返すサイクル数を所定時間内で算出し、そのサイクル数が予め設定した回数の範囲外である場合に、そのことを報知するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】ＭＦＣ内に設けられている機器の異常を検出することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ＭＦＣ２４１の上流側には、不活性ガスを供給する不活性ガス供給ライン３０８、不活性ガスの供給を遮断する第１遮断バルブ３００、処理ガスを供給する処理ガス供給ライン３１０及び処理ガスの供給を遮断する第２遮断バルブ３０２が設けられ、ＭＦＣ２４１の下流側には、処理室２０１に接続されるガス供給管２３２、ガス供給管２３２への供給を遮断する第３遮断バルブ３０４、排気可能な排気ベントライン３１８及び排気ベントライン３１８への供給を遮断する第４遮断バルブ３０６が設けられている。主制御部は、これらの遮断バルブが閉じられた状態でＭＦＣ２４１が閉状態から開状態に移行した結果、当該移行時間が予め設定された時間を超えている場合、ＭＦＣ２４１は異常であると判定する。 （もっと読む）

【課題】処理液バルブのリーク故障や吸引手段の故障を検出して、基板処理不良を抑制する。
【解決手段】この基板処理装置は、基板Ｗに処理液を吐出するノズル１２と、ノズル１２に接続された処理液供給管２５と、処理液供給管２５に介装された第１および第２処理液バルブ２８Ａ，２８Ｂとを備えている。第１処理液バルブ２８Ａとノズル１２との間に設定された分岐位置３６には、処理液吸引管３２が処理液供給管２５に分岐接続されている。処理液吸引管３２には吸引装置３４が接続されており、その途中部には吸引バルブ３３が介装されている。処理液供給管２５は、分岐位置３６とノズル１２との間において、鉛直方向に沿う液面検出部４０を有している。この液面検出部４０に設定された液面検出位置４２には、液面センサ４１が配置されている。 （もっと読む）

【課題】処理流体室内の圧力異常を精度良く検出することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】
制御装置は、第１サンプリング窓および第２サンプリング窓の開閉状態に応じて、第１〜第４設定圧力検出信号のうち１つの設定圧力検出信号を選択する（ステップＳ１）。制御装置は、選択された設定圧力検出信号が圧力センサから出力されるか否かを監視している（ステップＳ２）。選択された設定圧力検出信号が圧力センサから出力されると（ステップＳ２でＹＥＳ）、制御装置は薬液キャビネット内に圧力異常が発生したと判定し（ステップＳ４）、警報器から所定の警報音または警報表示を出力させる（ステップＳ５）。 （もっと読む）

【課題】処理液供給ユニット１３内の処理液の減少に起因する基板処理装置の強制停止の頻度を減少させて、処理液を有効に使い、歩留まりの良好な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板に液処理を施す複数の液処理ユニット１２と、複数の液処理ユニット１２に対する基板の搬入・搬出を行う基板搬送手段と、複数の液処理ユニット１２へ処理液を供給する処理液供給ユニット１３と、前記処理液供給ユニット１３の処理液貯留槽１６内の処理液の残量を検出するレベルゲージ１６１を備えて、レベルゲージ１６１が検出する処理液貯留槽１６内の処理液の残量が所定量を下回る場合に、液処理ユニット１２への基板の搬入を停止する。 （もっと読む）

【課題】ブラシの交換時期を適切に判断することができる、基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハＷの裏面の周縁領域１４および周端面１５に対する裏面洗浄処理時には、ブラシ１６は、裏面処理時位置に配置され、スピンチャック３に保持されたウエハＷの周縁部に対して押し込まれる。そして、その状態が所定時間にわたって維持された後、ブラシ１６は、ウエハＷから離間される。一方、ブラシに加わる荷重が圧力センサにより検出され、その検出される荷重に基づいて、制御部により、ブラシ１６が裏面側処理時位置に配置されたか否かが判断される。そして、ブラシ１６が裏面側処理時位置に配置されたと判断された時点からブラシ１６がウエハＷからの離間のために移動し始めるまでの時間が計測され、その時間がメモリに累積して記憶される。 （もっと読む）

【課題】本発明は被洗浄乾燥物を有機溶剤の蒸気エリア内に設置して洗浄及び乾燥処理を行う洗浄乾燥装置及び洗浄乾燥方法に関し、乾燥じみの発生を確実に防止し高い洗浄及び乾燥品質を実現することを課題とする。
【解決手段】有機溶剤２３の蒸気エリア２５内に設置されたローバ１１（被洗浄乾燥物）の洗浄及び乾燥を行う工程（ステップ１６〜２１−１）と、蒸気エリア２５からローバ１１を取り出す工程（ステップ２２〜２５）とを有する洗浄乾燥方法において、蒸気エリア２５内の温度を検出し、この蒸気エリア２５の温度がローバ１１の表面に有機溶剤２３が結露可能な温度（Ｔ_０）以下であるときは、ステップ２１−１からステップ２２への移行を禁止させる。 （もっと読む）

【課題】マガジン挿入基板や石英ボード挿入シリコンウエハ等を均一且つダメージレスに短時間でバッチ洗浄処理するマイクロ波プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】左右に分岐した導波管より導入されたマイクロ波がそれぞれ左右対向したスロット板を通した誘電体に伝播し減圧された処理室内に中空孔加工したガス噴出口から供給された反応ガスを励起し高密度で安定したプラズマ放電を実現する。 （もっと読む）

【課題】操作画面にレシピのステップ毎に必要なステータスを視覚的に分かりやすく表示させる。
【解決手段】複数のステップから構成されるレシピの作成を行う操作画面を有し、この操作画面上からの指示で前記レシピを実行させることにより、基板の処理を行う基板処理装置であって、前記レシピの各ステップ名を順番に表示すると共に、各ステップに対応する内容を示すアイコンを前記操作画面に表示し且つガス配管図Ｇ２を前記操作画面に表示する表示手段を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、比較的簡素な構成で、微量の液漏れでも素早く検知が可能な石英ヒータ及びこれを用いた基板処理装置、石英ヒータの破損検出方法及びこれを用いた基板処理制御方法を提供することを目的とする。
【解決手段】発熱体２０を内蔵した石英管１１を液体４０内に載置して、該液体４０を加熱する石英ヒータ１０、１０ａ、１０ｂであって、
前記石英管１１に連結され、前記発熱体２０に電力を供給する電気配線２１を内蔵した冷却用チューブ１２を有し、
該冷却用チューブ１２内に、漏液センサ３０を設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ベベル部の汚染に起因する基板の処理不良を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５を含む。インターフェースブロック１５は、ベベル部検査ユニットＥＥを含む。ベベル部検査ユニットＥＥでは、基板Ｗのベベル部の検査が行われ、基板Ｗのベベル部が汚染されているか否かが判定される。ベベル部が汚染されていると判定された基板Ｗとベベル部が汚染されていないと判定された基板Ｗとは、それぞれ異なる処理が施される。 （もっと読む）

【課題】装置を停止することなく不具合の発生を未然に防止することができる回転式基板処理装置を提供する。
【解決手段】エッジ露光ユニットＥＥＷ１は、基板Ｗを回転させつつ露光ヘッド５３０から光を照射して基板Ｗの端縁部を露光する。端縁部の露光処理に先立って、保持回転部２００によって基板Ｗを１回転させつつエッジセンサ８００が基板Ｗの端縁部の位置を検知してエッジデータを取得する。ＥＥＷコントローラ９００は、取得されたエッジデータに基づいて、基板Ｗの偏心量の異常、基板ＷのノッチＮＴの角度異常およびエッジセンサ８００の異常の有無を判断する。そして、エッジデータに異常有りと判断されたときには、ＥＥＷコントローラ９００アラーム発報を行う。 （もっと読む）

【課題】洗浄薬液の混合比を正確に求め、必要量の薬液補充を行うことにより薬液濃度を制御して、被エッチング膜に対するエッチング量を容易に制御する。
【解決手段】薬液交換時において、薬液槽１に供給される薬液２１，２２，２３の供給流量を、それぞれの薬液流量計３１，３２，３３により測定する。測定された流量にて演算部７において供給時間が計算され、供給流量と供給時間の積分値から各薬液の総投入量を算出する。各薬液の総投入量から混合比を求めて薬液濃度を算出する。このとき算出された濃度が設定濃度と異なる場合、所望する薬液濃度となるように各薬液の補充量を演算部７で算出し、補充量を供給時間を可変させることにより調整する。演算部７で算出された供給時間にわたり、補充する薬液のみミキシングバルブ４を開いて薬液槽１に薬液を供給し、薬液濃度を調整する。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部を確実に洗浄することができる、基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、ブラシに加わる鉛直方向の荷重を検出するための圧力センサ６５を備えている。この圧力センサ６５の出力は、マイクロコンピュータで構成される制御部６７に入力されている。ブラシが基準位置に配置されると、ブラシに基板が微小な所定量だけ食い込み、ブラシが基板から鉛直方向の反力を受けるので、その前後でブラシに対して鉛直方向に加わる荷重が変化する。制御部６７では、その荷重変化に基づいて、ブラシが基準位置に配置されたか否かが判断され、基板の周縁部に対するブラシの接触が検出される。 （もっと読む）

【課題】薬液の供給を監視することにより、薬液の濃度測定系に異常が発生したことを精度よく検知することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】薬液の濃度測定系に異常があれば、アラーム値メモリ５７に記憶されている、正常な状態で供給された時の一定時間内における供給量（正常値）と、供給量積算部６３が算出する一定時間内における実績値との間に差が生じるので、判断部５９はその比較に基づき異常の発生を判断できる。供給量積算部６３は、濃度測定部５３及び濃度制御部５５の制御の下で所定時間内に薬液供給管３９から供給される薬液の供給量を積算し、供給配管１７を通して処理槽１に供給される処理液中の濃度を測定する濃度測定部５３とは別系統であるので、濃度測定部５３の不具合に関係なく、異常を正確に判断することができる。 （もっと読む）

【課題】 基板に対する洗浄ブラシの押し込み量の設定に当って、その基準となる洗浄ブラシの基準位置を容易に確定でき、作業者の負担を軽減し、基板の洗浄処理品質の向上が達成できるような基板洗浄装置を用いた基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】 基板洗浄装置は、洗浄すべき基板２を保持するホルダ１と、洗浄ブラシ７を保持しこれを基板の主面の法線方向に移動させかつ基板の主面に平行な方向に移動させて基板に対する洗浄ブラシの相対的位置を定める位置決め機構４，２１を有している。この基板洗浄装置は、さらに、基板の主面の存在する平面Ｐにおいて基板から離れて配置され平面における洗浄ブラシの有無を検知する検知手段１６，１７を備える。 （もっと読む）

超臨界状態にある二酸化炭素のような超圧流体で基板（１０５，２０５）を処理するための方法およびシステム（１００，２００）を説明する。プロセス過酸化物を含有するプロセス成分が、基板表面を処理するための高圧流体に導入される。この過酸化水素ベースの成分が開始剤とともに使用される。ここで、開始剤は、プロセス過酸化物のラジカルの生成を促進する。
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超臨界状態にある二酸化炭素のような超圧流体で基板（１０５，２０５）を処理するための方法およびシステム（１００，２００）を説明する。プロセス成分が、基板表面を処理するための高圧流体に導入される。このプロセス成分はフルオロケイ酸を有する。
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