【課題】障害の発生から解消に至るまでの時間を短縮することができる、基板処理装置および基板処理装置用の障害要因解明プログラムを提供する。
【解決手段】基板処理装置１で障害が発生した場合には、障害要因解析ツール（障害要因解明プログラム）を起動させれば、解析パターンファイル記憶領域２３（解析パターンファイルデータベース）からすべての解析パターンファイルが取得され、動作ログファイル記憶領域２２（動作ログファイルデータベース）が開かれて、すべての解析パターンファイルで定義されているキーワードの出現パターンと動作ログファイルとが照合され、ヒット率を含む解析結果が操作パネル３に表示される。 （もっと読む）

【課題】簡単な装置構成で実施可能であり、微細パターンが形成されている基板をその微細パターンに悪影響を与えることなく短時間で洗浄するための基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】微細パターンが表面に形成された基板としてのウエハＷの洗浄処理を、ウエハＷの表面に所定の加工を施す処理チャンバからウエハＷの洗浄を行う洗浄チャンバへ搬送する搬送ステップと、洗浄チャンバ内においてウエハＷを所定温度に冷却する冷却ステップと、超流動体としての超流動ヘリウムをウエハＷの表面に供給し、ウエハＷの表面から超流動ヘリウムを流し出すことによって微細パターン内の汚染成分を押し流す超流動洗浄ステップにより行う。 （もっと読む）

【課題】Ｗｅｔ処理中のみならず、Ｗｅｔ処理後においても基板へのイオンコンタミネーションを防止する。
【解決手段】薬液に由来して処理チャンバ内に拡散するイオンを検出し、検出されたイオンの量が予め設定した数値範囲内にあるかどうかを判定し、検出されたイオンの量が該数値範囲の上限を超える場合に、処理チャンバ内への吸気量および処理チャンバからの排気量を調整することにより処理チャンバ内のイオンを排出する。 （もっと読む）

【課題】形成されたパターンに与えるダメージが少ない基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板の表面にドライエア又は不活性ガスの気流にのせた洗浄用の微粒子を基板に衝突させて、前記基板の洗浄を行う洗浄工程と、前記洗浄用の微粒子を除去する除去工程と、を有することを特徴とする基板洗浄方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】基板の処理中に異常が生じた場合に当該基板に損傷が加わることを抑制または防止できる枚葉型の基板処理装置および異常処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、１枚の基板を保持して回転させるスピンチャックと、スピンチャックに保持された基板に薬液を供給する薬液ノズルと、スピンチャックに保持された基板にリンス液を供給するリンス液ノズルと、基板処理装置の異常を検知する異常検知手段と、異常処理手段としてのメイン制御部とを備えている。基板の薬液処理中に基板処理装置に異常が生じると、異常検知手段により異常が検知され（ステップＳ４１）、メイン制御部によりリンス液ノズルが制御されて、異常処理の一工程としてのリンス処理が基板に行われる。これにより、基板表面から薬液が排除される。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内の状況に応じて温調度合いを変えることにより、乾燥不良を防止しつつも消費電力を抑制できる。
【解決手段】制御部６５は、チャンバ１１内の測定圧力に応じた限界濃度データと測定温度とに基づいて処理ガスの限界濃度を求め、この限界濃度に対応する温度よりも若干高くなるようにチャンバヒータ７１及び槽ヒータ６３を操作する。したがって、チャンバ１１内の圧力が低下するにつれてチャンバヒータ７１及び槽ヒータ６３の温度を下げてゆくことができるので、処理ガス中の有機溶剤蒸気がチャンバ１１及び処理槽１に結露することを防止しつつも、チャンバヒータ７１及び槽ヒータ６３への供給電力を必要最小限にできる。その結果、基板Ｗの乾燥不良を抑制しつつも消費電力を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】ウエハを保持した環状のフレームがスピンナーテーブルの所定位置に確実に固定されたことを確認することができる洗浄装置を提供する。
【解決手段】スピンナーテーブル３１上へのフレーム保持機構３２は環状のフレームの下面を保持する保持面を有する下面支持部材３２１と、下面支持部材に中間部が支持軸３２３によって揺動可能に軸支され支持軸の上側に環状のフレームの上面を押圧する爪部３２２ｂが設けられているとともに支持軸の下側に錘部３２２ｃを備えた振り子部材３２２とを具備している。下面支持部材３２１にはスピンナーテーブルの回転が停止されている状態において爪部より内側にあって保持面より上方に突出し環状のフレームの外周縁を規制する規制部３２１ｅが設けられている。フレームのスピンナーテーブル上への設定がズレていると、フレームが規制部に乗り上げ真空吸着力が低下するので、ズレが検出可能である。 （もっと読む）

【課題】正常に処理された時の補充履歴を用いることにより、比較的簡単に故障判断の基準の設定を行うことができ、故障検知の精度を高くすることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗに対して正常な処理ができた際の実績のある処理液への液体の補充量に対する履歴を、処理液が生成されてからの供給流量の積算により基準補充履歴とし、この基準補充履歴を履歴メモリ６１に予め記憶し、基準補充履歴を演算部６３が近似化して近似化基準補充履歴とし、この近似化基準補充履歴を近似化メモリ６５に予め記憶しておく。設定部６７を介して近似化基準補充履歴に対して上下限の範囲を設定するが、近似化基準補充履歴はバラツキが小さくなるので、上下限を容易に、かつ比較的狭い範囲で設定することができる。制御部５５は、補充量の積算値と、設定された上下限とに基づいて液体供給の良否を判断する。 （もっと読む）

【課題】洗浄部材の摩耗・汚染の状態をモニターすることで、その交換時期を判断して、常に洗浄部材を清浄で摩耗していない状態に保つ基板洗浄装置の洗浄部材交換時期判定方法及び基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】洗浄部材と基板の少なくとも一方を回転させた状態でこれらを当接させて洗浄部材と基板の相対運動により基板をスクラブ洗浄する際に、回転測定手段により洗浄部材の回転状態又は基板の回転状態を測定し、回転状態の変化から洗浄部材の表面状態を検知し、検知した表面状態の変化から洗浄部材の交換時期を判定する。 （もっと読む）

【課題】ユーザの作業負担を増加させることなく、レシピの最適化を自動的に行い、基板の処理品質の低下やばらつきを防止できるレシピ最適化方法及び基板処理システムを提供する。
【解決手段】複数の候補レシピをデータベース部３１に記憶させ、各候補レシピを順次に使用して、基板Ｗの処理および検査を行う。レシピ最適化装置３０は、基板検査装置２０から送信された品質パラメータＱＰに基づいて、複数の候補レシピの中から仮最良レシピを選択する。また、レシピ最適化装置３０は、仮最良レシピに基づいて新たに複数の候補レシピを作成する。このような候補レシピの作成と、基板Ｗの処理及び検査とを、品質パラメータが所定の基準値以上となるまで繰り返し、最良レシピを得る。これにより、ユーザの作業負担を増加させることなくレシピを自動的に最適化でき、基板の処理品質の低下やばらつきを防止できる。 （もっと読む）

【課題】高濃度の処理ガスを用いる場合であっても、濃度計を用いることなく処理ガスの濃度を求めることができる基板乾燥装置を提供する。
【解決手段】制御部６９は、記憶部７１に予め記憶してある、有機溶剤の飽和蒸気圧曲線に基づく圧力ごとの温度対濃度の露点情報と、圧力計５６からの測定圧力と、温度計５７からの測定温度とに基づき、処理ガス中における有機溶剤の濃度を算出濃度として算出する。この算出濃度は、表示部７３に表示される。したがって、濃度計を用いることなく処理ガス中におけるイソプロピルアルコールの濃度を求めることができ、装置のオペレータに知らせることができる。また、強い減圧力のポンプ及び処理ガスの採取部を必要としないので、構成を簡単化することができて装置コストを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】流量計により安定して正確な流量検出が可能な液供給機構および液処理装置を提供すること。
【解決手段】処理液供給機構は、薬液を吐出するノズル孔１６ａを有する表面洗浄用ノズル５と、表面洗浄用ノズル５に薬液を供給する薬液供給配管２１と、ノズル孔１６ａと薬液供給配管２１をつなぐ薬液流路１９ａと、薬液供給配管２１に設けられた流量計３４と、薬液供給配管２１における流量計３４の下流に位置する分岐部３６から分岐し、ノズル孔１６ａ、薬液流路１９ａ、薬液供給配管２１の分岐部３６より下流側部分の薬液を抜液する抜液配管３７と、薬液の供給と抜液とを切り替える開閉バルブ３３，３８とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板処理効率を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１において、被処理面を有する基板Ｗを保持して回転させる回転機構５と、回転機構５により回転する基板Ｗの被処理面に対して処理液を供給する供給ノズル６と、供給ノズル６を基板Ｗの周縁に向かって並ぶ複数の供給位置に順次移動させる移動機構７と、供給ノズル６により処理液が供給されている箇所の被処理面の表面状態変化を検出する検出部８と、検出部８により検出された表面状態変化が許容値以下になった場合、供給ノズル６が次の供給位置に移動するように移動機構７を制御する手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、処理液の浸入防止が必要な被処理体の非処理領域を気密に保持する手段を備え、気密保持の確認を超音波を利用して行うことにより、被処理体にダメージを与えることなく、簡便にかつ確実に気密保持の確認ができるようにした表面処理用治具を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の表面処理用治具は、表面処理用の治具において、被処理体の非処理領域を覆うカバー部材と、該カバー部材と被処理体の非処理領域の周囲の間をシールするシール部材とを設け、カバー部材で覆われた内部空間に超音波発生装置を設けることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】プラズマ放電の状態を適正に監視して、異常放電の予兆を検出することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理装置における放電状態監視方法を提供することを目的とする。
【解決手段】処理室内のプラズマ放電の変化に応じて放電検出センサ２３に誘発され、信号記録部２０に記録された電位変化の信号を信号解析部３０によって検出して行われる放電状態監視のための解析処理において、電極部と処理対象物との間で発生する異常放電（第一アーク放電）の信号を第一検出部３３によって検出したカウンタ値Ｎ３と、処理室内の異物堆積により発生する微小アーク放電（第二アーク放電）の信号を第二検出部３５によって検出したカウンタ値Ｎ４に基づき、異常放電判定部３９によって差（Ｎ３−Ｎ４）を求めて判定用のしきい値ａ２と比較して、処理室内における異常放電の発生の可能性の有無を判定する。 （もっと読む）

【課題】基板の端面を含む周縁部に付着した付着物をブラシにより効果的に除去することができる基板洗浄装置を提供すること。
【解決手段】基板洗浄装置１は、基板Ｗを回転可能に保持するスピンチャック３と、スピンチャック３に保持されている基板Ｗを回転するモーター４と、スピンチャック３に保持されている基板Ｗに洗浄液を供給する洗浄液供給機構１０と、洗浄時に基板Ｗの周縁部に接触する周縁部洗浄部２１ｃを有するブラシ２１、ブラシ２１を回転させる回転機構３３，３４、およびブラシ２１をウエハＷに押しつける押しつけ機構２７を有する洗浄機構２０とを具備する。周縁部洗浄部２１ｃは、径方向で洗浄力分布が形成されるように径方向に沿って状態が変化している状態変化部分５２を有する。 （もっと読む）

【課題】 地震による装置の損傷や危険物漏洩のリスク等を未然に防止することができ、地震等の災害に対する安全性の向上をはかる。
【解決手段】 半導体基板の洗浄処理を行うための洗浄装置１５を備えた半導体基板洗浄システムにおいて、地震情報を検出する地震検出部１１と、地震検出部１１で検出された地震情報を基に、洗浄装置１５で退避行動を取るべきか否かを判定する判定部１２と、判定部１２により退避行動を取るべきと判定された場合に、洗浄装置１５で予め定められた退避行動を実行する退避行動実行部１４とを設けた。 （もっと読む）

【課題】 処理室等の圧力調節が為される被調圧部の圧力を、簡易に調節制御することが可能な圧力制御機構を提供すること。
【解決手段】 排気用力に接続可能な排気側空間３２５、及びこの排気側空間３２５に開孔３２２を介して連通され、圧力が調節される被調圧部２２に接続可能な被調圧側空間３２４を有し、排気側空間３２５と被調圧側空間３２４との双方に開孔３２２を介して液体３２６を共通に収容する液体収容部３２１と、被調圧部２２に要求される圧力に応じて、液体収容部３２１に収容された液体３２６の水位を調節する水位調節部３６０と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、輸送管内部の金属付着物の状況を知ることができるプラズマ処理装置の検査方法、検査装置、プラズマ処理装置、プラズマ処理装置のクリーニング方法、および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】放電管とマイクロ波導入手段とを有し、前記放電管内に導入されたガスにマイクロ波を作用させてプラズマを生成するプラズマ発生室と、被処理物を収容し大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能なプラズマ処理室と、前記プラズマ発生室と前記プラズマ処理室とを接続する輸送管と、を有するプラズマ処理装置の検査方法であって、前記放電管内に検査ガスを導入し、前記放電管内にマイクロ波を導入して前記検査ガスのプラズマを生成し、前記プラズマ処理室における光の強度を測定すること、を特徴とするプラズマ処理装置の検査方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】エキシマランプの放電容器が不意に破損しないように、エキシマランプの点灯の可否を判断する方法を提供する。
【解決手段】放電容器１０内に形成された密閉空間に放電ガスが封入されると共に、当該密閉空間１０を挟んで一対の電極１７，１８が前記放電容器１０の外表面に形成され、前記放電容器１０の内面に前記密閉空間内に発生した紫外線を光出射方向に向けて反射する紫外線反射膜が形成されたエキシマランプ１において、前記放電容器１０が被処理体Ｗから遠ざかる方向に変形することを規制することにより生じる負荷を圧電素子３で電気信号に変換し、該負荷に対応する実測値と前記放電容器に割れが生じる危険性を有する水準の負荷に対応する基準限界値とを対比して、前記エキシマランプ１の点灯の可否を判断する。 （もっと読む）