【解決手段】 固体レーザ発振装置１にはＱスイッチ素子を設けておらず、その代わりに、励起光源としての半導体レーザ４にパルス電流（励起電流）を通電する際の立ち上がり時間を１μｓ以下に設定するとともに、パルスレーザ光が発振し始めるまでの間、パルス電流を半導体レーザ４に通電するようにする。
【効果】 Ｑスイッチ素子を用いることなく、高ピーク短パルスのレーザ光Ｌａを得ることができる。また、従来と比較して固体レーザ発振装置１の製造コストを安くすることができる。 （もっと読む）

光放射（３８１）を提供する装置（３８０）であって、装置は、シーディング放射（３８７）を提供するシードレーザー（３８２）と、シーディング放射（３８７）を増幅する少なくとも１つの増幅器（３８３）と、反射器（３８４）と、を有し、この場合に、シードレーザー（３８２）は、ファブリペロー半導体レーザーであり、シードレーザー（３８２）は、反射器（３８４）を介して増幅器（３８３）に接続され、反射器（３８４）は、ファイルシードレーザー（３８２）によって放射されたシーディング放射（３８７）の中のある比率（３８８）をシードレーザー（３８２）内に反射して戻すべく構成され、且つ、増幅器（３８３）は、屈折率ｎ１を具備したコア（３）と、屈折率ｎ２を具備したペデスタル（４）と、を有する光ファイバ（１）を有し、且つ、この場合に、光ファイバ（１）は、ペデスタル（４）を取り囲む屈折率ｎ３を具備したガラスから製造された第１クラッディング（５）を含み、この場合に、ｎ１はｎ２より大きく、且つ、ｎ２はｎ３より大きい。 （もっと読む）

本発明は、パルスレーザー発振器の分野に関する。それは、レーザー共振器を含み、レーザーパルスを放射するためのパルスレーザー発振器であって、前記レーザー共振器は、少なくとも１つのポンピング放射源（５）から放射されるポンピング放射によってポンピングされることが可能であり、かつレーザー放射を放射可能なレーザー媒質（４）を含み、前記レーザー共振器（１５）は閉塞期間に前記共振器を閉塞可能なシール手段（７）を含むパルスレーザー発信器において、前記シール手段（７）は電気光学のシール手段であり、前記シール手段は供給電圧によって駆動されることが可能であり、前記供給電圧の値が変更されるとき、放射されるパルスの持続時間が変更されることを特徴とするパルスレーザー発信器に関する。
（もっと読む）

【課題】パルス駆動に用いる回路や光源に負担をかけずに、高い変調周波数で変調することができる光ファイバ変調装置を提供する。
【解決手段】第１変調タイミングを制御する第１パルス制御信号及び第２変調タイミングを制御する第２パルス制御信号を生成することにより、第１変調タイミング及び第２変調タイミングの周波数、発生タイミング及びデューティ比を制御するパルス駆動制御部５と、第１と第２パルス制御信号に応じてオン／オフするパルス状の第１と第２駆動信号を生成する第１パルス駆動部１８、第２パルス駆動部１９と、第１と第２駆動信号に応じてパルス状のレーザ光を発生する第１ファイバアンプ励起用光源１１、第２ファイバアンプ励起用光源１４と、第１レーザ光及び第２レーザ光により変調及び励起されたエネルギーを外部からのシード光に付与して増幅し、第３レーザ光として出力するファイバアンプ１６とを備える。 （もっと読む）

【課題】 Ｅｒ：ＹＡＧレーザにおける発振波長2.94μmのレーザ光の高出力化を図ることである。
【解決手段】 Ｅｒ：ＹＡＧ結晶媒質（１１２、１２２）と光ポンピング手段（１１４，１２４）とを含む波長2.94μmで発振するＥｒ：ＹＡＧレーザ装置（１００）であって、光ポンピング手段は、Ｅｒ：ＹＡＧ結晶媒質の側面から前記Ｅｒ：ＹＡＧ結晶媒質の長さ方向に沿った複数の領域（１１２、１２２）をタイミングをずらしてポンピング光パルスを照射して各領域を励起する。レーザ媒質の空間領域を時分割で励起することによって、波長2.94μmレーザの下位準位である4Ｉ13/2の非励起領域のＥｒイオンを光の非放出過程によって減少させるので、Ｅｒ：ＹＡＧレーザの波長2.94μmのレーザ出力の高出力化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】ポンプ光源の入力パターンを最適化して、サージパルスを伴わない矩形状パルス
光を生成するファイバレーザーの変調方法及び変調装置を提供する。
【解決手段】パターン発生器２において、電気信号である所定のパターン信号１１を生成
し、該パターン信号１１をポンプ光源である複数の半導体レーザー（ＬＤ）３に入力して
光信号のＬＤ出力光１２を発生させる。出力光１４が、サージパルスを伴わない矩形状の
パルス光となるよう、ファイバレーザー変調装置１では、パターン発生器２で生成するパ
ターン信号１１を、低出力期間、出力上昇期間、高出力期間及び出力低下期間の４期間の
出力レベルで形成するようにしている。 （もっと読む）

【課題】周囲の温度や振動等の外部環境に左右されずに、ほぼ一定の波長の信号用レーザ光を安定的に出力して増幅されたレーザ光を出力させる。装置自体の小型化及び低コスト化を図りながら信号用レーザ光を所要の利得で増幅させる。
【解決手段】レーザ媒質を含み、共振領域及び増幅領域を有した光ファイバーの共振領域に対してレーザ光を入射する共振領域励起用レーザ光源、共振領域側の光ファイバー内にて所要の間隔をおいて設けられ、共振領域励起用レーザ光源からのレーザ光の内、特定波長のレーザ光のみを全反射すると共に他の波長のレーザ光を通過させて両者間で共振して励起されたレーザ媒質より誘導放出して所定波長の信号用レーザ光を放出させる少なくとも一対の反射フィルター手段、光ファイバーの共振領域及び増幅領域間にて励起レーザ光を増幅領域側へ入射してレーザ媒質を励起状態にする増幅領域励起用レーザ光源を備える。 （もっと読む）

【課題】 無駄なく高出力のパルス光を高効率に出力することができる、簡単な構成のファイバレーザ装置を提供する。
【解決手段】 ファイバレーザ発振器１１の励起が開始されてその励起状態が定常状態に達するまでの時間をｔ_２、ファイバレーザ増幅器１２の励起が開始されてその励起状態が定常状態に達するまでの時間をｔ_１とした場合、ファイバレーザ発振器１１において、タイミングＰ_２が、タイミングＰ_１を基準として、（ｔ_１−ｔ_２）時間後となり、最初に出されるタイミングＰ_３が、それからｔ_２時間後となるようにする。また、ファイバレーザ増幅器１２においては、タイミングＰ_１が、タイミングＰ_２を基準として、（ｔ_１−ｔ_２）時間前となるようにする。 （もっと読む）

【課題】 放電電極における放電を安定させつつ、レーザ出力を迅速に制御する。
【解決手段】 第一の電極対（７ａ）と、第二の電極対（７ｂ）と、第一および第二の電極対においてパルス放電を生じさせる放電電源（４）と、放電電源によるパルス放電時に第一の電極対における第一の放電位相（Ｘ１）と第二の電極対における第二の放電位相（Ｘ２）とが互いに異なるように制御する放電位相制御手段（５３）、パルス放電時に第一の電極対における第一のデューティ比（Ｙ１）と第二の電極対における第二のデューティ比（Ｙ２）とが互いに異なるように制御するデューティ比制御手段（５３）、およびパルス放電時に第一の電極対における第一のパルス周波数（Ｚ１）と第二の電極対における第二のパルス周波数（Ｚ２）とが互いに異なるように制御するパルス周波数制御手段（５３）のうちの少なくとも一つとを具備するレーザ発振器（２）が提供される。 （もっと読む）

【課題】 本願発明の課題は、ラマン励起光によって、光増幅器の遮断回路が誤動作の防止することである。
【解決手段】 本願発明の代表的な形態は、光増幅器を構成するの入力光検出器、反射光検出器の前に励起光除去フィルタを挿入しておくものである。これによって、例えば光ファイバ伝送路の下流から送信されるラマン励起光の残留成分を除去し、信号成分のみを検出し遮断動作を行う。また、励起光のオン・オフ状態によって、遮断動作を行う判別しきい値を変更する。もしくはラマン励起光自身を出力解放検出に用いる。 （もっと読む）

【課題】 穴あけ加工や彫刻加工等を高い加工効率で行うのに適した中間領域のパルス幅を持つレーザビームを発生させることができるとともに、そのレーザビームのピーク強度とパルス幅とを任意に制御することができるレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】 レーザビームを発生させるレーザ発振器において、レーザダイオード及びレーザダイオード電源により、レーザ媒体を励起するために１０マイクロ秒程度の立ち上がり時間を持つ立ち上がりの急峻な励起パルス（符号３１の励起用電流波形参照）によりレーザ媒体を励起する。これにより、パルス幅が１マイクロ秒程度のパルスが数マイクロ秒間隔で並んだ一群の緩和発振パルス列を含むレーザビーム（符号３２のレーザパルス波形参照）が発生される。 （もっと読む）

【課題】安定で高出力かつ高効率なレーザビームを発生させることができる半導体レーザ励起固体レーザ装置を得る。
【解決手段】活性媒質を含む固体レーザ素子２、固体レーザ素子を光励起する半導体レーザ１、半導体レーザに電力を供給する電源８、光励起された固体レーザ素子よりレーザ光を取り出す光共振器９、１０を備え、半導体レーザ１をパルス動作させ固体レーザ素子をパルス励起する際、半導体レーザに流す電流を、１パルス内で変化させる。 （もっと読む）

【課題】レーザによる手術に用いるための、高いパルス繰返し速度を有する光ポンピングされた赤外部の中央の固体レーザを提供する。
【解決手段】このレーザは、１．７〜４．０μｍの波長を生成し、光ポンピングされる。ポンプパルスの立上がり時間および立下がり時間は、熱によるレンズ作用により引起こされる不安定性を防ぐのに十分短い。このレーザにより、パルスエネルギを増加させる必要なく組織の切断をより効率的に行なうことができる。 （もっと読む）

【課題】 Ｑスイッチによる出力停止期間中にレーザー光を漏出させず、レーザー出力を完全停止させることを目的とする。
【解決手段】 レーザダイオード２３からの励起光をレーザー光に変換し、Ｑスイッチ５を用いてレーザー光の出力制御を行うレーザー発振器とを備えたレーザー装置であって、 ユーザデータに基づいて電流設定Ｉｓを出力する電流設定部２４と、この電流設定Ｉｓに基づいて、レーザダイオード２３に駆動電流Ｉｄを供給するＬＤ駆動部２５とを備え、ＬＤ駆動部２５が、電流設定Ｉｓの増加時に、傾きをもたせて駆動電流Ｉｄを変化させ、駆動電流Ｉｄの減少時よりも長い遷移期間を経て、緩やかに駆動電流Ｉｄを変化させる。 （もっと読む）

【課題】 ＳＢＳの発生を抑え、信号のビットレートに依存せず、しかも信号フォーマットにも依存しない増幅特性を有する光増幅器を提供すること。
【解決手段】 信号光を、励起光により増幅する光増幅器において、励起光は、周期Ｔ、パルス幅Ｔ／２^ｎ（ｎは１以上の整数）の２^ｎ個の光パルスであり、該２^ｎ個の光パルスのうち、ｊ−１（ｊは２〜２^ｎのいずれかの整数）番目のパルス位相は、ｊ番目のパルス位相よりＴ／２^ｎだけ遅れている前記光パルスを２^ｎ個生成する光源を備える。この光源は、入力光に対して所定の強度変調を行って、２^ｎ個のパルス位相のずれた光パルスを生成する光強度変調器９を有する。 （もっと読む）

【課題】 固体レーザの発振停止中でも、外部制御装置からレーザ発信制御部を制御することによりレーザ加工システムの消費電力を低減し、且つ半導体レーザの長寿命化を可能にする半導体レーザ励起固体レーザ装置を提供する。
【解決手段】 半導体レーザ（２）により固体レーザ媒質（１）を励起することによってレーザ発振を行なう半導体レーザ励起固体レーザ装置（１１）において、外部からの制御信号によって、前記半導体レーザの動作電流を、該半導体レーザの発振閾値（Ｌ−ＬＤ）以上の電流値で通電する状態と、前記半導体レーザの発振閾値未満の電流値で通電する状態とに切り替える駆動電流切替え手段（７１）を備えた。 （もっと読む）

【課題】広い区域にわたって高繰返し率のレーザ光を用いる表面及び／又は基板の処理を伴う製造工程で使用される高電力及び高安定性ガス放電レーザを提供する。
【解決手段】被加工物の基板内の結晶構成又は配向の変換を実行するためのガス放電レーザ結晶化装置及び方法。それは、細長いガス放電領域を形成するチャンバ内に収容された１対の細長い離間した対向電極を各々が有する第１及び第２のガス放電チャンバ、及び被加工物上で実行される結晶化処理に対して最適化された中心波長でレーザ光を生成するように選択されたハロゲン及び希ガスを含むチャンバ内に収容されたレーザガスを含む第１のレーザユニットと、ＤＣ電源、及び直列に接続した複数の一次巻線と複数の一次巻線の各々を通る単一の二次巻線とを有する多段分割ステップアップ変圧器と半導体トリガスイッチとを含むＤＣ電源に接続されかつそれぞれの電極に接続した第１及び第２のパルス圧縮及び電圧ステップアップ回路を含む電源モジュールと、単一出力レーザ光パルスビームを生成するためにＰＯＰＡ構成レーザシステム又はＰＯＰＯ構成レーザシステムのいずれかとして第１及び第２のレーザユニットの作動を達成するように、それぞれの第１及び第２のパルス圧縮及び電圧ステップアップ回路の作動パラメータに基づいてそれぞれの半導体スイッチの閉成を計時するように作動するレーザタイミング及び制御モジュールとを含むマルチチャンバレーザシステムを含むことができる。ＰＯＰＡとして、レーザシステムのリレー光学器械は、第１の出力レーザ光パルスビームを第１のレーザユニットから第２のガス放電チャンバ内に向けるように作動することができ、タイミング及び制御モジュールは、第１の出力レーザ光パルスビームが±３ｎｓ以内に第２の放電領域を通過している間に第２の対の電極間にガス放電を作り出すように作動し、ＰＯＰＯとして、結合光学器械は、出力ビームを結合し、タイミングは、結合出力内に予め選択された時間±３ｎｓのパルス分離を作り出す。ビーム送出ユニット及びパルス伸張器を含めることもでき、タイミング及び制御は、パルス圧縮及び電圧ステップアップ回路における充電電圧及び構成要素温度を表す信号に基づいてプロセッサ制御することができる。 （もっと読む）

マスターオシレータ増幅器において、ダイオードレーザー(202)の駆動回路(208)を特別に制御して２つ以上の注入レーザーパルスの組を発生し、これらのパルス組を非飽和状態で動作する増幅器(204)に注入して、これらの注入レーザーパルスの時間的なパワー特性を複製したレーザーパルス(52)の組(50)を発生して、メモリーまたは他のＩＣチップ内の導電リンク２２及び／またはその上にあるパシベーション層(44)を除去する。各組(50)は、少なくとも１つの特別に整形したパルス(52)及び／または異なる時間的なパワー特性を有する２つ以上のパルス(50)を含む。組(50)の持続時間は十分小さく、通常の位置決めシステム(380)によって単一の「パルス」として扱われ、オン・ザ・フライのリンク除去が停止なしに実行される。
（もっと読む）