【課題】簡易な構成でスペックルノイズを低減することができるレーザ光源装置を提供する。
【解決手段】全体のレーザ発振波長幅が５ｎｍ〜１０ｎｍに制御され、全体のレーザ発振波長幅の範囲内で０．１〜０．２ｎｍを１刻みとし、１刻み毎に対応する波長のレーザ光を発振する柱状のエミッタを少なくとも１００本以上ずつ有するナノコラムレーザダイオードを備える。 （もっと読む）

【課題】波長変換素子を備えるレーザー光源装置において、電力供給回路規模が非常に大きくなってしまうことを抑制する。また、用途に応じた好ましい制御モードで駆動することが可能な技術を提供する。
【解決手段】レーザー光源装置は、供給される駆動電流に応じて第１と第２の基本波光を射出する第１と第２の基本光源と、第１と第２の基本波光を入射して波長変換を行うことによって第１と第２の変換光を生成する波長変換素子と、を有する光源部を備えており、また、各基本光源に供給される駆動電流を制御可能な駆動電流制御部と、を備えている。第１と第２の基本光源は、第１と第２の変換光が略同一色を有し、かつ、第１と第２の変換光の光量がピークとなるタイミングが互いに重ならないように基本波光を射出する。 （もっと読む）

【課題】パッケージに収容された発光素子アレイの各発光素子から出射された光ビームの戻り光が、近隣の発光素子に入射して及ぼす影響を低減できる発光装置を提供する。
【解決手段】同一平面に配列するように設けられ、各々が平面の一方の側に光ビームを出射する複数の発光素子を有する発光素子アレイ２４５と、一方の面に形成された、発光素子アレイ２４５を固定するための固定部２４６ａ−１を備え、発光素子アレイ２４５が固定部２４６ａ−１に固定されたパッケージ２４６−１と、発光素子アレイ２４５の出射面２４５ａ側に設けられ、発光素子アレイ２４５を保護する透明なカバー部材４１０とを有する。カバー部材４１０は、一の発光素子から出射された光ビームがカバー部材４１０に反射された反射光が、一の発光素子に隣接する発光素子に入射する方向と、平面に垂直な方向との角度が所定の角度以上になるように設けられたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光クロストークが十分に抑制された高い通信品質の一芯双方向光通信が可能な、低コストかつ小型の光通信システム及び光通信システムの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、光ファイバ１０１を介して光送受信モジュール１０２及び光送受信モジュール１０３が接続されている。光送受信モジュール１０２はＶＣＳＥＬ１０４及びＰＤ１０５を有し、光送受信モジュール１０３はＶＣＳＥＬ１０６及びＰＤ１０７を有する。ＶＣＳＥＬ１０４及びＶＣＳＥＬ１０６はＤＢＲ１１２を有する。ＶＣＳＥＬ１０４のＤＢＲ１１２では、ＶＣＳＥＬ１０４で発生する信号光は反射され、ＶＣＳＥＬ１０６から入射する信号光は透過してＰＤ１０５に入射する。ＶＣＳＥＬ１０６のＤＢＲ１１２では、ＶＣＳＥＬ１０６で発生する信号光は反射され、ＶＣＳＥＬ１０４から入射する信号光は透過してＰＤ１０７に入射する。 （もっと読む）

向上された効果で２端子半導体素子から光放射を生産ための方法は、以下の、少なくとも１つのドレイン層を備える半導体ドレイン領域、前記ドレイン領域上に配置され、少なくとも１つのベース層を含む半導体ベース領域、および前記ベース領域の部分上に配置され、少なくとも１つのエミッタ層を含むエミッタメサを備える半導体エミッタ領域を含む層構造の半導体構造を提供する、前記ベース領域上に量子サイズ効果を示す少なくとも１つの領域を提供する、前記ベース領域の露出した表面上に第１の部分と、前記ドレイン領域と連結されたさらなる部分とを有するベース／ドレイン電極を提供し、前記エミッタ領域の表面上にエミッタ電極を提供する、前記ベース領域から光放射を得るため前記ベース／ドレインおよびエミッタ電極に対して信号を印加する、これらの領域の間で電圧分布の実質的な一様性のため、前記ベース／ドレインおよびエミッタ電極を構成するステップを有する。さらなる実施形態の中で、側面の大きさの拡大縮小は高周波数動作のため、素子の速度を制御するために使用される。 （もっと読む）

【課題】放熱性が良好で、実装が容易な面発光レーザを提供する。
【解決手段】半導体基板２上に、活性層３を有するメサ構造部４と、メサ構造部４を囲む態様の絶縁層５とを設ける。レーザ光は、メサ構造部４の形成領域の上部側から半導体基板２の基板面に垂直な方向に発する。メサ構造部４に対向する面発光レーザ１の下面側に、メサ構造部４の熱を放熱する放熱層１２を形成する。面発光レーザ１をその厚み方向に絶縁層５を通して貫通する孔部８を形成し、絶縁層５の上面に、メサ構造部４から孔部８まで、メサ構造部４のｐ型の層に導通するｐ型の電極１３を形し、電極１３を孔部８の内壁を通して面発光レーザ１の下面側まで延設する。半導体基板２の底面には面発光レーザ１の下面側に形成されたｐ型の電極１３に間隔を介してメサ構造部４のｎ型の層に導通するｎ型の電極１４を形成する。 （もっと読む）

半導体レーザデバイスであって、集積フォトダイオードを有するレーザダイオードを有し、前記集積フォトダイオードを有するレーザダイオードのコンポーネントの１つを前記レーザダイオードの加熱にも用いる。設計が単純な波長制御された半導体レーザが得られる。
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【課題】モード分散による波形劣化が抑制可能な面発光装置及びその製造方法、並びに光伝送モジュールを提供する。
【解決手段】基板と、前記基板の上に設けられ、発光層を有する積層体と、前記積層体の主面の外周部と前記発光層の側面とを少なくとも覆うように設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜に隣接する前記積層体の主面の一部と前記絶縁膜の表面の一部とを覆うように設けられ、発光窓部となる開口部を有する電極と、前記開口部に設けられ、大きさが前記発光窓部の大きさよりも小さく且つ前記発光層からの放出光を集光可能なレンズ部を有する光学部材と、を備えたことを特徴とする面発光装置及びその製造方法、並びに光伝送モジュールが提供される。 （もっと読む）

【課題】波長走査型レーザ光源において波長走査範囲を拡大すること。
【解決手段】ゲイン媒体１２を含む光ファイバループ１１、光サーキュレータ１３、光ビーム偏向部及び回折格子２７によって波長走査型レーザ光源を構成する。レーザを発振させ、１走査周期毎にトリガ信号を検出する。トリガ信号を電流コントローラ３４に入力し、電流コントローラ３４よりゲイン媒体１２への注入電流を制御する。このとき波長走査毎に発振レベルに応じて注入電流のレベルを低下させるように制御すれば、ゲイン媒体１２がＣＯＤによって破壊することなく、波長を広い範囲にわたって走査することができる。 （もっと読む）

この発明は、少なくとも１つの量子ドットを具えるエンタングル状態のフォトン対を発生させるフォトン対源を作る方法に関し、フォトン対源の操作挙動が少なくとも１つの量子ドットの励起子エネルギーレベルの微細構造分裂を調整することによって決定される。この励起子エネルギーレベルの微細構造分裂は、半導体基体の｛１１１｝結晶面上に少なくとも１つの量子ドットが離散状態で蒸着されることによって調整される。 （もっと読む）

【課題】光源装置の高出力化を図るべく、例えば光素子を多数用い、光素子毎に波長変換素子を設ける場合には光源装置が大型化したり、波長変換素子を複数設けることで装置のコストが高くなるといった問題が発生する。
【解決手段】レーザ光を射出する複数の第１エミッタ２Ａを含む第１光素子１Ａと、複数の第２エミッタ２Ｂを含む第２光素子１Ｂのレーザ光を波長変換素子２０に照射し、高調波を発生させる。第１エミッタ２Ａから射出されるレーザ光と第２エミッタ２Ｂから射出されるレーザ光とを一つの波長変換素子２０を用いて高調波を発生させるため、波長変換素子２０の数を減らすことができ、コンパクト且つ高出力な高調波レーザ光を射出させる光源装置１００を提供することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】波長の異なる光を分離するためにフィルタを空間的に配置すると、物理的なスペースが多く必要になるという問題を解決する。
【解決手段】波長分離型フォトダイオード７１は、隣接して設けられた少なくとも２つの面受光型フォトダイオード７３の受光面に、それぞれ異なる波長の光を選択的に透過させる、薄膜よりなる波長選択フィルタ７４をそれぞれ直接設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】偏光双安定ＶＣＳＥＬを用いて、双安定領域において外部偏光光を与えることで偏光した出力光を直交する２方向に偏光方向を切り替える方法が知られている。この方法によれば、高速スイッチングが可能であるが、異なる偏光方向をもった２つの外部光が必要なため、装置が大きくなる。
【解決手段】双安定領域の外では、注入された電流値のレベルによっていずれか一方の偏光方向の発振が生ずることを利用し、双安定領域の下限より小さい電流値と、上限より大きい電流値とを切り替えて注入することにより、出力レーザ光を偏光分離素子に入力し、偏光分離素子から出射するレーザ光の出口を偏光方向によって異ならせ、相異なる感光体に導くことで１つの光源を用いて２つの感光体を時間分割出露光させることができる。この方法によれば、光源用ドライバの変更のみとなり、外見的な構成は従来と同じで済む。 （もっと読む）

【課題】高出力化を実現することが可能なレーザ光源装置、画像表示装置及びモニタ装置を提供すること。
【解決手段】レーザ光を射出する発光部を有する光源１２と、該光源１２から射出されたレーザ光側に凹面１７ａを有し、該光源１２の発光部２２から射出された所定の選択波長のレーザ光を選択的に反射させるとともに、残りのレーザ光を透過させる共振素子１７と、光透過性を有するとともに、光源１２と共振素子１７との間の光路上に配置され、入射したレーザ光の光路を変換する光路調整部材１６とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 波長の安定化、光共振器の損失低減、冷却効率の改善を実現する。
【解決手段】 波長制御用のダイヤフラム上に設けられた第１の光学多層膜と、第２の光学多層膜とを活性層を介して対向させることにより、この第１および第２の光学多層膜により光共振器を形成する面発光レーザにおいて、前記第１の光学多層膜と前記活性層との間に形成された空間と、この空間に介在する液体とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、垂直拡張共振器型面発光レーザー（VECSEL）によって光ポンピングされる半導体レーザーによって構成される半導体レーザー・システムに関する。前記半導体レーザーは、二つの共振器空洞鏡（１０、１２）からなるレーザー空洞内に配置された固体レーザー媒質（１１）を有し、前記空洞鏡の第一のもの（１２）は前記半導体５レーザーの出射結合鏡として設計され、前記空洞鏡の第二のもの（１０）は該第二の空洞鏡（１０）を通じて前記半導体レーザー媒質（１１）の光学的ポンピングを許容するよう形成されている。提案される半導体レーザー・システムでは、VECSELの前記拡張空洞鏡（７）は、前記半導体レーザーの前記共振器空洞鏡（１０、１２）の一つによって構成される。提案されるレーザー・システムは、改善された効率および高度に１０統合された設計を提供する。
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【課題】電気的なクロストークを抑制することの可能な半導体レーザアレイを提供する。
【解決手段】表面上に金属層１４の形成された支持基板１０における金属層１４の表面に、複数の柱状の半導体レーザ素子２０が接合されている。半導体レーザ素子２０は、金属層１４側から、下部コンタクト層２１、下部ＤＢＲ層２２、下部スペーサ層２３、活性層２４、上部スペーサ層２５、電流狭窄層２６、上部ＤＢＲ層２７および上部コンタクト層２８をこの順に積層してなる柱状の垂直共振器構造となっており、半導体基板４０上での結晶成長により上記垂直共振器構造を形成したものから半導体基板４０が除去されたものである。つまり、各垂直共振器構造に直列に接続されていた半導体基板４０の抵抗成分が各垂直共振器構造から切り離されている。 （もっと読む）

【課題】放熱性を向上させた光源装置を提供すること。
【解決手段】支持体１１と、支持体１１に載置された発光素子１２と、発光素子１２と電気的に接続された配線基板２０とを備え、発光素子１２は、発光部１２ａと、第１の電極１３と、第２の電極１４とを有し、第２の電極１４は、支持体１１上に形成された支持体電極９と接続されており、配線基板２０は絶縁層２３を介して積層された第１の配線層２２と第２の配線層２４とを有し、第１の配線層２２から延在する第１の端子２２ａは第１の電極１３と接続されて第１の接続部２２Ａを形成し、第２の配線層２４から延在する第２の端子２４ａは支持体電極９と接続されて第２の接続部２４Ａを形成しており、第１の接続部２２Ａと第２の接続部２４Ａのうちの少なくとも一方が、電極上に端子が重なった接続構造を有することを特徴とする光源装置１とした。 （もっと読む）

【課題】レーザ素子をサブマウントに接合して常温に戻した場合に生じるレーザ素子内部の応力の発生や、レーザ素子とサブマウントとの反りの発生を抑える。
【解決手段】複数の発光部を有するレーザ素子２５に対して、当該レーザ素子２５を複数のレーザ単位素子１５に分断するための分断開始箇所となる分断開始部Ｃ１，Ｃ２を形成する工程と、分断開始部Ｃ１，Ｃ２が形成されたレーザ素子２５を、サブマウント３０に接合する工程と、サブマウント３０に接合されたレーザ素子２５をレーザ単位素子１５に分断する工程とを含み、分断開始部Ｃ１，Ｃ２を形成する工程は、隣り合うレーザ単位素子１５の間に、発光部の配列方向に沿って少なくとも２つの分断開始部Ｃ１，Ｃ２を備える。 （もっと読む）