【課題】２ＤＰＣ光共振器を用いた光源装置に関して、高い光取り出し効率を有するとともに集積化に適し、光出力の偏波方向を所望の方向に制御することが可能な、光源装置を提供すること。
【解決手段】デバイス基板と、該デバイス基板上にウエハ接合用接着材料を介して形成された、コアに発光体が導入された２次元フォトニック結晶光共振器、水素化アモルファスシリコン光導波路及び該水素化アモルファスシリコン光導波路を伝搬する光を反射するための反射ミラーとを含む光源装置であって、該２次元フォトニック結晶光共振器が、少なくとも１つの鏡映面を有し、該水素化アモルファスシリコン光導波路が、２次元フォトニック結晶光共振器近傍において、少なくとも１つの鏡映面を有するとともに、２次元フォトニック結晶光共振器、水素化アモルファスシリコン光導波路が、互いの鏡映面が重なり合うように配置されていることを特徴とする光源装置。 （もっと読む）

【課題】広い範囲で制御された組成比を有し、結晶性が優れる化合物半導体の膜を用いた半導体素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板上にｎ型半導体およびｐ型半導体を含むように積層して構成された半導体素子の製造方法であって、異なるＩＩＩ族元素による少なくとも２つのターゲット（第１ターゲット２１および第２ターゲット２２）を、Ｖ族元素を含むガスによりスパッタリングして、基板１１０上にＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体の膜を形成する工程を含む。 （もっと読む）

デバイスが提供される。本デバイスは、第１の有機発光デバイスを含み、この有機発光デバイスは、第１の電極と、第２の電極と、第１の電極と第２の電極の間に配置された有機発光層とをさらに含む。本デバイスはまた、第１のレーザデバイスを含み、この第１のレーザデバイスは、光共振器と、この光共振器内に配置された有機レイジング材料をさらに含む。焦点機構が、第１の有機発光デバイスによって放射される光を第１のレーザデバイス上へ集束させるように配置されている。好ましくは、焦点機構は、第１の有機発光デバイスによって放射される光よりも強度が少なくとも１０倍大きな、より好ましくは少なくとも１００倍大きな、第１のレーザデバイスへの入射光を供給する。
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【課題】貫通転位を低減された窒化物半導体層を含む構造体及び窒化物半導体層を含む複合基板と、それらの製造方法等を提供する。
【解決手段】窒化物半導体層を含む構造体であって、
少なくとも二つの窒化物半導体層による積層構造を備え、
前記積層構造における前記二つの窒化物半導体層の間に、該二つの窒化物半導体の下層側における窒化物半導体層上に形成された凹凸パターンの凹部の内壁を含む壁面によって囲まれた複数の空洞を有し、
前記空洞を形成する前記凹部の内壁の少なくとも一部に、前記窒化物半導体層の横方向成長を抑制する結晶性が乱れている部分が形成されている構成とする。 （もっと読む）

【課題】ＩＶ族元素半導体、III−Ｖ族化合物半導体、ＩＶ族化合物半導体、有機化合物半導体、金属結晶もしくはそれらの誘導体又はガラスから成る基板上に作製された短波長の光を放出又は吸収するよう機能する半導体光デバイスを提供する。
【解決手段】本発明においては、半導体光デバイスが、既存の半導体デバイスに用いられている材料から成る基板上に形成された高純度の酸化モリブデンを含む。これにより、深紫外波長領域から可視波長領域までの光を放射又は吸収できる安価な光デバイスが実現される。 （もっと読む）

【課題】六方晶系の非極性面（ａ面、ｍ面）または半極性面で結晶成長させたＡｌＧａＮ混晶と、活性層に用いたＡｌＧａＮ結晶のＡｌＮとＧａＮのモル分率を最適化させ、発光効率を向上させ、低しきい値電流密度化を実現し、深紫外線波長のレーザ光を発生する。
【解決手段】ｍ面基板１０と、ｍ面基板上に配置され，ｎ型不純物をドープされたＡｌＧａＮ層（１２，１４）と、ＡｌＧａＮ層上に配置され，Ａｌ_XＧａ_1-XＮ障壁層とＡｌ_YＧａ_1-YＮ井戸層からなる量子井戸構造を有するＡｌ_XＧａ_1-XＮ/Ａｌ_XＧａ_1-XＮ活性層１６と、Ａｌ_XＧａ_1-XＮ/Ａｌ_XＧａ_1-XＮ活性層上に配置され，ｐ型不純物をドープされたＡｌＧａＮ層（１８，２０）とを備え、ｃ軸が結晶成長の主面の法線方向から４０°〜９０°の範囲内で傾いた面を結晶成長の主面とし、光の電界成分Ｅが主にｃ軸と平行（Ｅ//ｃ）なる偏光特性を示す紫外線窒化物半導体発光素子およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】ポンピングされたときにレーザー発振する（ｌａｓｅ）ことによって、レーザー光を生じる有機物質を包含するレーザーデバイスの提供
【解決手段】本発明は第１ミラー層（１１０）と、前記第１ミラー層（１１０）上の第１活性有機物質層（１１２）とを含むレーザーを包含する。第１活性有機物質はポンピングされたときにレーザー発振し、それによってレーザー光を発生する。第１ミラー層（１１０）は第１活性有機物質によって発生される光の少なくとも一部を反射する。本発明は光学的及び電気的にポンピングされる両方の実施態様を包含する。 （もっと読む）

【課題】低いエネルギー密度（電流密度）での励起下においても、スペクトル幅の極めて狭い発光を取り出すことのできる有機ＥＬ素子を提供する。
【解決手段】基板と、陽電極層と、少なくとも１つの有機材料を含む有機層と、陰電極層とからなる有機エレクトロルミネッセンス素子であって、主たる光の取り出し方向は、上記基板の表面に対して平行方向であり、上記素子によって構成される、有機層をコアの一部とした光導波路の、横電場モード（ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ ｅｌｅｃｔｒｏｃ ｍｏｄｅ）のいずれかのカットオフ波長が、上記有機層に含まれるいずれかの有機材料の蛍光スペクトルの半値全幅の波長域に含まれている有機エレクトロルミネッセンス素子である。 （もっと読む）

【課題】放熱性が向上された窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の基板と、該第１の基板側からｐ型窒化物系化合物半導体層、活性層およびｎ型窒化物系化合物半導体層をこの順で含む窒化物系化合物半導体部とを有する窒化物系化合物半導体発光素子であって、該第１の基板は、第１の基板の上下方向に貫通する貫通孔を有しており、該貫通孔内には、金属膜が埋設されている窒化物系化合物半導体発光素子、および第２の基板上に、少なくともｎ型窒化物系化合物半導体層、活性層およびｐ型窒化物系化合物半導体層をこの順で積層して、窒化物系化合物半導体部を形成する工程と、貫通孔を有し、該貫通孔内に金属膜が埋設されている第１の基板を上記窒化物系化合物半導体部に接着する工程と、上記第２の基板を除去する工程とを含む窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】製造時における金属接触部の劣化や金属の窒化物半導体層への拡散を防止してコンタクト抵抗の低減を図る。
【解決手段】基板、第１接触部、前記基板上に蒸着したドープ半導体材料第１層、前記第１層に蒸着した半導体接合領域、前記接合領域に蒸着したドープ半導体材料を有する第２層（この第２層は前記第１層と逆極性にドープした半導体を有する）、及び第２接触部を含んでなり、前記第２接触部は前記第２層と電気的に導通し、前記第１接触部は前記基板と前記接合領域との間で前記半導体デバイス内に包埋されて前記第１層と電気的に導通する半導体材料、並びに埋め込み接触半導体デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】高い光閉じ込め効果を有する光半導体装置を提供する。
【解決手段】第１ＡｌＮクラッド層１２と、第１ＡｌＮクラッド層１２上に形成され、第１ＡｌＮクラッド層１２より屈折率の大きい第１窒化物半導体ガイド層１３と、第１窒化物半導体ガイド層１３上に形成され、第１ＡｌＮクラッド層１２より屈折率が大きく、且つ第１窒化物半導体ガイド層１３より屈折率が小さい窒化物半導体コア層１４と、窒化物半導体コア層１４上に形成され、前記窒化物半導体コア層１４より屈折率の大きい第２窒化物半導体ガイド層１５と、第２窒化物半導体ガイド層１５上に形成された第２ＡｌＮクラッド層１６とを具備する。第１および第２窒化物半導体ガイド層１３、１５が、ＩｎＮ、Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＡｌ_{（１−ｘ−ｙ）}Ｎおよび組成の異なるＩｎ_ｘＧａ_ｙＡｌ_{（１−ｘ−ｙ）}Ｎ積層膜のいずれか１つである。 （もっと読む）

【課題】高特性の半導体デバイスを製造することができるＩＩＩ族窒化物半導体層貼り合わせ基板、およびＩＩＩ族窒化物半導体層貼り合わせ基板を含む半導体デバイスを提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物半導体層貼り合わせ基板は、ＩＩＩ族窒化物半導体層と下地基板とが貼り合わされており、ＩＩＩ族窒化物半導体層の熱膨張係数と下地基板の熱膨張係数との差が４．５×１０^-6Ｋ^-1以下であり、下地基板の熱伝導率が５０Ｗ・ｍ^-1・Ｋ^-1以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電気的特性を向上することのできる半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子１は、ＧａＮを含むｐ型クラッド層６と、ｐ型クラッド層６に隣接して形成されたフォトニック結晶層７とを備えている。フォトニック結晶層７は、ＧａＮを含むエピタキシャル層２ａと、ＡｌＯ_xよりなる低屈折率層２ｂとを有している。エピタキシャル層２ａは複数の孔２ｃを有しており、複数の孔２ｃ内に回折格子点となる低屈折率層２ｂが埋め込まれている。 （もっと読む）

【課題】活性領域から放出された光子がワイヤボンディングパッドで吸収される可能性を低減すること。
【解決手段】図３において、第１のコンタクト金属層１８は、ｐ型半導体材料層１６に対してオーミックコンタクトを実現するｐ型半導体材料層１６と接触した第１の部分５５、およびｐ型半導体材料層１６に対してオーミックコンタクトを形成しないｐ型半導体材料層１６と接触した第２の部分５７を備える。第２の部分５７は、ワイヤボンディングパッド２２の位置に対応している。オーミックコンタクトを形成しないことによって、部分５７のｐ型半導体材料層１６への電流注入を、減少し、かつ／または防げることができる。ワイヤボンディングパッド２２の下の領域５０のｐ型半導体層１６および／または第１のコンタクト金属層１８を損傷することによって、オーミックコンタクトを形成しない部分５７を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】発光構造物から基板を安定的に分離して、窒化物半導体発光素子の輝度及び素子の信頼性を向上させ、さらに発光素子の光抽出効率をより向上させる。
【解決手段】窒化物半導体発光素子の製造方法は、窒化物単結晶成長用の予備基板２１上に発光構造物２２を形成するステップと、発光構造物２２を窒化物半導体発光素子の最終的な大きさに応じて分離するステップと、発光構造物２２上に導電性基板２４を形成するステップと、予備基板２１の厚さが減少するように予備基板２１の下面を研磨するステップと、予備基板２１を加工して凹凸を形成するステップと、第１導電型窒化物層２２ａの一部領域が露出するように予備基板２１の一部領域を除去するステップと、第１導電型窒化物層２２ａの、予備基板２１が除去されて露出させられた領域に電極２５を設けるステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】素子の発光効率及びＥＳＤ特性を向上させることができる窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体発光素子は、ｎ型窒化物半導体層２２０と、前記ｎ型窒化物半導体層上に形成され、第３族転移元素を含む窒化物半導体層からなる電子放出層２３０と、前記電子放出層上に形成された活性層２４０と、前記活性層上に形成されたｐ型窒化物半導体層２５０と、を含む。前記電子放出層は、少なくとも１つのＧａ_xＳｃ_(1-x)Ｎ／Ａｌ_yＧａ_(1-y)Ｎ（０≦ｘ＜１，０≦ｙ＜１）層からなることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】半導体層にクラックが発生するのを抑制しながら、能動領域の転位の増加に起因する素子特性の低下を抑制することが可能な半導体素子を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ素子では、ｎ型ＧａＮ基板２１は、半導体層（２２〜３０）が縦方向成長することが可能な平面領域Ａと、平面領域Ａを挟み込むように配置され、平面領域Ａとの境界領域が実質的に［１−１００］方向に延びるとともに、半導体層（２２〜３０）が横方向成長することが可能な平面領域Ｂとを含む。また、半導体層（２２〜３０）は、ｎ型ＧａＮ基板２１の平面領域Ａの中央部より［０００１］方向側の領域上に形成されるリッジ部３１を含む。 （もっと読む）

明確な基準面に対する発光開口の面が正確に制御されうるように、一つの面に発光開口をそれぞれ有する一つ以上の光学デバイスが、キャリア上に実装されうる光学発光アセンブリが開示される。これは、異なる厚さの複数の光学デバイスがあるときでさえ追加の光学要素が、前記発光開口の中心に関して正確に軸方向に及び横方向に位置づけされることを可能にしている。前記アセンブリは、光学的な出力開口を提供する発光面を有する面発光光学デバイスと、第１及び第２の対抗面を有するキャリアであって、第１の面は発光デバイスがその発光面で実装されている基準面であり、第２の面は背面であり、キャリアは基準面及び背面の間に伸びる開口を有しており、光学デバイスは、その光学的な出力開口が光学的放射を方向付けるために前記キャリア開口の上に覆う関係となるように基準面上に位置づけされる。
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【課題】窒化物半導体膜を、窒化物半導体膜のエピタキシャル成長用の基板とは異なる、所望の材質の基板に形成する半導体ウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】第一の基板１に第一の窒化物半導体膜２を形成し、第一の窒化物半導体膜２の上に第一の窒化物半導体膜２よりも融点の高い第二の窒化物半導体膜３を形成する。次に、第二の窒化物半導体膜３の表面にキャリアー基板４を貼り合わせ、張り合わせられた第一の基板１、第一の窒化物半導体膜２、第二の窒化物半導体膜３及びキャリアー基板４を含むウェハを、第一の窒化物半導体膜２の融点より高く、かつ第二の窒化物半導体膜３の融点より低い温度で加熱処理して第一の窒化物半導体膜２を融解し、第一の基板１を除去する。更に、キャリアー基板４上に張り合わされた第二の窒化物半導体膜３の表面に第二の基板６を張り合わせ、キャリアー基板４を除去する。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザダイオードアレイを提供する。
【解決手段】下部基板１１０と、下部基板に設けられた第１発振部１２０と、下部基板に第１発振部と離隔されて設けられた第２発振部１４０とを有するデュアル構造の下部半導体レーザダイオードチップ１００と、上部基板と、上部基板２１０に設けられた第３発振部２２０と、上部基板に第３発振部と離隔されて設けられた第４発振部２４０とを有するデュアル構造の上部半導体レーザダイオードチップ２００と、第１ないし第４発振部１２０、１４０，２２０、２４０を外部と電気的に連結する電極部Ｐ１，Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４と、を備え、第１ないし第４発振部のレーザ光が放出される第１ないし第４発光点が２次元的に配列されるように、第１発振部と前記第３発振部とは垂直接合され、第２発振部と第４発振部とが垂直接合される。 （もっと読む）