【課題】低減された順方向電圧のIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】ｐ型クラッド層におけるｐ型ドーパントの濃度がｎ型不純物の濃度より大きくなるように、ｐ型クラッド層はｐ型ドーパント及びｎ型不純物を含む。ｐ型クラッド層のバンドギャップより大きい励起光を用いた測定によるフォトルミネセンス（ＰＬ）スペクトルは、バンド端発光及びドナーアクセプタ対発光のピークを有する。このＰＬスペクトルにおけるバンド端発光ピーク値のエネルギＥ（ＢＡＮＤ）と該ＰＬスペクトルにおけるドナーアクセプタ対発光ピーク値のエネルギＥ（ＤＡＰ）との差（Ｅ（ＢＡＮＤ）−Ｅ（ＤＡＰ））は、当該III族窒化物半導体レーザ素子１１の順方向駆動電圧（Ｖｆ）と相関を有する。このエネルギ差（Ｅ（ＢＡＮＤ）−Ｅ（ＤＡＰ））が０．４２ｅＶ以下であるとき、III族窒化物半導体発光素子の順方向電圧印加に係る駆動電圧が低減される。 （もっと読む）

【課題】均質なｎ型導電性のＩＩＩ族窒化物半導体層を含むＩＩＩ族窒化物半導体膜およびかかるＩＩＩ族窒化物半導体膜を含むＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物半導体膜２０は、主面２０ｍ，２１ｍ，２２ｍが（０００１）面２０ｃに対して０°より大きく１８０°より小さいオフ角θを有し、ｎ型導電性を実質的に決定するドーパントが酸素であるＩＩＩ族窒化物半導体層２１，２２を少なくとも１層含む。また、本ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスは、上記のＩＩＩ族窒化物半導体膜２０を含む。 （もっと読む）

【課題】活性層での発光波長を所望の波長となるように調整でき、歩留まりを向上させる半導体光素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】イオウがドープされたｎ型ＩｎＰ基板１の上に、順次、ｎ型ＩｎＰクラッド層２、ＧａＩｎＡｓＰ活性層３、ｐ型ＩｎＰクラッド層４、ｐ型ＧａＩｎＡｓＰキャップ層１１を成長させる。再成長温度から再成長の際の短波長シフト量を予想し、最終的に得たいＧａＩｎＡｓＰ活性層３のＰＬ発光のピーク波長の値である１．４８μｍに、予想した短波長シフト量分を足した値１．５０μｍを求めておき、１．５０μｍのピーク波長が得られるようにＧａＩｎＡｓＰ量子井戸層の組成を設計しておく。 （もっと読む）

【課題】安価に、反りの少ない窒化物半導体を成長することができる窒化物半導体の成長方法を提供する。
【解決手段】本発明の窒化物半導体の成長方法は、気相成長法により、基板１０上に、窒化物半導体の結晶からなる第１凹凸構造３０を形成し、該第１凹凸構造３０の凸部の上部から窒化物半導体を選択的に成長させることにより、前記第１凹凸構造３０上に、窒化物半導体の結晶からなる第２凹凸構造３２を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】グレーティングカプラへのレーザ光の結合効率が向上すると共に実装精度も向上させることが可能な面発光レーザ素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体層２０上に光透過性の厚い絶縁膜２８を形成し、この絶縁膜２８から半導体層２０中のｎ型ＤＢＲ層２１に達する円環形状の溝２８Ａを形成する。マスク（レジスト層３４を絶縁膜２８上に形成すると共に溝２８Ａにも充填させ、このレジスト層３４の溝２８Ａの近傍位置に開口３４Ａを設ける。この開口３４Ａからエッチング液を導入し絶縁膜２８を加工することによって、傾斜した光出射面３Ａを有するプリズム３を形成する。これにより素子本体２の光出射面２０Ａに対して垂直な方向よりも傾いたレーザ光を出射する面発光レーザ素子１が得られる。 （もっと読む）

【課題】上部クラッド層における電流の閉じ込め及び電界の閉じ込めを良好にすることが可能な半導体光素子を提供すること。
【解決手段】半導体基板ＳＢと、半導体基板ＳＢ上に設けられた半導体メサストライプＭと、半導体メサストライプＭを埋め込む埋込層３０と、半導体メサストライプＭと埋込層３０との間に設けられ、誘電体材料からなる中間層２０とを備え、下部クラッド層Ｃ１は第１ドーパントの添加により第１導電型を示し、上部クラッド層Ｃ２は第２ドーパントの添加により第２導電型を示し、埋込層３０は第３ドーパントの添加により半絶縁性を示し、中間層２０は上部クラッド層Ｃ２の側面Ｆ１と埋込層３０との間に設けられ、中間層２０は上部クラッド層Ｃ２の側面Ｆ１に接し、埋込層３０は下部クラッド層Ｃ１の側面Ｆ３及びコア層１０の側面Ｆ４に接している半導体光素子１。 （もっと読む）

【課題】ピエゾ電界の影響が抑制されていると共に、高い結晶品質を有するIII族窒化物半導体光素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体光素子１１ａは、ｃ軸方向に延びる基準軸Ｃｘに直交する基準平面Ｓｃに対して有限の角度をなす主面１３ａを有するIII族窒化物半導体基板１３と、III族窒化物半導体基板１３の主面１３ａ上に設けられ、III族窒化物半導体からなる井戸層２８、及び、III族窒化物半導体からなる複数のバリア層２９を含む量子井戸構造の活性層１７とを備え、主面１３ａは、半極性を示し、活性層１７は、１×１０^１７ｃｍ^−３以上８×１０^１７ｃｍ^−３以下の酸素濃度を有しており、複数のバリア層２９は、井戸層２８のIII族窒化物半導体基板側の下部界面２８Ｓｄと接する上部界面近傍領域２９ｕにおいて、酸素以外のｎ型不純物を１×１０^１７ｃｍ^−３以上１×１０^１９ｃｍ^−３以下の濃度で含む。 （もっと読む）

【課題】ｐｎ接合において整流性を保った状態で発光効率や発光強度を高めることが可能な発光素子を提供すること。
【解決手段】本発明に係る発光素子１０は、ダイヤモンド半導体層からなり、ｐ型のα層２とｎ型のβ層３との間に一つまたは複数のγ層４を配してなる発光素子であって、前記α層と前記β層は各々、電流を注入するための電極（第一電極５、第二電極６）を備えており、前記α層及び前記β層における電流の伝導機構が何れも３００Ｋの温度においてホッピング伝導であるとともに、前記α層と前記β層とを貫通する順方向に電流を流した際に、紫外線を放出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は半導体レーザ素子の製造方法に関し、特にリーク電流を低減するのに好適な半導体レーザ素子の製造方法に関するものであり、埋め込み型半導体レーザ素子において、リーク電流を抑制することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体レーザ素子の製造方法は、ｐ型の半導体基板上に、ｐ型クラッド層、活性層及びｎ型クラッド層を順次形成する工程と、前記ｐ型クラッド層、前記活性層及び前記ｎ型クラッド層をエッチングし、メサストライプ構造部を形成する工程と、前記メサストライプ構造部の側面に、ｐ型電流ブロック層、第１の半絶縁性電流ブロック層、ｎ型電流ブロック層及び第２の半絶縁性電流ブロック層を順次形成し、埋め込み型電流ブロック層を形成する工程と、前記ｎ型クラッド層及び前記埋め込み型電流ブロック層上に、ｎ型コンタクト層を形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ｎ型クラッド層およびｐ型クラッド層が共に主として同種の混晶からなり、かつ低抵抗化可能であって活性層とタイプＩ接合し得る半導体素子を提供する。
【解決手段】ｎ型クラッド層１２およびｐ型クラッド層１６が共に、主としてＭｇ_ｘ１Ｚｎ_ｘ２Ｃｄ_{１−ｘ１−ｘ２}Ｓｅ混晶層（第１半導体層１２Ａ，１６Ａ）と、主としてＭｇ_ｘ３Ｂｅ_ｘ４Ｚｎ_{１−ｘ３−ｘ４}Ｓｅ_ｘ５Ｔｅ_１−ｘ５混晶層（第２半導体層１２Ｂ，１６Ｂ）を交互に含む超格子構造となっている。ｎ型クラッド層１２は、第１半導体層１２Ａおよび第２半導体層１２Ｂのうち少なくとも第１半導体層１２Ａにｎ型不純物を含んでいる。ｐ型クラッド層１６は、第１半導体層１６Ａおよび第２半導体層１６Ｂのうち少なくとも第２半導体層１６Ｂにｐ型不純物を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】ｎ型のキャリア濃度を低減できるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法、ショットキーバリアダイオード、発光ダイオード、レーザダイオード、およびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法は、ＩＩＩ族元素を含む原料を用いた有機金属気相成長法によってＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を製造する方法である。まず、種基板を準備する準備工程（Ｓ１０）を実施する。そして、ＩＩＩ族元素を含む原料として０．０１ｐｐｍ以下のシリコンと、１０ｐｐｍ以下の酸素と、０．０４ｐｐｍ未満のゲルマニウムとを含む有機金属を用いて、種基板上にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させる成長工程（Ｓ２０）を実施する。 （もっと読む）

【課題】活性層に４元混晶を用いた場合であっても、温度特性が良好で、かつ色純度や波長安定性が高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】バルク１５Ａ内に複数の量子ドット１５Ｂが形成された活性層１５を備えている。バルク１５Ａは、組成比ｘ１（０≦ｘ１＜１）のＢｅをＩＩ族元素の一つとして含むＩＩ−ＶＩ族４元混晶によって主に形成されている。量子ドット１５Ｂは、バルク１５Ａと同一の材料系によって形成されており、具体的には、組成比ｘ２（ｘ１＜ｘ２＜１）のＢｅをＩＩ族元素の一つとして含むＩＩ−ＶＩ族４元混晶によって主に形成されている。 （もっと読む）

【課題】キャリア濃度を高くすることが可能であり、かつ電気抵抗を低くすることの可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｎ型クラッド層１２は第１半導体層１２Ａと第２半導体層１２Ｂとを交互に積層してなる超格子層となっている。第１半導体層１２Ａは、Ｔｅを含まないＳｅ混晶を主に含んでおり、例えばＢｅ_ｘ１Ｍｇ_ｘ２Ｚｎ_ｘ３Ｓｅ混晶（０≦ｘ１≦１，０≦ｘ２≦１，０≦ｘ３≦１，ｘ１＋ｘ２＋ｘ３＝１）を含んで構成されている。第２半導体層１２Ｂは、Ｔｅ混晶を主に含んでおり、例えばＢｅ_ｘ４Ｍｇ_ｘ５Ｚｎ_ｘ６Ｔｅ混晶（０≦ｘ４≦１，０≦ｘ５≦１，０≦ｘ６≦１，ｘ４＋ｘ５＋ｘ６＝１）を含んで構成されている。 （もっと読む）

【課題】Ｇａ，Ｉｎ，ＮおよびＡｓを含む井戸領域中のＮに起因する結晶欠陥を低減し、該井戸領域のＰＬ強度を高めることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子１は、ＧａＡｓ基板２と、ＧａＡｓ基板２上に設けられた単一量子井戸構造３とを備える。単一量子井戸構造３は、井戸領域４、下部バリア領域５および上部バリア領域６を有する。井戸領域４は、Ｇａ、Ｉｎ、ＮおよびＡｓを含むIII−Ｖ族化合物半導体からなり、井戸領域４にはｎ型不純物（シリコンを除く）がドープされている。Ｇａ，Ｉｎ，ＮおよびＡｓを含む半導体結晶に例えば硫黄（Ｓ）といったｎ型不純物をドープすることにより、ＡｓおよびＮの原子半径の違いに起因する結晶欠陥を低減することができるので、井戸領域４のＰＬ強度を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】出力が高く、受光面における戻り光の反射率の低い窒化物半導体レーザ素子を歩留まり良く作製することができる窒化物半導体レーザ素子およびそれを用いた外部共振器型半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】光出射部が窒化物半導体からなる窒化物半導体レーザ素子であって、光出射部に酸窒化シリコンからなるコート膜が形成されており、光出射部から出射されるレーザ光の戻り光に対するコート膜の反射率が０．５％以下である窒化物半導体レーザ素子とおよびそれを用いた外部共振器型半導体レーザ装置である。 （もっと読む）

【課題】量子井戸構造の質の向上を図ることができるＺｎＯ系半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ系半導体装置の製造方法は、（ａ）基板を準備する工程と、（ｂ）基板の上方に、ＺｎＯ系化合物半導体からなる井戸層を成長する工程と、（ｃ）基板の上方に、ＺｎＯ系化合物半導体からなる障壁層を、サーファクタントとしてＳを供給しながら成長する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ系半導体からなるアクセプタドープ層を含む積層体を形成する場合に、アクセプタ元素の濃度を低下させずに、アクセプタドープ層又はアクセプタドープ層以降の層の平坦性が悪くなるのを抑制することができるＺｎＯ系半導体素子を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ基板１上にｎ型Ｍｇ_ＺＺｎＯ層２、アンドープＭｇＺｎＯ層３、ＭＱＷ活性層４、アンドープＭｇ_ＸＺｎＯ層５、アクセプタドープＭｇ_ＹＺｎＯ層６が順に積層されている。アクセプタドープＭｇ_ＹＺｎＯ（０≦Ｙ＜１）層６は、アクセプタ元素を少なくとも１種類含んでおり、この層に接してアンドープＭｇ_ＸＺｎ_１−ＸＯ（０＜Ｘ＜１）層５が形成されている。このため、アクセプタドープ層にアクセプタ元素を十分取り込むことができるとともに、アクセプタドープ層の表面平坦性は良くなる。 （もっと読む）

【課題】半導体材料、特に、良好な電気伝導率および大きな禁制帯幅を有するドープド半導体材料において、原子の秩序化の結果生じる禁制帯幅の減少のような所望しない効果を排除することができるものを得る。
【解決手段】半導体材料中で自由電荷キャリアを提供する第１のドーパント、例えばシリコンと、該半導体材料中で原子の無秩序化を促進する第２のドーパント、例えばスズあるいはテルルとを含む半導体材料であって、該第２のドーパント濃度が該半導体材料の全体に亘って実質的に均一である。 （もっと読む）

【課題】発光層に印加される歪みを均一化することにより半導体素子の発光特性を向上させることが可能な半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体素子の製造方法は、ｎ型ＧａＮ基板１上の共振器方向（Ａ方向）に互いに隣接する素子形成領域２５に、リッジ部７の端部７ａが劈開線５００ａ上に配置されるように、かつ、リッジ部７が共振器方向（Ａ方向）に連続しないように、リッジ部７を含む半導体素子層８を形成する工程と、半導体素子層８を形成する工程に先立って、ｎ型ＧａＮ基板１の半導体素子層８を形成する領域の周囲を囲むようにエッチングを行うことにより、ｎ型ＧａＮ基板１に溝部１ｄを形成する工程と、劈開線５００ａに沿って、共振器方向に隣接する半導体素子層８が形成された素子形成領域２５を分割する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】発光波長４３０〜５８０ｎｍの窒化物半導体レーザ素子において、活性層への光閉じ込め効率が向上され、より高い発光効率を有する窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】ｎ型クラッド層と、Ｉｎ_eＧａ_fＮ（ｅ＋ｆ＝１）からなる井戸層および、障壁層から構成される活性層と、ｐ型クラッド層と、を含み、発光波長が４３０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下である窒化物半導体レーザ素子であって、該ｎ型クラッド層と該活性層との間に、実質的に不純物を含まないＩｎ_aＧａ_bＮ（ａ＋ｂ＝１）の単層からなり、層厚が０．０２〜１．０μｍであるｎ側光ガイド層を備え、該ｎ側光ガイド層のＩｎ組成比ａは、該井戸層のＩｎ組成比より小さく、かつ０．００＜ａ≦０．１０を満足する窒化物半導体レーザ素子である。 （もっと読む）