【課題】共振器端面及びその近傍領域となる領域以外の領域における活性層のバンドギャップの変化を抑制しながら、共振器端面及びその近傍領域となる領域の活性層のバンドギャップを大きくして端面窓構造を形成できるようにする。
【解決手段】光半導体装置の製造方法を、半導体基板１の上方に、活性層３を含む半導体積層構造５を形成する工程と、半導体積層構造の共振器端面及びその近傍領域となる第１領域７上に空孔生成促進膜６を形成する工程と、空孔生成促進膜をマスクとして、半導体積層構造の第１領域以外の第２領域８上に半導体層９を選択成長させる工程と、熱処理を行なって第１領域に窓構造１０を形成する工程とを含むものとする。 （もっと読む）

【課題】電子漏れが抑制でき、光閉じ込めの向上を図ることができ、非発光を抑制することが可能なフォトニック結晶面発光レーザを提供する。
【解決手段】基板上に、ｎ型クラッド層、活性層、電子ブロック層、２次元フォトニック結晶層がこの順に積層されているフォトニック結晶面発光レーザであって、
２次元フォトニック結晶層は、第一のｐ型半導体によるバンドギャップの異なる複数の層を備え、
第一のｐ型半導体による複数の層のバンドギャップは、電子ブロック層を構成する第二のｐ型半導体のバンドギャップよりも小さく、複数の層の積層方向に向かって段階的ないしは連続的にそのバンドギャップが減少するように積層され、
積層された層の面内方向の高屈折率部と低屈折率部とによる２次元フォトニック結晶層の該低屈折率部には、
電子ブロック層の表面を覆うように、第二のｐ型半導体よりもアクセプタドープ濃度の小さい第三のｐ型半導体が設けられている。 （もっと読む）

【課題】結晶成長を中断してウェハを外部に出すことなく、電流狭窄層を形成でき、電流狭窄効果が高い半導体レーザ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】電流狭窄層を有する半導体レーザ１であって、前記電流狭窄層は、ｎ型不純物原子がドープされたn++接合層１９、絶縁層１７、及びｐ型不純物原子がドープされたp++接合層１５から構成され、前記p++接合層１５は、その周辺部１５ｂよりも厚い中央部１５ａを備え、前記n++接合層１９は、前記中央部１５ａにおいて前記p++接合層１５と接してトンネル接合を形成し、前記絶縁層１７は、前記周辺部１５ｂにおいて、前記n++接合層１９とp++接合層１５とを隔てることを特徴とする半導体レーザ１。 （もっと読む）

【課題】ＣＯＤの発生を防止しつつ、レーザ性能の劣化を抑制する半導体レーザを提供する。
【解決手段】第１導電型の半導体基板と、半導体基板の上に堆積された第１導電型の第１クラッド層と、第１クラッド層の上に堆積された活性層と、活性層の上に堆積された第２導電型の第２クラッド層と、第２クラッド層の上に堆積されたコンタクト層とを備え、活性層は、空孔の拡散により混晶化した窓部と、窓部より混晶度が小さい非窓部とを有し、コンタクト層は、第１領域と、第２領域を有し、第２領域は第１領域よりも水素との親和性が高く、第２領域は第１領域の下側にある半導体レーザ素子。 （もっと読む）

【課題】エージング後のＣＯＤレベルを向上することができる窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】光出射部にコート膜が形成されている窒化物半導体発光素子であって、光出射部は、窒化物半導体からなり、コート膜は、アルミニウムの酸窒化物からなり、厚さ方向に酸素の含有量が異なる窒化物半導体発光素子である。 （もっと読む）

【課題】垂直共振器面発光レーザ用の半導体基板におけるｐ型結晶層をＶ／ＩＩＩ比が小さいエピタキシャル条件で形成するとともにｐ型結晶層の電気抵抗を低減する。
【解決手段】垂直共振器面発光レーザ用の半導体基板であって、半導体基板はコンタクト層として機能するｐ型結晶層を有し、ｐ型結晶層が、３−５族化合物半導体からなり、２×１０^１８ｃｍ^−３以上、１×１０^１９ｃｍ^−３以下の濃度の水素原子を含む半導体基板を提供する。ｐ型結晶層として、ｐ型ＧａＡｓ層が挙げられる。ｐ型結晶層が、ｐ型不純物原子として炭素原子を含んでもよい。 （もっと読む）

【課題】 良好なデバイス特性を得ることできる、複数の細孔が形成された窒化物半導体を有する構造体の製造方法、および該構造体を備えた発光素子の提供を目的とする。
【解決手段】 Ｉｎを含むIII族窒化物半導体からなる第１の半導体層を形成する工程と、第１の半導体層の上に、第１の半導体層よりもＩｎ組成が低いIII族窒化物半導体からなる第２の半導体層を形成する工程を有する。第２の半導体層および第１の半導体層に複数の細孔を形成する工程と、窒素元素を含む雰囲気下で熱処理することにより、複数の細孔が形成された第１の半導体層の側壁の少なくとも一部に、第１の半導体層よりもＩｎ組成が低い半導体結晶構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】良好なオーミック接触を有するIII族窒化物半導体発光素子が提供される。
【解決手段】このIII族窒化物半導体発光素子では、接合ＪＣが窒化ガリウム系半導体層のｃ軸に直交する基準面に対して傾斜しており、電極がこの窒化ガリウム系半導体層の半極性面に接合する。しかしながら、この窒化ガリウム系半導体層における酸素濃度が、接合ＪＣを形成するように成長された窒化ガリウム系半導体層における酸素濃度は低減される。この窒化ガリウム系半導体層の半極性面に電極が接合を成すので、金属／半導体接合は良好なオーミック特性を示す。 （もっと読む）

【課題】高輝度、高信頼性、良好な表面状態を有する発光ダイオード用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】ｎ型基板２上に、少なくともＡｌＧａＩｎＰ系材料からなるｎ型クラッド層４、活性層５、ｐ型クラッド層６、及びｐ型ｐ型電流分散層７を有する発光ダイオード用エピタキシャルウェハ１であって、ｐ型ｐ型電流分散層７中の水素濃度の平均値を１．０×１０¹⁷ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下にしたものである。 （もっと読む）

【課題】半導体のエッチング工程で精密に制御して形成した孔のサイズを、熱処理工程を施した後に大きく変動させることなく、半導体の内部に空孔を含む微細構造の形成が可能な窒化物半導体の微細構造の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体の微細構造の製造方法であって、Ａｌを除くＩＩＩ族窒化物半導体からなる第１の半導体層１０２の主面の上にＡｌを含むＩＩＩ族窒化物半導体からなる第２の半導体層１０４を形成し、第２の半導体層を貫通してなる第１の半導体層に形成された細孔１０７を有する半導体構造を用意する第１の工程と、第１の工程後、半導体構造を窒素元素を含む雰囲気下で熱処理し、第１の半導体層に形成された細孔の側壁の少なくとも一部に、第１の半導体層の結晶面を形成する第２の工程と、第２の工程後、第２の半導体層の上にＩＩＩ族窒化物半導体からなる第３の半導体層１１１を形成し、細孔の上部を塞ぐ第３の工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】より高い光出力を実現できる半導体レーザ素子を提供すること。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成され、第１導電型半導体層領域と、前記第１導電型半導体層領域上に形成された活性層と、前記活性層上に形成された第２導電型半導体層領域と、前記活性層に注入する電流経路を狭窄するための電流狭窄領域を有する電流狭窄構造と、を有する半導体積層構造と、前記第１導電型半導体層領域と前記第２導電型半導体層領域とから前記活性層に電流を注入するための２つの電極と、を備え、前記半導体層積層構造は、光出射方向に垂直な幅方向において前記電流狭窄領域とは幅中心が許容範囲内で一致するように形成された非窓領域と、前記非窓領域を囲むように形成され、前記活性層のバンドギャップエネルギーが前記非窓領域よりも大きい窓領域とを有し、前記電流狭窄領域の幅をＷ１、前記非窓領域の幅をＷ２とすると、３μｍ≦Ｗ２−Ｗ１が成り立つ。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ単結晶の非極性面または半極性面を表面に有する基板の製造コストを抑えることができ、且つ、ＺｎＯ基板やβ−Ｇａ_２Ｏ_３基板といった透明導電性基板の上に窒化物系化合物半導体層が設けられた発光素子を実現できる貼り合わせ基板、貼り合わせ基板の製造方法、及び発光素子を提供する。
【解決手段】貼り合わせ基板１０Ａは、窒化物系化合物半導体とは異なる材料からなり、主面１４ａを有し、可視光に対して透明な導電性の支持基板１４と、支持基板１４の主面１４ａと貼り合わされ、ＧａＮ結晶のＣ面に対し５０°以上１１０°以下の傾斜角をもって形成された表面１２ａを有するＧａＮ薄層１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】窓領域形成と、窓領域に対応する半導体層の高抵抗化とを実現できる半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ素子を提供すること。
【解決手段】窓領域を有する半導体レーザ素子の製造方法であって、ｐ−コンタクト層１８表面のうち非窓領域に対応する領域に第１の誘電体膜を形成する第１の誘電体膜形成工程と、ｐ−コンタクト層１８表面のうち窓領域に対応する領域に、熱処理が行なわれた場合に直下の半導体層内部の不純物を拡散させる作用を有する第２の誘電体膜を形成する第２の誘電体膜形成工程と、第２の誘電体膜下部のｐ−コンタクト層１８の不純物を第１の誘電体膜下部のｐ−コンタクト層１８の不純物よりも多く拡散させて、第２の誘電体膜下部の半導体層の少なくとも一部領域が混晶化した窓領域を形成する熱処理工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体層の表面上に誘電体膜を形成した後に熱処理を行う工程を有する場合であっても、熱処理による悪影響を低減できる半導体光デバイスの製造方法および半導体光デバイスを提供すること。
【解決手段】本発明にかかる半導体層を含む半導体光デバイスの製造方法は、半導体積層構造１０表面の第１の領域に第１の誘電体膜を形成し、半導体積層構造１０表面の第２の領域に、第１の誘電体膜よりも高い密度を有する第２の誘電体膜を形成し、第２の誘電体膜下部の半導体層の熱処理によるバンドギャップの変化量が、第１の誘電体膜下部の半導体層の熱処理によるバンドギャップの変化量よりも大きくなる温度領域で熱処理を施して、第１の誘電体膜下部の半導体積層構造１０に窓領域２３を形成する。 （もっと読む）

【課題】第１基板から窒化物半導体層を容易に剥離する。
【解決手段】ＳｉＣ基板１０１の表面で単層又は複数層のグラフェン層１１１が成長する工程と、グラフェン層との界面で、共有結合性を有することなく、原子レベルのポテンシャルの規則性のみを用いた結合力を伴って窒化物半導体層１１４が形成される工程と、窒化物半導体層１１４とグラフェン層１１１ａとの間、あるいはグラフェン層相互間１１１ａ，１１１ｂ，１１１ｃのポテンシャルによる接合力以上の力で、窒化物半導体層がＳｉＣ基板から剥離される工程とを備える。また、剥離された窒化物半導体層が第２基板１３０の表面に接合される。 （もっと読む）

【課題】フォトルミネッセンス強度が高い井戸層を有する量子井戸構造、半導体レーザ、フォトルミネッセンス強度が高い化合物半導体層を製造する方法及び化合物半導体層のフォトルミネッセンス強度を用いてＭＢＥ装置の状態を管理する方法を提供する。
【解決手段】量子井戸構造は、ＩｎＧａＡｓ又はＧａＩｎＮＡｓからなる井戸層を有し、井戸層の酸素濃度が５×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である。 （もっと読む）

【課題】歪みを内包する六方晶系III族窒化物からなる発光層を含みこの発光層からの電子の溢れを低減できる窒化物系半導体光素子を提供する。
【解決手段】窒化物系半導体光素子ＬＥ１では、歪みを内包した井戸層２１は、ｃ軸方向に延びる基準軸に直交する面に対して傾斜角αで傾斜した基準平面ＳＲ１に沿って延びる。傾斜角αは５９度より大きく８０度未満の範囲及び１５０度より大きく１８０度未満の範囲である。負のピエゾ電界を有する発光層ＳＰ−に隣接して、障壁層のバンドギャップより大きなバンドギャップを有する窒化ガリウム系半導体層Ｐが示されている。井戸層Ｗ３におけるピエゾ電界の向きはｎ層からｐ層への方向であり、窒化ガリウム系半導体層Ｐにおけるピエゾ電界の向きはｐ層からｎ層への方向である。このため、発光層ＳＰ−と窒化ガリウム系半導体層Ｐとの界面には、伝導帯ではなく価電子帯にディップが形成される。 （もっと読む）

【課題】作製プロセスを煩雑にすることなく、かつ、デバイス特性を維持したまま、絶縁膜とＰ型電極との密着性を向上可能な窒化物半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る窒化物半導体装置の製造方法によれば、（ａ）表面にリッジ２が形成された窒化物半導体層１を準備する工程と、（ｂ）リッジ２側面上にＳｉＯ₂膜３を形成する工程とを備える。そして、（ｃ）Ｐｄイオンを含む触媒液にＳｉＯ₂膜３表面を浸漬させて、Ｐｄからなる密着層４をＳｉＯ₂膜３表面上に形成する工程と、（ｄ）密着層４と接触して、リッジ２を覆うＰ型電極５を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】いわゆる窓構造を含む高出力半導体レーザ素子を改善する。
【解決手段】半導体レーザ素子は、ＧａＡｓ基板（１）上において下部層（２−４）、活性層（５ａ）、ＡｌＧａＡｓ上部第１層（６）、およびＡｌＧａＩｎＰ上部第２層（７）をこの順で含む化合物半導体積層構造（２０ａ）を有し、半導体積層構造は共振器端面を有し、活性層は相対的に小さな禁制帯幅を有する井戸層と相対的に大きな禁制帯幅を有する障壁層とが交互に積層された量子井戸構造を有し、下部層、上部第１層、および上部第２層は井戸層に比べて大きな禁制帯幅を有し、共振器端面部において不純物の拡散によって活性層が無秩序化されており、井戸層と障壁層とがＧａＡｓ基板に対して互いに異なる歪を有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は半導体をその基板から分離する方法を提供することである。
【解決手段】 複数の棒状体を基板上に形成し、複数の棒状体上で半導体層をエピタキシー成長させ、更に、複数の棒状体の間の空隙にエッチング液を注入することによって、半導体層をその基板から分離する。複数の棒状体の間の空隙がエッチングの反応面積を大幅に増加させることができるため、本発明による方法によれば、エッチングによって半導体層を基板から分離する効率を向上させ、製造工程のコストを低減させることができ、しかも、基板に使われる材料も前記分離方法に制限されない。 （もっと読む）