【課題】信頼性を向上させることができる光半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】ｎ−ＩｎＰ基板１上に、分離溝１３で互いに分離された光半導体素子１４，１５を形成する。光半導体素子１４，１５の上面に、Ｐｔを含む電極２１，２２をそれぞれ形成する。電極２１，２２に電気的に接続された電極２４を形成する。電極２４を給電層とした電解メッキ法により電極２１，２２上にＡｕメッキ層２６，２７をそれぞれ形成する。Ａｕメッキ層２６，２７を覆うレジスト２３をフォトリソグラフィにより形成する。レジスト２３をマスクとして電極２４をエッチングして電極２１と電極２２を電気的に分離する。電極２４を形成する際に、分離溝１３内に電極２４が形成されないようにする。 （もっと読む）

【課題】超短パルスのレーザ光を出力し得る構成、構造を有する電流注入型の半導体レーザ装置組立体を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置組立体は、（Ａ）光密度が、１０ギガワット／ｃｍ²以上であり、且つ、キャリア密度が１×１０¹⁹／ｃｍ³以上である電流注入型のモード同期半導体レーザ素子１０、及び、（Ｂ）モード同期半導体レーザ素子１０から出射されたレーザ光が入出射される分散補償光学系１１０を備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザの金属接触構造において、位置合わせエラーを除去する。
【解決手段】半導体レーザの金属接触構造を作製する方法が提供され、この方法は、紫外線透過性半導体基板と、エッチングによって形成されたエピ層エッジ間に配置されるリッジを画定し、紫外線透過性半導体基板を覆って配置される紫外線透過性半導体エピ層と、およびエピ層リッジを覆って配置される紫外線不透過性金属層とを提供する工程、不透過性金属層とエピ層エッジとを覆って少なくとも１つのフォトレジスト層（ポジ型フォトレジスト、画像反転フォトレジスト、またはネガ型フォトレジスト）を塗布する工程、およびフォトレジスト層の領域をフォトリソグラフィマスクとして用いられる不透過性金属層と共に紫外線光で裏面照射することにより選択的に現像する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ（ストライプ状の活性層）が高密度に配置された半導体レーザを提供すること。
【解決手段】互いに離間してストライプ状に設けられた、複数の活性層１０と、活性層１０のそれぞれに対応して、活性層１０の上側に設けられた複数の電極１２と、半導体からなり、活性層１０の間の領域にそれぞれに設けられ、電極１２よりも高い位置にその上面が位置する支持部４０と、複数の電極１２のうち１つと電気的に接続されるとともに、複数の支持部４０によって支えられて、当該複数の支持部４０の間に位置する電極１２と離間した構造を備える配線１６と、を備えることを特徴とする半導体レーザ。 （もっと読む）

【課題】半極性面上への良好な電極形成と良好なリッジ形成との両方を可能にする、窒化物半導体発光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】リッジ形状を規定するパターンを有するハードマスク４４を形成する。このマスク４４は、摂氏３００度以下の成膜温度で成膜されたチタン層と摂氏３００度以下の成膜温度で成膜された酸化シリコン層との多層構造を有する。マスク４４と下地との間で安定した密着性を得る。このエッチングは、ＩＣＰ−ＲＩＥ法で摂氏３００度以下の基板温度で行われる。基板主面１２ａ及び半極性主面１４ａは基準軸Ｃｘに直交する面から６３度以上８０度以下の範囲の角度で傾斜する。この角度範囲では半極性主面１４ａは酸化されやすいステップを有する。ハードマスク４４を用いて半導体積層１４及び金属層３４のエッチングを行い、半導体リッジ５０を含む窒化物半導体領域４８と電極層４６とを形成する。 （もっと読む）

【課題】利得領域の活性層の温度変化を抑えることができる半導体光集積素子を提供する。
【解決手段】半導体光集積素子１Ａは、所定の光導波方向に並ぶ第１及び第２の領域１０ｃ、１０ｄを含む主面１０ａを有する半絶縁性基板１０と、第１の領域１０ｃ上に設けられ、ｎ型クラッド層２１、活性層２２、及びｐ型クラッド層２３を有する利得領域２０と、第２の領域１０ｄ上に設けられ、下部クラッド層４１、光導波層４２、上部クラッド層４３、及び抵抗体５０（加熱部材）を有する波長制御領域４０とを備える。半絶縁性基板１０は、裏面１０ｂから厚さ方向に延びて主面１０ａの第１の領域１０ｃに至る貫通孔１１を有しており、該貫通孔１１の内部には、半絶縁性基板１０の裏面１０ｂからｎ型クラッド層２１に達する金属部材１２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子において、実装の精度向上及び安定化を実現する。
【解決手段】半導体発光素子１００は、基板１０１上に形成された半導体層（１０２、１０３、１０４）と、半導体層上に形成された金属層と、金属層の表面に形成された基準パターン１１０とを備える。基準パターン１１０は、金属層表面の金属元素のヨウ素化合物からなる。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で所望のパルス光周波数が容易に得られる光発振装置、記録装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ＧａＩｎＮ／ＧａＮ／ＡｌＧａＮ材料による二重量子井戸分離閉じ込めヘテロ構造を有し、負のバイアス電圧を印加する過飽和吸収体部２と、ゲイン電流を注入するゲイン部３を含む自励発振半導体レーザ１と、自励発振半導体レーザ１から出射した発振光の位相とマスタークロック信号との位相差に基づいて、自励発振半導体レーザ１の過飽和吸収体部２に印加する負のバイアス電圧を制御する制御部４５を含んで光発振装置及び記録装置を構成する。そして、発振期間では、負のバイアス電圧として所望の周期で変動する周期電圧を過飽和吸収体部２に印加する。 （もっと読む）

【課題】電極下に低誘電率の有機材料が挿入された構造であるにも関わらず、外力に対する破壊強度の低下を抑制して製造歩留まりを高めることができる半導体レーザを提供することにある。
【解決手段】光を出力する半導体レーザ部１０ａと、半導体レーザ部１０ａの出力側に設けられ、前記光を変調する光変調部１０ｂとからなる素子本体１０を、同一基板上に備え、光変調部１０ｂは、前記光が導波する光導波層と、前記光導波層に隣接して設けられ、低誘電率の有機材料から成る埋め込み層１２，１３と、埋め込み層１２，１３の表面に設けられた第一の絶縁膜１４と、第一の絶縁膜１４の上に設けられ、前記光導波層へ電気信号を給電する上部電極１６とを具備する半導体レーザであって、第一の絶縁膜１４の上面および上部電極１６の上面に第二の絶縁膜１７を設けた。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ素子部に割れや欠けが発生することを抑制することが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この青紫色半導体レーザ素子１００（半導体レーザ素子）は、略平坦な表面１０ｂと、表面１０ｂの反対側に形成された表面１０ａと、表面１０ｂと表面１０ａとの間に形成された活性層１２とを含む半導体レーザ素子部１０と、半導体レーザ素子部１０の略平坦な表面１０ｂ上に形成されたｎ側電極３０とを備える。そして、ｎ側電極３０は、表面１０ｂと対向する領域の略全域に亘って略平坦な下面３０ｂと、下面３０ｂの反対側に形成された上面３０ａと、上面３０ａに形成されるとともに下面３０ｂに向かって窪む凹部３５とを含む。 （もっと読む）

【課題】ｍ面基板上で結晶成長させたＧａＮ系半導体素子におけるＡｇ電極の凝集による反射率低下を抑制する。
【解決手段】本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法は、成長面がｍ面であるｐ型Ａｌ_dＧａ_eＮ層２５を有する窒化物系半導体積層構造２０を形成する工程（ａ）と、ｐ型Ａｌ_dＧａ_eＮ層２５の成長面１３に接するＡｇ電極３０を形成する工程（ｂ）と、を含み、前記工程（ｂ）は、厚さが２００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下のＡｇ電極３０を形成する工程（ｂ１）と、Ａｇ電極３０を４００℃以上６００℃以下に加熱する工程（ｂ２）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】高い歩留まりで製造することができる面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 基板１０１、下部半導体ＤＢＲ１０３、共振器構造体、上部半導体ＤＢＲ１０７、コンタクト層１０９などを有している。メサの上面における辺縁部は、最外周部に向かって厚さが小さくなるテーパ面を有する誘電体層１１１ａで被覆され、該テーパ面の基板面に対するテーパ角δは、メサにおける側面の基板面に対する傾斜角θよりも小さい。この場合は、カバレージ良く配線を形成することが可能となり、製造歩留まりを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザバーの側面に保護膜を作製する際に、スペーサによってストライプ状電極に付される傷を低減する。
【解決手段】ストライプ状電極１８及びボンディングパッド２０を半導体積層構造１４上に形成する工程と、基板を切断することにより複数の半導体レーザバー３０を形成するバー形成工程と、複数の半導体レーザバー３０の側面３０ｂが載置面４０の法線方向を向くように複数の半導体レーザバー３０を載置面４０上に並べるとともに、複数の半導体レーザバー３０の間にスペーサ４２を配置する工程と、複数の半導体レーザバー３０の側面３０ｂを覆うように保護膜３２を形成する工程とを行う。バー形成工程より前に、主面１２ａを基準とする高さがストライプ状電極１８より高い膜状構造体２２を、複数の半導体レーザバー３０となる半導体積層構造１４の複数の部分それぞれの上に形成する。 （もっと読む）

【課題】接合時の加熱プロセスに起因して電極層が有するオーミック性が劣化するのを抑制することが可能な窒化物系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】この青紫色半導体レーザ素子１００（窒化物系半導体発光素子）は、ｎ型ＧａＮ基板１と、ｎ型ＧａＮ基板１の下面上に形成され、非晶質ＳｉからなるＳｉ層３１とＡｌ層３３とを有するオーミック電極層３０と、オーミック電極層３０のｎ型ＧａＮ基板１とは反対側に形成されたＡｕ層４１を有するパッド電極層４０と、オーミック電極層３０とパッド電極層４０との間に形成されたＰｄからなるバリア層３５とを含むｎ側電極２２とを備える。 （もっと読む）

【課題】水素の移動による素子寿命の短縮を改善可能な窒化物発光素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体領域１３−１は第１領域１３ａ−１及び第２領域１３ｂ−１を含む。第２領域１３ｂ−１は第１領域１３ａ−１に沿って延在する。第１領域１３ａ−１は、ｐ型導電性のリッジ部を含む。III族窒化物半導体領域１３−１はｐ型ドーパント及び水素を含む。電極１７−１は、第１領域１３ａ−１のリッジ部の上面１３ｃ−１に接触する。金属層１９−１は、水素を吸蔵可能にする格子欠陥を高密度で有しており、また第２領域１３ｂ−１上に設けられる。誘電体層２１−１は金属層１９−１上に設けられ、誘電体層２１−１は、シリコン酸化膜，シリコン窒化物，シリコン酸窒化物，酸化ハフニウム，タンタル酸化物等からなる。 （もっと読む）

【課題】リッジの放熱性を確保するとともに、リッジ直下の活性層に発生する圧縮歪みを抑制することができる窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０と、基板１０の一方の面の上方に形成された第一導電型クラッド層１１と、第一導電型クラッド層１１の上方に形成された活性層１３と、活性層１３の上方に形成され、表面にリッジ１５ａおよび平坦部１５ｂを有する第二導電型クラッド層１５と、リッジ１５ａの側面の下方部および平坦部１５ｂ上に形成された誘電体膜１７と、基板１０の他方の面に形成された第一電極１９と、リッジ１５ａの上方に形成された第二電極２０と、リッジ１５ａおよび平坦部１５ｂを覆うようにして第二電極２０上および誘電体膜１７上に形成された第三電極２１とを有し、リッジ１５ａの側面の少なくとも一部と第三電極２１との間に空洞部１８が介在している。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム系半導体層の半極性主面とパラジウム電極との接触抵抗が増加することを抑制可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ１は、半導体基板１０上に設けられた活性層１４と、活性層１４上に設けられると共に半極性の表面１８ｓを有するｐ型半導体層１８と、表面１８ｓに接合すると共にガリウムを含有するパラジウム電極３８と、を備え、パラジウム電極３８におけるガリウムの含有量が１ｍｏｌ％以上である。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】基板上に、下部半導体ＤＢＲ、下部スペーサ層、活性層、上部スペーサ層及び上部半導体ＤＢＲを順次積層形成する成膜工程と、前記下部半導体ＤＢＲ、前記下部スペーサ層、前記活性層、前記上部スペーサ層及び前記上部半導体ＤＢＲの一部を除去することにより分離溝を形成する分離溝形成工程と、前記分離溝の側面にＧａのイオン注入を行なうＧａイオン注入工程と、を有することを特徴とする面発光レーザ素子の製造方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】リッジ導波路と端子の保護を図ることが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】本発明の半導体レーザ素子において、保護部１４は、台座部７ｂの上方のうち、端子部１３とは異なる位置に配置される。保護部１４の上端は、電極部１２及び端子部１３より上方に位置する。 （もっと読む）

【課題】リッジ下部の幅のばらつきを抑制することができるリッジ型半導体光素子の製造方法を得る。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１０上に、活性層１２、ｐ型ＩｎＰ層１４、ｐ型ＩｎＰ層１６を順に形成する。次に、ｐ型ＩｎＰ層１６をドライエッチングしてリッジ下部２０を形成する。次に、リッジ下部２０の周りをＩｎＧａＡｓＰ層２２によりリッジ下部２０の上面を覆わない高さまで埋め込む。次に、リッジ下部２０及びＩｎＧａＡｓＰ層２２上にｐ型ＩｎＰ層２４を形成する。次に、ｐ型ＩｎＰ層２４をドライエッチングしてリッジ下部２０上にリッジ上部２８を形成する。ここで、リッジ上部２８の上面の幅がリッジ下部２０の幅よりも広くなるようにする。次に、ＩｎＧａＡｓＰ層２２をｐ型ＩｎＰ層１４、リッジ下部２０及びリッジ上部２８に対して選択的に除去する。 （もっと読む）