本発明のＰＱＲレーザは多重量子井戸構造で形成され、エッチングされた側面を有する活性層を含む。前記活性層は、支持基板の上部に配置された反射膜の上部でエピタキシャル成長したｐ-ＧａＮ層とｎ-ＧａＮ層との間でサンドウィッチ状に形成される。被覆層が前記活性層の側面外部に形成され、上部電極が前記ｎ-ＧａＮ層の上部に電気的に連結され、分散型ブラッグ反射膜が前記ｎ-ＧａＮ層と前記上部電極の上部に形成される。従って、前記ＰＱＲレーザは、優れた低電力の３次元垂直共振型多重モードレーザを発振させて低電力ディスプレイ素子に適用でき、光のスペックル現象を防止し、集光が調節される柔らかい３次元光を発生させることができる。 （もっと読む）

このレーザー光源は半導体層列（１０）とフィルタ構造部（５）を含み、前記半導体層列（１０）は、活性領域（４５）とビーム出力結合面（１２）を備え、該ビーム出力結合面は第１の部分領域（１２１）と、該第１の部分領域とは異なる第２の部分領域（１２２）を有している。前記活性領域（４５）は作動中に第１の波長領域のコヒーレントな第１の電磁ビーム（５１）と第２の波長領域のインコヒーレントな第２の電磁ビーム（５２）とを生成する。前記コヒーレントな第１の電磁ビーム（５１）は、第１の部分領域から放射方向（９０）に沿って放射され、前記インコヒーレントな第２の電磁ビーム（５２）は、第１の部分領域と第２の部分領域から放射され、フィルタ構造部（５）は、活性領域から放射されたインコヒーレントな第２の電磁ビームを放射方向に沿って少なくとも部分的に減衰する。
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【課題】 フォトニック結晶構造を利用した面発光型半導体レーザ素子であって、レーザ光を効率的に出力可能な面発光型半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】 面発光型半導体レーザ素子１０は、基板１２と、基板１２の主面１２ａ上に設けられている活性層１６と、活性層１６と光学的に結合しているフォトニック結晶層２０と、半導体レーザ素子１０で発生されるレーザ光を出力する光出力面Ｓと、光出力面Ｓ上に設けられた電極２８とを備え、フォトニック結晶層２０は、活性層で発生した光に含まれる所定波長の光の一部を光出力面側に回折せしめると共に、所定波長の光の他の部分を主面に略平行な面内に閉じ込める２次元フォトニック結晶構造を有し、所定波長は上記レーザ光の波長であり、電極は少なくとも１つの縁部２８ａ，２８ｂを有しており、フォトニック結晶層には、縁部の直下近傍に位相シフト部３６ｘ，３６ｙが形成されている。 （もっと読む）

放射型量子フォトニック映像装置は、デジタル的にアドレス可能な多色画素の空間アレイを含む。それぞれの画素は、複数の半導体レーザ・ダイオードの垂直スタックであり、それぞれは、異なる色のレーザ光を発生することができる。それぞれの多色画素内では、ダイオードのスタックから発生された光が、複数の垂直導波路を通して、映像装置デバイスの平面に対して垂直方向に放射され、その垂直導波路は、映像装置デバイスを構成する多色レーザ・ダイオードのそれぞれの光閉じ込め領域に結合される。単一画素を構成するレーザ・ダイオードのそれぞれは、個々にアドレス可能であり、それによって、それぞれの画素は、レーザ・ダイオードに付随する色のいかなる組み合わせも、それぞれの色についていかなる必要なオン／オフ・デューティ・サイクルで、同時に放射することが可能になる。それぞれ個々の多色画素は、それらの個々のレーザ・ダイオードのオン／オフ・デューティ・サイクルを制御することによって、必要な色および明るさの値で同時に放射することができる。
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【課題】リッジ構造の側面に回折格子を有する光半導体素子において、マイクロローディング効果を抑制しながら、所望の結合係数が得られるようにし、かつ、電流拡がりを抑制できるようにする。
【解決手段】光半導体素子を、半導体基板１上に形成されたリッジ構造２を有する光導波路１１と、リッジ構造２の側面に形成され、光導波方向に沿って交互に形成された凹部３Ａと凸部３Ｂで構成され、所望の長さを有する回折格子３と、凸部３Ｂの端部との間に凹部３Ａの幅と同程度の幅を有する溝５が形成されるように、リッジ構造２及び回折格子３が形成されている領域以外の領域に形成されたダミー構造体４とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】製造容易で広帯域な利得スペクトル幅を有する光半導体素子を提供する。
【解決手段】素子内における光の共振が抑制され、n-GaAs基板１１上に、少なくともInGaP下部クラッド層とInGaAs活性層が積層されている光半導体素子１０において、n-GaAs基板１１として面方位が(100)面から(111)Ｂ面方向に２度以上１０度以下の角度、たとえば３度傾斜しているn-GaAs基板を用いる。InGaP下部クラッド層のステップバンチングが形成され、InGaAs活性層の層厚にばらつきが生じる。 （もっと読む）

【課題】スペックルを低減させるレーザーおよびそれを有するレーザーディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】活性層から放射される光を共振させることによって第１側面１３０ａからレーザー光Ｌを放射する半導体部１３０と、第１側面と対向する第２側面１３０ｂに対向して配置され、第２側面に対し垂直方向に振動し、レーザー光を反射させるミラー１１１を有する振動ミラー部１１０と、を有し、レーザー光は、半導体部の第１側面とミラーとの間の共振により発生し、レーザー光の共振のモードは、ミラーの振動によって変動することを特徴とするスペックル低減レーザー。 （もっと読む）

【課題】スペックル低減レーザーを提供する。
【解決手段】活性層で発振される光を共振させてレーザー光を放出する半導体レーザーであって、レーザー光の共振経路上に置かれる電気光学物質層を備えるモード変動部１５０を備え、電気光学物質層に電圧が印加されるにつれてレーザー光の共振モードが変動されることを特徴とするスペックル低減レーザー。これにより、レーザーの共振モードが変動する構造によって、スペックルを効果的に減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】外部共振型レーザ光源装置において低コヒーレンスの光を安定的に射出することが可能な技術を提供する。
【解決手段】外部共振型レーザ光源装置は、共振用の第１のミラーと、外部共振の対象となる基本波光を共振させて得られるレーザ光の一部を透過すると共に、残りの光を第１のミラーに向けて反射する共振用の第２のミラーと、第１のミラーと前記第２のミラーとの間に配置されたレーザ媒質と、第１のミラーと第２のミラーとの間に配置され、それぞれ異なる光路を通る複数の基本波光を入射して、各基本波光に含まれる所定の波長の光を選択的に透過する波長選択素子と、を備え、前記波長選択素子は、前記基本波光の入射位置によって、選択する光の波長が異なる。 （もっと読む）

【課題】非常に安定した超短パルスを発生させる自己発振レーザーダイオードを提供すること。
【解決手段】本発明の実施例に係る自己発振レーザーダイオードは、リフレクター（reflector）としての役目をするＤＦＢ（distributed feedback）領域と、前記ＤＦＢ領域に連結され、終端に切断面（as-cleaved facet）が形成された利得領域（gain sector）と、前記ＤＦＢ領域と前記利得領域との間に位置する位相調節領域と、前記ＤＦＢ領域及び前記利得領域のうち少なくとも１つの領域に外部ＲＦ信号が注入されるようにする外部ＲＦ入力部と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体光デバイスと光ファイバを低損失で接続する。
【解決手段】本発明は半導体レーザに関し、これは、レーザデバイスの端部領域において、電力は狭いモードをもつ能動導波管から、広いモードをもつ受動導波管の中へ結合されると言う事実のお陰で、光ファイバへ突合わせ接続結合することが出来る。能動導波管は、製作中に能動層を横切る対角線方向のエッチングにより形成される非対称テイパを持っている。 （もっと読む）

【課題】、電気特性及び光学特性が改善された超格子を有する半導体層構造及びこのような半導体層構造を有するオプトエレクトロニクスデバイスを提供すること。
【解決手段】超格子の複数の層がドーパントを所定の濃度で含有し、このドーパントの濃度は超格子内の同じ組成の少なくとも２つの層において異なっていて、超格子の少なくとも１つの層内のドーパントの濃度は勾配されていてかつ前記超格子は異なるドーパントでドープされている層を有する、半導体層構造。 （もっと読む）

【課題】量子情報処理や量子情報通信に用いるのに好適な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１は、第１導電型の半導体基板１１と、半導体基板１１の一方の主面上に設けられた第１導電型の第１半導体層１２と、第１半導体層１２上に設けられた第２導電型の第２半導体層１４と、第２半導体層１４上に設けられた超伝導の第１電極１５と、半導体基板１１の他方の主面上に設けられた第２電極１６と、第１半導体層１２と第２半導体層１４との間に設けられた半導体量子ドット領域１３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】活性領域へのキャリヤの移動が容易な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】注入領域と活性領域の間に、第１および第２半導体層の積層パターンを有するひずみ超格子領域を形成することによって、活性領域へのキャリヤの移動が向上する半導体発光素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】優れた光学特性を有する７５０〜９５０ｎｍ帯の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１は、ガリウム・ヒ素（ＧａＡｓ）基板１１と、ＧａＡｓ基板１１上に堆積するｎ型のアルミニウム・ガリウム・ヒ素（ＡｌＧａＡｓ）の下部クラッド層１２と、下部クラッド層１２上に堆積し、インジウム・ガリウム・ヒ素（ＩｎＧａＡｓ）井戸層１３１と障壁層１３２が交互に積層された量子井戸活性層１３と、量子井戸活性層１３上に堆積するｐ型のＡｌＧａＡｓの上部クラッド層１４と、上部クラッド層１４上に堆積するコンタクト層１５とを含み、ＧａＡｓ基板１１の下面に第１の金属電極１６と、コンタクト層１５の上面に第２の金属電極１７を有する。障壁層１３２は、ガリウム・ヒ素・リン（ＧａＡｓＰ）障壁層１３３とＡｌＧａＡｓ障壁層１３４の少なくとも一層から構成される。 （もっと読む）

【課題】 小型で安価な光波形整形素子を提供する。
【解決手段】 基板１１上に導波路１２が形成されており、これらの上部にＸ方向に分割された電極１３ａ，１３ｂ，１３ｃが形成されている。導波路１２は、光信号の増幅を行う導波路部Ｐ１１，Ｐ１３と、光信号のうちの所定レベル以下の光信号を吸収して波形整形を行う導波路部Ｐ１２とされている。導波路部Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３の各々の機能は、電極１３ａ，１３ｂ，１３ｃから導波路１２に供給する電流を調整することにより実現される。 （もっと読む）

【課題】
高コヒーレンス性を持ち、短波長発振するという両方の条件を兼ね備えた半導体レーザを歩留まり良く、さらに容易な方法で提供する。
【解決手段】
III族窒化物半導体から構成される活性層１５と、活性層１５からの光を一対の鏡によって反射することによって、レーザ発振を誘起する共振器と、６００℃以下の低温で成長したIII族窒化物半導体からなり、活性層１５からの光の波長を選択する回折格子２４を有するIII族窒化物半導体レーザ。高コヒーレンス性を持ち、短波長発振するという両方の条件を兼ね備えた半導体レーザを歩留まり良く、さらに容易な方法で作成することが可能になる。 （もっと読む）

ダイオードレーザは、複数のダイオードレーザ素子（２⁽¹⁾、２⁽²⁾・・・２⁽ⁿ⁾）により生成される複数の部分ビーム（８⁽¹⁾、８⁽²⁾・・・８⁽ⁿ⁾）からなる射出される出力レーザビーム（１２）の放射輝度を物体（１６）の場所で高める光学装置（１０）を含む。前記光学装置は前記ダイオードレーザ素子に後置されるとともに、前記ダイオードレーザ素子から射出される前記部分ビームの１つのスペクトル領域（λ_B⁽¹⁾、Δλ_B⁽¹⁾・・・λ_B⁽²⁾、Δλ_B⁽²⁾・・・λ_B⁽ⁿ⁾、Δλ_B⁽ⁿ⁾）だけを各ダイオードレーザ素子へ各々部分的に反射して前記スペクトル領域）の主要部分だけを透過させる第１の体積ブラッグ格子（１８）を含み、異なる部分ビームから各々フィルタリングされる前記スペクトル領域の平均波長は互いに異なっている。第２の格子（２４）により、前記第１の体積ブラッグ格子により透過された部分ビームが出力レーザビーム（１２）でコリニヤに重ね合わされる。
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本発明は、オプトエレクトロニクスにおいて使用されるレーザ源、特に半導体レーザ・ダイオード（１）からなる供給源の安定化に関する。このようなレーザ源は、光通信の分野におけるファイバ増幅器のためのいわゆるポンプレーザとしてしばしば使われ、エルビウムドープファイバ増幅器は、顕著な例である。このようなレーザは、通常提供された周波数帯の安定性のある電力出力で狭帯域幅光学的放射を提供するように設計されている。本発明は、外部反射器手段を使用しているこのようなレーザ源に関し、好ましくは、きわめて狭い帯域幅を有するきわめて高い相対フィードバックを提供し、約１００モードまたはそれ以上を含むきわめて長い外部空洞およびレーザダイオードのきわめて低い前部面（２）反射率と結合した１つまたはそれ以上の適切に設計されたファイバ・ブラッグ・グレーティング（９）からなる。このことにより、動的温度安定要素を必要とすることなく、その動作においてきわめてレーザ源を安定させる。 （もっと読む）