【課題】 電磁ノイズ放射の抑制を可能としたフレキシブル光電配線モジュールを提供することである。
【解決手段】 フレキシブル光電配線モジュールあって、光配線路１２と電気配線１１を有する可撓性のフレキシブル光電配線板１０と、フレキシブル光電配線板１０の一主面上に搭載され、電気配線１１に電気的に接続され、光配線路１２に光結合された光半導体素子１３と、フレキシブル光電配線板１０の一主面と反対側の面に搭載され、電気配線１１に電気的に接続され、光半導体素子１３を駆動する駆動ＩＣ１４と、フレキシブル光電配線板１０を貫通して設けられ、光半導体素子１３と駆動ＩＣ１４を電気的に接続する貫通配線１５とを具備した。 （もっと読む）

【課題】複数のレーザ素子から出射されるレーザ光を受光してその電流値をモニタする際に、複数のレーザ素子が実装されたサブマウントの表面状態によるモニタ電流値のバラツキを低減することができるマルチビーム半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】サブマウント５２の表面には、半導体レーザチップ５０が実装されている。サブマウント５２の実装面には、拡張共通電極３０ｂが形成されている。拡張共通電極３０ｂは、半導体レーザチップ５０に設けられた共通電極３０と接続されて連続的に一体的に形成されている。拡張共通電極３０ｂは、半導体レーザチップ５０の後方側に開口部３０ａを有する。また、半導体レーザチップ５０の後方側には、半導体レーザチップ５０の一端から放射される光を検出するための受光素子５５が配置されている。 （もっと読む）

【課題】放熱性が改善され、照明装置などへの実装が容易な発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１０は、第１および第２の凸状電極２６，３４と、半導体レーザ素子５２と、透光性枠部４０と、を有する。第１の凸状電極は、第１の凸部と、第１の段差面２６ａと、第１の面２６ｂとを有し、第１の段差面は第１の金属板２４からなり、第１の面のうち平面視で第１の凸部を含む領域は第２の金属板２０からなり、第１の凸部は第２の金属板の組成と同じ第３の金属板２２からなり、第２の凸状電極は、第２の凸部３４ａと、第１の金属板の組成と同じ第２の段差面３４ｂとを有し、半導体レーザ素子は、第１および第２の凸部との間に設けられる。透光性枠部は、第１および第２の凸部と、半導体レーザ素子と、を囲み、第１および第２の段差面と接着され、第２の金属板の熱伝導率は第１の金属板の熱伝導率よりも高い。 （もっと読む）

【課題】光モジュール外部のインターフェース設計／構成を簡単にし、光モジュール外部の電気基板の製造コストを低減し、かつ光モジュールの小型化を図れる並列光伝送装置を提供する。
【解決手段】モジュール基板３３の最下層パターン面において、各組の信号入出力端子ｐ１〜ｐ１２は、モジュール基板３３の外周端部に配置されている。各組の信号入出力端子ｐ１〜ｐ１２は、モジュール基板３３の最下層パターン面において、コの字に配置されている。モジュール基板３３において各組の信号入出力端子より外周端部側にはグランド端子が無いので、１チャネルあたりの電気端子数が減る。また、光モジュール３０が実装される電気基板において、各組の信号入出力端子から高周波の差動信号を入出力させる高周波信号線外周部に容易に引き出すことができる。 （もっと読む）

【課題】伝送ロスを小さくすることができる光源装置を提供する。
【解決手段】 光走査装置は、２つの光源ユニット、２つの光束分割部材、光偏向器、４つの走査光学系、及び走査制御装置などを備えている。各光源ユニットは、面発光レーザアレイチップ１００を含む光源を有し、該面発光レーザアレイチップ１００は、回路基板１０２の＋ａ側の面に接着剤で接着されている。そして、面発光レーザアレイチップ１００は、ボンディングワイヤ１０３によって回路基板１０２と電気的に接続されている。また、回路基板１０２の−ａ側の面には、面発光レーザアレイチップ１００の複数の発光部を個別に駆動するための駆動回路を有するＩＣチップ１０６が実装されている。 （もっと読む）

【課題】電気−光変換効率を十分に高めることができる半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体レーザ装置１は、ヒートシンク２の一方面２ｃ側にサブマウント４を介してレーザダイオード３を接合してなる半導体レーザ装置であって、ヒートシンク２の一方面２ｃとサブマウント４の他方面４ｄとは、ヒートシンク２とサブマウント４との間に位置するハンダ接合部９によって互いに接合され、ハンダ接合部９の端部には、ハンダ接合部９よりも隆起し、ヒートシンク２の一方面２ｃとサブマウント４の側面４ｅ，４ｆ，４ｇ，４ｈとを接合するハンダ接合部１０が設けられている。このハンダ接合部１０により、ヒートシンク２とサブマウント４との間の接合面積が大きくなるため、ヒートシンク２とサブマウント４との間の電気抵抗が低減され、電気−光変換効率を十分に高めることができる。 （もっと読む）

【課題】キャン型パッケージを用いた光モジュールの高周波特性を向上する。
【解決手段】ステム１のステムマウント１ｃには、ヒートシンク６ａの裏面がメタライズにより電気的に接続され、ヒートシンク６ａの表面に配線パタン６ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｅが形成されると共にＬＤ素子５が搭載される。ＬＤ素子５のカソードには、リード端子２ａ，ワイヤ４ａ，配線パタン６ｂにより高周波電気信号が供給され、そのアノードには、リード端子２ｂ，ワイヤ４ｂ，配線パタン６ｃ，ワイヤ４ｃにより高周波電気信号が供給される。配線パタン６ｄ，６ｅはリード端子２ａ，２ｂに電気的に接続され、その接続点より先がオープンスタブ１０ａ，１０ｂとなり容量付加がされ、伝送線路１０３ａ，１０３ｂの特性インピーダンスを下げ、伝送線路１０２ａ，１０２ｂ−１０３ａ，１０３ｂの界面の反射を防止して高周波特性を向上した。 （もっと読む）

【課題】伝搬特性の劣化が少なく、低コスト化及び組立作業の簡易化を実現する高周波モジュール及びその高周波線路の接続方法を提供する。
【解決手段】ステム４３を貫通するガラスフィードスルー４４ａと、高周波光デバイス４２を搭載するキャリア基板４９と、ガラスフィードスルー４４ａとキャリア基板４９の中心導体５３ａとを中継する中継基板４８とを備えた高周波モジュール４１において、中継基板４８の中心導体５１がマイクロストリップ線路構造であり、キャリア基板４９の中心導体５３ａがグランデッドコプレーナ線路構造であり、中継基板４８の中心導体５１とキャリア基板４９の中心導体５３ａとを対向して配置すると共に、中継基板４８と対向するキャリア基板４９の側面に、キャリア基板４９裏面のグランド面と中心導体５３ａ脇のグランド面５３ｂとを短絡する側面メタライズ５３ｃを設けた。 （もっと読む）

【課題】発光寿命を改善できる窒化物半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体レーザ素子１１の半導体積層１９は、基板１７のｃ面ではなく半極性面１７ａ上に作製される。搭載部材３は、例えば搭載部材主面３ａの第１の熱膨張係数ＣＭ１（Ｅｘ）が搭載部材主面３ａの第２の熱膨張係数ＣＭ２（Ｅｘ）より大きいことを示す熱膨張係数の異方性を有する。また、III族窒化物半導体レーザ素子１１は、III族窒化物半導体レーザ素子１１の第１の熱膨張係数ＣＳ１（Ｅｘ）が半導体発光素子の第２の熱膨張係数ＣＳ２（Ｅｘ）より大きいことを示す熱膨張係数の異方性を有する。この窒化物半導体レーザ装置１では、この半導体レーザ素子は搭載部材３の熱膨張係数の異方性に合わせて向き付けされて、熱膨張係数の異方性を有する搭載部材主面３ａ上に搭載されている。 （もっと読む）

【課題】広い実装スペースを確保することができると共に、電子部品とリードとの接続が簡易な光デバイスを提供すること。
【解決手段】本発明は、ステム１０と、上面２８と、下面と、上面２８及び下面に対して側面に相当する第１の面２０及び第２の面２２とを備え、下面がステム１０と接続される実装部１４と、実装部１４の上面２８に実装されたＰＤ素子３２と、実装部１４の第１の面２０及び第２の面２２にそれぞれ実装された電子部品と、ステム１０を貫通して実装部１４の第１の面２０側及び第２の面２２側に導出され、電子部品と電気的に接続された複数の第１のリード１８と、を備える光デバイスである。 （もっと読む）

【課題】ＬＤチップにかかる応力を低減すること、及び、ＬＤチップの放熱特性を十分に確保すること。
【解決手段】ＬＤモジュール１０は、ＰＬＣ基板２０と、ＬＤチップ３０と、はんだバンプ４０とを備えている。ＰＬＣ基板２０は、ＰＬＣ電極２１を有する。ＬＤチップ３０は、ＬＤ電極３１と、ＬＤ電極３１に近接する内部に形成されたストライプ状の活性層３２とを有する。はんだバンプ４０は、ＰＬＣ電極２１とＬＤ電極３１とを接合するとともに、活性層３２の直下にのみ配置されている。 （もっと読む）

【課題】 製造工程における歩留まりを向上することが可能な光ファイバ保持部材、光電変換端末、光電変換モジュール、および光電変換モジュールの製造方法を提供する
【解決手段】 本発明の光ファイバ保持部材は、樹脂製基体１０と、樹脂製基体１０に貫通形成された光ファイバ保持穴１１と、光ファイバ保持穴１１が開口する樹脂製基体の第１の面Ｓ１から、少なくとも第１の面Ｓ１と異なる第２の面Ｓ２および第３の面Ｓ３に連続して形成され、第１の面Ｓ１及び第２の面Ｓ２、第３の面Ｓ３それぞれにおいて少なくとも一部が露出し、第２の面Ｓ２における露出部が第２の面Ｓ２から突出して形成されている電気配線部１２とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
半導体レーザ素子のサージ電流からの保護と高い応答特性を両立する半導体レーザ駆動装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
半導体レーザ素子と保護素子とを備える半導体レーザ装置をレーザ駆動回路に電気的に接続する工程と、
前記保護素子を電気的に絶縁する保護素子絶縁工程とを順に備える半導体レーザ駆動装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】40Gb/sのRF信号を低伝送損失・低反射損失でFPC基板からTO-CANパッケージ内部まで伝送することなどが可能な光送信モジュールを提供する。
【解決手段】光送信モジュールを、TO-CANパッケージ１３とFPC基板１２を有し、TO-CANパッケージの同軸ピン２２とFPC基板の間隔が0以上0.1mm以下になるように同軸ピンが、FPC基板の表面の高周波信号線に接続され、TO-CANパッケージのDCピンが屈曲してFPC基板の裏側の直流信号線に接続され、同軸ピンがTO-CANパッケージ内部の高周波回路基板３２の高周波信号線に接続され、この高周波信号線とTO-CANパッケージ内部の抵抗３５とTO-CANパッケージ内部の光半導体素子（DML３１）とが電気的に接続され、FPC基板の高周波信号線から、同軸ピンと高周波回路基板の高周波信号線と抵抗とを介して光半導体素子に高周波電気信号を導通し、抵抗の抵抗値が40Ω以上45Ω以下である構成とする。 （もっと読む）

【課題】素子の電極に傷つけることなく、通電により発熱するレーザ素子からの排熱を促進できるアレイ型半導体レーザ素子の通電試験装置を提供する。
【解決手段】主面１ａに設けられた共通電極と、主面１ａに対向する主面１ｂに設けられた複数の個別電極３と、各個別電極３に対応した複数の発光点Ｑとを有するアレイ型半導体レーザ素子の通電試験装置であって、共通電極と電気接触するための共通コンタクト部材２０と、各個別電極３と電気接触するための電極パターン層３３を有する個別コンタクト部材３０とを備え、電極パターン層３３は、熱伝導性かつ電気絶縁性の基板３２上に形成される。 （もっと読む）

【課題】サブマウント基板の主面および上面における信号導体のインピーダンス整合に関する精度を向上させること。
【解決手段】サブマウント基板12は、絶縁基体121と、絶縁基体121に設けられた信号導体122および接地導体123とを含んでいる。絶縁基体121は、光半導体素子２の実装領域121ａ_１を含む主面121ａ、主面121ａの反対側に設けられた裏面121ｂ、および上面121ｃを含んでいる。裏面121ｂは、主面121ａに背向している第１の面121ｂ_１および上面121ｃに背向している第２の面121ｂ_２を含んでいるとともに、少なくとも第１の面121ｂ_１および第２の面121ｂ_２によって定められる凹部121ｅを有している。信号導体122は、主面121ａから上面121ｃにかけて設けられている。接地導体123は、裏面121ｂの少なくとも第１の面121ｂ_１および第２の面121ｂ_２に設けられている。 （もっと読む）

【課題】光の伝送損失が小さく、信頼性の高い光導波路モジュール、およびかかる光導波路モジュールを備える電子機器を提供すること。
【解決手段】光導波路モジュール１は、発光部４１１を備える発光素子４および受光部５１１を備える受光素子５が、光Ｌを伝送するコア部２１を備える光導波路基板２に配線基板３ａ、３ｂを介して、それぞれ、接続されている。配線基板３ａ、３ｂは、それぞれ、光Ｌが透過可能な平板状の基部３１と、この基部３１の下面（光導波路基板２側の面）に設けられ、光Ｌが通過可能な第１の開口部３２ａ、３２ｂを備える金属層３２と、基部３１の上面（発光素子４または受光素子５側の面）に設けられ、光Ｌが通過可能な第２の開口部３３ａ、３３ｂを備える金属層３３とを有する。金属層３２の第１の開口部３２ａ、３２ｂ内に、それぞれ、樹脂組成物を充填することにより形成された充填部７ａ、７ｂを備える。 （もっと読む）

【課題】光素子とＩＣ基板との間の電気的に接続する距離を短くすることで、高周波に対する損失を抑えることができる光モジュールを提供する。
【解決手段】基板１５と、内部導波路２１と、ミラー部２０と、光素子３３（３３ａ，３３ｂ）と、外部導波路２５とを備えた光モジュールである。光素子３３の発光面若しくは受光面が基板１５の表面と所定の隙間を隔てるように、裏面で保持する保持部材３０を設けている。保持部材３０の表面で、かつ光素子３３の近傍にＩＣ基板３４ａを実装する。保持部材３０の光素子３３の貫通穴配線３０ｂとＩＣ基板３４ａとを電気的に接続するメタル回路３５ａを設けている。 （もっと読む）

【課題】特性インピーダンスの不整合を抑制することができる発光モジュールを提供する。
【解決手段】発光モジュール１は、セラミック層３〜５からなる積層セラミックパッケージ２を備えている。中間セラミック層４には、下部セラミック層３の上面と協働して光デバイスを実装するための凹部１１を形成する開口部１０が設けられている。上部セラミック層５は、パッケージ側壁を構成し、凹部１１を含む領域を取り囲むように設けられている。凹部１１の底面にはサブマウント１４が載置され、このサブマウント１４の上面にはＬＤ１６が実装されている。積層セラミックパッケージ２の上面には、ホルダ２５及びジョイント２８を介して金属スリーブ３１が接合されている。金属スリーブ３１内には、ＬＤ１６と光結合される光ファイバ３３を保持したフェルール３４が配置されている。 （もっと読む）

【課題】誘電体基板からなるヒートシンクを用いて特性インピーダンスの調整を可能とするとともに、温度変化によりＬＤの位置変動が生じない光モジュールを提供する。
【解決手段】金属製のサブマウント２の一方の側面にセラミック誘電体からなるヒートシンク３を介して半導体レーザダイオード４を搭載した光モジュールで、ヒートシンク３は、サブマウント２の搭載面の全体を覆って接合され、ヒートシンクと同様な線膨張係数を有する補助基板７が、サブマウントの半導体レーザダイオードが搭載されていない反対側の裏面全体を覆って接合されている。なお、サブマウントの厚さは０.８５ｍｍ以下であり、ヒートシンクは窒化アルミニウムで形成され、その厚みは０.１５ｍｍ以上であることが好ましい。 （もっと読む）