【課題】 電磁ノイズ放射の抑制を可能としたフレキシブル光電配線モジュールを提供することである。
【解決手段】 フレキシブル光電配線モジュールあって、光配線路１２と電気配線１１を有する可撓性のフレキシブル光電配線板１０と、フレキシブル光電配線板１０の一主面上に搭載され、電気配線１１に電気的に接続され、光配線路１２に光結合された光半導体素子１３と、フレキシブル光電配線板１０の一主面と反対側の面に搭載され、電気配線１１に電気的に接続され、光半導体素子１３を駆動する駆動ＩＣ１４と、フレキシブル光電配線板１０を貫通して設けられ、光半導体素子１３と駆動ＩＣ１４を電気的に接続する貫通配線１５とを具備した。 （もっと読む）

【課題】電磁ノイズ放射の抑制を可能とする。
【解決手段】実施形態によるフレキシブル光電配線モジュールは、光配線路１２と第１の電気配線１１ｉと第２の電気配線１１ａと第３の電気配線１１ｃ，１１ｅとを有する可撓性のフレキシブル光電配線板１０と、フレキシブル光電配線板に搭載され、第１の電気配線に電気的に接続され、光配線路に光結合された光半導体素子１３ａと、フレキシブル光電配線板に搭載され、第１の電気配線と第２の電気配線と第３の電気配線とに電気的に接続され、第１の電気配線を介して光半導体素子を駆動し、第２の電気配線を介して電気信号を入出力し、第３の電気配線を介して電源電位及びグランド電位を供給される駆動ＩＣ１４ａと、第３の電気配線に電気的に接続されたコンデンサ１６ａと、を具備し、光半導体素子と駆動ＩＣとコンデンサとが搭載された回路領域１５ａを有する。 （もっと読む）

【課題】 ＲＦ特性の劣化を抑制する光通信装置を提供する。
【解決手段】 光通信装置１００は、ＬＤチップ１１と、ＬＤチップ１１に信号を入力するための入力端子７２と、ＬＤチップ１１を搭載する第１プレート６１の外側に電極ポスト６５，６６が配置されたＴＥＣ６０と、光出力側の側壁７３および、これに対向し入力端子７２が設けられる側の側壁７１を有するパッケージ７０とを備え、ＴＥＣ６０は、電極ポスト６５，６６が、第１プレート６１と、入力端子７２が設けられる側の側壁７１との間の間隙部７８に位置する関係でパッケージ７０内に配置され、間隙部７８の電極ポスト６５，６６を除く位置には、入力端子７２とＬＤチップ１１との間を電気的に接続する配線８３が設けられた配線基板８０を有する。 （もっと読む）

【課題】 赤色レーザダイオードと赤外レーザダイオードからなる２波長レーザと青紫レーザダイオードを横に並べて３波長半導体レーザ装置を構成する場合、２波長レーザの２つのレーザの発光点間の距離には制約があるためチップサイズが大きくなる。また、２波長レーザと青紫レーザを縦に積層した場合には、アセンブリプロセスが複雑になり、製造コストが高くなる。
【解決手段】 複数のブロック上にそれぞれレーザダイオードを載置し、各レーザ光の出射方向が所定の同一方向となるようにステム上にブロックを配置して多波長半導体レーザ装置を構成する。複数のレーザダイオードの発光点間の光学設計を容易にし、且つ製造が容易な多波長半導体レーザ装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 良好な冷却とＲＦ特性を得る光通信モジュールを提供する。
【解決手段】 光通信モジュール１００は、半導体レーザ１２とＳＯＡ１４とが集積化されたＬＤチップ１１と、上面にＬＤチップ１１を搭載するＴＥＣ６０と、ＬＤチップ１１に変調信号を入力するための入力端子７２と、ＬＤチップ１１およびＴＥＣ６０を収容し、光出力側の側壁７７と対向する側壁７１に入力端子７２が設けられたパッケージ７０と、を備え、ＴＥＣ６０は、光出力方向（Ｙ軸方向）に沿った長さが、それに直交する方向（Ｘ軸方向）の長さに比べて大きく、ＬＤチップ１１は、ＴＥＣ６０のＹ軸方向の長さの中心よりも入力端子７２側に配置されている。 （もっと読む）

【課題】デジタル回路から発生するノイズがレーザモジュールに影響を与えることにより、レーザモジュールの出力レーザ光のスペクトル線幅が増大すること。
【解決手段】レーザモジュールと、レーザモジュールを駆動するアナログ回路と、レーザモジュールのレーザ出力を制御するデジタル回路と、アナログ回路およびデジタル回路が実装され、レーザモジュールに接続される基板とを備え、基板は、基板内においてアナログ回路に対向して設けられるアナログ用グランドパターンと、基板内においてデジタル回路に対向して設けられるデジタル用グランドパターンと、基板内に設けられ、レーザモジュールに接続されるレーザ用グランドパターンとを有するレーザ装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】キャン型パッケージを用いた光モジュールにおいても、高周波特性を向上する。
【解決手段】グランドに接続されたステム１のステムマウント１ｃには、ＬＤ素子５が搭載されており、リード端子２ａ，２ｂを介してＬＤ素子５に高周波電気信号が供給される。ステムマウント１ｃにはチップコンデンサ１０ａ，１０ｂの下面が接続されている。リード端子２ａは、チップコンデンサ１０ａを介して、ＬＤ素子５のカソードに接続されており、リード端子２ｂは、チップコンデンサ１０ｂを介して、ＬＤ素子５のアノードに接続されている。チップコンデンサ１０ａ，１０ｂを接続して伝送線路１３ａ，１３ｂの特性インピーダンスを下げ、伝送線路１２ａ，１２ｂ−１３ａ，１３ｂの界面での反射を低減して高周波特性を向上している。 （もっと読む）

【課題】キャン型パッケージを用いた光モジュールにおいても、高周波特性を向上する。
【解決手段】リード端子２ａ,２ｂに電気的に接続されたＬＤ素子５は、ステム１のステムマウント１ｃに搭載される。誘電体基板１０ａでは、表面に形成した配線パタン１０ｂ,１０ｃがリード端子２ａ,２ｂに電気的に接続され、裏面全面に施したメタライズを介してステムマウント１ｃに電気的に接続される。このような誘電体基板１０ａにより容量が付加され、伝送線路１０３ａ，１０３ｂの特性インピーダンスを下げ、伝送線路１０２ａ，１０２ｂ−１０３ａ，１０３ｂの界面での反射を防止して高周波特性を向上している。 （もっと読む）

【課題】伝搬特性の劣化が少なく、低コスト化及び組立作業の簡易化を実現する高周波モジュール及びその高周波線路の接続方法を提供する。
【解決手段】ステム４３を貫通するガラスフィードスルー４４ａと、高周波光デバイス４２を搭載するキャリア基板４９と、ガラスフィードスルー４４ａとキャリア基板４９の中心導体５３ａとを中継する中継基板４８とを備えた高周波モジュール４１において、中継基板４８の中心導体５１がマイクロストリップ線路構造であり、キャリア基板４９の中心導体５３ａがグランデッドコプレーナ線路構造であり、中継基板４８の中心導体５１とキャリア基板４９の中心導体５３ａとを対向して配置すると共に、中継基板４８と対向するキャリア基板４９の側面に、キャリア基板４９裏面のグランド面と中心導体５３ａ脇のグランド面５３ｂとを短絡する側面メタライズ５３ｃを設けた。 （もっと読む）

【課題】キャン型パッケージを用いた光モジュールの高周波特性を向上する。
【解決手段】ステム１のステムマウント１ｃには、ヒートシンク６ａの裏面がメタライズにより電気的に接続され、ヒートシンク６ａの表面に配線パタン６ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｅが形成されると共にＬＤ素子５が搭載される。ＬＤ素子５のカソードには、リード端子２ａ，ワイヤ４ａ，配線パタン６ｂにより高周波電気信号が供給され、そのアノードには、リード端子２ｂ，ワイヤ４ｂ，配線パタン６ｃ，ワイヤ４ｃにより高周波電気信号が供給される。配線パタン６ｄ，６ｅはリード端子２ａ，２ｂに電気的に接続され、その接続点より先がオープンスタブ１０ａ，１０ｂとなり容量付加がされ、伝送線路１０３ａ，１０３ｂの特性インピーダンスを下げ、伝送線路１０２ａ，１０２ｂ−１０３ａ，１０３ｂの界面の反射を防止して高周波特性を向上した。 （もっと読む）

【課題】光半導体素子とそれに接続される素子用電極とを十分に近づけることができ、伝送経路の伝送損失を小さくできる光半導体素子用パッケージを提供する。
【解決手段】中央部に光半導体素子５０を実装するための実装領域Ａを有し、光半導体素子５０を接続するための素子用電極２０ａ，２０ｂと、素子用電極２０ａ，２０ｂに接続された外部接続電極３０ａ，３０ｂとを備えたセラミックス配線基板部５と、セラミックス配線基板部５の上に設けられ、中央部に素子用電極２０ａ，２０ｂ及び実装領域Ａを露出させる開口部４０ｘを備え、かつ開口部４０ｘの外周部にリング状突出部４２が設けられた金属シールリング４０とを含む。 （もっと読む）

【課題】セラミックパッケージを有するＯＳＡと回路基板とが筺体内においてＦＰＣを介して電気接続されてなり、ＦＰＣが筺体と接触することがない光データリンクの提供。
【解決手段】光データリンクでは、ＬＤが実装されたＴＯＳＡ２０と、電気信号の授受を行う電子部品群が実装されている回路基板とが筺体内においてＦＰＣ３０を介して電気接続されている。ＴＯＳＡ２０が、矩形状のセラミック枠を積層して成るセラミックパッケージ２１ａを有し、ＦＰＣ３０が、セラミックパッケージ２１ａの底面の少なくとも一辺に形成された電極パッドと、回路基板のセラミックパッケージ２１ａの底面と非平行な面に形成された電極パッドとが電気接続可能なように折り曲げられた折り曲げ部３５を有し、該折り曲げ部３５が、セラミックパッケージ２１ａの内側方向に位置する。 （もっと読む）

【課題】良好な周波数応答特性を得ることができる光モジュールを実現する。
【解決手段】リードピン１は、金属ステム２を貫通し、金属ステム２とは絶縁されている。電界吸収型光変調素子５は、金属ステム２上に設けられ、リードピン１の一端に接続されている。フレキシブル基板１０は信号線路１２，１３を有する。信号線路１２の一端はリードピン１の他端に接続されている。信号線路１２の他端は信号線路１３の一端に接続されている。リードピン１の金属ステム２を貫通する貫通部１ａと信号線路１３は、それぞれ信号線路１２より小さいインピーダンスを持つ。 （もっと読む）

【課題】 光モジュールにおける高速変調動作の信頼性を高め、送信器（送受信器）に組み込まれた際のビット誤り率を低減する。
【解決手段】 出力光を表面出射するテーパーミラーと、光変調素子と、光変調用駆動回路とを備え、前記光変調素子と前記光変調用駆動回路とでテーパーミラーを挟み込むように配置する。 （もっと読む）

【課題】
半導体レーザ素子のサージ電流からの保護と高い応答特性を両立する半導体レーザ駆動装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
半導体レーザ素子と保護素子とを備える半導体レーザ装置をレーザ駆動回路に電気的に接続する工程と、
前記保護素子を電気的に絶縁する保護素子絶縁工程とを順に備える半導体レーザ駆動装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】40Gb/sのRF信号を低伝送損失・低反射損失でFPC基板からTO-CANパッケージ内部まで伝送することなどが可能な光送信モジュールを提供する。
【解決手段】光送信モジュールを、TO-CANパッケージ１３とFPC基板１２を有し、TO-CANパッケージの同軸ピン２２とFPC基板の間隔が0以上0.1mm以下になるように同軸ピンが、FPC基板の表面の高周波信号線に接続され、TO-CANパッケージのDCピンが屈曲してFPC基板の裏側の直流信号線に接続され、同軸ピンがTO-CANパッケージ内部の高周波回路基板３２の高周波信号線に接続され、この高周波信号線とTO-CANパッケージ内部の抵抗３５とTO-CANパッケージ内部の光半導体素子（DML３１）とが電気的に接続され、FPC基板の高周波信号線から、同軸ピンと高周波回路基板の高周波信号線と抵抗とを介して光半導体素子に高周波電気信号を導通し、抵抗の抵抗値が40Ω以上45Ω以下である構成とする。 （もっと読む）

【課題】放熱性を確保し、コストを抑えつつ、全チャネルで良好な高周波特性を得ることができる多チャネル光送信モジュール及びその作製方法を提供する。
【解決手段】多チャネル光送信モジュールにおいて、ＤＦＢレーザアレイ３Ｂと配線板支持板１２の厚さの差を１５μｍ以下とし、ＤＦＢレーザアレイ３Ｂと配線板支持板１２をサブキャリア４Ａの同一の上面に設け、ＤＦＢレーザアレイ３Ｂと配線板支持板１２の上面にフリップチップ配線板１５を配置し、フリップチップ配線板１５を配線板支持板１２の電極にバンプ１６で固定すると共に、ＤＦＢレーザアレイ３Ｂの電極とフリップチップ配線板１５の電極とを各々金バンプ１４で結線した。 （もっと読む）

【課題】TO-CANパッケージ内部の光半導体素子に供給する直流電流による発熱が光半導体素子に導通する高周波電気信号に影響を与えることを防止することなどが可能な構成の光送信モジュールを提供する。
【解決手段】光送信モジュールの構成を、TO-CANパッケージ１３とFPC基板１２とを有し、TO-CANパッケージ１３に配された同軸ピン２２が、FPC基板１２の表面に配されたＲＦ信号線路２６に接続され、ＲＦ信号線路２６から、同軸ピン２６を介して、TO-CANパッケージ１３の内部に配された光半導体素子に高周波電気信号を導通し、TO-CANパッケージ１３に配された複数のDCピン２３が屈曲し、FPC基板１２の裏面に配された直流信号線路に接続され、前記直流信号線路から、複数のDCピン２３のうちの同軸ピン２２から3mm以上7.4mm以下離れたDCピン２３を介して、前記光半導体素子に直流電流を導通する構成とする。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成の外部接続用の電極を有する光電変換モジュール及び光電変換モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】光電変換モジュール(24)は、基板(26)の実装面に実装された光電変換素子(30)及びＩＣチップ(32)と、基板(26)の側面に設けられ、ＩＣチップ(32)と電気的に接続される、基板(26)の側面の他の部分よりも凹んだ凹形状を有する電極(36)と備える （もっと読む）

【課題】 電気信号の高周波化が進んでも、高周波信号の入出力時における反射損失を小さくすることにより、電子部品の高周波での作動性を良好なものとすること。
【解決手段】 上面に電子部品７が搭載される基体１と、該基体１の上面の載置部１ａに載置された載置用基台５と、上面に信号線路導体４ａが形成され、下面に接地導体４ｂが形成されているとともに載置用基台５の上面に載置された回路基板４と、載置部１ａを囲繞するように基体１の上面に取着されているとともに側部に貫通孔２ａが形成された枠体２と、貫通孔２ａに嵌着されて回路基板４に電気的に接続された同軸コネクタ３とを具備した電子部品収納用パッケージにおいて、枠体２の同軸コネクタ３の直下部と載置用基台５の側面側の上面とが導電性接合材６を介して接合されている。インピーダンスの不整合が小さくなり、高周波信号の反射損失が小さく伝送効率が良好なものとなる。 （もっと読む）