【課題】スイッチング回路に不具合が発生し、ＵＶＷ３相のうちの２相でモータを駆動する際の駆動効率の低下を抑制する。
【解決手段】インバータ１００は、スイッチング回路群４の入力側に直列に接続されているコンデンサＣｐ、Ｃｎと、リレー回路５と、コントローラ２と電力調整回路３を備える。リレー回路５は、ＵＶＷ３相の各モータ線の夫々の接続先を、インバータ主回路４から中性点Ｎｐへ切り換える。コントローラ２は、スイッチング回路群のいずれかが故障した場合、故障したスイッチング回路に対応するモータ線を中性点Ｎｐへ切り換えるとともに、２相でモータを駆動する駆動信号を故障していないスイッチング回路に与える。電力調整回路３は、入力端がバッテリ９に接続されており、３個の出力端は正極線１０ａ、負極線１０ｂ、及び、中性点Ｎｐに接続されている。電力調整回路３は、２個のコンデンサの両端電圧の電圧差を既定の許容範囲に維持する。 （もっと読む）

【課題】
直流電源回路の突入電流制限抵抗にＭＯＳＦＥＴを始めとするリニア動作のできる能動素子を用いた場合であっても、障害を検出すること。
【解決手段】
本発明による突入電流防止回路は、制限を行う電流の経路に直列に挿入され、印加される制御電圧に応じて抵抗値が変化する電流制限抵抗と、前記電流制限抵抗の両端間電圧を監視した結果を第１の監視信号として出力する両端間電圧監視部と、前記電流制限抵抗のゲート電圧を監視した結果を第２の監視信号として出力するゲート電圧監視部と、前記第１の監視信号および前記第２の監視信号に基づいて、前記電流制限抵抗の障害発生を検出する障害検出部と、前記障害検出部が、前記電流制限抵抗の障害発生を検出した場合、前記障害検出部からの信号に応じて、前記電流制限抵抗への電流を遮断する遮断素子と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】冗長システムの中で待機系を構成する場合であっても光発光素子の寿命を短縮させない監視回路を有する電力変換装置を提供する。
【解決手段】電力変換器１を構成するパワーデバイス１１と、第１の光絶縁回路を介して第１の電気信号に変換してパワーデバイス１１にオンオフ信号を与えるゲート回路２と、パワーデバイス１１のＧＥ間電圧からパワーデバイスの健全性を監視する監視回路３とで構成する。監視回路３は、装置の運転モードが運転系であるときは、ＧＥ間電圧を光信号に変換し、第２の光絶縁回路を介して電気信号に変換して異常検出回路４１に与えるようにし、運転モードが待機系であるときは、ＧＥ間電圧をパルス信号に変換し、これを光信号に変換して第２の光絶縁回路を介して第２の電気信号に変換し、その出力を復元手段４０によって復元した後異常検出回路４１に与えてパワーデバイス１１の健全性を監視する。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチング素子の温度を精度高く測定すること。
【解決手段】半導体スイッチング素子２が発する熱は、導電体層Ｌ１と下地導電体層４及び導電体層５とを介して導電体層Ｌ７に伝達され、導電体層Ｌ７に配設されたサーミスタ素子３によって測定される。すなわち、この電源保護装置１では、半導体スイッチング素子２の温度を測定するためのサーミスタ素子３は半導体スイッチング素子２の裏面側に配設され、半導体スイッチング素子２が発する熱は下地導電体層４及び導電体層５を介してサーミスタ素子３に伝達される。 （もっと読む）

【課題】使用条件に応じた過負荷保護を可能としながら、電力変換器の性能を最大限に利用することが可能な過熱保護装置を得る。
【解決手段】複数の半導体スイッチング素子で構成された電力変換器と、電力変換器の動作を制御する制御部１とを備えた電力変換装置に適用され、電力変換器を停止させる過負荷保護信号１２を制御部１に出力する過熱保護装置において、電力変換器から負荷４に供給される電流を検出し負荷電流検出値１０として出力する負荷電流検出部１４と、半導体スイッチング素子の周囲温度を検出し周囲温度検出値Ｔａとして出力する温度検出部５と、負荷電流検出値１０と周囲温度検出値Ｔａと基づいてインバータ主回路素子のジャンクション温度推定値１１を演算し、ジャンクション温度推定値１１と過負荷保護設定値７とに応じて過負荷保護信号１２を出力する過負荷保護部２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】遮過電圧保護機能付きサイリスタにスナバ回路が設けられた電力変換装置において、過電圧保護機能付きサイリスタがブレークオーバ電圧を超えることにより自己点弧する場合、より長く運転を継続させて、スナバ回路を保護することのできる電力変換装置を提供することにある。
【解決手段】直列に接続されたＶＢＯフリーサイリスタ２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃにスナバ回路２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃが設けられたサイリスタバルブ２を備えた電力変換装置１０において、ＶＢＯ点弧を検出した場合、カウンタ１４をカウントアップさせ、ＶＢＯ点弧を検出していない間は、クロック１３によるパルス信号に応じて、カウンタ１４をカウントダウンさせ、カウンタ１４のカウント値が設定値ＮＴ以上になると、保護装置４が保護動作する。 （もっと読む）

【課題】コンパレータの入力オフセット電圧の影響による検出電圧精度の低下を抑えた保護用半導体装置技術の提供。
【解決手段】Ｎ個以下の数の二次電池のセルが直列接続された組電池を保護する保護用半導体装置１００において、Ｎ個分の二次電池のセル電圧を検出し、検出したセル電圧が所定の電圧未満に低下した場合に出力を反転する低電圧検出回路１０と、Ｎ個分の二次電池の各セル電圧を検出し、検出したセル電圧が所定の電圧以上に上昇した場合に出力を反転する高電圧検出回路（不図示）を備え、低電圧検出回路１０および高電圧検出回路は、セルＢＡＴ１〜４毎に、セルの電圧を分圧する分圧抵抗Ｒ１１〜Ｒ４２，参照電圧Ｖr1〜Ｖr4，分圧された電圧と参照電圧を比較するコンパレータ１〜４を備え、コンパレータ１〜４の電源を検出対象のセルの電圧から供給するようにした。各コンパレータの入力オフセット電圧が等しくなり、電圧検出精度の向上が図れる。 （もっと読む）

【課題】電圧駆動型半導体素子の過電圧保護回路として、電圧クランプ素子をコレクタ・ゲート間に接続する回路があるが、クランプ動作時、電圧クランプ素子には素子電圧と同じ電圧が印加され，かつ電流も流れる。そのため発生損失が大きく，高い頻度で動作する場合には許容できる特殊品を適用する必要があり，信頼性も低下する。
【解決手段】電圧駆動型半導体素子のコレクタ端子とゲート端子間に、可飽和リアクトルと、コンデンサと、抵抗の直列回路を接続する。 （もっと読む）

【課題】過充電や過放電から蓄電体を保護し、更には過充電保護用や過放電保護用のスイッチング素子の導通故障を検出することもできる蓄電体保護回路を提供する。
【解決手段】電圧調整用抵抗Ｒｌと第１のＦＥＴ１とを直列に接続した回路を、蓄電体４に対して並列に接続し、制御ＩＣ３とＮＯＴ回路１３からなる充電制御手段では蓄電体４の電圧が、蓄電体４の過充電検出電圧である上限電圧以上になったとき第１のＦＥＴ１を導通状態にするように構成する。また、第２のＦＥＴ２を蓄電体４に対して直列に接続し、制御ＩＣ３では蓄電体４の電圧が、蓄電体４の過放電検出電圧である下限電圧（２．２Ｖ）以下になったとき、第２のＦＥＴ２を非導通状態にするように構成する。更には、第１のＦＥＴ１の導通故障を検出するＦＥＴ故障検出回路と、第２のＦＥＴ２の導通故障を検出するＦＥＴ故障検出回路とを備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】パワースイッチング素子Ｓのセンス端子ＳＴから出力される電流による抵抗体２２での電圧降下量に基づき、パワースイッチング素子Ｓを流れる電流が閾値以上であると判断される場合に、パワースイッチング素子Ｓをオフ状態とする処理を行うものにあって、ノイズの混入によって上記処理を適切に行うことができなくなること。
【解決手段】感温ダイオードＳＤの出力電圧に基づき、反転増幅回路５０によって、上記電圧降下量との比較対象となる閾値電圧が生成される。反転増幅回路５０の入力電圧は、ダイオード４４，４６及び抵抗体４２によって、「１．５〜２．２Ｖ」に制限される。 （もっと読む）

【課題】 ＳＰＤが劣化し故障に至った場合、故障時のＳＰＤの状況（抵抗値）によらずに、保護対象装置の入力ブレーカより早くＳＰＤ分離器を動作させることでＳＰＤ故障による保護対象装置への給電停止を防ぐこと。
【解決手段】 ＳＰＤ１−１の故障時にＳＰＤ１−１にかかる電圧は商用電源電圧程度のため、スイッチング型ＳＰＤ（ガス入り放電管型ＳＰＤ等）６−１、６−２及び６−３と他の２つの正常なＳＰＤ１−２及び１−３は絶縁状態である。そのためＳＰＤ１−１の短絡電流は接地線４−１へ追加抵抗７−１を通って流れる。このため、ＳＰＤ故障時の短絡電流が抑制されるので、入力ブレーカ３より先に、ＳＰＤ分離器２−１が遮断される。よって、ＳＰＤ１−１の劣化状況（劣化時の抵抗値）に関わらず、故障したＳＰＤ１−１を保護対象装置１０への影響なしに給電系から分離することが可能になった。 （もっと読む）

【課題】従来の電源回路では、ダイオードブリッジの欠損を検出することができず、ダイオードブリッジの欠損が発生した場合に異常な直流電圧を機器に供給することになり、接続された機器に不具合が生じる可能性がある。
【解決手段】本発明によるダイオードブリッジ欠損検出回路には、ダイオードブリッジ２０の入力端子２１，２２と出力端子２４，２５との間に接続された、第１及び第２抵抗素子Ｒ１，Ｒ２と、第１〜第４検出用ダイオードＤ１〜Ｄ４と、第１及び第２フォトカプラＱ１，Ｑ２が設けられている。欠損判定部６０は、前記第１及び第２フォトカプラＱ１，Ｑ２の第１及び第２受光素子５１，５２の開成及び閉成に応じた前記信号出力端子５５からの状態検出信号５５ａに基づいて前記ダイオードブリッジ２０の欠損を検出する。 （もっと読む）

【課題】インバータに高電圧を印加していない状態でもインバータ保護機能が正常に作動するか否かを診断可能にする。
【解決手段】コントロールユニット５が、スイッチング回路２３の作動状態を制御することにより、インバータ保護装置４が作動していない時のインバータ電圧Ｖ１とインバータ保護装置４が作動している時のインバータ電圧Ｖ２とを検知，比較することによりインバータ保護装置４が正常に作動するか否かを診断する。 （もっと読む）

【課題】負荷に過電流が通電される時間をより短くして、異常検出が可能な電流異常検出回路を提供する。
【解決手段】電流異常検出回路１８は、ＦＥＴ１がターンオンした場合に、コイル２に流れる電流ＩLが変化する状態を検出し、その電流ＩLが所定範囲を超えて変化したことを検出することで電流異常を判定する。具体的には、コイル２の端子電圧を、第１コンパレータ７，第２コンパレータ８により第１，第２基準電圧Ｖt1，Ｖt2とそれぞれ比較し、前記端子電圧が電圧Ｖt1を超えた時点から電圧Ｖt2を超えるまでの時間をＥＸＯＲゲート１１及びタイマカウンタ１２で計測すると計測データをＥＥＰＲＯＭ１４に記憶し、比較器１５は、今回の計測時間ＣＤ＿Ｎと、ＥＥＰＲＯＭ１４に記憶されている前回の時間データＣＤ＿Ｏとの差がαを超えると異常を判定する。 （もっと読む）

【課題】負荷に電流を供給するパワートランジスタに並列接続された電流検出用トランジスタの故障を簡易な構成で検出すること。
【解決手段】パワートランジスタ１に対して並列に第１及び第２の電流検出用トランジスタ２，３を接続する。この第１及び第２の電流検出用トランジスタ２，３をそれぞれ流れる第１及び第２電流の電流値に相当する第１及び第２の電圧信号Ｖ１，Ｖ２の差が規定範囲内に収まるか否かを判定する。その判定結果から、第１及び第２の電流検出用トランジスタのいずれかが故障している故障状態を検出することができる。 （もっと読む）

【課題】 地絡による電力変換装置の半導体故障を確実に検出し、電力変換装置の拡大故障を防止する。
【解決手段】 比較回路２３ａはインバータ装置１の交流電動機出力側に備えられた電流検出器３、４にて検知された電流値と地絡電流検知セット値ＩＳ１とを比較し、該比較結果に基づいてインバータ装置１の交流電動機側配線の地絡を検知する。故障検知部５５ａはインバータ装置１を構成している半導体素子１８の故障を検知する。開放処理部２４ａは、比較回路２３ａによる地絡検知及び故障検知部５５ａによる故障検知が同時に発生した場合、電磁接触器９により架線とインバータ装置１間を遮断する。 （もっと読む）

【課題】ゲート電源系統を冗長化した半導体電力変換装置の信頼性を向上させることができる故障検出装置を得る。
【解決手段】ゲート生成回路４ａからのゲート信号１３ａを検出して１３ａのオンオフ状態に応じた信号を出力するゲート信号検出回路５ａと、ゲート電源回路３１ａ、３２ａ毎に設け、３１ａ、３２ａが正常の場合は、１３ａのオフ状態に応じた信号を出力し、かつ３１ａ、３２ａが異常の場合は、１３ａのオン状態に応じた信号を出力する電源故障検出回路６１ａ、６２ａと、５ａの出力及び６１ａ、６２ａの出力をまとめてゲート基板１ａにフィードバック信号９ａとして出力する出力回路と、出力回路からのフィードバック信号９ａを入力し、ゲート駆動回路のフィードバック信号がアーム短絡状態を継続している場合、ゲート電源回路３１ａ、３２ａの故障と判断する論理積回路８ａを具備したもの。 （もっと読む）

【課題】出力回路の出力短絡時に生ずる大電流からの回路素子の保護と共に回路動作の信頼性向上を図る。
【解決手段】
出力回路１のアイドリング電流供給部４１の電流変化が電流源制御回路３のアイドル電流検出部４２により検出され、その電流変化が、所定時間以上に亘って所定以上である場合に、出力回路１の出力段に異常電流が生じたとする所定の判定信号が判定部４４により出力され、その出力に応じて、制御信号出力回路３７からは、電流源回路６，７の動作を停止せしめる所定の制御信号が出力され、それによって、出力回路１及び信号処理回路２の動作が停止され、出力回路１の出力段における異常電流が遮断できるようになっている。 （もっと読む）

【課題】温度保護が必要な半導体装置において、サーミスタ等を設置することなく、安価に温度保護を可能とする。
【解決手段】正側に設けられた第１のスイッチング素子２ａ〜２ｃと、負側に設けられた第２のスイッチング素子２ｄ〜２ｆとを含み、ハーフブリッジ回路を構成するインテリジェントパワーモジュール（ＩＰＭ）１を有する半導体装置において、第１、第２のスイッチング素子２ａ〜２ｆに、短絡電流を検出するための電流検出手段３ａが接続された構成とする。ＩＰＭ１の温度を確認する際には、ＣＰＵ ＵＮＩＴが第１、第２のスイッチング素子２ａ〜２ｆにデッドタイムを短くした制御入力信号を入力し、短絡電流が検出された際のデッドタイムに基づいてＩＰＭ１の温度を推定する。これにより、ＩＰＭ１の内部にサーミスタ等を設置することなく、安価に温度保護が可能となる。 （もっと読む）

【課題】部品の故障診断や充電器の異常検出を行う。
【解決手段】それぞれの計測部において、端子電圧、電池電圧、充放電電流および温度を計測する。充放電電流が流れている場合、各計測結果から得られる回路インピーダンスの変化量に基づき、故障判断部で故障診断を行う。一方、充放電電流が流れていない場合は、各計測結果から得られる端子電圧および電池電圧の差分と、充放電制御ＦＥＴの状態とに基づき故障診断を行う。診断の結果から、回路が異常であるか否かが判断される。異常があると判断された場合には、充放電を禁止し、診断結果をメモリに記憶するとともに、通信端子を介して接続された外部の電子機器に供給される。また、充電器が接続されている場合には、端子電圧と充放電ＦＥＴの状態とに基づき、充電器の異常検出を行うことができる。充電器が異常であると判断された場合には、充電を禁止する。 （もっと読む）