【課題】本発明の目的は、耐酸性に優れた電極を形成することが可能な導電ペーストを提供すること。
【解決手段】（Ａ）有機バインダー、（Ｂ）平均一次粒径が０．５〜１．４μｍの導電粉末、及び（Ｃ）無機成分中の含有量が０．１〜０．９ｗｔ％であるガラス粉末を含むことを特徴とするプラズマディスプレイ用導電ペースト。 （もっと読む）

【課題】 鉛フリー抵抗ペースト用として好適であり、抵抗値のばらつきが小さく且つノイズの小さい抵抗体を形成することができる導電性粒子粉、及びその製法を提供する。
【解決手段】 酸化イリジウム粉をバリウム化合物と混合した後、大気雰囲気中にて６５０〜１０００℃の温度で焼成し、得られたイリジウム酸バリウム粗粒粉を平均粒径が２０〜１００ｎｍとなるように粉砕して導電性粒子粉とする。更に大気雰囲気中で焼成して、平均粒径を４０〜１００ｎｍに調整することができる。このイリジウム酸バリウム粒子の導電性粒子粉は、鉛を含まないガラスフリット及び有機ビヒクルと混練して、鉛フリー抵抗ペ−ストとすることができる。 （もっと読む）

【課題】安価で、高精細のパターンを形成することができ、かつセラミック、シリコンおよびガラス基板に対して薄膜で接着強度が高い感光性ペースト組成物を提供すること。
【解決手段】（Ａ）アルミニウム粉末、（Ｂ）ガラス粉末、（Ｃ）アルカリ可溶性樹脂、（Ｄ）多官能（メタ）アクリレート、および（Ｅ）光重合開始剤を含有し、かつ該アルミニウム粉末（Ａ）およびガラス粉末（Ｂ）の合計１００重量％に対する該ガラス粉末（Ｂ）の含有量が１０〜７０重量％であることを特徴とする感光性ペースト組成物。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、シリコン半導体デバイス、および太陽電池デバイスの前面に使用するための伝導性ペーストに関する。
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本発明の実施形態は、シリコン半導体デバイス、および太陽電池デバイスの前面に使用するための導電性ペーストに関する。
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【課題】良好な太陽電池特性を得るために、ｎ型シリコン層上に優れた太陽電池電極を形成するためのＰｂフリー系導電性ペーストに適合した組成の導電性ペーストを得る。
【解決手段】銀を含む導電性粒子、ガラスフリット、有機バインダおよび溶剤を含む、結晶系シリコン太陽電池のｎ型シリコン層への電極形成用導電性ペーストであって、ガラスフリットおよび／またはさらに導電性ペーストに含まれる添加物が、Ｍｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａからなる群から選択される少なくとも一つの２族系添加元素を含み、導電性ペースト中のＰｂ含有量が、０．１重量％以下である導電性ペーストである。 （もっと読む）

【課題】脱バインダが良好に行われ、かつ、ポアや亀裂の少ない電極を形成しうるセラミック電子部品用導電性ペースト、および、そのような導電性ペーストからなる外部電極を備えたセラミック電子部品を提供する。
【解決手段】金属粉末、ガラス粉末、有機バインダおよび有機溶剤を含有し、前記ガラス粉末は、前記有機バインダの熱分解終了温度をＴとしたとき、軟化点Ｔｓ_１が（Ｔ＋１０）℃以下である低軟化点ガラス粉末と、軟化点Ｔｓ_２が（Ｔ＋１０）℃を超える高軟化点ガラス粉末からなり、かつ、前記低軟化点ガラス粉末の含有量が、前記金属粉末１００質量部に対して、０．１質量部以上、５質量部未満であるセラミック電子部品用導電性ペースト、および、そのような導電性ペーストを用いて形成された外部電極を備えたセラミック電子部品である。 （もっと読む）

【課題】６００℃以下の温度でも焼成が可能であり、焼成及び再焼成工程を行っても抵抗値の増加がほとんどない電極形成用組成物と、該組成物を使って製造される電極及びプラズマディスプレイパネルを提供する。
【解決手段】この電極形成用組成物は、薄片（ｆｌａｋｅ）形状になっており、０．０５〜０．７５μｍの厚さを有し、アルミニウムを主成分とする導電性フィラー５〜９５質量％と、有機バインダ３〜６０質量％と、残量として溶剤と、を含む。 （もっと読む）

シリコン半導体デバイス、および太陽電池デバイスの前面に使用するための伝導性銀ペーストが本明細書に記載される。
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複数の母線を有するシリコン半導体デバイス、および太陽電池デバイスの前面に使用するための伝導性銀ペーストが本明細書に記載されている。
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本発明は、（ａ）導電性銀粉末と；（ｃ）フッ素を含有するガラスフリットとを；（ｄ）有機ビヒクルに分散させて含む厚膜伝導性組成物およびそれらから作製されるデバイスに関する。
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【課題】遮蔽効果と高い導電性の双方を兼ね備えた単一のバス電極を形成できる。ペースト材料の利用効率を向上できる。フォトリソグラフィ法を用いた従来の製造工程の煩雑さを改善し、製造工程を簡略化できる。
【解決手段】ＰＤＰ１０を構成するフロントガラス基板１１上にオフセット印刷法又はスクリーン印刷法によりバス電極１６を形成するための導電性黒色ペースト組成物であって、組成物が３〜１５質量％の黒色酸化物粉末２７と、５〜３０質量％の酸化ビスマスを含むガラス粉末２８と、３５〜８５質量％の金属粉末２６と、残部が有機系ビヒクルとを含み、酸化ビスマスの含有割合がガラス粉末２８を１００質量％としたとき２６〜６５質量％であり、ガラス粉末２８の平均粒径が０．０５〜１．０μｍであり、かつガラス粉末２８の比表面積が３〜５０ｍ²／ｇであることを特徴とする。 （もっと読む）

セラミック基板用導体ペーストが、ａ）銀粉末およびパラジウム粉末を含む導電性金属粉末と、ｂ）ガラス粉末と、ｃ）有機溶媒とを含み、導電性金属粉末の平均粒径が１．２μｍ以下であり、ガラス粉末がＢｉ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２−Ｂ_２Ｏ_３タイプのガラス粉末であり、ガラス粉末の含量がペーストの重量に基づいて１〜６重量％の範囲内である。 （もっと読む）

エッジカール現象、すなわち焼成工程時に電極パターン部分の端が巻き上がる現象を最小化することができ、それにより、耐電圧特性を向上できるプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）電極用感光性ペースト組成物が開示される。ＰＤＰ電極用感光性ペースト組成物は、導電性粉末４０〜５５重量％、無機バインダー５〜１５重量％、有機ビヒクル３５〜５５重量％及び残量の溶媒を含み、ここで、導電性粉末１００重量部に対して無機バインダーが１５〜３５重量部存在する。また、前記組成物を用いて製造したプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）電極及び前記電極を備えるプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）も開示される。 （もっと読む）

【課題】太陽電池その他の光電変換素子の作製に用いる導電性ペーストであって、半導体基板の裏面電極形成に伴う反りを抑制すると共に、密着強度が高い裏面電極を形成することができる導電性ペースト、およびこれを用いて作製する光電変換素子を提供する。
【解決手段】薄層化された半導体基板１を用いた太陽電池１０の裏面電極５を、Ａｌを主体とする金属粉末に、２８０℃から４３０℃の値域範囲内にガラス転移点を有するガラス粉末を添加した導電性ペーストにて作製する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池その他の光電変換素子の作製に用いる導電性ペーストであって、半導体基板の裏面電極形成に伴う反りを抑制すると共に、発電効率の優れた光電変換素子を得ることができる導電性ペースト、およびこれを用いて作製する光電変換素子を提供する。
【解決手段】光電変換素子用の半導体基板に電極を形成するための導電性ペーストとして、Ａｌを主に含有する金属粉末と、電極を形成するために半導体基板上に導電性ペーストを焼き付ける熱処理において結晶化するガラスフリットとを含ませた導電性ペーストを採用する。 （もっと読む）

【課題】比抵抗値を調整することが可能であり、ガラス基板に対する接合強度が高くかつ金属端子の取付け強度が高い、導体膜を形成することができる、導電性ペーストを提供する。
【解決手段】銀等の導電成分と、Ｂｉ₂ Ｏ₃ −Ｂ₂ Ｏ₃ −ＳｉＯ₂ −Ａｌ₂ Ｏ₃ 系またはＢｉ₂ Ｏ₃ −Ｂ₂ Ｏ₃ −ＳｉＯ₂ −Ａｌ₂ Ｏ₃ −ＺｎＯ系の主成分に、副成分としてＮｉＯを０．５〜５重量％含有する組成を有する、ガラスフリットと、有機ビヒクルとを含有する、導電性ペースト。この導電性ペーストをガラス基板２上に付与し、焼き付けることによって加熱用導体膜３を形成して得られたガラス回路構造物は、自動車窓用防曇ガラス１として有利に用いられる。 （もっと読む）

導電性金属粒子と、ガラスバインダーと、モノマーと、光開始剤と、有機ポリマーバインダーと、有機媒体と、可視光範囲内のペーストの反射率を実質的に変化させない紫外線吸収剤とを含有する電極形成用感光性導電性ペースト。
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【課題】めっき付け性が良好で、しかも、めっき液の浸入を防止することができるとともに、内部電極との接続性にも優れた外部電極を形成し得る導電性ペースト、およびそのような導電性ペーストからなる外部電極を備えたセラミック電子部品を提供する。
【解決手段】金属粉末、ガラス粉末および有機ビヒクルを含有するセラミック電子部品用導電性ペーストであって、前記金属粉末は、平均粒径が０．８μｍ以上、１．７μｍ以下の球状粉末（ａ）と、平均粒径が２．５μｍ以上、１０μｍ以下の球状粉末（ｂ）とを、重量比で５５：４５〜９０：１０の割合で混合してなり、かつ、該金属粉末混合物のタッピング密度が３．３ｇ／ｃｍ^３以上、４．３ｇ／ｃｍ^３以下である導電性ペースト、および、そのような導電性ペーストを用いて形成された外部電極を備えるセラミック電子部品である。 （もっと読む）

【課題】 導電性が高く且つ熱膨張係数の小さい導電膜を生成することのできる導電性組成物および導電性ペーストを提供する。
【解決手段】 中付形導電層１０の熱膨張係数が基板１２の熱膨張係数に適合している。そのため、それらの熱膨張係数の相違に起因して、中付形導電層１０にひび割れが生じ、或いは、基板１２にクラックが生じることが好適に抑制される。しかも、中付形導電層１０の熱膨張係数は、低膨張フィラーとしてＺＷＰを10〜55(wt％)の範囲内で含むことで調整されているため、他の低膨張フィラーが添加されている場合に比較して、導電性の低下が抑制される。したがって、導電性が高く且つ接着強度の高い中付形導電層１０が得られる。 （もっと読む）