【課題】セラミック素体に対する接触抵抗の増大を招き難い、単板型のセラミック素体を用いた外部電極形成用導電性ペーストを提供する。
【解決手段】内部電極を有しない単板型のセラミック素体１と、セラミック素体１の表面に形成される外部電極２，３とを備えるセラミック電子部品の外部電極２，３を形成するのに用いられる導電性ペーストであって、導電性成分と、ガラスフリットと、有機ビヒクルとを含有しており、ガラスフリットの塩基度が０．３９以上であり、Ｐｂ成分を含有しない、導電性ペースト。 （もっと読む）

【課題】セラミック多層基板の表層導体部分におけるビア導体部分の凸状の突き出し量を小さくする。
【解決手段】金属粉末およびガラス粉末を含有する導体ペーストであって、金属粉末のタップ密度が１．３〜２．４ｇ／ｃｍ^３、平均粒径が１．０〜２．０μｍであり、金属粉末の質量とガラス粉末の質量の合計を１００質量部として金属粉末の質量割合が９７質量部以下である導体ペースト。導体ペーストがビア形成用孔に充填されたセラミックグリーンシート積層体を焼成してセラミック多層基板を製造する方法であって、導体ペーストが前記導体ペーストであるセラミック多層基板製造方法。 （もっと読む）

【目的】４００℃以上の熱処理工程を経ても密着性に優れる、はんだペーストとそれを用いた導電体パターンを提供すること。
【構成】本発明のはんだペーストは、（Ａ）低融点ガラスフリット、（Ｂ）はんだ粉末、（Ｃ）有機バインダー、（Ｄ）有機溶剤を含有することを特徴としている。
また、好ましい態様として、本発明は、低融点ガラスフリット（Ａ）の配合量を、前記はんだ粉末（Ｂ）１００質量部に対して０．１〜１４質量部とする。 （もっと読む）

【課題】銀を含む配線部を有する回路基板において、高温雰囲気にて電圧を印加したとき、水や水蒸気の存在の有無に関わらず生じる配線部間の絶縁抵抗の劣化を好適に抑制できるようにする。
【解決手段】アルミナ基板１上に、導体ペースト組成物を印刷焼成することで配線部２を形成し回路基板１０を得る。導体ペースト組成物は、銀を含む導電性金属粉末と無機結合剤とを有機ビヒクル中に分散させてなる。無機結合剤は、ガラスフリット及びビスマス酸化物の少なくとも一方からなり、その含有量が導電性金属粉末１００重量部に対して４５重量部以上である。ペースト中の無機結合剤の含有量を多くして銀濃度を小さくすることで、導体ペースト組成物焼成時に絶縁基板上に蒸発し付着する銀の付着量を少なくして、導電化を引起こす反応物の発生を抑制し、配線部間の絶縁性低下を抑制する。 （もっと読む）

【課題】銀を含む配線部を有する回路基板において、高温雰囲気にて電圧を印加したとき、水や水蒸気の存在の有無に関わらず生じる配線部間の絶縁抵抗の劣化を好適に抑制できるようにする。
【解決手段】アルミナ基板１上に、導体ペースト組成物を印刷焼成することで配線部２を形成し回路基板１０を得る。導体ペースト組成物は、銀を含む導電性金属粉末と有機ビヒクルとからなり、無機結合剤を含まない。この導体ペースト組成物は、基板上に印刷され乾燥処理によって有機ビヒクルを揮発させた後に焼成される。従って、焼成時に、銀のみが蒸発し始めアルミナ基板１上に孤立した銀の状態にて付着する。この様に銀が孤立した状態にある配線部分に電圧と温度を加えても銀は導電性化しないので、配線部間の絶縁性低下を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】電極とセラミックとの接合強度が大きく、セラミックの表面に信頼性に優れた外部電極を確実に形成することが可能な導電性ペーストおよびそれを用いたセラミック電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】導電性粉末と、ガラス粉末と、有機ビヒクルとを含有する導電性ペーストにおいて、ガラス粉末として、Ｂｉ₂Ｏ₃、Ｂ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、Ｆｅ₂Ｏ₃、およびＡｇ₂Ｏを構成成分として含有し、構成成分の組成比を、Ｂ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、およびＢｉ₂Ｏ₃＋Ｆｅ₂Ｏ₃＋Ａｇ₂Ｏのモル％をそれぞれｘ、ｙ、およびｚで表わす、添付の図１に示す３成分組成図において、（ｘ、ｙ、ｚ）がＡ（２５、５、７０）、Ｂ（５５、５、４０）、Ｃ（２０、４０、４０）、Ｄ（１０、４０、５０）、Ｅ（１０、２０、７０）の各組成点を頂点とする多角形Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅで囲まれた範囲内とし、かつ、Ｆｅ₂Ｏ₃の含有量ａを、３≦ａ≦２５モル％の範囲内とする。 （もっと読む）

【課題】高密度実装化に伴う狭隣接実装においても、ペーストの塗布性に優れ、はんだ微小片の飛散を抑制することが可能な、特に、角板形チップ部品における電極端部の下地膜形成等に適した導電性ペーストを提供すること。
【解決手段】本発明の導電性ペーストは、銀粉５５〜６５質量％、鉛フリーの無機バインダー１〜５質量％、有機ビヒクル１〜１０質量％及び溶剤２０〜４０質量％からなり、前記銀粉のレーザー回折散乱式粒度分布測定法による重量累積粒径D₅₀が３〜６μｍであり、銀粉全量の５０質量％以上が、長軸径３．０〜６．０μｍ、短軸径２．０〜５．０μｍ及び厚さ０．１〜０．６μｍのフレーク状銀粉であり、且つ溶剤が、沸点２４０〜３００℃、２００℃における蒸気圧１００〜３００ｈPaの単一溶剤又はその混合物であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ４５０℃から５００℃程度の低温で焼結が行えて緻密な薄膜を形成でき、配合する各組成の微粉化は比較的に低いレベルでよい低温焼結用電極材料を提供すること
【解決手段】 銀を主成分とし、副成分にガラス成分を添加してペースト性状に調製する。ガラス成分は、酸化ビスマスを３０重量％から７０重量％、酸化ホウ素を３０重量％から５０重量％、酸化亜鉛を０重量％から４０重量％という関係を満たす組成配分とし、これは図２に示す斜線範囲（Ａ）となる。このガラス成分の添加量は、主成分の銀に対して５重量％以上で２０重量％以下とする。組成において、ガラス成分は平均粒径を１０μｍ以下として最大粒径は２５μｍ以下とし、また銀については平均粒径を１０μｍ以下として最大粒径は１５μｍ以下とする。ガラス成分は上記した組成配分において軟化点が４００℃付近になり、５００℃以下でも焼結助剤として機能し、低温で焼結が行える。 （もっと読む）

【課題】 導電性が高く且つ明度および黄色度の低い黒色導電厚膜を形成するためのディスプレイ電極形成用感光性黒色導電ペースト、ディスプレイ電極形成用黒色導電厚膜、およびディスプレイ電極用黒色導電厚膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 黒色導電厚膜４０を形成するための感光性黒色導電ペーストにおいて、導電性成分として含まれる銀粉末は比表面積が1.0或いは2.0(m²/g)程度と微細であり、黒色顔料４６は比表面積が3〜13(m²/g)程度の範囲内のCo₃O₄粉末から構成されるため、高い感光性延いては高い解像性を有すると共に、その感光性黒色導電ペーストから形成される黒色導電厚膜４０には銀４４とCo₃O₄から成る黒色顔料４６とがガラス４８で結合されて構成されるため、導電性が十分に高く且つ明度および黄色度が十分に低い黒色導電厚膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】黒色導電性組成物と、その組成物から作製される黒色電極と、その電極を形成する方法を提供すること。
【解決手段】黒色導電性組成物の全重量％に対し、ＲｕＯ₂、ポリ酸化ルテニウム、及びこれらの混合物から選択された導電性金属酸化物粒子を３〜５０重量％、有機ポリマー結合剤及び有機溶媒を含む有機物質を２５〜８５重量％、ビスマスガラス結合剤で、このガラス結合剤組成物の全重量％に対して５５〜８５％のＢｉ₂Ｏ₃と、０〜２０％のＳｉＯ₂と、０〜５％のＡｌ₂Ｏ₃と、２〜２０％のＢ₂Ｏ₃と、０〜２０％のＺｎＯと、ＢａＯ、ＣａＯ及びＳｒＯから選択された酸化物の１種以上を０〜１５％と、Ｎａ₂Ｏ、Ｋ₂Ｏ、Ｃｓ₂Ｏ、Ｌｉ₂Ｏ及びこれらの混合物から選択された酸化物の１種以上を０〜３％とを含む、１種以上の鉛フリーのビスマスガラス結合剤を５〜７０重量％含み、その軟化点が４００〜６００℃の範囲内であり、鉛フリーであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｐｂフリーのシステムを提供し、かつ電気性能およびはんだ接着性を維持する半導体デバイスを製造する、新規な組成物および方法を提供する。
【解決手段】導電性銀粉末と、亜鉛含有添加剤と、鉛フリーであるガラスフリットとが、有機媒体中に分散されている、厚膜導電性組成物。さらに、上記組成物から形成された電極であって、有機分散媒を除去しかつ前記ガラス粒子を焼結して前記組成物が焼成された電極を、対象とする。さらに、ｐ−ｎ接合を有する半導体と、この半導体の主要面上に形成された絶縁膜とからなる構造要素から半導体デバイスを製造する方法を対象とし、この方法は、絶縁膜上に、厚膜組成物を付着させるステップと、前記半導体、絶縁膜、および厚膜組成物を焼成して、電極を形成するステップとを含む。上記詳述された方法によって形成された半導体デバイスと、厚膜導電性組成物から形成された半導体デバイスとを対象とする。 （もっと読む）

【課題】黒色導電性組成物と、そのような組成物から作製された黒色電極と、そのような電極を形成する方法を提供すること。
【解決手段】詳細には、本発明は、交流ディスプレイパネルの適用例も含めたフラットパネルディスプレイの適用例を対象とする。さらに本発明は、Ｂａ、Ｒｕ、Ｃａ、Ｃｕ、Ｓｒ、Ｂｉ、Ｐｂ、および希土類金属から選択された、２種以上の元素の酸化物から選択された導電性金属酸化物と、光架橋性ポリマーとを利用する組成物を対象とする。これらの組成物は、フラットパネルディスプレイの適用例に用いられる光画像形成可能な黒色電極を作製する際に、特に有用である。 （もっと読む）

【課題】 低温焼成が可能で、焼成の際における導体層から誘電体層へのＡｇの拡散を抑制することができる積層セラミック基板を得る。
【解決手段】 誘電体層と導体層とを積層して焼成することにより得られる積層セラミック基板であって、誘電体層が、組成式ａ・Ｌｉ₂Ｏ−ｂ・（ＣａＯ_1-x−ＳｒＯ_x）−ｃ・Ｒ₂Ｏ₃−ｄ・ＴｉＯ₂（但し、ｘは０≦ｘ＜１を満足し、ＲはＬａ、Ｙを含む希土類元素から選ばれる少なくとも１種であり、ａ、ｂ、ｃ及びｄは、０＜ａ≦２０ｍｏｌ％、０≦ｂ≦４５ｍｏｌ％、０＜ｃ≦２０ｍｏｌ％、４０≦ｄ≦８０ｍｏｌ％、及びａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００ｍｏｌ％を満足する。）で表され、ペロブスカイト構造を有する誘電体材料を主成分とする誘電体層であり、導体層が、ＡｇまたはＡｇＰｄ合金を主成分とし、副成分としてＢｉ₂Ｏ₃−ＺｎＯ−Ｂ₂Ｏ₃系ガラスを含有する導体層であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】電気的性能とはんだの接着性の両方を改善する半導体デバイスを製造する、新規な組成物および方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、（ａ）導電性銀粉末と、（ｂ）Ｍｎ含有添加剤と、（ｃ）軟化点が３００から６００℃の範囲内にあるガラスフリットとが、（ｄ）有機媒体中に分散されている、厚膜導電性組成物を対象とする。
本発明はさらに、半導体デバイスと、ｐ−ｎ接合を有する半導体およびこの半導体の主要面上に形成された絶縁膜からなる構造要素から半導体デバイスを製造する方法とを対象とし、この方法は、（ａ）前記絶縁膜上に、上述の厚膜組成物を付着させるステップと、（ｂ）前記半導体、絶縁膜、および厚膜組成物を焼成して、電極を形成するステップとを含むものである。 （もっと読む）

【課題】 窒化珪素材料上に導電層を形成するにあたり、焼成したときに泡の発生がなく、導電層にふくれを起こすことなく、密着性に優れ、かつ鉛、カドミウムの環境負荷物質を含まない導電性ペーストを提供する。
【解決手段】 （Ａ）銀、あるいは銀とパラジウム、白金、金から選ばれる一種以上との合金または混合物である導電性金属粉末１００重量部に対し、（Ｂ）酸化ビスマス粉末を６〜１０重量部、（Ｃ）硼酸−酸化ビスマス系ガラス粉末を１〜３重量部の割合で含み、かつ（Ｂ）酸化ビスマス粉末と（Ｃ）硼酸−酸化ビスマス系ガラス粉末の合計が（Ａ）導電性金属粉末１００重量部に対し９〜１３重量部で構成される。硼酸−酸化ビスマス系ガラスは、軟化点が４５０〜６５０℃で、かつ硼酸が４５〜８０重量％と酸化ビスマス２０〜５５重量％でなり、かつ硼酸と酸化ビスマスの合計で８０重量％以上含む組成が好ましい。 （もっと読む）

【課題】 所望の抵抗値を示すとともに、優れたＴＣＲ特性等を実現する抵抗体を形成可能とする。
【解決手段】 Ｒｕ複合酸化物及びガラス組成物を含有する抵抗体組成物が有機ビヒクル中に分散されてなる抵抗体ペーストであって、前記抵抗体組成物がアルカリ金属酸化物を含有する。前記ガラス組成物の成分として前記アルカリ金属酸化物を含有することが好ましい。前記アルカリ金属酸化物がＬｉ酸化物、Ｋ酸化物、Ｎａ酸化物から選ばれる少なくとも１種であり、前記ガラス組成物における前記アルカリ金属酸化物の含有量が、Ｌｉ_２Ｏ、Ｋ_２Ｏ又はＮａ_２Ｏに換算して、０〜２０モル％（ただし０は含まず。）である。 （もっと読む）

【課題】対象への密着性、はんだ濡れ性、耐はんだ喰われ性に優れた導体膜を形成することが可能な導電ペーストおよび該導電ペーストを用いて導体膜が形成された信頼性の高い電子部品を提供する。
【解決手段】導電性粉末と、軟化点が３５０〜４５０℃で、結晶化温度が脱脂温度より低く、結晶が再融解する再融解温度が脱脂温度より高く焼成温度以下である低軟化点結晶化ガラスと、軟化点が６００〜１０００℃で、低軟化点結晶化ガラスより軟化点の高い高軟化点ガラスとが含有された組成とする。
導電性粉末と低軟化点結晶化ガラスの体積比を、導電性粉末１００に対して、低軟化点結晶化ガラス６〜１０の範囲とし、導電性粉末と高軟化点ガラスの体積比を、導電性粉末１００に対して、高軟化点ガラス０．５〜４の範囲とする。
低軟化点結晶化ガラスにＢｉ₂Ｏ₃を７０重量％以上含有させ、高軟化点ガラスにＳｉＯ₂を５０重量％以上含有させる。 （もっと読む）

【課題】 高温高湿環境下における絶縁抵抗劣化の発生を抑制することが可能な導電性ペースト、電子部品、及び電子機器を提供すること。
【解決手段】 一対の端子電極１１，１３は、第１の電極層１１ａ，１３ａ、第２の電極層１１ｂ，１３ｂ、及び、第３の電極層１１ｃ，１３ｃをそれぞれ有している。第１の電極層１１ａ，１３ａは、コンデンサ素体３の外表面に形成されており、且つ導電性ペーストの焼付により形成されている。第２の電極層１１ｂ，１３ｂは、第１の電極層１１ａ，１３ａ上に電気めっきにより形成されている。第３の電極層１１ｃ，１３ｃは、第２の電極層１１ｂ，１３ｂ上に電気めっきにより形成されている。導電性ペーストは、金属粉末と、ガラスフリットと、有機ビヒクルと、ＺｎＯとを含み、当該ＺｎＯの添加量は金属粉末に対して５ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下に設定されている。 （もっと読む）

【課題】 焼結温度を低下させた場合にも高導電性が得られ、また３０μｍ以上の厚膜塗布が可能であり抵抗値の低い配線回路を形成できる導電ペーストを提供する。さらにこの導電ペーストを基板上に印刷して作製した配線回路基板を提供する。
【解決手段】 金属粉末、ガラスフリット、および有機ビヒクルを主成分とする導電性ペーストであって、前記金属粉末は、１次粒子の平均粒径（Ｄ_Ａ）が０．５μｍ〜１０μｍの略球状粒子（Ａ）と、１次粒子の平均粒径（Ｄ_Ｂ）が０．１μｍ以上、（Ｄ_Ａ×０．２５）μｍ未満である略球状粒子（Ｂ）と、１次粒子の平均粒径が５０ｎｍ以下の略球状粒子（Ｃ）を主成分とし、かつガラスフリットの配合量は、ガラスフリットと金属粉末の合計値に対して０．１重量％以上、１５重量％以下であることを特徴とする導電性ペースト。 （もっと読む）

【課題】 焼結温度を低下させた場合にも高導電性が得られ、また３０μｍ以上の厚膜塗布が可能であり抵抗値の低い配線回路を形成できる導電ペーストを提供する。さらにこの導電ペーストを基板上に印刷して作製した配線回路基板を提供する。
【解決手段】 金属粉末、ガラスフリット、および有機ビヒクルを主成分とする導電性ペーストであって、ガラスフリットの配合量は、ガラスフリットと金属粉末の合計値に対して０．１重量％以上、１５重量％以下であり、かつ前記ガラスフリットの熱膨張係数が６．５ｐｐｍ／℃以上、１０．０ｐｐｍ／℃以下であることを特徴とする導電性ペースト。 （もっと読む）