【課題】
高誘電率と微細なスルホールを有する誘電体層を低温で形成可能にする感光性誘電体ペーストを提供する。
【解決手段】
無機粉末と感光性有機成分からなる感光性ペーストであって、無機粉末が、少なくとも比誘電率が１００以上の誘電体粉末（Ａ）および比誘電率が５０以下で、軟化点が５００〜９００℃の範囲内であるガラス粉末（Ｂ）を含み、該誘電体粉末（Ａ）と該ガラス粉末（Ｂ）との質量比が５５：４５〜８５：１５の範囲内であることを特徴とする感光性誘電体ペースト。 （もっと読む）

【課題】誘電体内へのガス泡の形成を防止可能な、あるいは少なくとも抑制可能な、改善されたエナメル組成物を提供する。
【解決手段】本発明は、誘電体として適用するためのエナメル組成物に関する。本発明はまた、誘電体として適用するための、そのようなエナメル組成物の用途に関する。本発明は、さらに、そのようなエナメル組成物を持つ誘電層に関する。加えて、本発明は、そのような誘電層と、ステンレス鋼から少なくとも部分的に製造した支持構造とのアセンブリに関する。この場合、誘電層は、ステンレス鋼から製造した支持構造の一部分上に設けられる。本発明は、さらに、そのようなアセンブリを製造するための方法に関する。 （もっと読む）

【課題】 鉛を含まず信頼性の高い強誘電体膜およびその製造方法、強誘電体キャパシタ、ならびに誘電体メモリを提供する。
【解決手段】 本発明にかかる強誘電体膜１０１の製造方法は、（ａ）ニオブ元素を含むポリカルボン酸塩と、ビスマス元素を含むポリカルボン酸塩と、ポリカルボン酸またはポリカルボン酸エステルと、有機溶媒と、を混合する工程と、（ｂ）混合した溶液を、基体上に塗布した後、熱処理することにより、ＢｉＮｂＯ_４からなる強誘電体膜を形成する、工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 鉛を含まず、かつＰＺＴと同程度の残留分極を示す強誘電体材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 下地部材の表面上に、ＢｉＦｅＯ_３の前駆体溶液を塗布する。塗布後に熱処理を行い誘電体膜を得る。誘電体膜を、非酸化性雰囲気中で加熱し、結晶化させる。これにより、Ｂｉ、Ｆｅ、及びＯを構成元素として含み、正方晶系または斜方晶系の結晶格子をもつ強誘電体材料が得られる。 （もっと読む）

【課題】 低温で焼成しても良好な誘電特性を示す積層セラミックス基板及びその製造方法を得る。
【解決手段】 誘電体セラミックス材料の原料粉を仮焼成し、仮焼成粉を含むシートを複数積層した積層体を焼成して得られる積層セラミックス基板であり、誘電体セラミックス材料として少なくとも２種類の誘電体セラミックス材料を用い、そのうちの少なくとも１種類が一般式（Ｌｉ，Ｒ）ＴｉＯ₃−（Ｃａ，Ｓｒ）ＴｉＯ₃（Ｒ：希土類元素）で表されるペロブスカイト型結晶相を有する誘電体セラミックス材料である、各種類毎の仮焼成粉を混合した仮焼成混合粉を加熱後急冷することにより、仮焼成混合粉の誘電体セラミックス材料に結晶欠陥を導入したことを特徴としている。 （もっと読む）

組成式：（Ｂｉ_２Ｏ_２）^２＋（Ａ_ｍ−１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋１）^２−、またはＢｉ_２Ａ_ｍ−１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋３で表され、前記組成式中の記号ｍが正数、記号ＡがＮａ、Ｋ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒ、ＣａおよびＢｉから選ばれる少なくとも１つの元素、記号ＢがＦｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｂ、Ｖ、ＭｏおよびＷから選ばれる少なくとも１つの元素である第１ビスマス層状化合物層８ａを有する誘電体薄膜８である。この第１ビスマス層状化合物層８ａと下部電極６との間には、第１ビスマス層状化合物層８ａの組成式よりもビスマスが過剰に含有してある第２ビスマス層状化合物層８ｂが形成してある。
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【課題】 低温で焼成することができ、且つ十分な誘電特性を有する誘電体磁器組成物及びそれを用いたセラミック電子部品を提供する。
【解決手段】 本発明の誘電体磁器組成物は、ａＢｉ_２（Ｚｎ_１／３Ｔａ_２／３）_２Ｏ_７−ｂＢｉ_２（Ｚｎ_１／３Ｎｂ_２／３）_２Ｏ_７−ｃＢｉ_２Ｓｎ_２Ｏ_７（ａ、ｂ及びｃはモル％であり、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００モル％である。）により表し、且つａ、ｂ及びｃの各々の相関を三角図を用いて表した場合に、ａ、ｂ及びｃは、各々に対応する値が、図１における特定の領域内にあることを特徴とする。また、本発明のセラミック電子部品は、上記の誘電体磁器組成物からなる未焼成セラミック基体が焼成されてなるセラミック基体と、その内部及び／又は表面に設けられた未焼成導体層が未焼成セラミック基体と同時焼成されてなる導体層（Ａｇ等を主成分とする。）と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】無機フィラーを高充填化させた空隙率の低い高誘電体組成物を得ること。
【解決手段】無機フィラーと樹脂を含む誘電体組成物であって、無機フィラーの平均粒子サイズ０．０１μｍ以上１μｍ以下であり、無機フィラーの表面積が、同一体積の真球に対し１．０５倍以上１．３倍以下である無機フィラーを含有することを特徴とする誘電体組成物。 （もっと読む）

ｃ軸が基板面に対して垂直に配向しているビスマス層状化合物が、組成式：（Ｂｉ_２Ｏ_２）^２＋（Ａ_ｍ１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋１）^２−、またはＢｉ_２Ａ_ｍ１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋３で表され、前記組成式中の記号ｍが奇数、記号ＡがＮａ、Ｋ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒ、ＣａおよびＢｉから選ばれる少なくとも１つの元素、記号ＢがＦｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｂ、Ｖ、ＭｏおよびＷから選ばれる少なくとも１つの元素であり、前記ビスマス層状化合物のＢｉが、前記組成式：（Ｂｉ_２Ｏ_２）^２＋（Ａ_ｍ−１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋１）^２−、またはＢｉ_２Ａ_ｍ−１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋３に対して、過剰に含有してあり、そのＢｉの過剰含有量が、Ｂｉ換算で、０＜Ｂｉ＜０．６×ｍモルの範囲である。
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【要約書】
【課題】 高誘電率かつ印刷精度に優れた誘電体ペーストおよび高誘電率かつ低誘電正接かつ表面平滑性の良いキャパシタを提供する。
【解決手段】 バインダー樹脂と高誘電体粒子とを含み、誘電体層を構成する誘電体ペーストであって、前記高誘電体粒子の粒径は、前記誘電体層の厚さの５％以上４０％以下であることを特徴とする誘電体ペーストにより達成される。前記バインダー樹脂としては、環状オレフィン系樹脂を用いることができ、前記環状オレフィン系樹脂としては、ノルボルネン系樹脂を含むものを用いることができる。本発明の誘電体は、前記誘電体ペーストで構成されることを特徴とする。本発明のキャパシタは、前記誘電体ペーストで構成される誘電体と導体とより構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】磁性特性や誘電特性などの電気特性を驚異的に高めた材料を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、磁性体または誘電体を周期的に配した複合材料（メタマテリアル）である。その結合には、ソフトマテリアルを用いる。磁性体や誘電体の形は、立方体または立方体にやや変形を加えた擬似立方体あるいはその両方を組み合せたものである。それらを３次元的に周期的に配置し、その間をソフトマテリアルで繋いだものである。これらの材料を周期的（１〜３次元）に配することによって、誘電特性や磁性特性を本来のものより高い特性を持つ材料を提供できる。誘電体では、チタン酸バリウム（BaTiO₃）、フォルステライト、ウイルマイトなどが利用され、数倍の誘電率を得ることができる。一方、磁性材料としては、最も磁力の強いFe₁₄Nd₂Bより強力な磁性特性を得ることが可能である。 （もっと読む）

【課題】電子放出素子における電子放出量の経時劣化を改善できる誘電体組成物を提供すること。
【解決手段】Ｐb_xＢi_ｐ（Ｍg_y/3Ｎb_2/3）_aＴi_b-zＭ_ｚＺr_ｃＯ₃［０．９５≦ｘ≦１．０５、０．０２≦ｐ≦０．１、０．８≦ｙ≦１．０であり、かつ（ａ，ｂ，ｃ）が（０．５５０，０．４２５，０．０２５），（０．５５０，０．１５０，０．３００），（０．１００，０．１５０，０．７５０），（０．１００，０．５２５，０．３７５），（０．３７５，０．４２５，０．２００）の５点で囲まれる範囲内となるような小数。また、０．０２≦ｚ≦０．１０で、ＭはＮb，Ｔa，Ｍo，Ｗから選ばれる少なくとも１種である。］で示されるＰＭＮ−ＰＺ−ＰＴ三成分固溶系組成物を主成分とし、０．０５〜２．０重量％のＮiＯの含有量に相当するＮiを含有した誘電体組成物。 （もっと読む）

【課題】 極大誘電率温度を低下させたビスマス層状化合物誘電体薄膜を提供すること。
【解決手段】 ペロブスカイトブロック層と酸化ビスマス層とが互いに積層した結晶構造を有するビスマス層状化合物を含んで成る誘電体薄膜であって、該ビスマス層状化合物が組成式：
（Ｂｉ_２Ｏ_２）²⁺（Ａ_ｘＢ_ｍＯ_３ｍ＋１）^2-
で表され、上記組成式中、ＡがＮａ、Ｋ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒ、ＣａまたはＢｉを表し、ＢがＦｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｂ、Ｖ、ＭｏまたはＷを表し、ｍが２以上の正数であり、かつ、ｘがｍ−１より小さい正数であり、そして該化合物の極大誘電率温度Ｔ_ｍが、上記組成式においてｘがｍ−１である対応するビスマス層状化合物の極大誘電率温度より低いことを特徴とする誘電体薄膜。 （もっと読む）

【課題】適切な寸法安定性基板のカスタマイゼーションを提供する。
【解決手段】（ａ）無機バインダーの微粉砕粒子、
（ｂ）Ｃ_1-10のアルキルアクリレート、Ｃ_1-10のアルキルメタクリレート、スチレン、置換スチレン、またはそれらの組合せを含む非酸性コモノマー、およびエチレン性不飽和カルボン酸含有部分を含む酸性コモノマーを含む、コポリマー、インターポリマー、またはそれらの混合物を含み、このコポリマー、インターポリマーまたは混合物は、少なくとも１５重量％の酸分を有する有機ポリマーバインダー、 （ｃ）ポリマーバインダーに対する可塑剤の比が、４：２３から７：９の範囲である可塑剤、 （ｄ）光開始剤、 （ｅ）光硬化性モノマー、 （ｆ）有機溶媒 を含む有機組成物であり、 前記組成物は、化学線に像様露光した場合に、０．４〜２．０重量％の塩基を含有する希薄な塩基性水溶液内で現像可能である。 （もっと読む）

【課題】 低温焼成でき、十分な比誘電率を保持しつつ、高い無負荷Ｑ値が得られるＢｉ−Ｚｎ−Ｎｂ系酸化物からなる低温焼成誘電体磁器組成物及びこれを用いた誘電体部品を提供する。
【解決手段】 本低温焼成誘電体磁器組成物は、Ｂｉと、２価の金属元素であるＭ（例えばＺｎ）と、Ｎｂ及びＴａのうちの少なくともＮｂと、Ｏとを含有し、且つ、ｘＢｉＯ_３／２−ｙＭＯ−ｚ（Ｎｂ_ａＴａ_ｂ）Ｏ_５／２と表した場合に、０．４５５≦ｘ≦０．５４５、０．１５５≦ｙ<０．１９、０．３０５≦ｚ≦０．３６２、０<ａ≦１、且つ、０≦ｂ<１を満たす。更に、本発明の誘電体部品１は、本発明の低温誘電体磁器組成物からなる誘電体磁器部１１１、１１２及び１１３と、この誘電体磁器部の表面及び／又は内部に同時焼成された導体部１２１、１２２及び１２３とを備える。 （もっと読む）

【課題】 １０００℃以下の低温でも焼結することができ、かつ誘電特性に優れた誘電体磁器組成物を得る。
【解決手段】 組成式ａ・Ｌｉ₂Ｏ−ｂ・（ＣａＯ_1-x−ＳｒＯ_x）−ｃ・Ｒ₂Ｏ₃−ｄ・ＴｉＯ₂（但し、ｘは０≦ｘ＜１を満足し、Ｒは希土類元素から選ばれる少なくとも１種であり、ａ、ｂ、ｃ及びｄは、０≦ａ≦２０ｍｏｌ％、０≦ｂ≦４５ｍｏｌ％、０＜ｃ≦２０ｍｏｌ％、４０≦ｄ≦８０ｍｏｌ％、及びａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００ｍｏｌ％を満足する。）で表される誘電体成分とガラス成分とを含む混合物を焼成することにより得られ、誘電体成分は原料を仮焼成することにより調製され、ガラス成分として少なくともビスマス系ガラスが含まれており、焼成後のＸ線回折チャートにおいて、ペロブスカイト構造を有する主相である第１の相のピーク強度に対する、希土類元素を含む第２の相のピーク強度の比（第２の相／第１の相）が２０％以下であること特徴としている。 （もっと読む）

Ｔｉを含有する誘電体からなり表層部にＴｉとＺｎとを含む酸化物を含有してなる誘電体粒子の集合体１００重量部に対してガラス成分を２．５〜２０重量部配合することで低温焼結誘電体磁器組成物が提供される。この低温焼結誘電体磁器組成物を８８０〜１０００℃で焼成することで低温焼結誘電体磁器を製造する。これにより、Ａｇ及びＣｕまたはこれらの少なくとも１つを含む合金からなる内部導体を有する積層構造電子部品を提供することができる。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１のポリマー、少なくとも１の有機出発化合物、少なくとも１のセラミック材料およびガラスおよび／またはガラスの原料を含有し、セラミック材料と共にガラスセラミックスを形成するための少なくとも１のガラス材料を含有するプラスチック材料において、ガラスがほぼ有機出発化合物の分解温度Ｔｚに相応するガラス転移点Ｔｇを有することを特徴とする、プラスチック材料に関する。有利には有機出発化合物はポリオルガノシロキサンである。ポリオルガノシロキサンの熱分解により、二酸化ケイ素からなる多孔質の基本骨格が形成され、ここに分解温度で液状のガラスが浸潤する。さらに、ガラスセラミックからなる緻密で機械的に安定した層が形成される。該層は電気絶縁性であり、従って火災の場合でもケーブルの機能が維持される。従って火災の危険がある製品、たとえばケーブルまたは家庭用電気製品の電気的な絶縁のために該プラスチック材料が使用される。
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