【課題】 エポキシ樹脂中に充填する材料を適切に選択することにより、高誘電率と低熱膨張率を併せ持ち、機械的強度にも優れた絶縁材料を提供する。
【解決手段】 樹脂組成物１は、１分子当たり２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物とエポキシ樹脂用硬化剤からなるエポキシ樹脂２中に、層状シリケート化合物３、酸化物系粒子４、および高誘電率粒子５という３種類の無機粒子が均一に分散して構成されている。エポキシ化合物１００重量部に対して、層状シリケート化合物が１〜５０重量部、酸化物系粒子が１００〜４００重量部、高誘電率粒子が１００〜４００重量部、の割合でそれぞれ充填され、かつ、エポキシ化合物１００重量部に対して、酸化物系粒子と高誘電率粒子の充填量の合計は５００重量部以下とされる。層状シリケート化合物は、酸化物系粒子および高誘電率粒子より先に、剪断混合によりエポキシ化合物中に分散させられる。 （もっと読む）

【課題】 低温焼成可能な誘電体磁器組成物、及びそれを用いて作製される電子部品を提供する。
【解決手段】 （ＢａＮｄＳｍ）ＴｉＯ_３系磁器組成物１００質量部に対し、重量によりＢｉ_２Ｏ_３ ６〜１５部、ＳｉＯ_２ １〜５部、ＺｎＯ １〜５部、ＭｇＯ ０〜３部、Ｂ_２Ｏ_３ ０．２〜５部（Ｂ_２Ｏ_３ ０．２〜５部をＬｉ_２Ｏ ０．０８〜２．０質量部で置換してよい）を添加した誘電体磁器組成物、それを用いて作製される電子部品。 （もっと読む）

【課題】低温焼成用マイクロ波誘電体セラミック組成物の製造方法及びそれから得られる低温焼成用マイクロ波誘電体セラミックを提供する。
【解決手段】複合ビスマスニオブ酸化物（ＢｉＮｂＯ_４）または亜鉛ニオブ酸化物（Ｚｎ_３Ｎｂ_２Ｏ_８）前駆体粉末を溶液反応に基づいた粉末合成工程である共沈法を用いて製造し、ここに０．１〜１質量％のＣｕＯ及び０．２〜２質量％のＶ_２Ｏ_５を焼結助剤として添加し、粉砕及び焼結する低温焼成用マイクロ波誘電体セラミック組成物の製造方法。該製造方法によって得られる低温焼成用マイクロ波誘電体セラミック組成物。該低温焼成用マイクロ波誘電体セラミック組成物は、高誘電率及び品質係数、及び安定した共振周波数の温度係数を有するのみならず、７００〜７５０℃の低い温度の範囲で焼成が可能である。 （もっと読む）

【課題】 希土類元素としてＬａを使用し、比誘電率εｒやＱｆが高く、温度特性τｆが十分に小さな誘電体磁器組成物を実現する。
【解決手段】 組成式｛Ｂａ_６−３ｘ［（Ｌａ_１−ｗＲＥ_ｗ）_１−ｙＢｉ_ｙ］_８＋２ｘ｝_ｚＴｉ_１８Ｏ_{３６＋１８ｚ}（ただし、０．２８≦ｗ≦０．９９、０．５≦ｘ≦０．９、０．１０≦ｙ≦０．２７、０．８≦ｚ≦１．２であり、ＲＥはＬａ以外の希土類元素を表す。）で表され、希土類元素全体のイオン半径の平均値が１．０８Å〜１．１３Åである誘電体磁器組成物である。この組成式において、０．８≦ｚ＜１．０であることが好ましい。また、ＭｎＯ換算で０．０４〜１．００モル％のＭｎが添加されていてもよい。 （もっと読む）

【課題】 高い比誘電率εｒ及びＱ値を有し、比誘電率の温度変化率τｆの小さな複合誘電体材料を提供する。
【解決手段】 誘電体セラミックスと有機高分子材料とを含有する複合誘電体材料である。誘電体セラミックスとして、組成式｛Ｂａ_６−３ｘ［（Ｌａ_１−ｗＲＥ_ｗ）_１−ｙＢｉ_ｙ］_８＋２ｘ｝_ｚＴｉ_１８Ｏ_{３６＋１８ｚ}（ただし、０．２８≦ｗ≦０．９９、０．５≦ｘ≦０．９、０．１０≦ｙ≦０．２７、０．８≦ｚ≦１．２であり、ＲＥはＬａ以外の希土類元素を表す。）で表され、希土類元素全体のイオン半径の平均値が１．０８Å〜１．１３Åである誘電体磁器組成物を用いる。この組成式において、０．８≦ｚ＜１．０であることが好ましい。また、誘電体磁器組成物には、ＭｎＯ換算で０．０４〜１．００モル％のＭｎが添加されていてもよい。 （もっと読む）

【課題】画素欠陥のないＰＤＰを得ることができる誘電体層用組成物及びグリーンシート、並びにこのグリーンシートから形成された誘電体層を有する誘電体層形成基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】熱分解性バインダー、ガラス成分および分散剤を含有してなる誘電体層用組成物であって、前記熱分解性バインダーが、重量平均分子量が２０，０００〜２５０，０００で、かつ、ガラス転移温度が−５℃〜＋４０℃の高分子であり、前記熱分解性バインダーの含有量が、固形分比でガラス成分１００重量部に対し、１０〜５０重量部である誘電体層用組成物を乾燥してフィルム化した後、該グリーンシートを基板に貼り合わせ、焼成することにより、誘電体層形成基板を製造する。 （もっと読む）

【課題】キャパシタ用層間絶縁膜を回路基板やパッケージに内蔵する際に、層間絶縁膜と接する他の材料との界面にかかる応力が小さく、密着力に優れた誘電率が大きいキャパシタ用層間絶縁膜を提供することができるペースト組成物、誘電体組成物、Ｂステージ誘電体シート、及びこれらから得られる層間絶縁膜を用いたキャパシタ内蔵回路基板を提供する。
【解決手段】（ａ）エポキシ樹脂、（ｂ）高誘電率無機粒子、（ｃ）溶剤を有し、（ａ）エポキシ樹脂が分子中に１個以上のシクロヘキサン環を有し、２５℃、１．０１３２５×１０^５Ｐａにおいて粘度が１５０Ｐａ・ｓ以下の樹脂であって、（ｂ）高誘電率無機粒子の平均粒径が０．０１μｍ以上１μｍ以下であるペースト組成物。 （もっと読む）

【課題】分散性に優れた分散剤、それを含むペースト組成物、及びそれを使用して製造されるディスプレイ装置、並びにそれを採用したプラズマディスプレイパネルを提供する。
【解決手段】無機粒子、有機溶媒、及び疎水部にアリーレン基を有するホスフェートエステル分散剤を含むペースト組成物を提供する。前記分散剤は分散性に優れると共に粘度減少能が大きいため、同一粘度下で従来のペースト組成物に比べてより多くの無機粒子を含むことができる。したがって、前記ペースト組成物を用いて調製されるディスプレイ装置では、充填密度の向上が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 非鉛系でかつ比較的高温のキュリー温度における良好なＰＴＣＲ特性を有するチタン酸バリウム系磁器組成物の製造に用いられるジルコニア粉末、該ジルコニア粉末を用いて得られるチタン酸バリウム系半導体磁器組成物およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 ＺｒＯ₂を主成分とし、Ｚｒ₃Ｏを１〜５０ｍｏｌ％の範囲内で含有するジルコニア粉末、および該ジルコニア粉末を用いたチタン酸バリウム系半導体磁器組成物の製造方法であって、Ｂａ_1-2x（ＢｉＭ）_xＴｉＯ₃（但し、０≦ｘ＜０．３５、ＭはＫおよび／またはＮａである）を含む母体と該ジルコニア粉末とを接触させた状態で、温度１２００〜１４００℃、酸素分圧０．０５〜１．０、加熱時間０．５〜１０時間の範囲内に設定して該母体の焼成および半導体化を行なう熱処理工程を含むチタン酸バリウム系半導体磁器組成物の製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】８００℃未満の低温焼成によってもＢｉ系誘電体の結晶化薄膜を得ることができるＢｉ系誘電体薄膜形成用組成物とＢｉ系誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】少なくともＳｒ、Ｂｉ、Ｔａおよびランタノイド系元素Ａの各金属または複合金属のアルコキシド、有機塩あるいは錯体を反応させることによって得られる化合物を含有させてＢｉ系誘電体薄膜形成用組成物を構成する。この組成物の塗膜を８００℃未満の低温で焼成することにより、下記一般式（１）
Ｓｒ_1-XＡβＢｉ_2+Y（Ｔａ_2-ZＮｂ_Z）Ｏ₉₊α・・・・・（１）
（式中、Ａは、ランタノイド系元素を表す。Ｘ、Ｙ、αは、それぞれ独立に０以上１未満の数を表し、Ｚは、０以上２未満の数を表し、βは、０．０９以上０．９以下の数を表す。）で表されるＢｉ系誘電体の結晶化薄膜を得る。 （もっと読む）

【課題】分離を必要とする副生成物を発生させずに燃焼合成により短時間で得られるとともに、優れた焼結体特性を有する誘電体セラミックスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 結晶構造を有するセラミックスであって、比表面積が 0.01〜2 m²/g の４族元素を含む金属粉末と、２族元素を含む元素の炭酸塩と、２族元素を含む元素の過酸化物とを少なくとも含む反応原料をそれぞれ所定割合で配合し、断熱火炎温度が 1500℃以上である燃焼合成法により得られる。また、上記４族元素は、チタンであり、上記２族元素は、ストロンチウム、バリウムおよびカルシウムから選ばれた少なくとも１つの元素である。 （もっと読む）

【課題】高い比誘電率εｒを実現し、高いＱ値を有するとともに、比誘電率の温度変化率の小さな複合誘電体材料を提供する。
【解決手段】誘電体セラミックスと有機高分子材料とを含有する複合誘電体材料であって、前記誘電体セラミックスとして、一般式（Ｍ，Ｌｉ，Ｂｉ，ＲＥ）_ｘＴｉＯ_３（ただし、ＭはＢａ，Ｓｒ，Ｃａから選択される少なくとも１種を表し、ＲＥはＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｙ，Ｙｂ，Ｄｙから選択される少なくとも１種を表す。また、０．９≦ｘ≦１．０５である。）で表される組成を有する酸化物粉末を含有する。 （もっと読む）

【課題】 焼成の際にＡｇが拡散するのを抑制することができる誘電体磁器組成物を得る。
【解決手段】 組成式ａ・Ａ₂Ｏ−ｂ・（ＣａＯ_1-x−ＳｒＯ_x）−ｃ・Ｒ₂Ｏ₃−ｄ・ＴｉＯ₂（但し、ｘは０≦ｘ＜１を満足し、Ａはアルカリ金属元素から選ばれる少なくとも１種であり、Ｒは希土類元素から選ばれる少なくとも１種であり、ａ、ｂ、ｃ及びｄは、０＜ａ≦４５ｍｏｌ％、０≦ｂ≦３０ｍｏｌ％、０＜ｃ≦２０ｍｏｌ％、２０≦ｄ≦５０ｍｏｌ％、及びａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００ｍｏｌ％を満足する。）で表される誘電体成分を含む誘電体磁器組成物であって、焼成後のペロブスカイト型結晶相の単位格子の体積が０．２２５〜０．２２７ｎｍ³であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】
基板にラミネートする工程等で、待機スジや打痕が生じることがないグリーンシート、該グリーンシートの層を有する積層体、前記グリーンシートから形成された誘電体層を有する誘電体層形成基板、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
少なくともガラス成分および熱分解性バインダーを含有する誘電体層用組成物をフィルム化してなるグリーンシートであって、降伏強度が１．５ＭＰａ以上、破断強度が０．８ＭＰａ以上、かつヤング率が１０ＭＰａ以上であることを特徴とするグリーンシート、キャリアーフィルム上に本発明のグリーンシートが積層され、さらに該グリーンシート上に保護フィルムが積層されてなる積層体、基板上に、前記グリーンシートを用いて形成された誘電体層を有することを特徴とする誘電体層形成基板及びその製造方法。 （もっと読む）

低温焼成磁器組成物は１０００℃以下で焼成可能であり、低い比誘電率（１６ＧＨｚ以上において９以下）と高いＱｆ値（10,000以上）を有する。組成物はＡｇ、ＡｕまたはＣｕなどの配線材料と同時焼成できる。セラミック組成物は（質量で）ＣａＯとＭｇＯとＳｉＯ₂とを合計量で６０質量％を超え９８.６質量％以下、Ｂｉ₂Ｏ₃を１質量％以上３５質量％未満及びＬｉ₂Ｏを０.４質量％以上６質量％未満含み、（ＣａＯ＋ＭｇＯ）とＳｉＯ₂の含有比が１：１以上１：２.５未満（モル比）含む。 （もっと読む）

【課題】温度特性が平滑で、誘電率が高く、自己発熱が低い等の全ての特性を満足して、鉛を含有しないチタン酸バリウムを主成分とする誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】本発明の誘電体磁器組成物は、チタン酸バリウムを主成分とする、ペロブスカイト型構造を形成する固溶体組成において、BiMnO₃成分を1.0モル％〜2.0モル％、Ba_1/2NbO₃またはBa_1/2TaO₃成分を0.3モル％〜1.2モル％、およびBi_2/3TiO₃成分を9.0モル％〜15.0モル％を含有する。 （もっと読む）

【課題】 誘電体セラミックスが有する高い比誘電率εｒを十分に反映させることができ、これまでにない高い比誘電率εｒを実現することができ、しかも高いＱを有する低損失な複合誘電体材料を提供する。
【解決手段】 誘電体セラミックスと有機高分子材料とを含有する複合誘電体材料である。誘電体セラミックスとして、一般式Ａｇ（Ｎｂ_１−ｘＴａ_ｘ）Ｏ_３（ただし、０．１０≦ｘ≦０．９０である。）で表される組成を有する酸化物からなる第１の誘電体セラミックスと、Ｑ≧１０００の第２の誘電体セラミックスとを含有する。この場合、第１の誘電体セラミックスを一般式Ａｇ（Ｎｂ_１−ｘＴａ_ｘ）Ｏ_３（ただし、０．１０≦ｘ≦０．４５である。）で表される組成を有し比誘電率の温度変化係数が正である酸化物とし、第２の誘電体セラミックスの比誘電率の温度変化係数を負とすることで、複合誘電体材料全体の比誘電率の温度変化が抑えられる。 （もっと読む）

低温度での焼成でも優れた特性の強誘電体薄膜を作製可能な薄膜形成用液状組成物、およびそれを用いた強誘電体薄膜の製造方法を提供する。液状媒体中に、一般式（Ｂｉ_２Ｏ_２）^２＋（Ｂｉ_ｍ−１Ｔｉ_ｍＯ_{３．５ｍ−０．５}）^２−［ｍは１〜５の整数である。］又は一般式（Ｂｉ_２Ｏ_２）^２＋（Ａ_ｍ−１Ｔｉ_ｍＯ_{３．５ｍ−０．５}）^２−［ＡはＢｉ^３＋およびＬａ^３＋であり、Ｌａ^３＋／Ｂｉ^３＋の比が０．０５〜０．５であり、ｍは１〜５の整数である。］で表される、平均一次粒子径が１００ｎｍ以下の結晶性強誘電体酸化物粒子が分散し、加熱により強誘電体酸化物を形成する可溶性金属化合物が溶解したことを特徴とする強誘電体薄膜形成用液状組成物を用いる。 （もっと読む）

本発明に係る積層体ユニットは、導電性を有し、かつ、その上で、ビスマス層状化合物を含む誘電体材料をエピタキシャル成長させることができる材料によって、形成され、少なくとも表面が［００１］方位に配向された支持基板と、支持基板上で、ビスマス層状化合物を含む誘電体材料をエピタキシャル成長させて形成され、［００１］方位に配向されたビスマス層状化合物を含む誘電体材料よりなる誘電体層を備えている。このように構成された積層体ユニットは、ｃ軸方向に配向されたビスマス層状化合物をを含む誘電体層を有しているから、誘電体層に含まれているビスマス層状化合物の強誘電体としての性質を抑制して、常誘電体としての性質を十分に発揮させることが可能になるから、小型で、かつ、大容量の誘電特性に優れた薄膜コンデンサを作製することができる。
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【課題】 Ｃｕ電極などの卑金属電極に対応する耐還元性誘電体磁器組成物を得る場合に、組成物中に、環境や人体に有害な鉛を含むことなく比誘電率を向上させ、かつ比誘電率の温度変化率を小さくさせることができる耐還元性誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】 主成分の組成式を、α（Ｓｒ_ＸＣａ_ＹＢａ_{１−Ｘ−Ｙ}）（Ｔｉ_１−ＷＭ_Ｗ）Ｏ_３＋（１−α）（（Ｂｉ_１−Ｚｎ＊Ａ_Ｚ）_２Ｏ_３＋βＴｉＯ_２）、ただしＭはＺｒ，Ｍｇの中から選ばれる少なくとも１種類以上、ＡはＬｉ，Ｋ，Ｎａの中から選ばれる少なくとも１種類以上、と表した場合に、主成分の全体に対する（Ｓｒ_ＸＣａ_ＹＢａ_{１−Ｘ−Ｙ}）（Ｔｉ_１−ＷＭ_Ｗ）Ｏ_３のモル比αと、（Ｂｉ_１−Ｚｎ＊Ａ_Ｚ）_２Ｏ_３が１モルに対するＴｉのモル比βとが、０．６０＜α＜０．８５， １．５＜β＜４．０の範囲にある。 （もっと読む）