【課題】高い誘電率を有し、加熱や電圧印加に対する誘電体層の絶縁性が高いコンデンサを、１０００℃以下で焼成することができる誘電体ペーストを提供すること。
【解決手段】誘電体ペーストは、チタン酸バリウム粉末を７０．０乃至９９．６質量部と、マンガンおよび希土類元素を含む軟化点が１０００℃以下のガラスからなるガラス粉末を０．４乃至３０．０質量部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】過酸化物粉末の保管時、および、該過酸化物粉末と発熱源である金属粉末との混合時において発火・爆発などの危険性がない安全な燃焼合成方法、および、該方法で製造されるＢａＲｅ₂Ｔｉ₅Ｏ₁₄ 、ＢａＲｅ₂Ｔｉ₄Ｏ₁₂ 等の酸化物系の誘電体セラミックスを提供する。
【解決手段】酸素供給源となる過酸化物粉末と、発熱源である金属粉末とを少なくとも含む反応原料を用いた燃焼合成方法であって、該燃焼合成方法は、予め上記過酸化物粉末と、安定な原料粉末とを混合して中間原料粉末とする予備混合工程と、該予備混合工程で得られた中間原料粉末に、上記予備混合工程において未混合の反応原料を混合して原料粉末を得る混合工程と、該混合工程で得られた原料粉末を燃焼合成して焼結体とする燃焼合成工程とを備えてなり、上記混合工程は、未混合の反応原料のうち、上記金属粉末を最後に混合して原料粉末を得る工程である。 （もっと読む）

【課題】分散性に優れた分散剤、それを含むペースト組成物、及びそれを使用して製造されるディスプレイ装置、並びにそれを採用したプラズマディスプレイパネルを提供する。
【解決手段】無機粒子、有機溶媒、及び疎水部にアリーレン基を有するホスフェートエステル分散剤を含むペースト組成物を提供する。前記分散剤は分散性に優れると共に粘度減少能が大きいため、同一粘度下で従来のペースト組成物に比べてより多くの無機粒子を含むことができる。したがって、前記ペースト組成物を用いて調製されるディスプレイ装置では、充填密度の向上が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 非鉛系でかつ比較的高温のキュリー温度における良好なＰＴＣＲ特性を有するチタン酸バリウム系磁器組成物の製造に用いられるジルコニア粉末、該ジルコニア粉末を用いて得られるチタン酸バリウム系半導体磁器組成物およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 ＺｒＯ₂を主成分とし、Ｚｒ₃Ｏを１〜５０ｍｏｌ％の範囲内で含有するジルコニア粉末、および該ジルコニア粉末を用いたチタン酸バリウム系半導体磁器組成物の製造方法であって、Ｂａ_1-2x（ＢｉＭ）_xＴｉＯ₃（但し、０≦ｘ＜０．３５、ＭはＫおよび／またはＮａである）を含む母体と該ジルコニア粉末とを接触させた状態で、温度１２００〜１４００℃、酸素分圧０．０５〜１．０、加熱時間０．５〜１０時間の範囲内に設定して該母体の焼成および半導体化を行なう熱処理工程を含むチタン酸バリウム系半導体磁器組成物の製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】 焼成の際にＡｇが拡散するのを抑制することができる誘電体磁器組成物を得る。
【解決手段】 組成式ａ・Ａ₂Ｏ−ｂ・（ＣａＯ_1-x−ＳｒＯ_x）−ｃ・Ｒ₂Ｏ₃−ｄ・ＴｉＯ₂（但し、ｘは０≦ｘ＜１を満足し、Ａはアルカリ金属元素から選ばれる少なくとも１種であり、Ｒは希土類元素から選ばれる少なくとも１種であり、ａ、ｂ、ｃ及びｄは、０＜ａ≦４５ｍｏｌ％、０≦ｂ≦３０ｍｏｌ％、０＜ｃ≦２０ｍｏｌ％、２０≦ｄ≦５０ｍｏｌ％、及びａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００ｍｏｌ％を満足する。）で表される誘電体成分を含む誘電体磁器組成物であって、焼成後のペロブスカイト型結晶相の単位格子の体積が０．２２５〜０．２２７ｎｍ³であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】
基板にラミネートする工程等で、待機スジや打痕が生じることがないグリーンシート、該グリーンシートの層を有する積層体、前記グリーンシートから形成された誘電体層を有する誘電体層形成基板、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
少なくともガラス成分および熱分解性バインダーを含有する誘電体層用組成物をフィルム化してなるグリーンシートであって、降伏強度が１．５ＭＰａ以上、破断強度が０．８ＭＰａ以上、かつヤング率が１０ＭＰａ以上であることを特徴とするグリーンシート、キャリアーフィルム上に本発明のグリーンシートが積層され、さらに該グリーンシート上に保護フィルムが積層されてなる積層体、基板上に、前記グリーンシートを用いて形成された誘電体層を有することを特徴とする誘電体層形成基板及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】
充分な厚みをもつポリシラザン被膜を、クラックを発生させることなく形成し、これにより、十分な絶縁耐圧を有する金属板被覆用の材料と、この材料を使用して前記隔壁等のフラットパネルディスプレイ用部品及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
ポリシラザン溶液の溶媒中に粉体１と粉体２を分散させ、これを絶縁被膜形成用材料として金属板に被膜し、それぞれの直径の関係が、Ｄ２≦（√２―１）×Ｄ１
となるような２種類の粉体１（直径Ｄ１）、粉体（直径Ｄ２）を選定し、これをポリシラザン溶液の溶媒中に分散させ、これを絶縁被膜形成用材料として金属板に被膜したところ、粉体の間に充填されるポリシラザン自体の厚さが薄くなり、厚い膜厚の電気絶縁性シリカ被膜を、クラックを発生することなく形成できた。 （もっと読む）

低温度での焼成でも優れた特性の強誘電体薄膜を作製可能な薄膜形成用液状組成物、およびそれを用いた強誘電体薄膜の製造方法を提供する。液状媒体中に、一般式（Ｂｉ_２Ｏ_２）^２＋（Ｂｉ_ｍ−１Ｔｉ_ｍＯ_{３．５ｍ−０．５}）^２−［ｍは１〜５の整数である。］又は一般式（Ｂｉ_２Ｏ_２）^２＋（Ａ_ｍ−１Ｔｉ_ｍＯ_{３．５ｍ−０．５}）^２−［ＡはＢｉ^３＋およびＬａ^３＋であり、Ｌａ^３＋／Ｂｉ^３＋の比が０．０５〜０．５であり、ｍは１〜５の整数である。］で表される、平均一次粒子径が１００ｎｍ以下の結晶性強誘電体酸化物粒子が分散し、加熱により強誘電体酸化物を形成する可溶性金属化合物が溶解したことを特徴とする強誘電体薄膜形成用液状組成物を用いる。 （もっと読む）

本発明に係る積層体ユニットは、導電性を有し、かつ、その上で、ビスマス層状化合物を含む誘電体材料をエピタキシャル成長させることができる材料によって、形成され、少なくとも表面が［００１］方位に配向された支持基板と、支持基板上で、ビスマス層状化合物を含む誘電体材料をエピタキシャル成長させて形成され、［００１］方位に配向されたビスマス層状化合物を含む誘電体材料よりなる誘電体層を備えている。このように構成された積層体ユニットは、ｃ軸方向に配向されたビスマス層状化合物をを含む誘電体層を有しているから、誘電体層に含まれているビスマス層状化合物の強誘電体としての性質を抑制して、常誘電体としての性質を十分に発揮させることが可能になるから、小型で、かつ、大容量の誘電特性に優れた薄膜コンデンサを作製することができる。
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【課題】 Ｃｕ電極などの卑金属電極に対応する耐還元性誘電体磁器組成物を得る場合に、組成物中に、環境や人体に有害な鉛を含むことなく比誘電率を向上させ、かつ比誘電率の温度変化率を小さくさせることができる耐還元性誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】 主成分の組成式を、α（Ｓｒ_ＸＣａ_ＹＢａ_{１−Ｘ−Ｙ}）（Ｔｉ_１−ＷＭ_Ｗ）Ｏ_３＋（１−α）（（Ｂｉ_１−Ｚｎ＊Ａ_Ｚ）_２Ｏ_３＋βＴｉＯ_２）、ただしＭはＺｒ，Ｍｇの中から選ばれる少なくとも１種類以上、ＡはＬｉ，Ｋ，Ｎａの中から選ばれる少なくとも１種類以上、と表した場合に、主成分の全体に対する（Ｓｒ_ＸＣａ_ＹＢａ_{１−Ｘ−Ｙ}）（Ｔｉ_１−ＷＭ_Ｗ）Ｏ_３のモル比αと、（Ｂｉ_１−Ｚｎ＊Ａ_Ｚ）_２Ｏ_３が１モルに対するＴｉのモル比βとが、０．６０＜α＜０．８５， １．５＜β＜４．０の範囲にある。 （もっと読む）

【課題】より低誘電率を有する絶縁層を形成可能にする絶縁ペーストを提供する。
【解決手段】窒化窒化硼素化合物、ガラス粉末および有機ビヒクルを含むことを特徴とする絶縁ペーストとする。窒化硼素化合物は黒鉛化指数3.5以下の窒化硼素であることが好ましく、ガラス粉末の非誘電率が7以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】
高誘電率と微細なスルホールを有する誘電体層を低温で形成可能にする感光性誘電体ペーストを提供する。
【解決手段】
無機粉末と感光性有機成分からなる感光性ペーストであって、無機粉末が、少なくとも比誘電率が１００以上の誘電体粉末（Ａ）および比誘電率が５０以下で、軟化点が５００〜９００℃の範囲内であるガラス粉末（Ｂ）を含み、該誘電体粉末（Ａ）と該ガラス粉末（Ｂ）との質量比が５５：４５〜８５：１５の範囲内であることを特徴とする感光性誘電体ペースト。 （もっと読む）

【課題】 高い耐熱性と絶縁性を有し、温度変化によっても絶縁皮膜の破断が生じない無機系の絶縁材料で被覆されたモータ用耐熱絶縁コイルを提供する。
【解決手段】 （１）Ｐ酸化物及びＢ酸化物、特にＰ_２Ｏ_５及びＢ_２Ｏ_３、並びに（２）２種類以上のアルカリ金属酸化物、特にＬｉ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ及びＫ_２Ｏから選ばれる金属酸化物を含有し、ガラス転移点における熱膨張率が８〜２３×１０^−６／℃であるガラスからなる絶縁皮膜を有することを特徴とするモータ用耐熱絶縁コイル。 （もっと読む）

組成式：（Ｂｉ_２Ｏ_２）^２＋（Ａ_ｍ−１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋１）^２−、またはＢｉ_２Ａ_ｍ−１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋３で表され、前記組成式中の記号ｍが正数、記号ＡがＮａ、Ｋ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒ、ＣａおよびＢｉから選ばれる少なくとも１つの元素、記号ＢがＦｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｂ、Ｖ、ＭｏおよびＷから選ばれる少なくとも１つの元素である第１ビスマス層状化合物層８ａを有する誘電体薄膜８である。この第１ビスマス層状化合物層８ａと下部電極６との間には、第１ビスマス層状化合物層８ａの組成式よりもビスマスが過剰に含有してある第２ビスマス層状化合物層８ｂが形成してある。
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【課題】 比較的低い融点を有する、高いガラス転移点等を有し耐熱性に優れる、熱膨張率が銅に近い、そして絶縁性も高い、との特性を全て満たす耐熱絶縁被覆用ガラスを提供する。
【解決手段】 （１）Ｐ酸化物及びＢ酸化物、並びに（２）２種類以上のアルカリ金属酸化物を含有し、ガラス転移点における熱膨張率が８〜２３×１０^−６／℃であることを特徴とする耐熱絶縁被覆用ガラス、特にＰ酸化物及びＢ酸化物が、それぞれ、Ｐ_２Ｏ_５及びＢ_２Ｏ_３である耐熱絶縁被覆用ガラス。 （もっと読む）

ｃ軸が基板面に対して垂直に配向しているビスマス層状化合物が、組成式：（Ｂｉ_２Ｏ_２）^２＋（Ａ_ｍ１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋１）^２−、またはＢｉ_２Ａ_ｍ１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋３で表され、前記組成式中の記号ｍが奇数、記号ＡがＮａ、Ｋ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒ、ＣａおよびＢｉから選ばれる少なくとも１つの元素、記号ＢがＦｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｂ、Ｖ、ＭｏおよびＷから選ばれる少なくとも１つの元素であり、前記ビスマス層状化合物のＢｉが、前記組成式：（Ｂｉ_２Ｏ_２）^２＋（Ａ_ｍ−１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋１）^２−、またはＢｉ_２Ａ_ｍ−１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋３に対して、過剰に含有してあり、そのＢｉの過剰含有量が、Ｂｉ換算で、０＜Ｂｉ＜０．６×ｍモルの範囲である。
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【課題】 極大誘電率温度を低下させたビスマス層状化合物誘電体薄膜を提供すること。
【解決手段】 ペロブスカイトブロック層と酸化ビスマス層とが互いに積層した結晶構造を有するビスマス層状化合物を含んで成る誘電体薄膜であって、該ビスマス層状化合物が組成式：
（Ｂｉ_２Ｏ_２）²⁺（Ａ_ｘＢ_ｍＯ_３ｍ＋１）^2-
で表され、上記組成式中、ＡがＮａ、Ｋ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒ、ＣａまたはＢｉを表し、ＢがＦｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｂ、Ｖ、ＭｏまたはＷを表し、ｍが２以上の正数であり、かつ、ｘがｍ−１より小さい正数であり、そして該化合物の極大誘電率温度Ｔ_ｍが、上記組成式においてｘがｍ−１である対応するビスマス層状化合物の極大誘電率温度より低いことを特徴とする誘電体薄膜。 （もっと読む）

【課題】適切な寸法安定性基板のカスタマイゼーションを提供する。
【解決手段】（ａ）無機バインダーの微粉砕粒子、
（ｂ）Ｃ_1-10のアルキルアクリレート、Ｃ_1-10のアルキルメタクリレート、スチレン、置換スチレン、またはそれらの組合せを含む非酸性コモノマー、およびエチレン性不飽和カルボン酸含有部分を含む酸性コモノマーを含む、コポリマー、インターポリマー、またはそれらの混合物を含み、このコポリマー、インターポリマーまたは混合物は、少なくとも１５重量％の酸分を有する有機ポリマーバインダー、 （ｃ）ポリマーバインダーに対する可塑剤の比が、４：２３から７：９の範囲である可塑剤、 （ｄ）光開始剤、 （ｅ）光硬化性モノマー、 （ｆ）有機溶媒 を含む有機組成物であり、 前記組成物は、化学線に像様露光した場合に、０．４〜２．０重量％の塩基を含有する希薄な塩基性水溶液内で現像可能である。 （もっと読む）

【課題】誘電体層が薄い積層セラミックコンデンサであっても直流電圧による静電容量変化の少ない、即ち優れたＤＣバイアス特性を持つ積層セラミックコンデンサを提供することを目的とする。
【解決手段】チタン酸カルシウムが主成分の結晶粒子から構成され、この結晶粒子の中央部分を半導体相、周辺部分を常誘電体相としたセラミック誘電体を用いることにより、静電容量が大きく、かつＤＣバイアス特性に優れた積層セラミックコンデンサを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 ９００℃以下の温度で焼成することができ、かつ抗折強度が高く、カッティングする際のチッピングによる損傷が少ない誘電体セラミック及び積層セラミック基板を得る。
【解決手段】 アルミナ粉末と、ＳｉＯ₂、ＣａＯ及びＭｇＯを主成分として含む結晶性ガラス粉末と、ＳｉＯ₂、Ｂ₂Ｏ₃及びＮａ₂Ｏを主成分として含む非晶質ガラス粉末とを原料とし、これを焼成することにより得られる誘電体セラミックであって、焼成後において、アルミナ結晶相と、ディオプサイド結晶相（Ｃａ（Ｍｇ，Ａｌ）（Ｓｉ，Ａｌ）₂Ｏ₆）と、マグネシアスピネル結晶相（ＭｇＡｌ₂Ｏ₄）とを含み、水銀圧入法により測定される空隙率が２．２％以下であることを特徴としている。 （もっと読む）