【課題】誘電率を高くしながら、tanδを低く抑えた、誘電体セラミック粉末を充填した複合誘電体シートとその利用を提供する。
【解決手段】本発明によれば、一般式（Ｉ）
【化１】


(式中、ｍ及びｎはそれぞれ繰り返し単位中のキノンジイミン構造単位及びフェニレンジアミン構造単位のモル分率を示し、０≦ｍ≦１、０≦ｎ≦１、ｍ+ｎ＝１である。)
を繰り返し単位として有するポリアニリンに誘電体セラミック粉末を分散させてなる複合誘電体が提供される。 （もっと読む）

【課題】高誘電率であり、かつ優れた容量温度特性を有する誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】第１主成分が組成式：（Ｂａ_１−ｘＣａ_ｘ）（Ｔｉ_1−ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（ただし、０．０４≦ｘ≦０．０８，０．０８≦ｙ≦０．１８）で表され、第２主成分が組成式：(Ｂａ_１−ｚＣａ_ｚ)ＴｉＯ_３（ただし、０≦ｚ≦０．０４）で表され、第１主成分と第２主成分との合計１００モルに対し、第１主成分を３０〜６０モル、第２主成分を４０〜７０モル含み、かつ副成分として、各酸化物換算で、ＭｎＯ：０．０５〜０．７５モル、Ｒｅ_２Ｏ_３（ただし、Ｒｅは希土類元素）：０．２５〜１．５０モル、Ｖ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｗからなる群から選ばれる元素の酸化物：０．０２〜０．１５モル、および焼結助剤：０．３〜２．０モルを含む誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】高誘電率であり、かつ優れた容量温度特性を有する誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】主成分が組成式：（Ｂａ_{１−ｘ−ｙ}Ｙ_ｘＣａ_ｙ）_ａＴｉＯ_２＋ａ（ただし、０．００２≦ｘ≦０．０１０、０．０２≦ｙ≦０．１０、０．９９５≦ａ≦１．００５）で表され、主成分１００モルに対し、副成分として、各酸化物または複合酸化物換算で、ＢａＺｒＯ_３：２〜１２モル、ＭｎＯ：０．０５〜１．５０モル、Ｒｅ_２Ｏ_３（ただし、Ｒｅは希土類元素）：０．２５〜１．５０モル、Ｖ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｗからなる群から選ばれる元素の酸化物：０．０１〜０．１５モル、および焼結助剤：０．５〜３．０モル、を含む誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】低誘電率、高品質係数、絶対値の小さい温度係数を有する誘電体磁器組成物の提供。
【解決手段】一般式、α（４３ＺｎＮｂ_２Ｏ_６・３５ＣａＴｉＯ_３・２２ＣａＯ）・β（ａＳｉＯ_２・ｂＡｌ_２Ｏ_３・ｃＢ_２Ｏ_３・ｄＺｎＯ）・γＭｇ_２ＳｉＯ_４
（式中、３０≦α≦４０、３５≦β≦４５、２０≦γ≦３０、且つα＋β＋γ＝１００であり、また５０≦ａ≦７０、１０≦ｂ≦２０、１０≦ｃ≦２０、５≦ｄ≦１５、且つａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００である）で表される誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】常誘電性を有するとともに、比誘電率が２５０以上で、測定周波数１００Ｈｚ温度１００℃における誘電損失が１％以下の誘電体磁器及び電子部品を提供する。
【解決手段】金属元素としてＢａ、又はＳｒ及びＢａと、Ｔｉ、Ｎｂ及びＺｎとを含有するとともに、モル比による組成式を（Ｓｒ_１−ｘＢａ_ｘ）（Ｔｉ_１−ｙＮｂ_２／３ｙＺｎ_１／３ｙ）Ｏ_３と表したとき、ｙ≦０．３１４ｘ＋０．０１６で、かつ０＜ｘ≦１、ｙ≧０．０５の条件式を満足することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率かつ安定な比誘電率の温度特性を示す誘電体磁器と、それを用いたコンデンサを提供する。
【解決手段】 チタン酸バリウムを主成分とする結晶粒子を有し、マグネシウム、イットリウム、マンガン、ニオブ、珪素およびホウ素を酸化物換算で所定の割合で含有するとともに、結晶粒子の平均粒径を０．０５〜０．２５μｍとすることにより、結晶粒子の結晶構造が立方晶系を主体とするものとなり、従来の強誘電性を有する誘電体磁器よりも比誘電率の温度変化率が小さく、また、従来の常誘電性を有する誘電体磁器に比較して高誘電率であり、かつ安定な比誘電率の温度特性を示すとともに、自発分極の小さい誘電体磁器を得ることができる。また、上記誘電体磁器を誘電体層として適用することにより、従来のコンデンサよりも高容量かつ容量温度特性の安定なコンデンサを形成できる。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率かつ安定な比誘電率の温度特性を示す誘電体磁器と、それを用いたコンデンサを提供する。
【解決手段】 チタン酸バリウムを主成分とする結晶粒子を有し、マグネシウム、イットリウム、マンガン、ニオブ、珪素およびリチウムを酸化物換算で所定の割合で含有するとともに、結晶粒子の平均粒径を０．０５〜０．２５μｍとすることにより、結晶粒子の結晶構造が立方晶系を主体とするものとなり、従来の強誘電性を有する誘電体磁器よりも比誘電率の温度変化率が小さく、また、従来の常誘電性を有する誘電体磁器に比較して高誘電率であり、かつ安定な比誘電率の温度特性を示すとともに、自発分極の小さい誘電体磁器を得ることができる。また、上記誘電体磁器を誘電体層として適用することにより、従来のコンデンサよりも高容量かつ容量温度特性の安定なコンデンサを形成できる。 （もっと読む）

【課題】高誘電率であり、かつ優れた容量温度特性を有する誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】主成分が組成式：（Ｂａ_１−ｘＹ_ｘ）_ａＴｉＯ_２＋ａ（ただし、０．００２≦ｘ≦０．０１０、０．９９５≦ａ≦１．００５）で表され、主成分１００モルに対し、副成分として、各酸化物または複合酸化物換算で、ＢａＺｒＯ_３：３〜１５モル、ＭｎＯ：０.０５〜１．００モル、Ｒｅ_２Ｏ_３（ただし、Ｒｅは希土類元素）：０.２５〜１．５０モル、Ｖ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｗからなる群から選ばれる元素の酸化物：０.０１〜０．１５モル、および（Ｂａ_１−ｚＣａ_ｚ）ＳｉＯ_３（ただし、ｚは０．０５〜１．００）：０．５〜３．０モル、を含む誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】高誘電率であり、かつ優れた容量温度特性を有する誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】主成分が組成式：（Ｂａ_１−ｘＣａ_ｘ）_ａＴｉＯ_２＋ａ（ただし、０．０２≦ｘ≦０．１０、０．９９５＜ａ≦１．００５）で表され、主成分１００モルに対し、副成分として、各酸化物または複合酸化物換算で、ＢａＺｒＯ_３：２．０〜１０．０モル、ＭｎＯ：０.０５〜１．００モル、Ｒｅ_２Ｏ_３（ただし、Ｒｅは希土類元素）：０.２５〜１．５０モル、Ｖ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｗからなる群から選ばれる元素の酸化物：０.０１〜０．１０モル、および焼結助剤：０．５〜３．０モル、を含む誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】 積層セラミックコンデンサに用いられる誘電体セラミック材料であって、１１００℃以下の温度にてＮｉ内部電極と共焼成可能であり、かつ、１５０℃の高温における抵抗率が高い誘電体セラミック組成物を提供する。
【解決手段】 組成式（Ｋ_1-xＮａ_x）Ｓｒ₂Ｎｂ₅Ｏ₁₅（但し、０≦ｘ＜０．２）で表されるタングステンブロンズ型複合酸化物を主成分とし、上記主成分１００モル部に対して０.０５〜２０モル部のＭｎと、０.２５〜３０モル部のＬｉとを、副成分として含む誘電体セラミック組成物を用いる。 （もっと読む）

【課題】比誘電率が高く、絶縁抵抗の加速寿命に優れ、定格電圧の高い（たとえば１００Ｖ以上）中高圧用途に好適に用いることができる誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】チタン酸バリウムを含む主成分と、ＢａＺｒＯ_３ を含む第１副成分と、Ｍｇの酸化物を含む第２副成分と、Ｒの酸化物（ただし、Ｒは、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、等から選択される）を含む第３副成分と、Ｍｎ、Ｃｒ、等から選択される元素の酸化物を含む第４副成分と、Ｓｉ、Ｌｉ、等から選択される元素の酸化物を含む第５副成分と、Ｖ、ＮｂおよびＴａから選択される元素の酸化物を含む第６副成分と、を有し、前記主成分１００モルに対する、比率が、第１副成分：９〜１３モル、第２副成分：２．７〜５．７モル、第３副成分：４．５〜５．５モル、第４副成分：０．５〜１．５モル、第５副成分：３．０〜３．９モル、第６副成分：０．０３〜０．３モルである誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率かつ安定な比誘電率の温度特性を示す誘電体磁器と、それを用いたコンデンサを提供する。
【解決手段】 チタン酸バリウムを主成分とする結晶粒子を有し、マグネシウム、イットリウム、マンガンおよびニオブを酸化物換算で所定の割合で含有するとともに、結晶粒子の平均粒径を０．０５〜０．２μｍとすることにより、従来の強誘電性を有する誘電体磁器よりも比誘電率の温度変化率が小さく、また、従来の常誘電性を有する誘電体磁器に比較して高誘電率であり、かつ安定な比誘電率の温度特性を示すとともに、自発分極の小さい誘電体磁器を得ることができる。また、上記誘電体磁器を誘電体層として適用することにより、従来のコンデンサよりも高容量かつ容量温度特性の安定なコンデンサを形成できる。 （もっと読む）

【課題】低温で焼成可能、十分な誘電特性を有する誘電体磁器組成物及びそれを用いたセラミック電子部品の提供。
【解決手段】誘電体磁器組成物は、ａＢｉ_２Ｏ_３−ｂＺｎＯ−ｃＴａ_２Ｏ_５−ｄＮｂ_２Ｏ_５−ｅＺｒＯ_２（ただし、ａ、ｂ、ｃ、ｄ及びｅはモル比を示す。）との組成式で表記され、３９．５≦ａ≦４２．５、１８．５≦ｂ≦２８．０、０≦ｃ≦２８、０≦ｄ≦２８、０＜ｅ≦２３で示され、また、酸化ビスマス、酸化亜鉛、酸化タンタル、酸化ニオブ及び酸化ジルコニアよりなる組成物を、ｘＢｉ_２（Ｚｎ_１／３Ｔａ_２／３）_２Ｏ_７−ｙＢｉ_２（Ｚｎ_１／３Ｎｂ_２／３）_２Ｏ_７−ｚＢｉ_２Ｚｒ_２Ｏ_７（ただし、ｘ、ｙ及びｚはモル比を示す。）と表し、前記ｘ、ｙ及びｚの各々の相関を三角図を用いて示した場合に、特定の領域にあり、セラミック電子部品は、前記誘電体磁器組成物を焼成してなるセラミック基体と、その内部及び／又は表面に設けられた未焼成導体層が誘電体磁気組成物と同時焼成されてなる導体層とを備える。 （もっと読む）

【課題】リーク電流が小さくフォトリソグラフィーによりキャパシタ用の層間絶縁膜を容易にパターン形成できる感光性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】分散液と樹脂溶液とが混合された感光性樹脂組成物であって、分散液が（ａ）平均粒子径が０．０６μｍ以上０．４μｍ以下であるペロブスカイト型結晶構造あるいは複合ペロブスカイト型結晶構造を有する高誘電率無機粒子、（ｂ）リン酸化合物、（ｃ）有機溶剤を混合し、分散メディアとして金属、セラミックス、ガラスのいずれかの種類から選択される平均粒子径０．０２ｍｍ以上０．１ｍｍ以下のビーズを用いて、前記無機粒子を分散させて得られるものであり、樹脂溶液が（ｄ）ポリイミドと（ｅ）不飽和結合含有重合性化合物を有している感光性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】低温で焼結させることが可能であるとともに、収縮抑制工法により、平面方向の収縮を抑制しつつ焼成する工程を経て製造されるセラミック基板などの電子部品の原料として用いるのに適した低温焼結セラミック組成物を提供する。
【解決手段】(ａ)含有率が、７５重量％を超え、９５重量％以下である、１０００℃以下で焼結する、ガラスを含まないセラミック材料と、(ｂ)含有率が５重量％以上で、２５重量％未満のホウケイ酸ガラスとを含有し、１０００℃以下の焼成温度で焼成される低温焼結セラミック組成物において、ホウケイ酸ガラスとして、焼成温度より５０〜１５０℃低い軟化点を有するものを用いる。
本願発明の低温焼結セラミック組成物を主成分とする基板用グリーン層１ａと、収縮抑制層３１とを備えるグリーン積層体３２を形成し、低温焼結セラミック組成物は焼結するが、収縮抑制層３１は実質的に焼成しない焼成温度で焼成する。 （もっと読む）

【課題】比誘電率の焼成温度依存性が抑制され、かつ機械的強度を向上することのできる誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】図１に示すＺｒＯ_２、ＳｎＯ_２及びＴｉＯ_２の三元組成図において、点Ａ、点Ｂ、点Ｃ、点Ｄ、点Ｅ、点Ｆで囲まれる領域の組成を主成分とし、この主成分に対して、ＺｎＯ：０．５〜５ｗｔ％、ＮｉＯ：０．１〜３ｗｔ％、ＳｉＯ_２：０．００８〜１．５ｗｔ％を含有することを特徴とする誘電体磁器組成物。前記主成分に対して、Ｎｂ_２Ｏ_５：０．２ｗｔ％以下、Ｋ_２Ｏ：０．０３５ｗｔ％以下含有することができる。 （もっと読む）

【課題】比誘電率の焼成温度依存性が抑制され、かつ機械的強度を向上することのできる誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】図１に示すＺｒＯ_２，ＳｎＯ_２及びＴｉＯ_２の三元組成図において、点Ａ、点Ｂ、点Ｃ、点Ｄ、点Ｅ、点Ｆで囲まれる領域の組成を主成分とし、この主成分に対する副成分として、ＺｎＯ：０．５〜５ｗｔ％、ＮｉＯ：０．１〜３ｗｔ％、ＳｉＯ_２：０．００８〜１．５ｗｔ％を含有する誘電体磁器組成物であって、主成分の原料粉末に対して、副成分を、ＺｎＯ粉末、ＮｉＯ粉末及びＳｉＯ_２粉末として添加して得る。 （もっと読む）

高い比誘電率値を有するナノ結晶性またはナノ粒子性の金属酸化物または金属炭酸塩を含有する誘電材料を提供する。詳細には、この誘電材料は、図３に示すように、ＤＣ限界に近い低周波数において、高い比誘電率値を示す。またこの誘電材料は、低い誘電体損失係数および高い電圧破壊限界を示し、そのため、コンデンサ、特に高エネルギー密度コンデンサに用いるのに適する。 （もっと読む）

【課題】１５以上の高い比誘電率と、０．３％以下の低い誘電損失とを有し、また、ガラス移転点（Ｔｇ）も低くて、高周波回路素子、ディスプレイ等の電子回路用基板や誘電材料の形成に好適に適用できるガラスを提供すること。
【解決手段】酸化物基準の質量％で、Ｂｉ_２Ｏ_３を２０〜９０％含有するガラスであって、１ＭＨｚでの比誘電率が１５以上で、誘電損失が０．３％以下である。また、好ましくは、ガラス転移点（Ｔｇ）が５００℃以下である。 （もっと読む）

純粋な成分Ａ及びＢの２つの相の混合物を含むセラミックの混合システムが、提案される。相Ａは、Ｂｉ_３ＮｂＯ_７の立方晶−正方晶変態をベースとし、相Ｂは、Ｂｉ_２（Ｚｎ_２／３Ｎｂ_４／３）Ｏ_７の単斜晶パイロクロア変態をベースとする。これからなるセラミック体の電気的特性は、コンデンサ及びインダクタが集積化された多層構造を有する部品に適した材料をなす。これは、データ処理又は信号処理に使用され得る。 （もっと読む）