誘電体磁器組成物および電子部品
【課題】高誘電率であり、かつ優れた容量温度特性を有する誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】第１主成分が組成式：（Ｂａ１−ｘＣａｘ）（Ｔｉ1−ｙＺｒｙ）Ｏ３（ただし、０．０４≦ｘ≦０．０８，０．０８≦ｙ≦０．１８）で表され、第２主成分が組成式：(Ｂａ１−ｚＣａｚ)ＴｉＯ３（ただし、０≦ｚ≦０．０４）で表され、第１主成分と第２主成分との合計１００モルに対し、第１主成分を３０〜６０モル、第２主成分を４０〜７０モル含み、かつ副成分として、各酸化物換算で、ＭｎＯ：０．０５〜０．７５モル、Ｒｅ２Ｏ３（ただし、Ｒｅは希土類元素）：０．２５〜１．５０モル、Ｖ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｗからなる群から選ばれる元素の酸化物：０．０２〜０．１５モル、および焼結助剤：０．３〜２．０モルを含む誘電体磁器組成物。
【解決手段】第１主成分が組成式：（Ｂａ１−ｘＣａｘ）（Ｔｉ1−ｙＺｒｙ）Ｏ３（ただし、０．０４≦ｘ≦０．０８，０．０８≦ｙ≦０．１８）で表され、第２主成分が組成式：(Ｂａ１−ｚＣａｚ)ＴｉＯ３（ただし、０≦ｚ≦０．０４）で表され、第１主成分と第２主成分との合計１００モルに対し、第１主成分を３０〜６０モル、第２主成分を４０〜７０モル含み、かつ副成分として、各酸化物換算で、ＭｎＯ：０．０５〜０．７５モル、Ｒｅ２Ｏ３（ただし、Ｒｅは希土類元素）：０．２５〜１．５０モル、Ｖ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｗからなる群から選ばれる元素の酸化物：０．０２〜０．１５モル、および焼結助剤：０．３〜２．０モルを含む誘電体磁器組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、たとえば積層セラミックコンデンサの誘電体層などとして用いられる誘電体磁器組成物と、その誘電体磁器組成物を誘電体層として用いる電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品の一例である積層セラミックコンデンサは、たとえば、所定の誘電体磁器組成物からなるセラミックグリーンシートと、所定パターンの内部電極層とを交互に重ね、その後一体化して得られるグリーンチップを、焼成して製造される。積層セラミックコンデンサの誘電体層の形成に使用される誘電体材料には、小型・高容量化の為に、高い比誘電率が要求されるのはもちろんのこと、誘電損失が小さく、誘電特性の温度に対する依存性（温度依存性）や直流電圧に対する依存性（ＤＣバイアス依存性）が小さい等の種々の特性が要求される。
【０００３】
このような誘電体磁器組成物として、たとえば特許文献１には、「Ａサイトの一部がＣａで置換されたペロブスカイト型チタン酸バリウム結晶粒子（ＢＣＴ型結晶粒子）と、置換Ｃａを含有していないペロブスカイト型チタン酸バリウム結晶粒子（ＢＴ型結晶粒子）とを有する誘電体磁器であって、前記ＢＴ型結晶粒子表面に、アルカリ土類元素、希土類元素及びＳｉを含有する複合酸化物からなる被覆層が形成されていることを特徴とする誘電体磁器」が開示されている。
【０００４】
上記特許文献１の誘電体磁器では、比誘電率が２０００以上で、比誘電率の温度特性が±１０％以内で、かつ２Ｖ／μｍのＤＣバイアス印加による比誘電率の変化率が２０％以内であるという特性が達成されている。
【特許文献１】特開２００３−４０６７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年の電子機器の小型化、高機能化および高性能化の進展により、積層セラミックコンデンサはより小型でより大容量のものへとの要望が増大する一途である。これに対しては誘電体材料の改良だけでなく、誘電体層の厚みを薄くして積層数を増やすことや、マージンを出来るだけ小さくすることにより電極面積を大きくするという対策が採用されることが多いが、誘電体磁器組成物の絶縁抵抗の経時劣化など信頼性に対する難点は、薄層化を困難にしている。その上、小型化、高機能化は電子回路を高密度化させるので、使用時の発熱による温度上昇も大きくなり、さらに携帯機器など屋外での使用機会の増大もあって、温度変化に対する特性の変化が小さいことも従来以上に厳しく要求されている。従来の材料では、信頼性の低下（絶縁劣化）、また、ＤＣバイアス電圧による容量の低下が問題となっていた。このため、薄層化による高電界強度に耐えられ、ＤＣバイアス特性に影響のある層厚を増加できる程度の比誘電率を有する誘電体材料を開発する必要があった。しかしながら、上記のように、特許文献１の誘電体磁器組成物では、比誘電率や容量温度特性（温度変化に対する特性）等の諸特性は改善されてはいるものの、比誘電率が最高でも３０００程度と低く、上記要請に十分に応えうるものではなかった。また、特に高い電界強度下で使用した際の、静電容量と絶縁抵抗との積（ＣＲ積）およびＩＲ寿命が必ずしも十分ではなく、なお改善が要望される。
【０００６】
本発明は、以上のような従来技術の問題点を解決するために提案されたものであり、その目的は、層厚１〜５μｍにおいて比誘電率が５０００以上を示し、高い電界強度（４Ｖ／μｍ）で使用した時、静電容量と絶縁抵抗との積（ＣＲ積）が２０℃で４０００Ω・Ｆ以上で、１８０℃で１８Ｖ／μｍになるように電圧を印加した加速寿命試験において絶縁抵抗が１０５Ωに達するまでの時間が１０時間以上と長く、また、耐圧が７０Ｖ／μｍ以上、２Ｖ／μｍの印加時における静電容量の低下率が６０％以下であり、しかもＮｉ等の卑金属を内部電極に有する積層セラミックコンデンサ用として好適に用いることができる還元雰囲気焼成可能な誘電体磁気組成物を提供することにある。また、静電容量の温度特性がＥＩＡ規格で規定するＸ６Ｓ特性を満足する信頼性の高い積層セラミックコンデンサなどの電子部品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者等は、上記目的を達成するために、鋭意検討を行った結果、特定組成の誘電体磁器組成物を用いることにより、上記目的を達成できることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００８】
すなわち、上記課題を解決する本発明は、下記事項を要旨として含む。
【０００９】
（１）第１主成分が組成式：（Ｂａ１−ｘＣａｘ）（Ｔｉ1−ｙＺｒｙ）Ｏ３（ただし、０．０４≦ｘ≦０．０８，０．０８≦ｙ≦０．１８）で表され、第２主成分が組成式：(Ｂａ１−ｚＣａｚ)ＴｉＯ３（ただし、０≦ｚ≦０．０４）で表され、第１主成分と第２主成分との合計１００モルに対し、
第１主成分を３０〜６０モル、第２主成分を４０〜７０モル含み、かつ
副成分として、各酸化物換算で、
ＭｎＯ：０．０５〜０．７５モル、
Ｒｅ２Ｏ３（ただし、Ｒｅは希土類元素）：０．２５〜１．５０モル、
Ｖ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｗからなる群から選ばれる元素の酸化物：０．０２〜０．１５モル、および
焼結助剤：０．３〜２．０モル、
を含む誘電体磁器組成物。
【００１０】
（２）前記焼結助剤が、ＳｉＯ２を含む（１）に記載の誘電体磁器組成物。
【００１１】
（３）上記（１）または（２）に記載の誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層と、内部電極層とを有する電子部品。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の誘電体磁器組成物によれば、層厚１〜５μｍとした場合でも、ＣＲ積、ＩＲ寿命、耐圧、ＤＣバイアス特性および容量温度特性を良好に保ちながら、高い比誘電率（たとえば、５０００以上）を実現することができる。また、本発明の誘電体磁器組成物は、高い電界強度（４Ｖ／μｍ）で使用した場合であっても、上記諸特性を維持する。さらに、本発明の誘電体磁器組成物によれば、容量温度特性がＥＩＡ規格で規定するＸ６Ｓ特性を満足しながら、高い比誘電率を実現することができる。
【００１３】
したがって、上記誘電体磁器組成物から構成される誘電体層を有する電子部品、特に積層セラミックコンデンサでは、誘電体の優れた容量温度特性により、厳しい使用環境下においても、高い信頼性が保証される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づき説明する。
図１は本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの断面図、
図２は本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの製造工程を示すフローチャートである。
【００１５】
図１に示すように、本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１は、誘電体層２と内部電極層３とが交互に積層された構成のコンデンサ素子本体１０を有する。このコンデンサ素子本体１０の両端部には、素子本体１０の内部で交互に配置された内部電極層３と各々導通する一対の外部電極４が形成してある。コンデンサ素子本体１０の形状に特に制限はないが、通常、直方体状とされる。また、その寸法にも特に制限はなく、用途に応じて適当な寸法とすればよい。
【００１６】
内部電極層３は、各端面がコンデンサ素子本体１０の対向する２端部の表面に交互に露出するように積層してある。一対の外部電極４は、コンデンサ素子本体１０の両端部に形成され、交互に配置された内部電極層３の露出端面に接続されて、コンデンサ回路を構成する。
【００１７】
誘電体層２は、本発明の誘電体磁器組成物を含有する。
本発明の誘電体磁器組成物は、（Ｂａ１−ｘＣａｘ）（Ｔｉ1−ｙＺｒｙ）Ｏ３で表される組成の第１主成分と、 (Ｂａ１−ｚＣａｚ)ＴｉＯ３で表される組成の第２主成分とを含み、かつ副成分として、ＭｎＯ、希土類酸化物（Ｒｅ２Ｏ３）、Ｖ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｗからなる群から選ばれる元素の酸化物、および焼結助剤と、を含有している。この際、酸素（Ｏ）量は、上記式の化学量論組成から若干偏倚してもよい。
【００１８】
上記第１主成分は、室温での比誘電率を上げる作用がある。上記の組成式中、ｘは、０．０４〜０．０８、好ましくは０．０４〜０．０６である。また、ｙは、０．０８〜０．１８、好ましくは０．０８〜０．１５である。
【００１９】
上記組成式において、ｘはＢａに対するＣａの置換量を表す。ｘが上記範囲であれば、誘電体の比誘電率、ＣＲ積、加速寿命の向上がみられるが、ｘが０．０８を超えると、粒成長を起こし易くなり容量の温度特性を低下させてしまうとともに、ＤＣバイアス特性を悪化させてしまうことがある。
【００２０】
また、上記組成式において、ｙはＴｉに対するＺｒの置換量を表す。ｙが上記範囲であれば、誘電体の比誘電率、ＣＲ積、加速寿命の向上がみられるが、ｙが０．１８を超えると、容量の温度特性の低下させてしまうことがある。
【００２１】
さらに、上記第１主成分においては、ＢａとＣａとの合計モル数［Ｂａ＋Ｃａ］と、ＴｉとＺｒの合計モル数［Ｔｉ＋Ｚｒ］との比、［Ｂａ＋Ｃａ］／［Ｔｉ＋Ｚｒ］が、好ましくは０．９９５〜１．０１０、さらに好ましくは約１．０００であること望ましい。［Ｂａ＋Ｃａ］／［Ｔｉ＋Ｚｒ］が０．９９５未満になると、焼成時に誘電体層の異常粒成長が生じ易くなると共に、容量温度特性およびＤＣバイアス特性が悪化する傾向にあり、１．００５を超えると焼結性が低下し、焼成温度が高くなる傾向にあり、構造欠陥（デラミネーションやクラック）の原因となることがある。
【００２２】
上記第２主成分は、容量温度特性を平坦化する作用がある。上記の組成式中、ｚは、０〜０．０４、好ましくは０〜０．０３である。
【００２３】
上記組成式において、ｚはＢａに対するＣａの置換量を表す。ｚが上記範囲であれば、誘電体の比誘電率、ＣＲ積、加速寿命の向上がみられるが、ｚが０．０４を超えると、粒成長を起こし易くなり容量の温度特性を低下させてしまうとともに、ＤＣバイアス特性を悪化させてしまうことがある。
【００２４】
さらに、上記第２主成分においては、ＢａとＣａとの合計モル数［Ｂａ＋Ｃａ］と、Ｔｉのモル数［Ｔｉ］との比、［Ｂａ＋Ｃａ］／［Ｔｉ］が、好ましくは０．９９５〜１．０１０、さらに好ましくは約１．０００であること望ましい。［Ｂａ＋Ｃａ］／［Ｔｉ］が０．９９５未満になると、焼成時に誘電体層の異常粒成長が生じ易くなると共に、容量温度特性およびＤＣバイアス特性が悪化する傾向にあり、１．００５を超えると焼結性が低下し、焼成温度が高くなる傾向にあり、構造欠陥（デラミネーションやクラック）の原因となることがある。
【００２５】
本発明の誘電体磁器組成物は、上記第１主成分と第２主成分との合計１００モルに対し、第１主成分を３０〜６０モル、好ましくは４０〜６０モル、第２主成分を４０〜７０モル、好ましくは４０〜６０モル含む。第１主成分と第２主成分との配合量が上記範囲を外れると、比誘電率（５０００以上）や容量温度特性（Ｘ６Ｓ）などの目標物性が満足されない。
【００２６】
なお、本発明の誘電体磁器組成物においては、上記第１主成分と第２主成分とは、部分的に固溶相を形成することがあるが、それぞれの成分に固有の結晶相がほぼ維持され、Ｘ線回折分析等により確認される。
【００２７】
本発明に係る誘電体磁器組成物には、副成分として、ＭｎＯ、希土類酸化物（Ｒｅ２Ｏ３）、Ｖ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｗからなる群から選ばれる元素の酸化物、および焼結助剤が含まれる。
【００２８】
ＭｎＯは、焼結を促進する効果と、絶縁抵抗ＩＲを高くする効果と、ＩＲ寿命を向上させる効果とがあり、主成分１００モルに対して、ＭｎＯ換算で、０．０５０〜０．７５０モル、好ましくは０．１００〜０．６００モル、より好ましくは０．１５０〜０．５００モルの量で含まれる。ＭｎＯの含有量が０．０５０モル未満では、ＣＲ積およびＩＲ寿命が低下する。また、ＭｎＯの含有量が０．７５０モルを超えると、比誘電率が低下する傾向にある。
【００２９】
希土類酸化物（Ｒｅ２Ｏ３）は、特に限定はされず、種々の希土類元素の酸化物であってもよいが、好ましくは、Ｙ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、ＴｍまたはＹｂの各元素の少なくとも１種の酸化物であることが好ましく、より好ましくは、Ｙ、Ｇｄ、ＥｒまたはＨｏの各元素の少なくとも１種の酸化物である。これら希土類元素は１種単独で使用しても、また組み合わせて使用してもよく、同様の効果が得られる。希土類酸化物は、主成分１００モルに対して、Ｒｅ２Ｏ３換算で、０．２５〜１．５０モル、好ましくは０．２５〜１．２５モル、より好ましくは０．３０〜１．００モルの量で含まれる。希土類元素の酸化物の含有量が０．２５モル未満では、ＩＲ寿命が低下してしまう。また、希土類酸化物の含有量が１．５０モルを超えると焼結性が低下し、焼成温度が高くなる傾向にあり、また十分な比誘電率を得ることが困難になる。
【００３０】
Ｖ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｗからなる群から選ばれる元素の酸化物は、ＩＲ寿命を向上させる効果がある。これら酸化物の中でも、Ｖの酸化物、特にＶ２Ｏ５が好ましく用いられる。Ｖ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｗの酸化物は、主成分１００モルに対して、それぞれＶ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、ＭｏＯ３、Ｎｂ２Ｏ５、ＷＯ３換算で、０．０２〜０．１５モル、好ましくは０．０３〜０．１２モル、より好ましくは０．０４〜０．１０モルの量で含まれる。これら酸化物の含有量が０．０２モル未満では、容量温度特性（Ｘ６Ｓ）が満足されない。また、これらの酸化物の含有量が０．１５モルを超えると、絶縁抵抗が大きく低下する傾向にある。
【００３１】
本発明の誘電体磁器組成物に含有させる焼結助剤としては、焼結助剤として作用する種々の化合物を用いることができる。このような化合物としては、たとえば、ＳｉＯ２、ＭＯ（但し、Ｍは、Ｂａ、Ｃａ、ＳｒおよびＭｇから選ばれる少なくとも１種の元素）、Ｌｉ２ＯおよびＢ２Ｏ３などが挙げられる。またＳｉＯ２、ＢａＯおよびＣａＯの複合酸化物である化合物、すなわち、組成式（Ｂａ１−ｚＣａｚ）ＳｉＯ３で表される化合物を用いることもできる。本発明では、これら焼結助剤の中でも、特にＳｉＯ２を含むものが好ましい。焼結助剤は、主成分１００モルに対して、０．３〜２．０モル、好ましくは０．５〜２．０モル、より好ましくは０．７５〜１．７５モルの量で含まれる。焼結助剤の含有量が０．３モル未満では、誘電体磁気組成物の焼結が不十分となってしまい、比誘電率が低下すると共に、ＣＲ積、絶縁抵抗およびＩＲ寿命が大きく低下する傾向にある。一方、焼結助剤の含有量が３．０モルを超えると、比誘電率が低下する。
【００３２】
また、本発明の目的を達成できる範囲において、その他の副成分を添加してもよい。
添加してもよい副成分の一例としては、ＭｇＯが挙げられる。ＭｇＯは、容量温度特性を平坦化させる効果がある。ＭｇＯを添加する場合には、前記主成分１００モルに対して、０．５０モル以下、好ましくは０．０３〜０．３０モル、より好ましくは０．０５〜０．２５モルの量で用いられる。ただし、本発明の誘電体磁器組成物においては、ＭｇＯの含有量が多すぎると、逆に容量温度特性が悪化してしまうため、その添加量は０．５０モル以下とすることが好ましい。
【００３３】
なお、本明細書では、主成分および各副成分を構成する各酸化物または複合酸化物を化学量論組成で表しているが、各酸化物または複合酸化物の酸化状態は、化学量論組成から外れるものであってもよい。ただし、各副成分の上記比率は、各副成分を構成する酸化物または複合酸化物に含有される金属量から上記化学量論組成の酸化物または複合酸化物に換算して求める。
【００３４】
誘電体層２の厚さは、特に限定されないが、一層あたり５μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは３μｍ以下である。厚さの下限は、特に限定されないが、たとえば１μｍ程度である。本発明の誘電体磁器組成物によれば、層厚１μｍ以上で比誘電率が５０００以上を示し、高い電界強度下（４Ｖ/μｍ）での容量抵抗積が２０℃で４０００Ω・Ｆ以上で耐圧も７０Ｖ／μｍ以上と極めて高く、２Ｖ／μｍの印加における静電容量の低下率が６０％以下で、１８０℃で１８Ｖ／μｍになるように電圧を印加した加速寿命試験での絶縁抵抗の劣化に至るまでの時間が１０時間以上である誘電体層を形成することができる。
【００３５】
誘電体層２の積層数は、特に限定されないが、２００以上であることが好ましく、より好ましくは４００以上である。
【００３６】
誘電体層２に含まれる誘電体粒子の平均結晶粒径は、特に限定されず、誘電体層２の厚さなどに応じて、例えば１．０〜５．０μｍの範囲から適宜決定すればよく、好ましくは２．０〜３．０μｍである。なお、誘電体層中に含まれる誘電体粒子の平均結晶粒径は、次のように測定される。まず、得られたコンデンサ試料を内部電極に垂直な面で切断し、その切断面を研磨する。そして、その研磨面にケミカルエッチングを施し、その後、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察を行い、コード法により誘電体粒子の形状を球と仮定して算出する。
【００３７】
内部電極層３に含有される導電材は特に限定されないが、誘電体層２の構成材料が耐還元性を有するため、卑金属を用いることができる。導電材として用いる卑金属としては、ＮｉまたはＮｉ合金が好ましい。Ｎｉ合金としては、Ｍｎ，Ｃｒ，ＣｏおよびＡｌから選択される１種以上の元素とＮｉとの合金が好ましく、合金中のＮｉ含有量は９５重量％以上であることが好ましい。
【００３８】
外部電極４に含有される導電材は特に限定されないが、本発明では安価なＮｉ，Ｃｕや、これらの合金を用いることができる。外部電極４の厚さは用途等に応じて適宜決定されればよいが、通常、１０〜５０μｍ程度であることが好ましい。
【００３９】
本発明の誘電体磁器組成物を用いた積層セラミックコンデンサは、従来の積層セラミックコンデンサと同様に、ペーストを用いた通常の印刷法やシート法によりグリーンチップを作製し、これを焼成した後、外部電極を印刷または転写して焼成することにより製造される。以下、製造方法について具体的に説明する。
【００４０】
まず、誘電体層用ペーストに含まれる誘電体磁器組成物粉末を準備する。
図２に示すように、主成分の原料と副成分の原料とを、ボールミル等により混合し、誘電体磁器組成物粉末を得る。
【００４１】
主成分の原料としては、上記の第１主成分および第２主成分を用いる。この主成分の原料の製造方法としては特に制限されず、共沈法、ゾル・ゲル法、アルカリ加水分解法、沈殿混合法などにより得た沈殿物と副成分原料との混合物を仮焼してもよい。
【００４２】
副成分の原料としては、上記した酸化物やその混合物、複合酸化物を用いることができるが、その他、焼成により上記した酸化物や複合酸化物となる各種化合物、例えば、炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物等から適宜選択し、混合して用いることもできる。
【００４３】
上記の誘電体磁器組成物粉末の製造方法は、特に限定されず、上記した方法以外の方法として、主成分の原料を製造する際に、主成分の出発原料に副成分原料を混合しておき、固相法や液相法などにより主成分の原料を製造すると同時に誘電体磁器組成物粉末を得ても良い。
【００４４】
得られる誘電体磁器組成物粉末中の各化合物の含有量は、焼成後に上記した誘電体磁器組成物の組成となるように決定すればよい。
【００４５】
第１主成分および第２主成分の平均粒径は、塗料化する前の状態で、好ましくは０．０５〜１．０μｍ、より好ましくは０．０５〜０．５０μｍであり、また副成分原料の平均粒径は、好ましくは０．０５〜０．２０μｍ、より好ましくは０．０５〜０．１５μｍである。このような粒径の主成分原料および副成分原料を混合することで、焼成時に均一な焼結が行われるため、クラックまたはデラミネーションを生じ難くなり、素子の耐熱性の向上にも効果がある。
【００４６】
また、誘電体磁器組成物粉末の粒度分布の下限値を好ましくは０．０５μｍ以上、さらに好ましくは０．０５〜０．１０μｍにすることで異常粒成長を抑制し、容量の温度特性の悪化を防止することができる。上記のような誘電体磁器組成物粉末によれば、粒度分布がシャープであるため、薄層に適したグリーンシートを作製でき、層厚を１〜５μｍと薄層化した場合においても、安定した電気特性が得られる。
【００４７】
なお、原料粉体の平均粒径および粒度分布は、粉末を３００００倍のＳＥＭ写真で撮影し、その中で任意の１０００個の粒子の面積を算出し、それを球に見立てた場合の直径を計算し、得られた直径から平均粒径および粒度分布を決定する。
【００４８】
上記の主成分および副成分の原料は、さらに仮焼などを行っても良い。なお、仮焼条件としては、たとえば、仮焼温度を、好ましくは８００〜１１００℃、仮焼き時間を、好ましくは１〜４時間とすれば良い。
【００４９】
図２に示すように、得られた誘電体磁器組成物粉末を塗料化して、誘電体層用ペーストを調製する。誘電体層用ペーストは、誘電体磁器組成物粉末と有機ビヒクルとを混練した有機系の塗料であってもよく、水系の塗料であってもよい。
【００５０】
有機ビヒクルとは、バインダを有機溶剤中に溶解したものである。有機ビヒクルに用いるバインダは特に限定されず、エチルセルロース、ポリビニルブチラール等の通常の各種バインダから適宜選択すればよい。また、用いる有機溶剤も特に限定されず、印刷法やシート法など、利用する方法に応じて、テルピネオール、ブチルカルビトール、アセトン、トルエン等の各種有機溶剤から適宜選択すればよい。
【００５１】
また、誘電体層用ペーストを水系の塗料とする場合には、水溶性のバインダや分散剤などを水に溶解させた水系ビヒクルと、誘電体原料とを混練すればよい。水系ビヒクルに用いる水溶性バインダは特に限定されず、例えば、ポリビニルアルコール、セルロース、水溶性アクリル樹脂などを用いればよい。
【００５２】
内部電極層用ペーストは、上記した各種導電性金属や合金からなる導電材、あるいは焼成後に上記した導電材となる各種酸化物、有機金属化合物、レジネート等と、上記した有機ビヒクルとを混練して調製する。
【００５３】
外部電極用ペーストは、上記した内部電極層用ペーストと同様にして調製すればよい。
【００５４】
上記した各ペースト中の有機ビヒクルの含有量に特に制限はなく、通常の含有量、例えば、バインダは１〜５重量％程度、溶剤は１０〜５０重量％程度とすればよい。また、各ペースト中には、必要に応じて各種分散剤、可塑剤、誘電体、絶縁体等から選択される添加物が含有されていてもよい。これらの総含有量は、１０重量％以下とすることが好ましい。
【００５５】
印刷法を用いる場合、誘電体層用ペーストおよび内部電極層用ペーストを、ＰＥＴ等の基板上に積層印刷し、所定形状に切断した後、基板から剥離してグリーンチップとする。
【００５６】
また、シート法を用いる場合、誘電体層用ペーストを用いてグリーンシートを形成し、この上に内部電極層用ペーストを印刷した後、これらを積層してグリーンチップとする。
【００５７】
焼成前に、グリーンチップに脱バインダ処理を施す。脱バインダ処理は、内部電極層用ペースト中の導電材の種類に応じて適宜決定されればよいが、導電材としてＮｉやＮｉ合金等の卑金属を用いる場合、脱バインダ雰囲気中の酸素分圧を１０−４５〜１０５Ｐａとすることが好ましい。酸素分圧が前記範囲未満であると、脱バインダ効果が低下する。また酸素分圧が前記範囲を超えると、内部電極層が酸化する傾向にある。
【００５８】
また、それ以外の脱バインダ条件としては、昇温速度を好ましくは５〜３００℃／時間、より好ましくは１０〜１００℃／時間、保持温度を好ましくは１８０〜４００℃、より好ましくは２００〜３５０℃、温度保持時間を好ましくは０．５〜２４時間、より好ましくは２〜２０時間とする。また、焼成雰囲気は、空気もしくは還元性雰囲気とすることが好ましく、還元性雰囲気における雰囲気ガスとしては、たとえばＮ２とＨ２との混合ガスを加湿して用いることが好ましい。
【００５９】
グリーンチップ焼成時の雰囲気は、内部電極層用ペースト中の導電材の種類に応じて適宜決定されればよいが、導電材としてＮｉやＮｉ合金等の卑金属を用いる場合、焼成雰囲気中の酸素分圧は、１０−９〜１０−４Ｐａとすることが好ましい。酸素分圧が前記範囲未満であると、内部電極層の導電材が異常焼結を起こし、途切れてしまうことがある。また、酸素分圧が前記範囲を超えると、内部電極層が酸化する傾向にある。
【００６０】
また、焼成時の保持温度は、好ましくは１１００〜１４００℃、より好ましくは１２００〜１３００℃である。保持温度が前記範囲未満であると緻密化が不十分となり、前記範囲を超えると、内部電極層の異常焼結による電極の途切れや、内部電極層構成材料の拡散による容量温度特性の悪化、誘電体磁器組成物の還元が生じやすくなる。
【００６１】
これ以外の焼成条件としては、昇温速度を好ましくは５０〜５００℃／時間、より好ましくは２００〜３００℃／時間、温度保持時間を好ましくは０．５〜８時間、より好ましくは１〜３時間、冷却速度を好ましくは５０〜５００℃／時間、より好ましくは２００〜３００℃／時間とする。また、焼成雰囲気は還元性雰囲気とすることが好ましく、雰囲気ガスとしてはたとえば、Ｎ２とＨ２との混合ガスを加湿して用いることが好ましい。
【００６２】
還元性雰囲気中で焼成した場合、コンデンサ素子本体にはアニールを施すことが好ましい。アニールは、誘電体層を再酸化するための処理であり、これによりＩＲ寿命を著しく長くすることができるので、信頼性が向上する。
【００６３】
アニール雰囲気中の酸素分圧は、１０−３Ｐａ以上、特に１０−２〜１０Ｐａとすることが好ましい。酸素分圧が前記範囲未満であると誘電体層の再酸化が困難であり、前記範囲を超えると内部電極層が酸化する傾向にある。
【００６４】
アニールの際の保持温度は、１１００℃以下、特に５００〜１１００℃とすることが好ましい。保持温度が前記範囲未満であると誘電体層の酸化が不十分となるので、ＩＲが低く、また、ＩＲ寿命が短くなりやすい。一方、保持温度が前記範囲を超えると、内部電極層が酸化して容量が低下するだけでなく、内部電極層が誘電体素地と反応してしまい、容量温度特性の悪化、ＩＲの低下、ＩＲ寿命の低下が生じやすくなる。なお、アニールは昇温過程および降温過程だけから構成してもよい。すなわち、温度保持時間を零としてもよい。この場合、保持温度は最高温度と同義である。
【００６５】
これ以外のアニール条件としては、温度保持時間を好ましくは０〜２０時間、より好ましくは２〜１０時間、冷却速度を好ましくは５０〜５００℃／時間、より好ましくは１００〜３００℃／時間とする。また、アニールの雰囲気ガスとしては、たとえば、加湿したＮ２ガス等を用いることが好ましい。
【００６６】
上記した脱バインダ処理、焼成およびアニールにおいて、Ｎ２ガスや混合ガス等を加湿するには、例えばウェッター等を使用すればよい。この場合、水温は５〜７５℃程度が好ましい。
【００６７】
脱バインダ処理、焼成およびアニールは、連続して行なっても、独立に行なってもよい。
【００６８】
上記のようにして得られたコンデンサ素子本体に、例えばバレル研磨やサンドブラストなどにより端面研磨を施し、外部電極用ペーストを印刷または転写して焼成し、外部電極４を形成する。外部電極用ペーストの焼成条件は、例えば、加湿したＮ２とＨ２との混合ガス中で６００〜８００℃にて１０分間〜１時間程度とすることが好ましい。そして、必要に応じ、外部電極４表面に、めっき等により被覆層を形成する。
【００６９】
このようにして製造された本発明の積層セラミックコンデンサは、ハンダ付等によりプリント基板上などに実装され、各種電子機器等に使用される。
【００７０】
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は、上述した実施形態に何等限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々に改変することができる。
【００７１】
たとえば、上述した実施形態では、本発明に係る電子部品として積層セラミックコンデンサを例示したが、本発明に係る電子部品としては、積層セラミックコンデンサに限定されず、上記組成の誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層を有するものであれば何でも良い。
【００７２】
以下、本発明を、さらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明は、これら実施例に限定されない。
【００７３】
なお、以下の実施例および比較例において、各種物性評価は、以下のように行った。
【００７４】
（比誘電率ε）
コンデンサの試料に対し、基準温度２０℃において、デジタルＬＣＲメータ（横河電機（株）製 ＹＨＰ４２７４Ａ）にて、周波数１２０Ｈｚ，入力信号レベル（測定電圧）０．５Ｖｒｍｓ／μｍの条件下で、静電容量Ｃを測定した。そして、得られた静電容量、積層セラミックコンデンサの誘電体厚みおよび内部電極同士の重なり面積から、比誘電率（単位なし）を算出した。比誘電率は、高いほど好ましい。
【００７５】
（ＣＲ積）
コンデンサ試料に対し、絶縁抵抗計（アドバンテスト社製Ｒ８３４０Ａ）を用いて、２０℃において５Ｖ／μｍの直流電圧を、コンデンサ試料に１分間印加した後の絶縁抵抗ＩＲを測定した。ＣＲ積は、上記にて測定した静電容量Ｃ（単位はμＦ）と、絶縁抵抗ＩＲ（単位はＭΩ）との積を求めることにより測定した。
【００７６】
（耐圧）
コンデンサ試料に対し、電圧を印加して電流が１０ｍＡ以上流れた電圧を耐圧とした。測定数は各組成５０個であり、中心値を代表値とした。
【００７７】
（静電容量の温度特性）
容量の温度特性は、ＥＩＡ規格のＸ６Ｓを満足するか否かを調べた。具体的には、ＬＣＲメータにより、温度−５５〜８５℃について測定電圧０．５Ｖｒｍｓで容量を測定し、容量変化率が±２２％以内（基準温度２５℃）を満足するか否かを調べた。満足する場合を「Ａ」、満足しない場合を「Ｃ」とし、表３，４に示した。
【００７８】
（ＤＣバイアス特性）
まず、１２０Ｈｚ、０．５ＶｒｍｓのＡＣ電圧を印加した時の静電容量を測定した後、ＤＣ２．０Ｖ（２Ｖ/μｍ）、および１２０Ｈｚ、０．５ＶｒｍｓのＡＣ電圧を同時に印加した時の静電容量を測定した。得られた測定値により、静電容量の低下率を算出した。
【００７９】
（ＩＲ寿命試験）
加速寿命試験として、温度１８０℃にて直流電圧を１８Ｖ（１８Ｖ／μｍ）印加して、その絶縁抵抗の経時変化を測定した。なお、加速寿命試験では、各試料の絶縁抵抗値が１０５Ω以下になったときの時間をＩＲ寿命時間とし、複数の試料についての平均寿命時間を求めた。
【００８０】
（実施例１）
主成分の原料として、（Ｂａ１−ｘＣａｘ）（Ｔｉ1−ｙＺｒｙ）Ｏ３および(Ｂａ１−ｚＣａｚ)ＴｉＯ３を、副成分の原料として、ＭｎＯ、Ｒｅ２Ｏ３、Ｖ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｗからなる群から選ばれる元素の酸化物、および焼結助剤としてシリカを、それぞれ準備して、誘電体スラリーを調製した。なお、ＭｎＯ、Ｒｅ２Ｏ３、Ｖ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｗからなる群から選ばれる元素の酸化物は、予め仮焼したものを用いた。
【００８１】
調製した誘電体原料の組成を表１，２に示す。試料番号１〜１２では、第１主成分である（Ｂａ１−ｘＣａｘ）（Ｔｉ1−ｙＺｒｙ）Ｏ３の組成（ｘ，ｙ）および配合量を変化させた。試料番号１３〜１９では、第２主成分である(Ｂａ１−ｚＣａｚ)ＴｉＯ３の組成（ｚ）および配合量を変化させた。試料番号２０〜２４では、ＭｎＯの配合量を変化させた。試料番号２５〜３９では、希土類酸化物（Ｈｏ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、Ｅｒ２Ｏ３、Ｇｄ２Ｏ３、Ｄｙ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３）の配合量および種類を変更した。試料番号４０〜４７では、Ｖ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｗからなる群から選ばれる元素の酸化物の配合量および種類を変更した。試料番号４８〜５２では、焼結助剤（シリカ）の配合量を変更した。試料番号５３では、試料番号３４における第１および第２主成分の合計組成と同じＢａ、Ｃａ、ＴｉおよびＺｒを含む（Ｂａ１−ｘＣａｘ）（Ｔｉ1−ｙＺｒｙ）Ｏ３を用いた。表中で符号「＊」を付した試料は、本発明の比較例を示す。また、表中の斜体で表した数値は、本発明所定の範囲を外れる数値を示す。
【表１】
【表２】
【００８２】
そして、上記のようにして得られた誘電体スラリーを用いて、ＰＥＴフィルム上に１．２μｍの厚さを持つグリーンシートを成形し、このグリーンシート上に、内部電極用ペーストを１．０μｍの厚みで印刷し、電極層を有するグリーンシートを製造した。
【００８３】
なお、内部電極用ペーストとしては、Ｎｉ粒子と、有機ビヒクルとを用いて、ペースト化したものを使用した。
【００８４】
次いで、電極層を有するグリーンシートを複数枚積層し、加圧接着することによりグリーン積層体とし、このグリーン積層体を所定サイズに切断することにより、グリーンチップを得た。
【００８５】
次いで、得られたグリーンチップについて、脱バインダ処理、焼成およびアニールを下記条件にて行って、積層セラミック焼成体を得た。
【００８６】
脱バインダ処理条件は、昇温速度：６０℃／時間、保持温度：３００℃、温度保持時間：８時間、雰囲気：空気中とした。
【００８７】
焼成条件は、昇温速度：２００℃／時間、保持温度：１１５０℃〜１２５０℃、温度保持時間：２時間、冷却速度：３００℃／時間、雰囲気：加湿したＮ２とＨ２との混合ガスとした。
【００８８】
アニール条件は、保持温度：１０００〜１１００℃、温度保持時間：２時間、昇温、降温速度：２００℃／時間、雰囲気：加湿したＮ２ガスとした。
【００８９】
次いで、得られた積層セラミック焼成体の端面をサンドブラストにて研磨した後、外部電極としてＩｎ−Ｇａを塗布し、図１に示す積層セラミックコンデンサの試料を得た。得られたコンデンサ試料のサイズは、２．０×１．２５×１．２５ｍｍであり、誘電体層の厚さおよび層数は１．０μｍ×１００層、内部電極層の厚さは約０．８μｍであった。
【００９０】
各サンプルについて上記した特性の評価を行った。結果を表３，４に示す。また、表中の斜体で表した数値は本発明の目的物性の範囲を外れる数値を示す。
【表３】
【表４】
【００９１】
表３，４に示すように、誘電体原料の組成を本願規定の範囲とすることで、比誘電率ε、ＣＲ積、耐圧、静電容量の温度特性、ＤＣバイアス特性、ＩＲ寿命試験に優れたコンデンサが得られる。一方、本発明所定の組成範囲を外れると、上記物性値の何れかが目的値を満足しなくなる。また、試料番号３４および５３との対比から、第１主成分、第２主成分の合計組成と同じ組成のＢＣＴＺを用いても目的とする温度特性が達成されず、第１主成分、第２主成分のそれぞれが完全に固溶せずに独立して存在していることが必要であることが示された。
【図面の簡単な説明】
【００９２】
【図１】図１は本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの断面図である。
【図２】図２は本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの製造工程を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００９３】
１… 積層セラミックコンデンサ
１０… コンデンサ素子本体
２… 誘電体層
３… 内部電極層
４… 外部電極
【技術分野】
【０００１】
本発明は、たとえば積層セラミックコンデンサの誘電体層などとして用いられる誘電体磁器組成物と、その誘電体磁器組成物を誘電体層として用いる電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品の一例である積層セラミックコンデンサは、たとえば、所定の誘電体磁器組成物からなるセラミックグリーンシートと、所定パターンの内部電極層とを交互に重ね、その後一体化して得られるグリーンチップを、焼成して製造される。積層セラミックコンデンサの誘電体層の形成に使用される誘電体材料には、小型・高容量化の為に、高い比誘電率が要求されるのはもちろんのこと、誘電損失が小さく、誘電特性の温度に対する依存性（温度依存性）や直流電圧に対する依存性（ＤＣバイアス依存性）が小さい等の種々の特性が要求される。
【０００３】
このような誘電体磁器組成物として、たとえば特許文献１には、「Ａサイトの一部がＣａで置換されたペロブスカイト型チタン酸バリウム結晶粒子（ＢＣＴ型結晶粒子）と、置換Ｃａを含有していないペロブスカイト型チタン酸バリウム結晶粒子（ＢＴ型結晶粒子）とを有する誘電体磁器であって、前記ＢＴ型結晶粒子表面に、アルカリ土類元素、希土類元素及びＳｉを含有する複合酸化物からなる被覆層が形成されていることを特徴とする誘電体磁器」が開示されている。
【０００４】
上記特許文献１の誘電体磁器では、比誘電率が２０００以上で、比誘電率の温度特性が±１０％以内で、かつ２Ｖ／μｍのＤＣバイアス印加による比誘電率の変化率が２０％以内であるという特性が達成されている。
【特許文献１】特開２００３−４０６７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年の電子機器の小型化、高機能化および高性能化の進展により、積層セラミックコンデンサはより小型でより大容量のものへとの要望が増大する一途である。これに対しては誘電体材料の改良だけでなく、誘電体層の厚みを薄くして積層数を増やすことや、マージンを出来るだけ小さくすることにより電極面積を大きくするという対策が採用されることが多いが、誘電体磁器組成物の絶縁抵抗の経時劣化など信頼性に対する難点は、薄層化を困難にしている。その上、小型化、高機能化は電子回路を高密度化させるので、使用時の発熱による温度上昇も大きくなり、さらに携帯機器など屋外での使用機会の増大もあって、温度変化に対する特性の変化が小さいことも従来以上に厳しく要求されている。従来の材料では、信頼性の低下（絶縁劣化）、また、ＤＣバイアス電圧による容量の低下が問題となっていた。このため、薄層化による高電界強度に耐えられ、ＤＣバイアス特性に影響のある層厚を増加できる程度の比誘電率を有する誘電体材料を開発する必要があった。しかしながら、上記のように、特許文献１の誘電体磁器組成物では、比誘電率や容量温度特性（温度変化に対する特性）等の諸特性は改善されてはいるものの、比誘電率が最高でも３０００程度と低く、上記要請に十分に応えうるものではなかった。また、特に高い電界強度下で使用した際の、静電容量と絶縁抵抗との積（ＣＲ積）およびＩＲ寿命が必ずしも十分ではなく、なお改善が要望される。
【０００６】
本発明は、以上のような従来技術の問題点を解決するために提案されたものであり、その目的は、層厚１〜５μｍにおいて比誘電率が５０００以上を示し、高い電界強度（４Ｖ／μｍ）で使用した時、静電容量と絶縁抵抗との積（ＣＲ積）が２０℃で４０００Ω・Ｆ以上で、１８０℃で１８Ｖ／μｍになるように電圧を印加した加速寿命試験において絶縁抵抗が１０５Ωに達するまでの時間が１０時間以上と長く、また、耐圧が７０Ｖ／μｍ以上、２Ｖ／μｍの印加時における静電容量の低下率が６０％以下であり、しかもＮｉ等の卑金属を内部電極に有する積層セラミックコンデンサ用として好適に用いることができる還元雰囲気焼成可能な誘電体磁気組成物を提供することにある。また、静電容量の温度特性がＥＩＡ規格で規定するＸ６Ｓ特性を満足する信頼性の高い積層セラミックコンデンサなどの電子部品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者等は、上記目的を達成するために、鋭意検討を行った結果、特定組成の誘電体磁器組成物を用いることにより、上記目的を達成できることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００８】
すなわち、上記課題を解決する本発明は、下記事項を要旨として含む。
【０００９】
（１）第１主成分が組成式：（Ｂａ１−ｘＣａｘ）（Ｔｉ1−ｙＺｒｙ）Ｏ３（ただし、０．０４≦ｘ≦０．０８，０．０８≦ｙ≦０．１８）で表され、第２主成分が組成式：(Ｂａ１−ｚＣａｚ)ＴｉＯ３（ただし、０≦ｚ≦０．０４）で表され、第１主成分と第２主成分との合計１００モルに対し、
第１主成分を３０〜６０モル、第２主成分を４０〜７０モル含み、かつ
副成分として、各酸化物換算で、
ＭｎＯ：０．０５〜０．７５モル、
Ｒｅ２Ｏ３（ただし、Ｒｅは希土類元素）：０．２５〜１．５０モル、
Ｖ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｗからなる群から選ばれる元素の酸化物：０．０２〜０．１５モル、および
焼結助剤：０．３〜２．０モル、
を含む誘電体磁器組成物。
【００１０】
（２）前記焼結助剤が、ＳｉＯ２を含む（１）に記載の誘電体磁器組成物。
【００１１】
（３）上記（１）または（２）に記載の誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層と、内部電極層とを有する電子部品。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の誘電体磁器組成物によれば、層厚１〜５μｍとした場合でも、ＣＲ積、ＩＲ寿命、耐圧、ＤＣバイアス特性および容量温度特性を良好に保ちながら、高い比誘電率（たとえば、５０００以上）を実現することができる。また、本発明の誘電体磁器組成物は、高い電界強度（４Ｖ／μｍ）で使用した場合であっても、上記諸特性を維持する。さらに、本発明の誘電体磁器組成物によれば、容量温度特性がＥＩＡ規格で規定するＸ６Ｓ特性を満足しながら、高い比誘電率を実現することができる。
【００１３】
したがって、上記誘電体磁器組成物から構成される誘電体層を有する電子部品、特に積層セラミックコンデンサでは、誘電体の優れた容量温度特性により、厳しい使用環境下においても、高い信頼性が保証される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づき説明する。
図１は本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの断面図、
図２は本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの製造工程を示すフローチャートである。
【００１５】
図１に示すように、本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１は、誘電体層２と内部電極層３とが交互に積層された構成のコンデンサ素子本体１０を有する。このコンデンサ素子本体１０の両端部には、素子本体１０の内部で交互に配置された内部電極層３と各々導通する一対の外部電極４が形成してある。コンデンサ素子本体１０の形状に特に制限はないが、通常、直方体状とされる。また、その寸法にも特に制限はなく、用途に応じて適当な寸法とすればよい。
【００１６】
内部電極層３は、各端面がコンデンサ素子本体１０の対向する２端部の表面に交互に露出するように積層してある。一対の外部電極４は、コンデンサ素子本体１０の両端部に形成され、交互に配置された内部電極層３の露出端面に接続されて、コンデンサ回路を構成する。
【００１７】
誘電体層２は、本発明の誘電体磁器組成物を含有する。
本発明の誘電体磁器組成物は、（Ｂａ１−ｘＣａｘ）（Ｔｉ1−ｙＺｒｙ）Ｏ３で表される組成の第１主成分と、 (Ｂａ１−ｚＣａｚ)ＴｉＯ３で表される組成の第２主成分とを含み、かつ副成分として、ＭｎＯ、希土類酸化物（Ｒｅ２Ｏ３）、Ｖ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｗからなる群から選ばれる元素の酸化物、および焼結助剤と、を含有している。この際、酸素（Ｏ）量は、上記式の化学量論組成から若干偏倚してもよい。
【００１８】
上記第１主成分は、室温での比誘電率を上げる作用がある。上記の組成式中、ｘは、０．０４〜０．０８、好ましくは０．０４〜０．０６である。また、ｙは、０．０８〜０．１８、好ましくは０．０８〜０．１５である。
【００１９】
上記組成式において、ｘはＢａに対するＣａの置換量を表す。ｘが上記範囲であれば、誘電体の比誘電率、ＣＲ積、加速寿命の向上がみられるが、ｘが０．０８を超えると、粒成長を起こし易くなり容量の温度特性を低下させてしまうとともに、ＤＣバイアス特性を悪化させてしまうことがある。
【００２０】
また、上記組成式において、ｙはＴｉに対するＺｒの置換量を表す。ｙが上記範囲であれば、誘電体の比誘電率、ＣＲ積、加速寿命の向上がみられるが、ｙが０．１８を超えると、容量の温度特性の低下させてしまうことがある。
【００２１】
さらに、上記第１主成分においては、ＢａとＣａとの合計モル数［Ｂａ＋Ｃａ］と、ＴｉとＺｒの合計モル数［Ｔｉ＋Ｚｒ］との比、［Ｂａ＋Ｃａ］／［Ｔｉ＋Ｚｒ］が、好ましくは０．９９５〜１．０１０、さらに好ましくは約１．０００であること望ましい。［Ｂａ＋Ｃａ］／［Ｔｉ＋Ｚｒ］が０．９９５未満になると、焼成時に誘電体層の異常粒成長が生じ易くなると共に、容量温度特性およびＤＣバイアス特性が悪化する傾向にあり、１．００５を超えると焼結性が低下し、焼成温度が高くなる傾向にあり、構造欠陥（デラミネーションやクラック）の原因となることがある。
【００２２】
上記第２主成分は、容量温度特性を平坦化する作用がある。上記の組成式中、ｚは、０〜０．０４、好ましくは０〜０．０３である。
【００２３】
上記組成式において、ｚはＢａに対するＣａの置換量を表す。ｚが上記範囲であれば、誘電体の比誘電率、ＣＲ積、加速寿命の向上がみられるが、ｚが０．０４を超えると、粒成長を起こし易くなり容量の温度特性を低下させてしまうとともに、ＤＣバイアス特性を悪化させてしまうことがある。
【００２４】
さらに、上記第２主成分においては、ＢａとＣａとの合計モル数［Ｂａ＋Ｃａ］と、Ｔｉのモル数［Ｔｉ］との比、［Ｂａ＋Ｃａ］／［Ｔｉ］が、好ましくは０．９９５〜１．０１０、さらに好ましくは約１．０００であること望ましい。［Ｂａ＋Ｃａ］／［Ｔｉ］が０．９９５未満になると、焼成時に誘電体層の異常粒成長が生じ易くなると共に、容量温度特性およびＤＣバイアス特性が悪化する傾向にあり、１．００５を超えると焼結性が低下し、焼成温度が高くなる傾向にあり、構造欠陥（デラミネーションやクラック）の原因となることがある。
【００２５】
本発明の誘電体磁器組成物は、上記第１主成分と第２主成分との合計１００モルに対し、第１主成分を３０〜６０モル、好ましくは４０〜６０モル、第２主成分を４０〜７０モル、好ましくは４０〜６０モル含む。第１主成分と第２主成分との配合量が上記範囲を外れると、比誘電率（５０００以上）や容量温度特性（Ｘ６Ｓ）などの目標物性が満足されない。
【００２６】
なお、本発明の誘電体磁器組成物においては、上記第１主成分と第２主成分とは、部分的に固溶相を形成することがあるが、それぞれの成分に固有の結晶相がほぼ維持され、Ｘ線回折分析等により確認される。
【００２７】
本発明に係る誘電体磁器組成物には、副成分として、ＭｎＯ、希土類酸化物（Ｒｅ２Ｏ３）、Ｖ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｗからなる群から選ばれる元素の酸化物、および焼結助剤が含まれる。
【００２８】
ＭｎＯは、焼結を促進する効果と、絶縁抵抗ＩＲを高くする効果と、ＩＲ寿命を向上させる効果とがあり、主成分１００モルに対して、ＭｎＯ換算で、０．０５０〜０．７５０モル、好ましくは０．１００〜０．６００モル、より好ましくは０．１５０〜０．５００モルの量で含まれる。ＭｎＯの含有量が０．０５０モル未満では、ＣＲ積およびＩＲ寿命が低下する。また、ＭｎＯの含有量が０．７５０モルを超えると、比誘電率が低下する傾向にある。
【００２９】
希土類酸化物（Ｒｅ２Ｏ３）は、特に限定はされず、種々の希土類元素の酸化物であってもよいが、好ましくは、Ｙ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、ＴｍまたはＹｂの各元素の少なくとも１種の酸化物であることが好ましく、より好ましくは、Ｙ、Ｇｄ、ＥｒまたはＨｏの各元素の少なくとも１種の酸化物である。これら希土類元素は１種単独で使用しても、また組み合わせて使用してもよく、同様の効果が得られる。希土類酸化物は、主成分１００モルに対して、Ｒｅ２Ｏ３換算で、０．２５〜１．５０モル、好ましくは０．２５〜１．２５モル、より好ましくは０．３０〜１．００モルの量で含まれる。希土類元素の酸化物の含有量が０．２５モル未満では、ＩＲ寿命が低下してしまう。また、希土類酸化物の含有量が１．５０モルを超えると焼結性が低下し、焼成温度が高くなる傾向にあり、また十分な比誘電率を得ることが困難になる。
【００３０】
Ｖ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｗからなる群から選ばれる元素の酸化物は、ＩＲ寿命を向上させる効果がある。これら酸化物の中でも、Ｖの酸化物、特にＶ２Ｏ５が好ましく用いられる。Ｖ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｗの酸化物は、主成分１００モルに対して、それぞれＶ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、ＭｏＯ３、Ｎｂ２Ｏ５、ＷＯ３換算で、０．０２〜０．１５モル、好ましくは０．０３〜０．１２モル、より好ましくは０．０４〜０．１０モルの量で含まれる。これら酸化物の含有量が０．０２モル未満では、容量温度特性（Ｘ６Ｓ）が満足されない。また、これらの酸化物の含有量が０．１５モルを超えると、絶縁抵抗が大きく低下する傾向にある。
【００３１】
本発明の誘電体磁器組成物に含有させる焼結助剤としては、焼結助剤として作用する種々の化合物を用いることができる。このような化合物としては、たとえば、ＳｉＯ２、ＭＯ（但し、Ｍは、Ｂａ、Ｃａ、ＳｒおよびＭｇから選ばれる少なくとも１種の元素）、Ｌｉ２ＯおよびＢ２Ｏ３などが挙げられる。またＳｉＯ２、ＢａＯおよびＣａＯの複合酸化物である化合物、すなわち、組成式（Ｂａ１−ｚＣａｚ）ＳｉＯ３で表される化合物を用いることもできる。本発明では、これら焼結助剤の中でも、特にＳｉＯ２を含むものが好ましい。焼結助剤は、主成分１００モルに対して、０．３〜２．０モル、好ましくは０．５〜２．０モル、より好ましくは０．７５〜１．７５モルの量で含まれる。焼結助剤の含有量が０．３モル未満では、誘電体磁気組成物の焼結が不十分となってしまい、比誘電率が低下すると共に、ＣＲ積、絶縁抵抗およびＩＲ寿命が大きく低下する傾向にある。一方、焼結助剤の含有量が３．０モルを超えると、比誘電率が低下する。
【００３２】
また、本発明の目的を達成できる範囲において、その他の副成分を添加してもよい。
添加してもよい副成分の一例としては、ＭｇＯが挙げられる。ＭｇＯは、容量温度特性を平坦化させる効果がある。ＭｇＯを添加する場合には、前記主成分１００モルに対して、０．５０モル以下、好ましくは０．０３〜０．３０モル、より好ましくは０．０５〜０．２５モルの量で用いられる。ただし、本発明の誘電体磁器組成物においては、ＭｇＯの含有量が多すぎると、逆に容量温度特性が悪化してしまうため、その添加量は０．５０モル以下とすることが好ましい。
【００３３】
なお、本明細書では、主成分および各副成分を構成する各酸化物または複合酸化物を化学量論組成で表しているが、各酸化物または複合酸化物の酸化状態は、化学量論組成から外れるものであってもよい。ただし、各副成分の上記比率は、各副成分を構成する酸化物または複合酸化物に含有される金属量から上記化学量論組成の酸化物または複合酸化物に換算して求める。
【００３４】
誘電体層２の厚さは、特に限定されないが、一層あたり５μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは３μｍ以下である。厚さの下限は、特に限定されないが、たとえば１μｍ程度である。本発明の誘電体磁器組成物によれば、層厚１μｍ以上で比誘電率が５０００以上を示し、高い電界強度下（４Ｖ/μｍ）での容量抵抗積が２０℃で４０００Ω・Ｆ以上で耐圧も７０Ｖ／μｍ以上と極めて高く、２Ｖ／μｍの印加における静電容量の低下率が６０％以下で、１８０℃で１８Ｖ／μｍになるように電圧を印加した加速寿命試験での絶縁抵抗の劣化に至るまでの時間が１０時間以上である誘電体層を形成することができる。
【００３５】
誘電体層２の積層数は、特に限定されないが、２００以上であることが好ましく、より好ましくは４００以上である。
【００３６】
誘電体層２に含まれる誘電体粒子の平均結晶粒径は、特に限定されず、誘電体層２の厚さなどに応じて、例えば１．０〜５．０μｍの範囲から適宜決定すればよく、好ましくは２．０〜３．０μｍである。なお、誘電体層中に含まれる誘電体粒子の平均結晶粒径は、次のように測定される。まず、得られたコンデンサ試料を内部電極に垂直な面で切断し、その切断面を研磨する。そして、その研磨面にケミカルエッチングを施し、その後、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察を行い、コード法により誘電体粒子の形状を球と仮定して算出する。
【００３７】
内部電極層３に含有される導電材は特に限定されないが、誘電体層２の構成材料が耐還元性を有するため、卑金属を用いることができる。導電材として用いる卑金属としては、ＮｉまたはＮｉ合金が好ましい。Ｎｉ合金としては、Ｍｎ，Ｃｒ，ＣｏおよびＡｌから選択される１種以上の元素とＮｉとの合金が好ましく、合金中のＮｉ含有量は９５重量％以上であることが好ましい。
【００３８】
外部電極４に含有される導電材は特に限定されないが、本発明では安価なＮｉ，Ｃｕや、これらの合金を用いることができる。外部電極４の厚さは用途等に応じて適宜決定されればよいが、通常、１０〜５０μｍ程度であることが好ましい。
【００３９】
本発明の誘電体磁器組成物を用いた積層セラミックコンデンサは、従来の積層セラミックコンデンサと同様に、ペーストを用いた通常の印刷法やシート法によりグリーンチップを作製し、これを焼成した後、外部電極を印刷または転写して焼成することにより製造される。以下、製造方法について具体的に説明する。
【００４０】
まず、誘電体層用ペーストに含まれる誘電体磁器組成物粉末を準備する。
図２に示すように、主成分の原料と副成分の原料とを、ボールミル等により混合し、誘電体磁器組成物粉末を得る。
【００４１】
主成分の原料としては、上記の第１主成分および第２主成分を用いる。この主成分の原料の製造方法としては特に制限されず、共沈法、ゾル・ゲル法、アルカリ加水分解法、沈殿混合法などにより得た沈殿物と副成分原料との混合物を仮焼してもよい。
【００４２】
副成分の原料としては、上記した酸化物やその混合物、複合酸化物を用いることができるが、その他、焼成により上記した酸化物や複合酸化物となる各種化合物、例えば、炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物等から適宜選択し、混合して用いることもできる。
【００４３】
上記の誘電体磁器組成物粉末の製造方法は、特に限定されず、上記した方法以外の方法として、主成分の原料を製造する際に、主成分の出発原料に副成分原料を混合しておき、固相法や液相法などにより主成分の原料を製造すると同時に誘電体磁器組成物粉末を得ても良い。
【００４４】
得られる誘電体磁器組成物粉末中の各化合物の含有量は、焼成後に上記した誘電体磁器組成物の組成となるように決定すればよい。
【００４５】
第１主成分および第２主成分の平均粒径は、塗料化する前の状態で、好ましくは０．０５〜１．０μｍ、より好ましくは０．０５〜０．５０μｍであり、また副成分原料の平均粒径は、好ましくは０．０５〜０．２０μｍ、より好ましくは０．０５〜０．１５μｍである。このような粒径の主成分原料および副成分原料を混合することで、焼成時に均一な焼結が行われるため、クラックまたはデラミネーションを生じ難くなり、素子の耐熱性の向上にも効果がある。
【００４６】
また、誘電体磁器組成物粉末の粒度分布の下限値を好ましくは０．０５μｍ以上、さらに好ましくは０．０５〜０．１０μｍにすることで異常粒成長を抑制し、容量の温度特性の悪化を防止することができる。上記のような誘電体磁器組成物粉末によれば、粒度分布がシャープであるため、薄層に適したグリーンシートを作製でき、層厚を１〜５μｍと薄層化した場合においても、安定した電気特性が得られる。
【００４７】
なお、原料粉体の平均粒径および粒度分布は、粉末を３００００倍のＳＥＭ写真で撮影し、その中で任意の１０００個の粒子の面積を算出し、それを球に見立てた場合の直径を計算し、得られた直径から平均粒径および粒度分布を決定する。
【００４８】
上記の主成分および副成分の原料は、さらに仮焼などを行っても良い。なお、仮焼条件としては、たとえば、仮焼温度を、好ましくは８００〜１１００℃、仮焼き時間を、好ましくは１〜４時間とすれば良い。
【００４９】
図２に示すように、得られた誘電体磁器組成物粉末を塗料化して、誘電体層用ペーストを調製する。誘電体層用ペーストは、誘電体磁器組成物粉末と有機ビヒクルとを混練した有機系の塗料であってもよく、水系の塗料であってもよい。
【００５０】
有機ビヒクルとは、バインダを有機溶剤中に溶解したものである。有機ビヒクルに用いるバインダは特に限定されず、エチルセルロース、ポリビニルブチラール等の通常の各種バインダから適宜選択すればよい。また、用いる有機溶剤も特に限定されず、印刷法やシート法など、利用する方法に応じて、テルピネオール、ブチルカルビトール、アセトン、トルエン等の各種有機溶剤から適宜選択すればよい。
【００５１】
また、誘電体層用ペーストを水系の塗料とする場合には、水溶性のバインダや分散剤などを水に溶解させた水系ビヒクルと、誘電体原料とを混練すればよい。水系ビヒクルに用いる水溶性バインダは特に限定されず、例えば、ポリビニルアルコール、セルロース、水溶性アクリル樹脂などを用いればよい。
【００５２】
内部電極層用ペーストは、上記した各種導電性金属や合金からなる導電材、あるいは焼成後に上記した導電材となる各種酸化物、有機金属化合物、レジネート等と、上記した有機ビヒクルとを混練して調製する。
【００５３】
外部電極用ペーストは、上記した内部電極層用ペーストと同様にして調製すればよい。
【００５４】
上記した各ペースト中の有機ビヒクルの含有量に特に制限はなく、通常の含有量、例えば、バインダは１〜５重量％程度、溶剤は１０〜５０重量％程度とすればよい。また、各ペースト中には、必要に応じて各種分散剤、可塑剤、誘電体、絶縁体等から選択される添加物が含有されていてもよい。これらの総含有量は、１０重量％以下とすることが好ましい。
【００５５】
印刷法を用いる場合、誘電体層用ペーストおよび内部電極層用ペーストを、ＰＥＴ等の基板上に積層印刷し、所定形状に切断した後、基板から剥離してグリーンチップとする。
【００５６】
また、シート法を用いる場合、誘電体層用ペーストを用いてグリーンシートを形成し、この上に内部電極層用ペーストを印刷した後、これらを積層してグリーンチップとする。
【００５７】
焼成前に、グリーンチップに脱バインダ処理を施す。脱バインダ処理は、内部電極層用ペースト中の導電材の種類に応じて適宜決定されればよいが、導電材としてＮｉやＮｉ合金等の卑金属を用いる場合、脱バインダ雰囲気中の酸素分圧を１０−４５〜１０５Ｐａとすることが好ましい。酸素分圧が前記範囲未満であると、脱バインダ効果が低下する。また酸素分圧が前記範囲を超えると、内部電極層が酸化する傾向にある。
【００５８】
また、それ以外の脱バインダ条件としては、昇温速度を好ましくは５〜３００℃／時間、より好ましくは１０〜１００℃／時間、保持温度を好ましくは１８０〜４００℃、より好ましくは２００〜３５０℃、温度保持時間を好ましくは０．５〜２４時間、より好ましくは２〜２０時間とする。また、焼成雰囲気は、空気もしくは還元性雰囲気とすることが好ましく、還元性雰囲気における雰囲気ガスとしては、たとえばＮ２とＨ２との混合ガスを加湿して用いることが好ましい。
【００５９】
グリーンチップ焼成時の雰囲気は、内部電極層用ペースト中の導電材の種類に応じて適宜決定されればよいが、導電材としてＮｉやＮｉ合金等の卑金属を用いる場合、焼成雰囲気中の酸素分圧は、１０−９〜１０−４Ｐａとすることが好ましい。酸素分圧が前記範囲未満であると、内部電極層の導電材が異常焼結を起こし、途切れてしまうことがある。また、酸素分圧が前記範囲を超えると、内部電極層が酸化する傾向にある。
【００６０】
また、焼成時の保持温度は、好ましくは１１００〜１４００℃、より好ましくは１２００〜１３００℃である。保持温度が前記範囲未満であると緻密化が不十分となり、前記範囲を超えると、内部電極層の異常焼結による電極の途切れや、内部電極層構成材料の拡散による容量温度特性の悪化、誘電体磁器組成物の還元が生じやすくなる。
【００６１】
これ以外の焼成条件としては、昇温速度を好ましくは５０〜５００℃／時間、より好ましくは２００〜３００℃／時間、温度保持時間を好ましくは０．５〜８時間、より好ましくは１〜３時間、冷却速度を好ましくは５０〜５００℃／時間、より好ましくは２００〜３００℃／時間とする。また、焼成雰囲気は還元性雰囲気とすることが好ましく、雰囲気ガスとしてはたとえば、Ｎ２とＨ２との混合ガスを加湿して用いることが好ましい。
【００６２】
還元性雰囲気中で焼成した場合、コンデンサ素子本体にはアニールを施すことが好ましい。アニールは、誘電体層を再酸化するための処理であり、これによりＩＲ寿命を著しく長くすることができるので、信頼性が向上する。
【００６３】
アニール雰囲気中の酸素分圧は、１０−３Ｐａ以上、特に１０−２〜１０Ｐａとすることが好ましい。酸素分圧が前記範囲未満であると誘電体層の再酸化が困難であり、前記範囲を超えると内部電極層が酸化する傾向にある。
【００６４】
アニールの際の保持温度は、１１００℃以下、特に５００〜１１００℃とすることが好ましい。保持温度が前記範囲未満であると誘電体層の酸化が不十分となるので、ＩＲが低く、また、ＩＲ寿命が短くなりやすい。一方、保持温度が前記範囲を超えると、内部電極層が酸化して容量が低下するだけでなく、内部電極層が誘電体素地と反応してしまい、容量温度特性の悪化、ＩＲの低下、ＩＲ寿命の低下が生じやすくなる。なお、アニールは昇温過程および降温過程だけから構成してもよい。すなわち、温度保持時間を零としてもよい。この場合、保持温度は最高温度と同義である。
【００６５】
これ以外のアニール条件としては、温度保持時間を好ましくは０〜２０時間、より好ましくは２〜１０時間、冷却速度を好ましくは５０〜５００℃／時間、より好ましくは１００〜３００℃／時間とする。また、アニールの雰囲気ガスとしては、たとえば、加湿したＮ２ガス等を用いることが好ましい。
【００６６】
上記した脱バインダ処理、焼成およびアニールにおいて、Ｎ２ガスや混合ガス等を加湿するには、例えばウェッター等を使用すればよい。この場合、水温は５〜７５℃程度が好ましい。
【００６７】
脱バインダ処理、焼成およびアニールは、連続して行なっても、独立に行なってもよい。
【００６８】
上記のようにして得られたコンデンサ素子本体に、例えばバレル研磨やサンドブラストなどにより端面研磨を施し、外部電極用ペーストを印刷または転写して焼成し、外部電極４を形成する。外部電極用ペーストの焼成条件は、例えば、加湿したＮ２とＨ２との混合ガス中で６００〜８００℃にて１０分間〜１時間程度とすることが好ましい。そして、必要に応じ、外部電極４表面に、めっき等により被覆層を形成する。
【００６９】
このようにして製造された本発明の積層セラミックコンデンサは、ハンダ付等によりプリント基板上などに実装され、各種電子機器等に使用される。
【００７０】
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は、上述した実施形態に何等限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々に改変することができる。
【００７１】
たとえば、上述した実施形態では、本発明に係る電子部品として積層セラミックコンデンサを例示したが、本発明に係る電子部品としては、積層セラミックコンデンサに限定されず、上記組成の誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層を有するものであれば何でも良い。
【００７２】
以下、本発明を、さらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明は、これら実施例に限定されない。
【００７３】
なお、以下の実施例および比較例において、各種物性評価は、以下のように行った。
【００７４】
（比誘電率ε）
コンデンサの試料に対し、基準温度２０℃において、デジタルＬＣＲメータ（横河電機（株）製 ＹＨＰ４２７４Ａ）にて、周波数１２０Ｈｚ，入力信号レベル（測定電圧）０．５Ｖｒｍｓ／μｍの条件下で、静電容量Ｃを測定した。そして、得られた静電容量、積層セラミックコンデンサの誘電体厚みおよび内部電極同士の重なり面積から、比誘電率（単位なし）を算出した。比誘電率は、高いほど好ましい。
【００７５】
（ＣＲ積）
コンデンサ試料に対し、絶縁抵抗計（アドバンテスト社製Ｒ８３４０Ａ）を用いて、２０℃において５Ｖ／μｍの直流電圧を、コンデンサ試料に１分間印加した後の絶縁抵抗ＩＲを測定した。ＣＲ積は、上記にて測定した静電容量Ｃ（単位はμＦ）と、絶縁抵抗ＩＲ（単位はＭΩ）との積を求めることにより測定した。
【００７６】
（耐圧）
コンデンサ試料に対し、電圧を印加して電流が１０ｍＡ以上流れた電圧を耐圧とした。測定数は各組成５０個であり、中心値を代表値とした。
【００７７】
（静電容量の温度特性）
容量の温度特性は、ＥＩＡ規格のＸ６Ｓを満足するか否かを調べた。具体的には、ＬＣＲメータにより、温度−５５〜８５℃について測定電圧０．５Ｖｒｍｓで容量を測定し、容量変化率が±２２％以内（基準温度２５℃）を満足するか否かを調べた。満足する場合を「Ａ」、満足しない場合を「Ｃ」とし、表３，４に示した。
【００７８】
（ＤＣバイアス特性）
まず、１２０Ｈｚ、０．５ＶｒｍｓのＡＣ電圧を印加した時の静電容量を測定した後、ＤＣ２．０Ｖ（２Ｖ/μｍ）、および１２０Ｈｚ、０．５ＶｒｍｓのＡＣ電圧を同時に印加した時の静電容量を測定した。得られた測定値により、静電容量の低下率を算出した。
【００７９】
（ＩＲ寿命試験）
加速寿命試験として、温度１８０℃にて直流電圧を１８Ｖ（１８Ｖ／μｍ）印加して、その絶縁抵抗の経時変化を測定した。なお、加速寿命試験では、各試料の絶縁抵抗値が１０５Ω以下になったときの時間をＩＲ寿命時間とし、複数の試料についての平均寿命時間を求めた。
【００８０】
（実施例１）
主成分の原料として、（Ｂａ１−ｘＣａｘ）（Ｔｉ1−ｙＺｒｙ）Ｏ３および(Ｂａ１−ｚＣａｚ)ＴｉＯ３を、副成分の原料として、ＭｎＯ、Ｒｅ２Ｏ３、Ｖ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｗからなる群から選ばれる元素の酸化物、および焼結助剤としてシリカを、それぞれ準備して、誘電体スラリーを調製した。なお、ＭｎＯ、Ｒｅ２Ｏ３、Ｖ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｗからなる群から選ばれる元素の酸化物は、予め仮焼したものを用いた。
【００８１】
調製した誘電体原料の組成を表１，２に示す。試料番号１〜１２では、第１主成分である（Ｂａ１−ｘＣａｘ）（Ｔｉ1−ｙＺｒｙ）Ｏ３の組成（ｘ，ｙ）および配合量を変化させた。試料番号１３〜１９では、第２主成分である(Ｂａ１−ｚＣａｚ)ＴｉＯ３の組成（ｚ）および配合量を変化させた。試料番号２０〜２４では、ＭｎＯの配合量を変化させた。試料番号２５〜３９では、希土類酸化物（Ｈｏ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、Ｅｒ２Ｏ３、Ｇｄ２Ｏ３、Ｄｙ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３）の配合量および種類を変更した。試料番号４０〜４７では、Ｖ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｗからなる群から選ばれる元素の酸化物の配合量および種類を変更した。試料番号４８〜５２では、焼結助剤（シリカ）の配合量を変更した。試料番号５３では、試料番号３４における第１および第２主成分の合計組成と同じＢａ、Ｃａ、ＴｉおよびＺｒを含む（Ｂａ１−ｘＣａｘ）（Ｔｉ1−ｙＺｒｙ）Ｏ３を用いた。表中で符号「＊」を付した試料は、本発明の比較例を示す。また、表中の斜体で表した数値は、本発明所定の範囲を外れる数値を示す。
【表１】
【表２】
【００８２】
そして、上記のようにして得られた誘電体スラリーを用いて、ＰＥＴフィルム上に１．２μｍの厚さを持つグリーンシートを成形し、このグリーンシート上に、内部電極用ペーストを１．０μｍの厚みで印刷し、電極層を有するグリーンシートを製造した。
【００８３】
なお、内部電極用ペーストとしては、Ｎｉ粒子と、有機ビヒクルとを用いて、ペースト化したものを使用した。
【００８４】
次いで、電極層を有するグリーンシートを複数枚積層し、加圧接着することによりグリーン積層体とし、このグリーン積層体を所定サイズに切断することにより、グリーンチップを得た。
【００８５】
次いで、得られたグリーンチップについて、脱バインダ処理、焼成およびアニールを下記条件にて行って、積層セラミック焼成体を得た。
【００８６】
脱バインダ処理条件は、昇温速度：６０℃／時間、保持温度：３００℃、温度保持時間：８時間、雰囲気：空気中とした。
【００８７】
焼成条件は、昇温速度：２００℃／時間、保持温度：１１５０℃〜１２５０℃、温度保持時間：２時間、冷却速度：３００℃／時間、雰囲気：加湿したＮ２とＨ２との混合ガスとした。
【００８８】
アニール条件は、保持温度：１０００〜１１００℃、温度保持時間：２時間、昇温、降温速度：２００℃／時間、雰囲気：加湿したＮ２ガスとした。
【００８９】
次いで、得られた積層セラミック焼成体の端面をサンドブラストにて研磨した後、外部電極としてＩｎ−Ｇａを塗布し、図１に示す積層セラミックコンデンサの試料を得た。得られたコンデンサ試料のサイズは、２．０×１．２５×１．２５ｍｍであり、誘電体層の厚さおよび層数は１．０μｍ×１００層、内部電極層の厚さは約０．８μｍであった。
【００９０】
各サンプルについて上記した特性の評価を行った。結果を表３，４に示す。また、表中の斜体で表した数値は本発明の目的物性の範囲を外れる数値を示す。
【表３】
【表４】
【００９１】
表３，４に示すように、誘電体原料の組成を本願規定の範囲とすることで、比誘電率ε、ＣＲ積、耐圧、静電容量の温度特性、ＤＣバイアス特性、ＩＲ寿命試験に優れたコンデンサが得られる。一方、本発明所定の組成範囲を外れると、上記物性値の何れかが目的値を満足しなくなる。また、試料番号３４および５３との対比から、第１主成分、第２主成分の合計組成と同じ組成のＢＣＴＺを用いても目的とする温度特性が達成されず、第１主成分、第２主成分のそれぞれが完全に固溶せずに独立して存在していることが必要であることが示された。
【図面の簡単な説明】
【００９２】
【図１】図１は本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの断面図である。
【図２】図２は本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの製造工程を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００９３】
１… 積層セラミックコンデンサ
１０… コンデンサ素子本体
２… 誘電体層
３… 内部電極層
４… 外部電極
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１主成分が組成式：（Ｂａ１−ｘＣａｘ）（Ｔｉ1−ｙＺｒｙ）Ｏ３（ただし、０．０４≦ｘ≦０．０８，０．０８≦ｙ≦０．１８）で表され、第２主成分が組成式：(Ｂａ１−ｚＣａｚ)ＴｉＯ３（ただし、０≦ｚ≦０．０４）で表され、第１主成分と第２主成分との合計１００モルに対し、
第１主成分を３０〜６０モル、第２主成分を４０〜７０モル含み、かつ
副成分として、各酸化物換算で、
ＭｎＯ：０．０５〜０．７５モル、
Ｒｅ２Ｏ３（ただし、Ｒｅは希土類元素）：０．２５〜１．５０モル、
Ｖ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｗからなる群から選ばれる元素の酸化物：０．０２〜０．１５モル、および
焼結助剤：０．３〜２．０モル、
を含む誘電体磁器組成物。
【請求項２】
前記焼結助剤が、ＳｉＯ２を含む請求項１に記載の誘電体磁器組成物。
【請求項３】
請求項１または２に記載の誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層と、内部電極層とを有する電子部品。
【請求項１】
第１主成分が組成式：（Ｂａ１−ｘＣａｘ）（Ｔｉ1−ｙＺｒｙ）Ｏ３（ただし、０．０４≦ｘ≦０．０８，０．０８≦ｙ≦０．１８）で表され、第２主成分が組成式：(Ｂａ１−ｚＣａｚ)ＴｉＯ３（ただし、０≦ｚ≦０．０４）で表され、第１主成分と第２主成分との合計１００モルに対し、
第１主成分を３０〜６０モル、第２主成分を４０〜７０モル含み、かつ
副成分として、各酸化物換算で、
ＭｎＯ：０．０５〜０．７５モル、
Ｒｅ２Ｏ３（ただし、Ｒｅは希土類元素）：０．２５〜１．５０モル、
Ｖ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｗからなる群から選ばれる元素の酸化物：０．０２〜０．１５モル、および
焼結助剤：０．３〜２．０モル、
を含む誘電体磁器組成物。
【請求項２】
前記焼結助剤が、ＳｉＯ２を含む請求項１に記載の誘電体磁器組成物。
【請求項３】
請求項１または２に記載の誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層と、内部電極層とを有する電子部品。
【図１】
【図２】
【図２】
【公開番号】特開２００８−２８５３７３（Ｐ２００８−２８５３７３Ａ）
【公開日】平成２０年１１月２７日（２００８．１１．２７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−１３３２８７（Ｐ２００７−１３３２８７）
【出願日】平成１９年５月１８日（２００７．５．１８）
【出願人】（０００００３０６７）ＴＤＫ株式会社 (7,238)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年１１月２７日（２００８．１１．２７）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年５月１８日（２００７．５．１８）
【出願人】（０００００３０６７）ＴＤＫ株式会社 (7,238)
【Ｆターム（参考）】
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