【課題】キャパシタ用層間絶縁膜を回路基板やパッケージに内蔵する際に、層間絶縁膜と接する他の材料との界面にかかる応力が小さく、密着力に優れた誘電率が大きいキャパシタ用層間絶縁膜を提供することができるペースト組成物、誘電体組成物、Ｂステージ誘電体シート、及びこれらから得られる層間絶縁膜を用いたキャパシタ内蔵回路基板を提供する。
【解決手段】（ａ）エポキシ樹脂、（ｂ）高誘電率無機粒子、（ｃ）溶剤を有し、（ａ）エポキシ樹脂が分子中に１個以上のシクロヘキサン環を有し、２５℃、１．０１３２５×１０^５Ｐａにおいて粘度が１５０Ｐａ・ｓ以下の樹脂であって、（ｂ）高誘電率無機粒子の平均粒径が０．０１μｍ以上１μｍ以下であるペースト組成物。 （もっと読む）

【課題】 簡単な方法で製造することができ、しかも、有毒な重金属の含有を避けることができる高誘電率の強誘電体を提供する。
【解決手段】 強誘電体は、有機カチオンと、ポリチタン酸アニオン、ポリニオブ酸アニオン及びポリタンタル酸アニオンからなる群から選ばれる少なくとも１種のポリアニオンと、からなる有機カチオン含有ポリアニオンを含む。 （もっと読む）

【課題】 非鉛系でかつ比較的高温のキュリー温度における良好なＰＴＣＲ特性を有するチタン酸バリウム系磁器組成物の製造に用いられるジルコニア粉末、該ジルコニア粉末を用いて得られるチタン酸バリウム系半導体磁器組成物およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 ＺｒＯ₂を主成分とし、Ｚｒ₃Ｏを１〜５０ｍｏｌ％の範囲内で含有するジルコニア粉末、および該ジルコニア粉末を用いたチタン酸バリウム系半導体磁器組成物の製造方法であって、Ｂａ_1-2x（ＢｉＭ）_xＴｉＯ₃（但し、０≦ｘ＜０．３５、ＭはＫおよび／またはＮａである）を含む母体と該ジルコニア粉末とを接触させた状態で、温度１２００〜１４００℃、酸素分圧０．０５〜１．０、加熱時間０．５〜１０時間の範囲内に設定して該母体の焼成および半導体化を行なう熱処理工程を含むチタン酸バリウム系半導体磁器組成物の製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】８００℃未満の低温焼成によってもＢｉ系誘電体の結晶化薄膜を得ることができるＢｉ系誘電体薄膜形成用組成物とＢｉ系誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】少なくともＳｒ、Ｂｉ、Ｔａおよびランタノイド系元素Ａの各金属または複合金属のアルコキシド、有機塩あるいは錯体を反応させることによって得られる化合物を含有させてＢｉ系誘電体薄膜形成用組成物を構成する。この組成物の塗膜を８００℃未満の低温で焼成することにより、下記一般式（１）
Ｓｒ_1-XＡβＢｉ_2+Y（Ｔａ_2-ZＮｂ_Z）Ｏ₉₊α・・・・・（１）
（式中、Ａは、ランタノイド系元素を表す。Ｘ、Ｙ、αは、それぞれ独立に０以上１未満の数を表し、Ｚは、０以上２未満の数を表し、βは、０．０９以上０．９以下の数を表す。）で表されるＢｉ系誘電体の結晶化薄膜を得る。 （もっと読む）

【課題】 誘電性単結晶、特にＬＮ結晶インゴットをその焦電性に由来する放電クラック発生を防止しながら、アニールとポーリングを一括して行うこと。
【解決手段】 強誘電体単結晶を育成した後に、アニールおよびポーリングを行う単結晶製造方法において、強誘電体単結晶を育成した後冷却するときに、当該強誘電体単結晶を５００℃以上の温度にて還元雰囲気にさらすことにより、室温で１×１０^-6Ｖ／ｃｍ以上の導電率にする工程、次に当該単結晶全体を粉末中に埋設し、かつ埋設した粉末の中に電極を設けて、当該単結晶を、酸素を含む雰囲気にて、キューリー温度以上に加熱して、電極間に直流電圧を印加して、アニールとポーリングを一括して行う工程を含むことを特徴とする強誘電体単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】無負荷Ｑ値と機械的強度が高く、かつ焼成温度に対して非常に安定であり、十分な絶縁信頼性を有し、グリーンシートの作製も容易である誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】誘電体磁器組成物を、組成式ｘＢａＯ−ｙＣａＯ−ｚＬｉＯ_1/2−ｗＭＯ_5/2（Ｍは、ＮｂおよびＶからなる群から選ばれる少なくとも一種の元素で、ｘ，ｙ，ｚ，ｗはｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ＝１、０≦ｘ≦０．５、０≦ｙ≦０．５、０．１２≦ｚ≦０．２０、０．３０≦ｗ≦０．３８で示される値）で表される第一成分と、Ｓｉ，Ｂ，Ａｌ，Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｚｎ，Ｔｉ，ＬａおよびＮｄからなる群から選ばれる少なくとも二種の元素を含むガラス組成物である第二成分とを含み、第二成分の含有率が２重量％以上５０重量％以下であり、さらに第三成分としてＣｕＯを前記第一、第二成分を合わせたものに対して０．２重量部以上５重量部以下含ませた。 （もっと読む）

【課題】無負荷Ｑ値と機械的強度が高く、かつ焼成温度に対して非常に安定であり、十分な絶縁信頼性を有し、グリーンシートの作製も容易である誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】組成式ｙＣａＯ−ｚＬｉＯ_1/2−ｗＭＯ_5/2−ｕＴｉＯ₂（Ｍは、ＮｂおよびＶからなる群から選ばれる少なくとも一種の元素で、ｙ，ｚ，ｗ，ｕはｙ＋ｚ＋ｗ＋ｕ＝１、０．４５≦ｙ≦０．５５、０．１０≦ｚ≦０．２０、０．１６≦ｗ≦０．３８、０．０１≦ｕ≦０．２０で示される値）で表される第一成分と、Ｓｉ，Ｂ，Ａｌ，Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｚｎ，Ｔｉ，ＬａおよびＮｄからなる群から選ばれる少なくとも二種の元素を含むガラス組成物である第二成分とを含み、第二成分の含有率が２重量％以上５０重量％以下であり、さらに第三成分としてＣｕＯを前記第一、第二成分を合わせたものに対して０．２重量部以上５重量部以下含む誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】温度特性が平滑で、誘電率が高く、自己発熱が低い等の全ての特性を満足して、鉛を含有しないチタン酸バリウムを主成分とする誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】本発明の誘電体磁器組成物は、チタン酸バリウムを主成分とする、ペロブスカイト型構造を形成する固溶体組成において、BiMnO₃成分を1.0モル％〜2.0モル％、Ba_1/2NbO₃またはBa_1/2TaO₃成分を0.3モル％〜1.2モル％、およびBi_2/3TiO₃成分を9.0モル％〜15.0モル％を含有する。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率εの温度特性τεが正である誘電体磁器組成物を提供し、比誘電率εの温度特性τεがゼロに近く、誘電特性にも優れた複合誘電体材料及び複合誘電体基板を提供する。
【解決手段】 組成式（Ａ_１−ｘＬＥ_ｘ）Ｎｂ_２Ｏ_６（ただし、式中Ａはアルカリ土類金属元素であり、ＬＥはランタン系列元素である。また、０＜ｘ＜１である。）で表される誘電体磁器組成物である。アルカリ土類金属元素はＳｒであり、ランタン系列元素ＬＥはＬａである。この誘電体磁器組成物を比誘電率εの温度特性τεが負である誘電体磁器組成物と組み合わせて誘電体セラミックスとし、これを有機高分子材料と複合化することで、複合誘電体材料とする。 （もっと読む）

【課題】 誘電体セラミックスが有する高い比誘電率εｒを十分に反映させることができ、これまでにない高い比誘電率εｒを実現することができ、しかも高いＱを有する低損失な複合誘電体材料を提供する。
【解決手段】 誘電体セラミックスと有機高分子材料とを含有する複合誘電体材料である。誘電体セラミックスとして、一般式Ａｇ（Ｎｂ_１−ｘＴａ_ｘ）Ｏ_３（ただし、０．１０≦ｘ≦０．９０である。）で表される組成を有する酸化物からなる第１の誘電体セラミックスと、Ｑ≧１０００の第２の誘電体セラミックスとを含有する。この場合、第１の誘電体セラミックスを一般式Ａｇ（Ｎｂ_１−ｘＴａ_ｘ）Ｏ_３（ただし、０．１０≦ｘ≦０．４５である。）で表される組成を有し比誘電率の温度変化係数が正である酸化物とし、第２の誘電体セラミックスの比誘電率の温度変化係数を負とすることで、複合誘電体材料全体の比誘電率の温度変化が抑えられる。 （もっと読む）

【課題】 誘電体セラミックスが有する高い比誘電率εｒを十分に反映させることができ、これまでにない高い比誘電率εｒを実現することができ、しかも比誘電率εｒの温度変化率の小さな新規な複合誘電体材料を提供する。
【解決手段】 誘電体セラミックスと有機高分子材料とを含有する複合誘電体材料である。誘電体セラミックスとして、一般式Ａｇ（Ｎｂ_１−ｘＴａ_ｘ）Ｏ_３（ただし、０．１０≦ｘ≦０．４５である。）で表される組成を有し比誘電率の温度変化係数が正である酸化物を含有する。さらに、一般式Ａｇ（Ｎｂ_１−ｘＴａ_ｘ）Ｏ_３（ただし、０．６０≦ｘ≦０．９０である。）で表される組成を有し比誘電率の温度変化係数が負である酸化物を併用してもよい。本発明の複合誘電体材料は、プリプレグや金属箔塗工物、板状の成形体等に用いられ、さらにこれらプリプレグや金属箔塗工物、成形体を用いて複合誘電体基板や多層基板が作製される。 （もっと読む）

【課題】収縮の許容差を減少させることができる共焼成された金属化高誘電率セラミックコアの製造方法の提供。
【解決手段】コアテープの少なくとも１つの層を含む前駆体グリーン積層体を形成する工程であって、該コアテープは少なくとも２０の誘電率を有する工程と；該前駆体グリーン積層体を焼成する工程とを含む、共焼成された金属化高誘電率セラミックコアを製造するための方法。 （もっと読む）

低温度での焼成でも優れた特性の強誘電体薄膜を作製可能な薄膜形成用液状組成物、およびそれを用いた強誘電体薄膜の製造方法を提供する。液状媒体中に、一般式（Ｂｉ_２Ｏ_２）^２＋（Ｂｉ_ｍ−１Ｔｉ_ｍＯ_{３．５ｍ−０．５}）^２−［ｍは１〜５の整数である。］又は一般式（Ｂｉ_２Ｏ_２）^２＋（Ａ_ｍ−１Ｔｉ_ｍＯ_{３．５ｍ−０．５}）^２−［ＡはＢｉ^３＋およびＬａ^３＋であり、Ｌａ^３＋／Ｂｉ^３＋の比が０．０５〜０．５であり、ｍは１〜５の整数である。］で表される、平均一次粒子径が１００ｎｍ以下の結晶性強誘電体酸化物粒子が分散し、加熱により強誘電体酸化物を形成する可溶性金属化合物が溶解したことを特徴とする強誘電体薄膜形成用液状組成物を用いる。 （もっと読む）

【課題】 誘電体セラミックスが有する高い比誘電率εｒを十分に反映させることができ、これまでにない高い比誘電率εｒを実現することができ、しかも高いＱ値を有する新規な複合誘電体材料を提供する。
【解決手段】 誘電体セラミックスと有機高分子材料とを含有する複合誘電体材料である。誘電体セラミックスとして、一般式Ａｇ（Ｎｂ_１−ｘＴａ_ｘ）Ｏ_３（ただし、０．１０≦ｘ≦０．９０である。）で表される組成を有する酸化物を含有する。複合誘電体材料の比誘電率εｒは１２以上である。酸化物は、１１００℃以下の温度で焼成されたものであることが好ましい。本発明の複合誘電体材料は、プリプレグや金属箔塗工物、板状の成形体等に用いられ、さらにこれらプリプレグや金属箔塗工物、成形体を用いて複合誘電体基板や多層基板が作製される。 （もっと読む）

本発明に係る積層体ユニットは、導電性を有し、かつ、その上で、ビスマス層状化合物を含む誘電体材料をエピタキシャル成長させることができる材料によって、形成され、少なくとも表面が［００１］方位に配向された支持基板と、支持基板上で、ビスマス層状化合物を含む誘電体材料をエピタキシャル成長させて形成され、［００１］方位に配向されたビスマス層状化合物を含む誘電体材料よりなる誘電体層を備えている。このように構成された積層体ユニットは、ｃ軸方向に配向されたビスマス層状化合物をを含む誘電体層を有しているから、誘電体層に含まれているビスマス層状化合物の強誘電体としての性質を抑制して、常誘電体としての性質を十分に発揮させることが可能になるから、小型で、かつ、大容量の誘電特性に優れた薄膜コンデンサを作製することができる。
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【課題】収縮の許容差を減少させることができる低温共焼成セラミック構造物の製造方法の提供。
【解決手段】コアテープの少なくとも１つの層を含む前駆体グリーン積層体を提供する工程であって、該コアテープは少なくとも２０の誘電率を有する工程と；自己束縛テープの１つまたは複数の層を提供する工程と；主テープの１つまたは複数の層を提供する工程と；コアテープ、自己束縛テープおよび主テープの層を揃える工程と；コアテープ、自己束縛テープおよび主テープの層を積層および共焼成してセラミック構造物を形成する工程とを含む、低温共焼成セラミック構造物を製造するための方法。 （もっと読む）

【課題】１Ｔ１Ｃ、２Ｔ２Ｃ及び単純マトリクス型強誘電体メモリのいずれにも使用可能なヒステリシス特性を持つ強誘電体キャパシタに好適な強誘電体膜を提供する。
【解決手段】本発明の強誘電体膜１０１は、ＡＢ_１−ｘＮｂ_ｘＯ_３の一般式で示され、Ａ元素は、少なくともＰｂからなり、Ｂ元素は、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ及びＨｆのうち、少なくとも一つ以上からなり、０．０５≦ｘ＜１の範囲でＮｂを含む酸化物から形成されている。 （もっと読む）

【課題】 鉛を含まず信頼性の高い強誘電体膜およびその製造方法、強誘電体キャパシタ、ならびに誘電体メモリを提供する。
【解決手段】 本発明にかかる強誘電体膜１０１の製造方法は、（ａ）ニオブ元素を含むポリカルボン酸塩と、ビスマス元素を含むポリカルボン酸塩と、ポリカルボン酸またはポリカルボン酸エステルと、有機溶媒と、を混合する工程と、（ｂ）混合した溶液を、基体上に塗布した後、熱処理することにより、ＢｉＮｂＯ_４からなる強誘電体膜を形成する、工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】１Ｔ１Ｃ、２Ｔ２Ｃ及び単純マトリクス型強誘電体メモリのいずれにも使用可能なヒステリシス特性を持つ強誘電体キャパシタに好適な強誘電体膜を提供する。
【解決手段】本発明の強誘電体膜１０１は、ＡＢ_１−ｘＮｂ_ｘＯ_３の一般式で示され、Ａ元素は、少なくともＰｂからなり、Ｂ元素は、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ及びＨｆのうち、少なくとも一つ以上からなり、０．０５≦ｘ＜１の範囲でＮｂを含む酸化物から形成されている。 （もっと読む）

組成式：（Ｂｉ_２Ｏ_２）^２＋（Ａ_ｍ−１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋１）^２−、またはＢｉ_２Ａ_ｍ−１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋３で表され、前記組成式中の記号ｍが正数、記号ＡがＮａ、Ｋ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒ、ＣａおよびＢｉから選ばれる少なくとも１つの元素、記号ＢがＦｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｂ、Ｖ、ＭｏおよびＷから選ばれる少なくとも１つの元素である第１ビスマス層状化合物層８ａを有する誘電体薄膜８である。この第１ビスマス層状化合物層８ａと下部電極６との間には、第１ビスマス層状化合物層８ａの組成式よりもビスマスが過剰に含有してある第２ビスマス層状化合物層８ｂが形成してある。
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