組成式：（Ｂｉ_２Ｏ_２）^２＋（Ａ_ｍ−１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋１）^２−、またはＢｉ_２Ａ_ｍ−１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋３で表され、前記組成式中の記号ｍが正数、記号ＡがＮａ、Ｋ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒ、ＣａおよびＢｉから選ばれる少なくとも１つの元素、記号ＢがＦｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｂ、Ｖ、ＭｏおよびＷから選ばれる少なくとも１つの元素である第１ビスマス層状化合物層８ａを有する誘電体薄膜８である。この第１ビスマス層状化合物層８ａと下部電極６との間には、第１ビスマス層状化合物層８ａの組成式よりもビスマスが過剰に含有してある第２ビスマス層状化合物層８ｂが形成してある。
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【課題】低温焼成が可能で、マイクロ波やミリ波などの高周波領域で使用しても、高い比誘電率と、高いＱ値を有し、また共振周波数の温度係数（τ_f）の絶対値が小さい高周波用誘電体磁器組成物、それを用いた誘電体共振器、誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサ、および通信機装置を提供する。
【解決手段】少なくとも希土類（Ｌｎ）、Ａｌ、Ｃａ、Ｔｉ，Ｍ１，Ｍ２およびＷを含有する組成物を主成分とし、Ｍ１がＺｎおよびＭｇのうち少なくとも１種、Ｍ２がＮｂおよびＴａのうち少なくとも１種であり、組成式を（１−ｙ）ｘＣａＴｉ_aＯ_1+2a−（１−ｙ）（１−ｘ）Ｃａ｛（Ｍ１）_1/3（Ｍ２_1-zＷ_z）_2/3｝_bＯ_1+2b−ｙＬｎＡｌ_cＯ_(3+3c)/2としたとき、
０．５６≦ｘ≦０．８
０．０８≦ｙ≦０．１８
０．０５≦ｚ≦０．５
（１−ｙ）ｘ≦０．６６０
０．９８５≦ａ≦１．０５
０．９≦ｂ≦１．０２
０．９≦ｃ≦１．０５
を満足するようにする。 （もっと読む）

【課題】積層セラミックコンデンサの誘電体層として使用し、微細な粒子から構成され、かつコンデンサを薄層化した場合においても、良好な電気特性や温度特性を有する誘電体磁器組成物の製造方法を提供すること。
【解決手段】組成式（ＢａＯ）_ｍ ＴｉＯ_２ で表され、式中のｍが１．０２〜１．０３であるチタン酸バリウムとガラス成分と添加物成分とを有する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、組成式（ＢａＯ）_ｍ’・ＴｉＯ_２ で表され、式中のモル比ｍ’がモル比ｍに対して、ｍ’＜ｍの関係を満足し、かつ窒素吸着法により測定した比表面積（ＳＳＡ）が１０〜５０ｍ^２ ／ｇのチタン酸バリウム原料とモル比ｍ’をｍ’＝ｍに調製可能な量のＢａ化合物を含む添加物成分原料とガラス成分原料とを準備する工程と、前記チタン酸バリウム原料に前記ガラス成分原料及び添加物成分原料を混合し、最終組成の誘電体原料を得る工程とを有する誘電体磁器組成物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】無機フィラーを高充填化させた空隙率の低い高誘電体組成物を得ること。
【解決手段】無機フィラーと樹脂を含む誘電体組成物であって、無機フィラーの平均粒子サイズ０．０１μｍ以上１μｍ以下であり、無機フィラーの表面積が、同一体積の真球に対し１．０５倍以上１．３倍以下である無機フィラーを含有することを特徴とする誘電体組成物。 （もっと読む）

ｃ軸が基板面に対して垂直に配向しているビスマス層状化合物が、組成式：（Ｂｉ_２Ｏ_２）^２＋（Ａ_ｍ１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋１）^２−、またはＢｉ_２Ａ_ｍ１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋３で表され、前記組成式中の記号ｍが奇数、記号ＡがＮａ、Ｋ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒ、ＣａおよびＢｉから選ばれる少なくとも１つの元素、記号ＢがＦｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｂ、Ｖ、ＭｏおよびＷから選ばれる少なくとも１つの元素であり、前記ビスマス層状化合物のＢｉが、前記組成式：（Ｂｉ_２Ｏ_２）^２＋（Ａ_ｍ−１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋１）^２−、またはＢｉ_２Ａ_ｍ−１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋３に対して、過剰に含有してあり、そのＢｉの過剰含有量が、Ｂｉ換算で、０＜Ｂｉ＜０．６×ｍモルの範囲である。
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［（Ｃａ_ｘＳｒ_１−ｘ）Ｏ］_ｍ［（Ｔｉ_ｙＺｒ_{１−ｙ−ｚ}Ｈｆ_ｚ）Ｏ_２］で示される組成の誘電体酸化物を含む主成分と、Ｍｎ酸化物および／またはＡｌ酸化物を含む第１副成分と、ガラス成分とを少なくとも含む誘電体磁器組成物である。主成分に含まれる式中の組成モル比を示す記号ｍ、ｘ、ｙおよびｚが、０．９０≦ｍ≦１．０４、好ましくは１．００５≦ｍ≦１．０２５、０．５≦ｘ＜１、好ましくは０．６≦ｘ≦０．９、０．０１≦ｙ≦０．１０、好ましくは０．０２≦ｙ≦０．０７、０＜ｚ≦０．２０、好ましくは０＜ｚ≦０．１０の関係にある。
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【課題】 積層セラミックコンデンサの誘電体層として使用し、微細な粒子から構成され、かつコンデンサを薄層化した場合においても、良好な電気特性（例えば高い誘電率、ＣＲ積、ＩＲ寿命など）や温度特性（例えばＸ５Ｒを満足するなど）を有する誘電体磁器組成物の製造方法を提供すること。
【解決手段】 チタン酸バリウムと、ガラス成分と、添加物成分とを有する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、ＩＣＰ法により測定した不純物としてのＳｉＯ_２ の存在量が６０ｐｐｍ以下に制御されたチタン酸バリウム原料を用いて、前記誘電体磁器組成物を製造することを特徴とする誘電体磁器組成物の製造方法。
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【課題】 ７０〜８５程度のε_ｒを発現しつつ、大きなＱｕが得られる誘電体磁器組成物及びこれを用いた電子部品を提供する。
【解決手段】 Ｃａ及びＳｒの少なくとも一方と、Ｔｉと、Ａｌと、Ｎｂ及びＴａの少なくとも一方と、Ｏとの各元素を含有し、これらの元素について、組成式［ａＭ^１Ｏ−ｂＴｉＯ_２−（１／２）ｃＡｌ_２Ｏ_３−（１／２）ｄＭ^２_２Ｏ_５］（但し、Ｍ^１はＣａ及び／又はＳｒであり、Ｍ^２はＮｂ及び／又はＴａであり、ａ、ｂ、ｃ及びｄは各々モル比を表わし、且つ、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１である）と表した場合に下記条件を満たす。０．４３６≦ａ≦０．５００、０．３２５≦ｂ≦０．３７５、０．０５４≦ｃ<０．０８８且つ０．０６２<ｄ<０．１４３。本電子部品は、本組成物からなる誘電体部を備える。 （もっと読む）

【課題】 積層セラミックコンデンサの誘電体層として使用し、微細な粒子から構成され、かつコンデンサを薄層化した場合においても、良好な電気特性（例えば高い誘電率、ＣＲ積、ＩＲ寿命など）や温度特性（例えばＸ５Ｒを満足するなど）を有する誘電体磁器組成物の製造方法を提供すること。
【解決手段】 チタン酸バリウムと、ガラス成分と、添加物成分とを有する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、Ｘ線源にＣｕ−Ｋα線を用いたＸ線回折において、（１１１）面の回折ピークが観察され、該回折ピークの半値幅が０．２°以下に制御されたチタン酸バリウム原料を用いて、前記誘電体磁器組成物を製造することを特徴とする誘電体磁器組成物の製造方法。
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【課題】 ３０〜５０程度のε_ｒを発現しつつ、大きなＱｕが得られる誘電体磁器組成物及びこれを用いた電子部品を提供する。
【解決手段】 Ｃａ及びＳｒの少なくとも一方と、Ｔｉと、Ａｌと、Ｎｂ及びＴａの少なくとも一方と、Ｏとの各元素を含有し、これらの元素について、組成式［ａＭ^１Ｏ−ｂＴｉＯ_２−（１／２）ｃＡｌ_２Ｏ_３−（１／２）ｄＭ^２_２Ｏ_５］（但し、Ｍ^１はＣａ及び／又はＳｒであり、Ｍ^２はＮｂ及び／又はＴａであり、ａ、ｂ、ｃ及びｄは各々モル比を表わし、且つ、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１である）と表した場合に下記条件を満たす。０．４３６≦ａ≦０．５００、０．０９３≦ｂ<０．１２４、０．０９３<ｃ≦０．１５０且つ０．２５１≦ｄ<０．３６２。本電子部品は、本組成物からなる誘電体部を備える。 （もっと読む）

【課題】 積層セラミックコンデンサの誘電体層として使用し、微細な粒子から構成され、かつコンデンサを薄層化した場合においても、良好な電気特性（たとえばＤＣバイアス特性）や温度特性（たとえばＸ５Ｒを満足するなど）を有する誘電体磁器組成物の製造方法を提供すること。
【解決手段】 チタン酸バリウムと、ＳｉＯ_２ 及びＣａＯを主成分とするガラス成分と、添加物成分とを有する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、前記チタン酸バリウムの原料と前記ガラス成分の原料を湿式混合し、かさ密度が３ｇ／ｃｍ^３ 以下の仮焼前体を準備する工程と、準備された仮焼前体を、９５０℃未満で２時間超の時間、仮焼きして仮焼済体を得る工程と、得られた仮焼済体に前記添加物成分の原料を混合し、最終組成の誘電体原料を得る工程とを、有する誘電体磁器組成物の製造方法。
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【課題】 中間域のε_ｒを発現でき、ε_ｒ及びＱｕのバランスを保持しながらτ_ｆを小さくコントロールできる誘電体磁器組成物及びこれを用いた電子部品を提供する。
【解決手段】 Ｃａ及びＳｒの少なくとも一方と、Ｔｉと、Ａｌと、Ｎｂ及びＴａの少なくとも一方と、Ｏとの各元素を含有し、これらの元素について、組成式［ａＭ^１Ｏ−ｂＴｉＯ_２−（１／２）ｃＡｌ_２Ｏ_３−（１／２）ｄＭ^２_２Ｏ_５］（但し、Ｍ^１はＣａ及び／又はＳｒであり、Ｍ^２はＮｂ及び／又はＴａであり、ａ、ｂ、ｃ及びｄは各々モル比を表わし、且つ、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１である）と表した場合に下記条件を満たす。０．４３６<ａ≦０．５００、０．１２４<ｂ≦０．３２５、０．０５４<ｃ≦０．１５０且つ０．１７０<ｄ<０．３４６。本電子部品は、本組成物からなる誘電体部を備える。 （もっと読む）

【課題】 優れた特性（例えば、安定な誘電特性、高い信頼性、低い焼結温度、高い絶縁抵抗および高い相分解温度）を有する組成物を達成するために、従来の誘電性ＺｎＴｉＯ_３材料系の特性を改善する新規な材料系を提供すること。
【解決手段】 式（Ｉ）：
（Ｚｎ_１−ａＭｇ_ａ）（Ｔｉ_{１−ｂ−ｃ}Ｍｎ_ｂＤ_ｃ）_ｄＯ_３ （Ｉ）
によって表される組成物を含む誘電材料であって、ここで、Ｄは、５以上の原子価を有する元素であり、ａは、０以上０．５以下であり、ｂは、ｃ以上０．１以下であり、ｃは、０より大きく０．１以下であり、ｄは、１以上１．５以下である、誘電材料。 （もっと読む）

【課題】電子放出素子における電子放出量の経時劣化を改善できる誘電体組成物を提供すること。
【解決手段】Ｐb_xＢi_ｐ（Ｍg_y/3Ｎb_2/3）_aＴi_b-zＭ_ｚＺr_ｃＯ₃［０．９５≦ｘ≦１．０５、０．０２≦ｐ≦０．１、０．８≦ｙ≦１．０であり、かつ（ａ，ｂ，ｃ）が（０．５５０，０．４２５，０．０２５），（０．５５０，０．１５０，０．３００），（０．１００，０．１５０，０．７５０），（０．１００，０．５２５，０．３７５），（０．３７５，０．４２５，０．２００）の５点で囲まれる範囲内となるような小数。また、０．０２≦ｚ≦０．１０で、ＭはＮb，Ｔa，Ｍo，Ｗから選ばれる少なくとも１種である。］で示されるＰＭＮ−ＰＺ−ＰＴ三成分固溶系組成物を主成分とし、０．０５〜２．０重量％のＮiＯの含有量に相当するＮiを含有した誘電体組成物。 （もっと読む）

第1の材料にマクロスケール領域を有する秩序化されたシングル・ドメイン・ナノポア・アレイが提供される。制御されたパターンを有するナノポア・アレイを製造する方法は、第1のパターンを有する第1の表面を含む基板を設けることと、第1のパターンを有する第1の表面上に、ナノポアを形成できる第1の材料を付着させることと、第1の材料を陽極酸化し、陽極酸化された第1の材料に制御されたパターンを有するナノポア・アレイを形成することとを含む。 （もっと読む）

【課題】 極大誘電率温度を低下させたビスマス層状化合物誘電体薄膜を提供すること。
【解決手段】 ペロブスカイトブロック層と酸化ビスマス層とが互いに積層した結晶構造を有するビスマス層状化合物を含んで成る誘電体薄膜であって、該ビスマス層状化合物が組成式：
（Ｂｉ_２Ｏ_２）²⁺（Ａ_ｘＢ_ｍＯ_３ｍ＋１）^2-
で表され、上記組成式中、ＡがＮａ、Ｋ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒ、ＣａまたはＢｉを表し、ＢがＦｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｂ、Ｖ、ＭｏまたはＷを表し、ｍが２以上の正数であり、かつ、ｘがｍ−１より小さい正数であり、そして該化合物の極大誘電率温度Ｔ_ｍが、上記組成式においてｘがｍ−１である対応するビスマス層状化合物の極大誘電率温度より低いことを特徴とする誘電体薄膜。 （もっと読む）

【課題】誘電体層をより薄層化しても、誘電特性や静電容量の温度特性を損なうことなく、絶縁性や高温負荷寿命等の信頼性を向上させる。
【解決手段】（Ｂａ，Ｃａ）ＴｉＯ_３を主成分とし、該主成分に第１〜第４の添加成分が含有されている。第１の添加成分が、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ及びＷの中から選択された少なくとも１種を含み、第２の添加成分が所定の希土類元素からなり、第３の添加成分が、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｍｇ及びＡｌの中から選択された少なくとも１種を含み、第４の添加成分が少なくともＳｉを含有した焼結助剤からなる。そして、第１の添加成分２が主成分粒子１に固溶されると共に、第１の添加成分２の前記主成分粒子１への固溶距離Ｌが、主成分粒子１の外表面１ａから内部方向に向かって前記主成分粒子１の半径Ｒの１／１００以上かつ１／３以下である。
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【課題】 積層セラミックコンデンサの誘電体層として使用し、微細な粒子から構成され、かつコンデンサを薄層化した場合においても、良好な電気特性や温度特性を有する誘電体磁器組成物の製造方法を提供すること。
【解決手段】 チタン酸バリウムと、ＳｉＯ_２ 及びＣａＯを主成分とするガラス成分と、添加物成分とを有する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、前記添加物成分の原料を除いて、前記チタン酸バリウムの原料と前記ガラス成分の原料を混合し、前記チタン酸バリウムの原料をＢａＴｉＯ_３ に換算したときの該ＢａＴｉＯ_３ １００モルに対する前記ガラス成分の原料の比率が、Ｃａ量に換算して０〜２モル（但し、０モルと２モルを除く）である混合粉体を準備する工程と、準備された混合粉体を９５０℃未満で２時間超の時間、仮焼きして仮焼粉体を得る工程と、得られた仮焼粉体に前記添加物成分の原料を混合し、最終組成の誘電体原料を得る工程とを、有する誘電体磁器組成物の製造方法。
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【課題】誘電体層が薄い積層セラミックコンデンサであっても直流電圧による静電容量変化の少ない、即ち優れたＤＣバイアス特性を持つ積層セラミックコンデンサを提供することを目的とする。
【解決手段】チタン酸カルシウムが主成分の結晶粒子から構成され、この結晶粒子の中央部分を半導体相、周辺部分を常誘電体相としたセラミック誘電体を用いることにより、静電容量が大きく、かつＤＣバイアス特性に優れた積層セラミックコンデンサを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 低温焼成でき、十分な比誘電率を保持しつつ、高い無負荷Ｑ値が得られるＢｉ−Ｚｎ−Ｎｂ系酸化物からなる低温焼成誘電体磁器組成物及びこれを用いた誘電体部品を提供する。
【解決手段】 本低温焼成誘電体磁器組成物は、Ｂｉと、２価の金属元素であるＭ（例えばＺｎ）と、Ｎｂ及びＴａのうちの少なくともＮｂと、Ｏとを含有し、且つ、ｘＢｉＯ_３／２−ｙＭＯ−ｚ（Ｎｂ_ａＴａ_ｂ）Ｏ_５／２と表した場合に、０．４５５≦ｘ≦０．５４５、０．１５５≦ｙ<０．１９、０．３０５≦ｚ≦０．３６２、０<ａ≦１、且つ、０≦ｂ<１を満たす。更に、本発明の誘電体部品１は、本発明の低温誘電体磁器組成物からなる誘電体磁器部１１１、１１２及び１１３と、この誘電体磁器部の表面及び／又は内部に同時焼成された導体部１２１、１２２及び１２３とを備える。 （もっと読む）