【課題】１１００℃以下の低温焼結用焼結助剤に好適なガラス組成物、ガラスフリット、誘電体組成物及びこれを用いた積層セラミックコンデンサーを提供する。
【解決手段】本発明によるガラス組成物は、ａＬｉ_２Ｏ−ｂＫ_２Ｏ−ｃＣａＯ−ｄＢａＯ−ｅＢ_２Ｏ_３−ｆＳｉＯ_２から成り、前記ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｆはａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１００、２≦ａ≦１０、２≦ｂ≦１０、０≦ｃ≦２５、０≦ｄ≦２５、５≦ｅ≦２０及び５０≦ｆ≦８０とを満足する。 （もっと読む）

【課題】低温焼成が可能で高誘電率を示しながらも温度安定性が優秀な、誘電体磁器組成物およびこれを用いた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】本発明による誘電体磁器組成物は、主成分として(Ｂａ_１−ｘＣａ_ｘ)_ｍＴｉＯ_３と、副成分としてＭｇＣＯ_３、ＲＥ_２Ｏ_３(ＲＥ_２Ｏ_３はＹ_２Ｏ_３、Ｄｙ_２Ｏ_３及びＨｏ_２Ｏ_３から成る群から１種以上選択される希土類酸化物)、ＭＯ(ＭはＢａ及びＣａのうち一つの元素)、ＭｎＯ、Ｖ_２Ｏ_５、Ｃｒ_２Ｏ_３及び焼結助剤であるＳｉＯ_２を含む。上記誘電体磁器組成物の組成式はａ(Ｂａ_１−ｘＣａ_ｘ)_ｍＴｉＯ_３−ｂＭｇＣＯ_３−ｃＲＥ_２Ｏ_３-ｄＭＯ−ｅＭｎＯ−ｆＳｉＯ_２−ｇＶ_２Ｏ_５−ｈＣｒ_２Ｏ_３と表現する際、モル比でａ＝１００、０．１≦ｂ≦３．０、０．１≦ｃ≦３．０、０．１≦ｄ≦３．０、０．０５≦ｅ≦１．０、０．２≦ｆ≦３．０、０．０１≦ｇ≦１．０、０．０１≦ｈ≦１．０であり、０．００５≦ｘ≦０．１５、０．９９５≦ｍ≦１．０３を満足する。 （もっと読む）

【課題】容量温度特性がＥＩＡ規格のＸ８Ｒ特性を満足し、還元性雰囲気中での焼成が可能であり、ＩＲ温度依存性が改善され、かつ強度の高い誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】チタン酸バリウムを含む主成分と、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯから選択される少なくとも１種を含む第１副成分と、酸化シリコンを主成分として含有する第２副成分と、Ｖ_２Ｏ_５、ＭｏＯ_３、ＷＯ_３から選択される少なくとも１種を含む第３副成分と、Ｓｃ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、または酸化物を含む第４ａ副成分と、ＢａＺｒＯ_３、ＳｒＺｒＯ_３、ＭｇＺｒＯ_３から選択される少なくとも１種を含む第５副成分とを、有する誘電体磁器組成物であって、前記主成分１００モルに対する各副成分の比率が、第１副成分：０．１〜３モル、第２副成分：２〜１０モル、第３副成分：０．０１〜０．５モル、第４ａ副成分：Ｒ１換算で０．５〜７モル、第５副成分：０．５〜５モル、である。 （もっと読む）

【課題】 燃焼合成法により得られ、優れた焼結特性を有するＢａＲｅ₂Ｔｉ₅Ｏ₁₄、ＢａＲｅ₂Ｔｉ₄Ｏ₁₂等の誘電体セラミックスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 組成式 ＢａＲｅ₂Ｔｉ_mＯ_2m+4（式中 3 ≦ m ≦ 7 ； m は整数 Ｒｅ は希土類元素 ）で表される酸化物系の誘電体セラミックスであって、比表面積が 0.01〜2 m²/gのＴｉ粉末と、Ｒｅ₂Ｏ₃と、ＢａＯ₂と、酸素供給源となるイオン結合性物質とを少なくとも含む反応原料をそれぞれ所定割合で配合し、断熱火炎温度が1500℃以上である燃焼合成法により得られる。 （もっと読む）

【課題】分離を必要とする副生成物を発生させずに燃焼合成により短時間で得られるとともに、優れた焼結体特性を有する誘電体セラミックスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 結晶構造を有するセラミックスであって、比表面積が 0.01〜2 m²/g の４族元素を含む金属粉末と、２族元素を含む元素の炭酸塩と、２族元素を含む元素の過酸化物とを少なくとも含む反応原料をそれぞれ所定割合で配合し、断熱火炎温度が 1500℃以上である燃焼合成法により得られる。また、上記４族元素は、チタンであり、上記２族元素は、ストロンチウム、バリウムおよびカルシウムから選ばれた少なくとも１つの元素である。 （もっと読む）

【課題】高い比誘電率εｒを実現し、高いＱ値を有するとともに、比誘電率の温度変化率の小さな複合誘電体材料を提供する。
【解決手段】誘電体セラミックスと有機高分子材料とを含有する複合誘電体材料であって、前記誘電体セラミックスとして、一般式（Ｍ，Ｌｉ，Ｂｉ，ＲＥ）_ｘＴｉＯ_３（ただし、ＭはＢａ，Ｓｒ，Ｃａから選択される少なくとも１種を表し、ＲＥはＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｙ，Ｙｂ，Ｄｙから選択される少なくとも１種を表す。また、０．９≦ｘ≦１．０５である。）で表される組成を有する酸化物粉末を含有する。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率が高く、絶縁抵抗の寿命を維持でき、容量温度特性がＥＩＡ規格のＸ８Ｒ特性（−５５〜１５０℃、ΔＣ／Ｃ＝±１５％以内）を満足し、還元性雰囲気中での焼成が可能であるとともに、ＩＲ温度依存性が改善され、しかも高温加速寿命に優れた誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】 チタン酸バリウムを含む主成分と、ＭｇＯを含む第１副成分と、ＭｎＯまたはＣｒ_２ Ｏ_３ を含む第７副成分と、Ａｌ_２ Ｏ_３ を含む第８副成分と、その他の所定の副成分（第２、第３、第４、第５副成分）と、を有し、主成分１００モルに対し、第１副成分：０．２〜０．７５モル、第７副成分：０．１〜０．３モル（但し、第７副成分のモル数は、Ｍｎ元素またはＣｒ元素換算での比率である）、第８副成分：０．５〜４モル（但し、４モルを除く）であり、前記第１副成分に含まれるＭｇ元素と、前記第７副成分に含まれるＭｎ元素、Ｃｒ元素とが、モル比で、０．３≦（Ｍｎ＋Ｃｒ）／Ｍｇ≦０．５の関係にある誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】 高い比誘電率εｒとＱ値を有し、比誘電率の温度変化率の小さな複合誘電体材料を提供する。
【解決手段】 誘電体セラミックスと有機高分子材料とを含有する複合誘電体材料であって、前記誘電体セラミックスは、一般式（Ｍ，Ｌｉ，ＲＥ）_ｘＴｉＯ_３（ただし、ＭはＢａ，Ｓｒ，Ｃａから選択される少なくとも１種、ＲＥはＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｙｂ，Ｄｙから選択される少なくとも１種、０．９≦ｘ≦１．０５。）で表される組成を有する酸化物粉末を含有する。前記酸化物粉末の基本組成成分は、ａＢａＴｉＯ_３−ｂＳｒＴｉＯ_３−ｃＣａＴｉＯ_３−ｄＬｉ_１／２ＲＥ_１／２ＴｉＯ_３−ｅＬｉ_１／２Ｎｄ_１／２ＴｉＯ_３［ただし、ＲＥはＬａ，Ｃｅ，Ｐｒから選択される少なくとも１種、ａ〜ｅは各成分の配合比率（モル％）。］で表され、０≦ａ≦３、０≦ｂ≦３０、５≦ｃ≦３５、０≦ｄ≦２０、５５≦ｅ≦８０、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００、である。 （もっと読む）

【課題】 積層セラミックコンデンサを更に小型化、大容量化しても、高周波交流高電圧下あるいは直流高電圧下での使用における発熱が小さく、また高温における絶縁抵抗率が高く、しかも誘電率も従来と比較して劣ることがない誘電体セラミック組成物、及びそれを用いた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 一般式：（Ｂａ_1-xＣａ_x）_mＴｉＯ₃−ｔ（Ｂａ_1-xＣａ_x）_mＺｒＯ₃（ただし、０≦ｘ≦０.２０、０.９９≦ｍ≦１.０５、０.２＜ｔ≦０.４）で表される化合物を主成分とし、前記主成分における（Ｂａ_1-xＣａ_x）_mＴｉＯ₃１００モル部に対し、Ｍｎを０.５〜３.５モル部、Ｒｅ（ＲｅはＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕから選ばれる少なくとも１種の元素）を３〜１２モル部、Ｍｇを１〜７モル部含み、かつ、前記主成分における（Ｂａ_1-xＣａ_x）_mＴｉＯ₃１００重量部に対し、ＳｉＯ₂を０.８〜５重量部含み、さらに、Ｓｒを実質的に含有しない。 （もっと読む）

【課題】誘電率を高く維持したまま優れた温度特性を有するとともに、特に絶縁破壊電圧および絶縁抵抗などの信頼性に優れた誘電体磁器組成物およびそれを用いた積層セラミックコンデンサを実現することを目的とするものである。
【解決手段】主成分であるチタン酸バリウム１００モルに対して、副成分として少なくともマグネシウムをＭｇＯ換算で０．５〜２．０モル、希土類金属Ａ（Ｄｙ、Ｈｏ、Ｙから選択される少なくとも１種）と希土類金属Ｂ（Ｙｂ、Ｅｒ、Ｔｍから選択される少なくとも１種）の総和を酸化物換算で２．０〜５．０モルとし、且つ主成分であるチタン酸バリウムの原料粉末におけるＢＥＴ値を１００としたとき、前記誘電体磁器組成物のＢＥＴ値を１００〜１５０とする。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率が高く、容量温度特性がＥＩＡ規格のＸ８Ｒ特性（−５５〜１５０℃、ΔＣ／Ｃ＝±１５％以内）を満足するとともに、ＴＣバイアス特性（直流電圧印加時の容量温度特性）、および絶縁抵抗の高温加速寿命が向上でき、しかも、直流電界下での容量の経時変化の小さい誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】 所定組成を有する誘電体磁器組成物であって、前記誘電体磁器組成物を構成する焼結後の誘電体粒子の平均結晶粒径が、０．１５〜０．６μｍであり、かつ、前記誘電体粒子の５０％相当径であるＤ５０径と、１００％相当径であるＤ１００径との差（Ｄ１００−Ｄ５０）である粒径の粒度分布が、０．３〜０．９μｍである誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】 誘電体セラミックスが有する高い比誘電率εｒを十分に反映させることができ、これまでにない高い比誘電率εｒを実現することができ、しかも高いＱを有する低損失な複合誘電体材料を提供する。
【解決手段】 誘電体セラミックスと有機高分子材料とを含有する複合誘電体材料である。誘電体セラミックスとして、一般式Ａｇ（Ｎｂ_１−ｘＴａ_ｘ）Ｏ_３（ただし、０．１０≦ｘ≦０．９０である。）で表される組成を有する酸化物からなる第１の誘電体セラミックスと、Ｑ≧１０００の第２の誘電体セラミックスとを含有する。この場合、第１の誘電体セラミックスを一般式Ａｇ（Ｎｂ_１−ｘＴａ_ｘ）Ｏ_３（ただし、０．１０≦ｘ≦０．４５である。）で表される組成を有し比誘電率の温度変化係数が正である酸化物とし、第２の誘電体セラミックスの比誘電率の温度変化係数を負とすることで、複合誘電体材料全体の比誘電率の温度変化が抑えられる。 （もっと読む）

【課題】１０ｋＶ／ｍｍを遥かに超える高電界強度下であっても、加速寿命が良好で高信頼性を有するようにする。
【解決手段】誘電体セラミックが、組成式Ｂａ_mＴｉＯ_2＋mで表されるチタン酸バリウム系固溶体を含有した主相粒子と、組成式Ｍｇ_ｎＶＯ_ｔで表される結晶性複合酸化物からなる二次相粒子とを含んでいる。好ましくは、上記ｍ、ｎ、及びｔが、１．００１≦ｍ≦１．０３０、０．３≦ｎ≦５．０、１．５＋ｎ≦ｔ≦２．５＋ｎであり、Ｂａ_mＴｉＯ_2＋m１００モルに対するＭｇ_ｎＶＯ_ｔの配合モル量αが、０．０５≦α≦２．０である。これにより誘電特性や静電容量の温度特性、絶縁性も良好なものとすることができる。さらに、必要に応じて特定の希土類元素や金属元素、更にはＳｉを含む焼結助剤を含んでいてもよい。
（もっと読む）

【課題】比誘電率（εｒ）、およびＱ値が高く、共振周波数の温度係数（τｆ）の絶対値が小さくて、しかも、レーザ加工を行った後、低い温度での熱処理によりＱ値を効率よく回復させることが可能な高周波用誘電体磁器組成物、それを用いた誘電体共振器、誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサ、および通信機装置を提供する。
【解決手段】一般式：ｘＢａＯ−ｙＴｉＯ₂−ｚ｛（１−ｓ−ｔ−ｕ）ＳｍＯ_3/2−ｓＮｄＯ_3/2−ｔＰｒＯ_11/6−ｕＣｅＯ₂｝）で表したとき、ｘ，ｙ，ｚ，ｓ，ｔおよびｕがそれぞれ、０．１０≦ｘ≦０．２０，０．５５≦ｙ≦０．６８，０．１５≦ｚ≦０．３５，０．２０≦ｓ≦０．６５，０≦ｔ≦０．２５，０≦ｕ≦０．０３，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００の関係を満足する主成分１００重量部に対して、Ｆｅを、Ｆｅ₂Ｏ₃換算で１．０重量部を超え、２．５重量部を超えない範囲で含有させる。 （もっと読む）

【課題】 優れた容量温度特性を有し、耐電圧が高く、優れたＴＣバイアス特性を有する誘電体磁器組成物およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 Ｂａ、ＣａおよびＴｉを含有し、かつ、一般式ＡＢＯ_３ で表されるペロブスカイト型結晶構造を有する化合物を含む主成分と、Ｚｒの化合物を含む第４副成分と、を含有し、前記第４副成分の含有量が、前記主成分１００モルに対して、Ｚｒ換算で０モルより多く、５モル未満であることを特徴とする誘電体磁器組成物。好ましくは、前記誘電体磁器組成物は、偏析相を有し、前記偏析相には、Ｚｒの化合物が含有されている。 （もっと読む）

【課題】 高電界下での電歪が小さく、かつ誘電率が高く温度特性が良好な誘電体セラミックを提供する。
【解決手段】 ＡＢＯ₃（ＡはＢａを含み、ＢはＴｉを含む）で表され、かつ希土類元素Ｒを含むペロブスカイト構造からなる固溶体を主相粒子とし、前記主相粒子が、２つの領域、すなわち前記希土類元素の濃度が高い第１領域と前記希土類元素の濃度が低い第２の領域から構成される誘電体セラミックにおいて、
前記誘電体セラミックの任意の断面を観察したとき、前記第２の領域の直径の分布におけるＤ９０値が０.２５μｍ未満であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率が高く、絶縁抵抗の寿命、ＤＣバイアス特性を維持でき、容量温度特性がＥＩＡ規格のＸ８Ｒ特性を満足し、還元性雰囲気中での焼成が可能であるとともに、ＴＣバイアス特性およびＩＲ温度依存性が改善された誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】 所定の主成分、およびＡの酸化物（ただし、Ａは６配位時の有効イオン半径が０．０６５ｎｍ〜０．０８５ｎｍの範囲にある陽イオン元素群から選択される少なくとも１種）を含む第５副成分を有する誘電体磁器組成物であって、前記誘電体磁器組成物は、Ｃａ元素を含有する複数の結晶粒子から構成されており、前記各結晶粒子の粒子内全体におけるＣａ濃度の平均値を、粒内Ｃａ濃度とした場合に、前記結晶粒子の相互間における前記粒内Ｃａ濃度に、少なくともばらつきが存在し、ＣＶ値で、５％以上であることを特徴とする誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】１Ｔ１Ｃ、２Ｔ２Ｃ及び単純マトリクス型強誘電体メモリのいずれにも使用可能なヒステリシス特性を持つ強誘電体キャパシタに好適な強誘電体膜を提供する。
【解決手段】本発明の強誘電体膜１０１は、ＡＢ_１−ｘＮｂ_ｘＯ_３の一般式で示され、Ａ元素は、少なくともＰｂからなり、Ｂ元素は、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ及びＨｆのうち、少なくとも一つ以上からなり、０．０５≦ｘ＜１の範囲でＮｂを含む酸化物から形成されている。 （もっと読む）

【課題】１Ｔ１Ｃ、２Ｔ２Ｃ及び単純マトリクス型強誘電体メモリのいずれにも使用可能なヒステリシス特性を持つ強誘電体キャパシタに好適な強誘電体膜を提供する。
【解決手段】本発明の強誘電体膜１０１は、ＡＢ_１−ｘＮｂ_ｘＯ_３の一般式で示され、Ａ元素は、少なくともＰｂからなり、Ｂ元素は、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ及びＨｆのうち、少なくとも一つ以上からなり、０．０５≦ｘ＜１の範囲でＮｂを含む酸化物から形成されている。 （もっと読む）

【課題】 誘電体層厚みを、薄くした場合においても、所望の温度特性および電気特性を満足するとともに、信頼性に優れた誘電体磁器組成物およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 チタン酸バリウムを含む主成分と、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＢａＯおよびＳｒＯから選択される少なくとも１種を含む第１副成分と、Ｒの酸化物（ただし、ＲはＹ，Ｄｙ，Ｔｂ，ＧｄおよびＨｏから選択される少なくとも１種）を含む第４副成分と、を有する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、前記主成分の原料と、前記第４副成分の原料の少なくとも一部と、界面活性剤とを混合して、仮焼き前原料を得る工程と、前記仮焼き前原料に含有されている前記主成分の原料と前記第４副成分の原料とを予め仮焼きし、仮焼き済み原料を得る工程とを有することを特徴とする誘電体磁器組成物の製造方法。 （もっと読む）