【課題】電力変換装置における電力用半導体素子の消耗度をより正確に且つより低い演算負荷で監視する電力用半導体素子消耗度監視システムを備える射出成形機を提供すること。
【解決手段】電力変換装置１０における電力用半導体素子の消耗度を監視する電力用半導体素子消耗度監視システム１００を備える射出成形機は、電力変換装置１０の運転状態が予め設定された複数の運転パターンの何れに該当するかを判定する運転状態判定部４５１と、それら複数の運転パターンのそれぞれが実行された場合のその電力用半導体素子の消耗度を予め記憶する消耗度参照テーブル４６０と、消耗度参照テーブル４６０を参照して、運転状態判定部４５１が判定した運転パターンが実行された場合のその電力用半導体素子の消耗度を取得して積算する消耗度積算部４５２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】少ない部品点数で低コストかつ高精度にインバータ電流を検出することのできる電流検出回路を提供する。
【解決手段】電流検出抵抗８の両端電圧を増幅する増幅回路３０と、増幅回路出力の最大値を保持し、かつ増幅回路の出力を増幅するピークホールド回路３１を備える。前記ピークホールド回路３１は、電源９がインバータ主回路２９に供給する電流値を示す検出信号を当該電流検出回路の外部に出力し、前記増幅回路３０が出力する信号の信号レベルが最大値より低いレベルとなっている期間において、所定時間の間は、前記最大値を示す信号レベルを保持しつつ当該電流検出回路の外部に前記検出信号を出力し続けることを特徴とする電流検出回路。 （もっと読む）

【課題】インバータ回路に対する電源部やモータの誤接続に起因するインバータ回路のスイッチング素子の破損を防止することが可能なモータ制御装置を提供する。
【解決手段】電動車両１のインバータ装置５０は、複数のスイッチング素子６１〜６３が設けられ、直流電力を交流電力に変換するインバータ回路部６０と、スイッチング素子の温度を検出する温度検出センサ７１〜７３と、を備え、インバータ回路部６０は、その各相に対応する上アーム側及び下アーム側各々のスイッチング素子６１〜６３が２個並列にして接続され、温度検出センサ７１〜７３は各々、並列にして接続されたスイッチング素子６１〜６３の中間に配置されている。これにより、温度検出センサ７１〜７３はスイッチング素子６１〜６３のオープン故障に起因する発熱がもたらす異常な温度上昇を検出する。 （もっと読む）

【課題】回生電流がモータ等の負荷から駆動回路を構成するプリドライバ回路側に流れても、駆動回路の制御に影響を与えないようにすること。
【解決手段】第１の電源電圧（ＶＭ）に接続された第１の駆動トランジスタと、接地に接続された第２の駆動トランジスタとの間の負荷に接続される接続ノード（Ｎ１）を出力端子とするブリッジ回路に接続されたプリドライバ回路において、接続ノード（Ｎ１）である出力端子に接続された出力モニタ回路を有し、該出力モニタ回路を用いて、出力端子に現れる電圧（Ｖｏｕｔ）に基づいて電圧のみをフィードバックさせる第１のフィードバック信号（Ｓ１）を生成し、第１のフィードバック信号（Ｓ１）に基づいて第２のフィードバック信号（Ｓ２）を生成して、出力端子に現れる電圧（Ｖｏｕｔ）が第１の電源電圧（ＶＭ）に近づくように、第１の駆動トランジスタを駆動制御する。 （もっと読む）

【課題】第１回路基板とその第１回路基板に重合する第２回路基板とを接続する端子ピンの増加による大型化を抑制した制御装置を提供する。
【解決手段】パワーモジュール５と制御モジュールとを接続する複数の信号系端子ピン２２を、パワーモジュール側接続部２３と制御モジュール側接続部２４とが中間連結部２５ａに対してオフセットするように曲折した形状にそれぞれ形成し、それらの各信号系端子ピン２２の中間連結部２５ａを所定の整列方向で一列に整列配置するとともに、その整列方向で近接する一対の信号系端子ピン２２のパワーモジュール６に対する実装姿勢を中間連結部２５ａを中心とした回転方向で互いに１８０度異ならしめることにより、各信号系端子ピン２２ａ，２２ｂの両接続部２３，２４をそれぞれ二列に整列させる。 （もっと読む）

【課題】オン駆動用スイッチング素子がオン故障してスイッチング素子をオフできない異常状態になっても、スイッチング素子の熱破壊を防止することができる電子装置を提供する。
【解決手段】制御回路１２８は、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａのゲート電圧がオンしない電圧であるにもかかわらず、ドレイン−ソース間電圧がオンした際の電圧であるとき、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａがオン故障していると判断する。そして、駆動用電源回路１２０の動作を停止させ、駆動用電源回路１２０からの電圧の供給を遮断する。その結果、ゲート電圧がオン、オフする閾値電圧より低くなり、ＩＧＢＴ１１０ｄがオフする。そのため、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａがオン故障してＩＧＢＴ１１０ｄをオフできない異常状態になっても、ＩＧＢＴ１１０ｄの熱破壊を防止できる。 （もっと読む）

【課題】母基板に実装される補助基板上に実装された発熱対象部品を、省スペースでかつ安価に絶縁距離を確保しながら放熱できる補助基板上の発熱部品の放熱構造を提供する。
【解決手段】補助基板上の発熱部品の放熱構造は、補助基板１３と、補助基板１３上に実装される放熱対象部品１１と、少なくとも放熱対象部品１１を覆い、絶縁および熱伝導を兼ねる樹脂製品２１と、樹脂部品２１を介して少なくとも放熱対象部品１１上の対向する面に置かれる放熱板１５とを有する補助基板回路部１０を備え、補助基板回路部１０を母基板７に実装する。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子をオフするように制御しているにもかかわらず、オフできない異常状態を検出することができる電子装置を提供する。
【解決手段】ＩＧＢＴ１１０ｄに流れる電流が電流閾値より大きくなると、電流検出回路１２５は、ＩＧＢＴ１１０ｄに電流が流れていると判断する。制御回路１２８は、駆動信号がＩＧＢＴ１１０ｄのオフを指示しているにもかかわらず、電流検出回路１２５がＩＧＢＴ１１０ｄに電流が流れていると判断すると、ＩＧＢＴ１１０ｄをオフできない異常状態にあると判断する。そして、駆動用電源回路１２０の動作を停止させ、駆動用電源回路１２０からの電圧の供給を遮断する。その結果、ゲート電圧がオン、オフする閾値電圧より低くなり、ＩＧＢＴ１１０ｄがオフする。そのため、駆動信号がＩＧＢＴ１１０ｄのオフを指示しているにもかかわらず、ＩＧＢＴ１１０ｄをオフできない異常状態を検出することができ、ＩＧＢＴ１１０ｄの熱破壊を防止できる。 （もっと読む）

【課題】電源ユニットの出力ラインにおける地絡などの故障に対し、電源の保護及び故障の検知を行う。
【解決手段】サブ電源供給ラインＬＳに、サブ電源１０１側をソースとして第１ＭＯＳＦＥＴ１０２を直列に接続し、第１ＭＯＳＦＥＴ１０２のドレインにドレインを接続させて第２ＭＯＳＦＥＴ１０３を直列に接続する。制御ユニット２００内のサブ電源供給ラインＬＳにも、サブ電源１０１側をソースとして第３ＭＯＳＦＥＴ２０２を直列に接続し、第３ＭＯＳＦＥＴ２０２のドレインにドレインを接続させて第４ＭＯＳＦＥＴ２０３を直列に接続し、第１〜第４ＭＯＳＦＥＴを制御することで、サブ電源１０１の電力を負荷２０１に対して供給する。各ＭＯＳＦＥＴのドレイン電圧、及び、第２ＭＯＳＦＥＴ１０３と第３ＭＯＳＦＥＴ２０２との間の電圧をモニタし、ＭＯＳＦＥＴの故障及びサブ電源供給ラインＬＳの故障を診断する。 （もっと読む）

【課題】複数のパワーデバイスを有するパワーモジュールにおいて、保護機能の信頼性の向上、小型化およびコスト削減を図る。
【解決手段】パワーモジュール１００は、２つのスイッチング素子１０，２０を流れる主電流の大きさに応じたレベルをとる電流検出信号ＤＴ１，ＤＴ２を生成する電流検出部１２，２２を備え、駆動制御部１３，２３は、それぞれ電流検出信号ＤＴ１，ＤＴ２の両方を受け、そのレベルの組み合わせに基づいて、スイッチング素子１０，２０の過電流の発生を検知し、スイッチング素子１０，２０の保護動作を行う。 （もっと読む）

【課題】双方向素子のゲート駆動をブートストラップ回路を用いた唯一の電源で構成する三相インバータ回路において通電初期から安定したインバータ動作を行うことを目的とする。
【解決手段】第一ゲート端子３には第１のコンデンサ７、第三ゲート端子５は片側を出力に接続した第２のコンデンサ８を通じて通電され、第１のコンデンサ７は第２のコンデンサ８を通じて充電されるブートストラップ回路９と、前記第二ゲート端子４および第四ゲート端子６を駆動するために信号出力する論理素子１０を設け、前記論理素子１０およびブートストラップ回路９は唯一の定電圧源より供給され、通電当初に論理素子１０は第四ゲート端子６を通電する構成としたことにより、通電初期に第２のコンデンサ８を急速に充電させる経路を確保することができることとなるので、ブートストラップ回路９を通電初期から安定した運転を行うことができる三相インバータを得られる。 （もっと読む）

【課題】インダクタンスや容量の大きさが動的に変化しても矩形波の形状を維持することで、ダンピング抵抗に対する依存性を低下させつつ、安定な現像性を達成する。
【解決手段】変圧手段は交流電圧発生手段から発生される交流電圧を所定の出力電圧に変圧する。調整手段は出力電圧の矩形波に生じる波形歪みに応じて交流電圧発生手段を駆動する駆動パターンを調整する。駆動パターンは、交流電圧の矩形波の半周期において、交流電圧を変圧手段に印加する第１のオン期間、交流電圧を変圧手段に印加しないオフ期間、および、交流電圧を変圧手段に印加する第２のオン期間とを有した信号パターンである。調整手段は、波形歪みが小さくなるように、第１のオン期間、オフ期間および第２のオン期間の割合を調整する。 （もっと読む）

【課題】マルチレベルインバータの有利な特徴を生かしつつ、マルチレベルインバータの課題であるトランジスタ等の半導体スイッチング素子の数的増大化を解消すること。
【解決手段】２つのアーム部４、５と、クランプダイオードＤ７、Ｄ８と、を含み、一方のアーム部４内の２つの直列接続のスイッチング素子の直列接続点ａ３と、他方のアーム部５内の２つのスイッチング素子Ｑ５，Ｑ６の直列接続点ａ４とを線間電圧出力側とすると共に、一方のアーム部４は、ＰＷＭ制御し、他方のアーム部５は１８０度通流制御する。 （もっと読む）

【課題】逆回復における損失低減をはかりつつ、システムの高効率化をはかり、また、素子の損傷等に対応して信頼向上等をはかることができるインバータ駆動装置等を得る。
【解決手段】変換用のスイッチング素子４と、このスイッチング素子４に並列接続された還流ダイオード５とを備えるアームを一対以上有するインバータ駆動装置２であって、スイッチング素子４および還流ダイオード５に、二次側巻線を並列接続する変圧器６と、変圧器６の一次側巻線への電流供給を制御する変圧器駆動回路１１とを備えるものである。 （もっと読む）

【課題】消費電力を低減した駆動装置を提供する。
【解決手段】コイルに電流を供給する第１Ｎ型ＭＯＳＦＥＴと、前記第１Ｎ型ＭＯＳＦＥＴと直列接続され、前記コイルから電流が供給される第２Ｎ型ＭＯＳＦＥＴと、前記第２Ｎ型ＭＯＳＦＥＴがオフしているときに前記第１Ｎ型ＭＯＳＦＥＴをオンするように第１駆動信号を出力する第１駆動回路と、前記第１Ｎ型ＭＯＳＦＥＴがオフしているときに前記第２Ｎ型ＭＯＳＦＥＴをオンするように第２駆動信号を出力する第２駆動回路と、ドレインソース路が前記第１駆動回路の出力及び前記第１Ｎ型ＭＯＳＦＥＴのゲートの間に接続されるＰ型ＭＯＳＦＥＴと、前記第１Ｎ型ＭＯＳＦＥＴ及び前記Ｐ型ＭＯＳＦＥＴのゲートソース間電圧を共に所定電圧にクランプするクランプ回路と、前記Ｐ型ＭＯＳＦＥＴのドレインソースに並列接続される第１抵抗と、を備えた駆動装置である。 （もっと読む）

【課題】生成した正弦波電圧の波形の一部にスパイク状電圧が発生することを抑制する。
【解決手段】第３パルス電圧列の電圧と正弦波電圧との差電圧の正負に応じてチョッピングするタイミングと、第７、第８スイッチ素子１６，１７のオンオフデューティの切り替わりタイミングとのずれを演算し、かつ、前記タイミングずれに対応して前記第７、第８スイッチ素子１６，１７のオンオフデューティを制御する。 （もっと読む）

【課題】直列接続した一対のスイッチ素子のオンオフにデッドタイム期間を設けた方式の回路において、このデッドタイム期間にいずれか一方のスイッチ素子が有効オンとなることに起因して生成する正弦波電圧の波形の一部における歪みを抑制する。
【解決手段】本パワーコンディショナは、ダイオードが個々に逆並列接続されかつ互いに直列接続された２つのスイッチ素子を含む第１、第２組を含み、第１組の両スイッチ素子を所定のチョッピング周波数で交互にオンオフし、第２組の両スイッチ素子を前記チョッピング周波数より高いＰＷＭ周波数で交互にオンオフすると共にこれら各組の両スイッチ素子のオンオフタイミングにデッドタイム期間を設けて制御する場合に、第１組の各スイッチ素子のデッドタイム期間中における前記各ダイオードにより一方のスイッチ素子における有効オン駆動に対応して、前記２組のスイッチ素子のオンオフデューティを調整制御するようにしたパワーコンディショナである。 （もっと読む）

【課題】インバータ部および昇圧回路部を備える電力変換装置において、スイッチング素子のスイッチング回数を減らし、スイッチングロスを低減する。
【解決手段】３相回転電機の電力変換装置のインバータ制御部は、巻線組に印加される電圧に係るデューティ指令信号ＤＬを、最小値が出力可能なデューティ範囲の最小値Ｒminに一致するように下べた二相変調処理する。これにより、ＰＷＭ１周期中に、３相のうち１相のスイッチング素子はＰＷＭ基準信号Ｐの谷点ＯＬでスイッチングしないため、スイッチング回数が２／３に減少する。また、昇圧回路制御部は、昇圧ＰＷＭ基準信号ＤＢの周波数をインバータ部のＰＷＭ基準信号Ｐの周波数と同一とする。これにより、昇圧回路部のスイッチング素子のスイッチング回数は、従来技術に対して半分となる。よって、スイッチングロスを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】フルブリッジ型のインバータ回路の制御回路において、第１のハーフブリッジ回路及び第２のハーフブリッジ回路を構成するハイサイドトランジスタ及びローサイドトランジスタのスイッチングの制御中のエラーによる、出力される信号の歪みを低減することを目的の一とする。
【解決手段】第１のハーフブリッジ回路と第２のハーフブリッジ回路におけるハイサイドトランジスタ及びローサイドトランジスタのオンまたはオフを制御する信号のパルス幅を小さくする、すなわちデューティ比の小さい信号とするものである。その結果、ハイサイドトランジスタ及びローサイドトランジスタが共にオンになる短絡期間を削減し、信号の歪みを低減するものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ノイズの発生を抑えつつ、ダイオードの逆回復電流を抑制できる半導体スイッチング装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本願の発明にかかる半導体スイッチング装置は、誘導負荷への電流の供給を制御するスイッチング素子と、該誘導負荷の還流電流が流れるように該誘導負荷に接続されたダイオードと、該ダイオードの逆回復電流が流れる配線と、該配線の少なくとも一部を覆うように形成された磁界吸収体と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）