【課題】高精度な出力電流を出力できる出力端子の動作電圧範囲を大幅に拡大することができると共に、効率を高めることができる定電流回路及び定電流回路を使用した発光ダイオード駆動装置を得る。
【解決手段】第１定電流ｉ１と同じ電流値の第４定電流ｉ４を生成してＮＭＯＳトランジスタＭ１と同一導電型のＮＭＯＳトランジスタＭ１６に供給し、ＮＭＯＳトランジスタＭ１６における第４定電流ｉ４が入力されるドレインの電圧をレベルシフトさせてＮＭＯＳトランジスタＭ１６のゲートに入力して得られたＮＭＯＳトランジスタＭ１６のドレイン電圧を基準電圧とし、電圧調整回路４を構成するＮＭＯＳトランジスタＭ１４と定電流源２との接続部の電圧と該基準電圧との電圧を誤差増幅回路ＯＰ１で比較して該比較結果を示す信号Ｄｏｕｔを出力するようにした。 （もっと読む）

【課題】Ｖin≦Ｖoutになったときであっても、確実にパワートランジスタの駆動電流を停止させ、逆電流を抑止できるようにする。
【解決手段】電圧入力端子３と電圧出力端子１の間に接続されたパワートランジスタＱ３と、電圧出力端子１と接地端子２の間の出力電圧を検出して基準電圧Ｖrefと比較するエラーアンプ４と、該エラーアンプ４の出力電圧によってパワートランジスタＱ３を制御するドライブトランジスタＱ２と、パワートランジスタＱ３の制御性を改善するための抵抗Ｒ２と、その抵抗に流れる電流を遮断又は通過させるスイッチトランジスタＱ４と、Ｖin＞Ｖoutのときコレクタ電流を流してスイッチトランジスタＱ４を動作させ、Ｖin≦Ｖoutのときコレクタ電流を遮断してスイッチトランジスタＱ４を不動作にさせる異常検出トランジスタＱ５とを備える。 （もっと読む）

【課題】回路規模が小さくて遅延が少なく且つ特性に与える素子バラツキの影響が小さいDC-DCコンバータの異常電流防止回路を提供する。
【解決手段】検出抵抗12の電圧は通常時(正常時)には負電圧であるが異常時に逆電流が生じた場合には正電圧が現れるようになる。電流コンパレータ30は検出抵抗12の電圧を監視し、検出抵抗12の電圧が負電圧の間はハイ出力をＡＮＤ回路20に送ってドライバ10の出力信号がローサイド側スイッチ素子14,19に伝わるようにし、検出抵抗12の電圧が正電圧になると電流コンパレータ30の出力電圧はローになり、ローサイド側スイッチ素子14,19を強制的にOFFにする。電流コンパレータ30は従来の電圧コンパレータに比べ出力電流値を大きくすることができ、異常電流発生の判定に遅延が生じず速度が極めて速くなり、且つ変化幅を大きく取ることができる。 （もっと読む）

【課題】電流制御用ＭＯＳトランジスタに流れる電流をカレントミラー方式で検出して制御する充電制御用ＩＣにおいて、トランジスタのサイズ比がばらついても電流検出精度を向上させることができるようにする。
【解決手段】カレントミラー方式の電流検出回路（１３）に、バイアス状態制御用トランジスタ（Ｑ３）と、電流制御用トランジスタ（Ｑ１）と電流検出用トランジスタのドレイン電圧を入力とする演算増幅回路（AMP1）とを設け、該演算増幅回路の出力に基づいて電流検出用ＭＯＳトランジスタのバイアス状態が、電流制御用ＭＯＳトランジスタのバイアス状態と同一になるように構成するとともに、電流制御用トランジスタと電流検出用トランジスタの各ドレイン電極から演算増幅回路の対応する入力点までの配線の寄生抵抗による電圧降下が同一となるように、電流検出用トランジスタのドレイン配線の長さを調整するようにした。 （もっと読む）

【課題】 電路を遮断する精度が環境温度の変化によって低下しない過電流保護回路を実現する。
【解決手段】 検出抵抗Ｒ３に流れる過電流を検出するカレントミラー回路９を構成する第１および第２のトランジスタＴ１，Ｔ２は同じ温度特性を有する。第１および第２の制限抵抗Ｒ１，Ｒ２と、検出抵抗Ｒ３と、電流Ｉ１，Ｉ２とには、Ｒ１＝Ｒ２−（Ｉ３／Ｉ１）Ｒ３の関係があり、過電流が流れる前はＩ１＞Ｉ２、過電流が流れた瞬間以降はＩ２＞Ｉ１となるように設定されている。上記の式には、ベースエミッタ間電圧など、温度特性によって変動するパラメータが存在しないため、環境温度が変化した場合であっても第２のトランジスタＴ２が第４のトランジスタＴ４をオンするタイミングが変動しない。 （もっと読む）

【課題】パッケージに必要な端子数を減らすことができる回路を提供する。
【解決手段】一実施例において、パラメータ制御回路の単一入力端子は、パラメータ制御回路の２つの異なるパラメータを形成するために使用される。第１入力と、入力パスおよびミラー・パスを有する第１電流ミラーのミラー・パスを通る第１電流を有効または無効にするために形成されるスイッチと、第１電流を受け取るために結合されるキャパシタと、入力パスおよびミラー・パスを有する第２電流ミラーであって、前記入力パスは前記第１入力に結合され、前記第２電流ミラーは、前記第１電流を無効にする前記スイッチに応答して、前記キャパシタを放電するために前記ミラー・パスを通して第２電流を形成するために結合され、前記第２電流ミラーは、前記第１電流の第１値と異なる第２値を具備する前記第２電流を形成するために構成される、第２電流ミラーと、を含む。 （もっと読む）

【課題】カレントミラー回路の精度を向上する。
【解決手段】ベース・コレクタ間が短絡されたトランジスタＱ１と、トランジスタＱ１のベースにベースが接続されたトランジスタＱ２とを含み、トランジスタＱ１のコレクタにゲートが接続され、ソースが第１および第２トランジスタのベースに接続され、ドレインが電源に接続されたＭＯＳ型の補償トランジスタを有する。これによって、トランジスタＱ１に流れる電流に応じた電流をトランジスタＱ２に流すが、補償トランジスタＱ５には、ベース電流が不要となる。 （もっと読む）

【課題】回路面積を削減する。
【解決手段】電圧生成回路１００は、電源電圧Ｖｄｄに固定された電源端子５０と接地電圧に固定された接地端子５２の間に、直列に設けられた可変インピーダンス素子１２と、出力トランジスタ１０と、を備える。出力トランジスタ１０のゲートにバイアス電圧Ｖｂｉａｓを印加し、可変インピーダンス素子１２と出力トランジスタ１０の接続点２４の電圧Ｖ１を出力する。定電流源２２は、所定の定電流Ｉｃ１を生成する。基準トランジスタ２０は、定電流Ｉｃ１の経路上に設けられる。出力トランジスタ１０と基準トランジスタ２０をカレントミラー接続される。 （もっと読む）

【課題】出力される基準電圧を低減可能とし、基準電圧の温度特性の変動幅を狭め基準電圧回路を提供する。
【解決手段】第１乃至第３の電流−電圧変換回路と、第１の電流−電圧変換回路の端子電圧と第２の電流−電圧変換回路の端子電圧が互いに等しくなるように制御する制御手段（AP1）と、前記第１、第２、及び第３の電流−電圧変換回路を駆動するカレントミラー回路（M1、M2、M3）と、を有し、第３の電流−電圧変換回路の所定の電圧を基準電圧（VREF）とし、第１の電流−電圧変換回路はダイオード（D1）からなり、第２の電流−電圧変換回路は、並列接続された複数個のダイオード（D2）と、該複数個のダイオードに並列接続された抵抗（R2）と、該複数個のダイオードと抵抗の並列回路に直列接続された抵抗（R1）からなり、第３の電流−電圧変換回路は抵抗（R3）からなる。 （もっと読む）

【課題】発生させる基準電圧の電圧レベルが高くなった場合でも、基準電圧を所定の許容範囲内に調整することができる基準電圧発生回路を提供する。
【解決手段】モード切替回路１２より、発生させる基準電圧に応じて当該基準電圧の電圧レベルが高くなるほど電流値の大きな供給電流を供給し、調整回路１４により、供給電流の通電経路における所定位置の電圧を基準電圧Ｖｒｅｆとして出力すると共に、当該通電経路の抵抗値を変更することにより出力される基準電圧の電圧レベルを調整しており、基準電流制御回路１６により、発生させる基準電圧の電圧レベルが高い場合に通電経路に通電される供給電流の一部を分岐させる。 （もっと読む）

【課題】安定性、高速応答性、及び確実に高い精度での電源電圧の発生を実現可能なレギュレータ回路、更にはそれらをより簡単な構成で実現させたレギュレータ回路を提供する。
【解決手段】レギュレータ回路は、負荷駆動アンプＡＭＰＬＤ２、レプリカアンプＡＭＰＬＤ２Ｒ、オペアンプ回路ＡＭＰＦ１、抵抗ＲＦ１Ｒ、ＲＦ２Ｒで構成される分圧回路、抵抗ＲＦ１、ＲＦ２で構成される分圧回路、及びその抵抗ＲＦに一端が接続されたコンデンサＣＯＵＴを備えている。それらのアンプＡＭＰＬＤ２、ＡＭＰＬＤ２Ｒは基本的に同じ構成であり、３つのＰＭＯＳトランジスタ、２つのＮＭＯＳトランジスタを備えている。２つのＮＭＯＳトランジスタは差動対を構成し、その一方のゲートにはオペアンプ回路ＡＭＰＦ１からの信号ＬＤＡＲＥＦが入力され、他方のゲートには、分圧回路からの信号ＤＩＶＯ１、或いはＤＩＶＯ１Ｒが入力される。 （もっと読む）

【課題】１．３５Ｖ程度以下の電源電圧でも、周囲温度に依存しないバンドギャップ電圧を生成する。
【解決手段】回路ブロック１では、ＮＰＮ１２のＰＮ接合の順バイアスで温度に反比例する電圧Ｖ１を発生させ、抵抗１６に印加して温度に反比例する電流Ｉｂを生成する。回路ブロック２では、ＮＰＮ２２と抵抗２３で温度に反比例する電圧と比例する電圧の和の電圧Ｖ３を発生させ、ＮＰＮ２９で温度に反比例する電圧Ｖ４を発生させる。更に電圧Ｖ３，Ｖ４を各々電流Ｉｃ，Ｉｄに変換して減算し、温度に比例した電流Ｉｃ−Ｉｄを生成する。回路ブロック１の電流Ｉｂと回路ブロック２の電流Ｉｃ−Ｉｄを回路ブロック３に与えると、回路ブロック３には温度特性が打ち消された電流Ｉｅが流れる。電流Ｉｅは１／２に減少されて抵抗４５に供給され、バンドギャップ電圧ＶＢＧに変換される。 （もっと読む）

誘導リアクトルと、出力フィルタ・リアクトルと、誘導リアクトルにエネルギーを入れるためのスイッチとを備える電力変換レギュレータがさらに、誘導リアクトル内の磁束、基準信号、出力電圧、また場合により出力負荷電流に応答する計算回路を備える。この計算回路は、スイッチを駆動する各チョッピング波形周期中に基準信号との所望の関係に出力電圧または電流を調整するために負荷および出力フィルタ・リアクトルに供給しなければならないエネルギーの量を計算するためのものである。誘導リアクトルが入力エネルギー源から充電されるとき、計算回路は、誘導リアクトル内のエネルギーがレギュレーションに十分になったかどうかを予測する。
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【課題】 電源電圧が低い場合でも正確な基準電流のカレントミラー動作を可能とし、これによって正確な出力電流を得ること。
【解決手段】 トランジスタＭ１４３のドレイン端子（出力端子）と、トランジスタＭ１４１のドレイン端子との電圧を、差動増幅器ｏｐ１４２の入力端子に接続し、差動増幅器ｏｐ１４２の出力端子をトランジスタＭ１４２のゲートに接続することで、トランジスタＭ１４１とトランジスタＭ１４２のドレイン電圧を等しくし、正確な電流出力を供給する。 （もっと読む）

【課題】 ＣＭＯＳプロセスでは、ポリシリコン抵抗等において通常の抵抗素子とは逆の負の温度特性を有する抵抗素子を形成することがあり、それに応じて定電流回路が温度変化の影響を受け易くなる。
【解決手段】 正の温度特性を有する電流Ｉ1を流すトランジスタＱ1、抵抗素子Ｒ1及びバイポーラトランジスタＱ6とは並列に、負の温度特性を有する電流Ｉ2を流すトランジスタＱ8、抵抗素子Ｒ2からなる温度補償回路を設ける。Ｉ1とＩ2との和電流Ｉに基づいて定電流出力を得ることにより、温度変化の影響の少ない出力が得られる。 （もっと読む）

本発明は、出力端子（ｏｕｔ）において、高電流注入に基づき、大きな電流増加を検出および迅速に制限するための回路装置に関する。特に、駆動回路（４０）によって、低抵抗素子（Ｒ０）を通して制御され、電流オーバーシュートが通過する、ゲート制御式スイッチングデバイス（Ｐ０）は、本発明の回路によって代替的に駆動され、一方で、その制御端子が高注入電流によって充電される。よって、正の傾斜を有する急な前部インパルスによって生成された大きな電圧増加が、キャパシタ（Ｃ）によって検出され、ゲート端子（ＧａｔｅＮ）に伝達されると、本発明の回路は、駆動回路（４０）をバイパスし、一方で、トランジスタ（Ｐ３）から発せられた著しい電流ピークを、ゲート制御式スイッチングデバイス（Ｐ０）のゲート端子（ＧａｔｅＰ）に向けて注入し、これに対して、キャパシタ（Ｃ）は、ゲート端子（ＧａｔｅＮ）を通して非常にゆっくりと放電する。注入電流ピークをもたらす電流増幅は、大きな電流ミラー比を有する電流ミラー（Ｐ４＋Ｐ５，Ｐ３）の使用を通してつくられ、ダイオード（Ｄ０，Ｄ１）の存在によって強化される。静止モードにおいて、すなわち、負の傾斜を有する急な前部インパルスにより生成された大きな電圧減少が、キャパシタ（Ｃ）によって検出され、ゲート端子（ＧａｔｅＮ）に伝達されると、トランジスタ（Ｐ４）は、ダイオード（Ｄ１）を通して流れる電流を供給する電流源（ＣＳ３）により短絡され、これにより、電流ミラー（Ｐ４＋Ｐ５，Ｐ３）は、ずっと低い電流ミラー比を有する電流ミラー（Ｐ５，Ｐ３）によって仮想的に置き換えられる。その結果、減衰電流源（ＣＳ２）の低電流は、電流ミラー（Ｐ３，Ｐ５）によりミラーリングされる、より低い電流を減衰するのに十分であり、次いで、駆動回路（４０）が、スイッチングデバイス（Ｐ０）の制御を引き継ぐことを可能にする。最後に、この回路装置は、単方向に動作し、一方で、ゲート制御式スイッチングデバイス（Ｐ０）を通して、大きな電流増加を制限するが、大きな電流減少は制限しない。
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【課題】位相補償用のコンデンサを外部に設けなくとも、発振を防止し、安定して正確な定電圧を出力できる定電圧生成回路を提供する。
【解決手段】定電圧生成回路は、出力端子２１から出力される出力電流を制御するＰＭＯＳトランジスタＭ１と、該出力電流に比例した比例電流を生成するＰＭＯＳトランジスタＭ２と、出力端子２１の電位ＶＯと所定の基準電位ＶＩとを比較し、出力電位ＶＯを基準電位ＶＩに保つようにＰＭＯＳトランジスタＭ１，Ｍ２を駆動する比較増幅器３と、出力端子２１に一端が接続されたＰＭＯＳトランジスタＭ３と、ノード１１に一端が接続されたＰＭＯＳトランジスタＭ４からなる第１のカレントミラーと、ＰＭＯＳトランジスタＭ３の他端に一端が接続され他端が接地されたＮＭＯＳトランジスタＭ５と、ＰＭＯＳトランジスタＭ４の他端に一端が接続され他端が接地されたＮＭＯＳトランジスタＭ６とからなる第２のカレントミラーとを備える。 （もっと読む）

【課題】 高温特性と低温特性とを両立し，良好な電圧精度が得られる温度範囲を拡大した基準電圧発生回路を提供すること。
【解決手段】 基準電圧出力部１のバンドギャップ電圧生成部１０は，ＮＰＮトランジスタＱ１，Ｑ２，抵抗Ｒ１〜Ｒ３により，出力電圧ＶBGを出力するように構成されている。ここにおいて，ＮＰＮトランジスタＱ１，Ｑ２に対して，ＮＰＮトランジスタＱ３，Ｑ４をそれぞれ並列に設けた。そしてそれらのエミッタ側にスイッチＳＷ２，ＳＷ３を配置した。また，抵抗Ｒ４を抵抗Ｒ２に対して直列に配置し，スイッチＳＷ１を抵抗Ｒ４に対して並列に配置した。さらに，環境温度により出力信号を変更する温度検出回路２を設けた。これにより，低温時にはＮＰＮトランジスタＱ３，Ｑ４，抵抗Ｒ４が機能せず，高温時のみこれらが機能するようにした。こうして，高温時と低温時とで温度特性を変え，常時ピーク電圧に近い電圧が出力されるようにした。 （もっと読む）

【課題】 外部回路やパワーＦＥＴを保護することが可能な電力供給制御装置を提供する。
【解決手段】 短絡電流Ｉｓ１が流れ続けると、ＲＣ並列回路１２が次第に高変換率状態となり、通電時間がｔ１になったときに、端子電圧Ｖｏが閾値電圧Ｖｒを超えてコンパレータ３２から異常信号Ｓ２が出力される。この異常信号Ｓ２を受けて保護用論理回路４０のＲＳ−ＦＦ６６はセット状態となってハイレベルの制御信号Ｓ４を出力して、パワーＭＯＳＦＥＴ１５及びセンスＭＯＳＦＥＴ１６に自己復帰不能な遮断動作をさせる。 （もっと読む）

【課題】パネルの表示特性に最適な階調電圧を供給し、且つ、消費電力を低減可能な電圧発生回路を提供する。
【解決手段】電圧発生回路は、第１の電源電圧ＶＤＤと第２の電源電圧ＶＳＳとから第１〜第Ｍ（Ｍは２以上の整数）の分割電圧を生成する電圧分割回路８０と、第１〜第Ｍの分割電圧のインピーダンス変換を行うインピーダンス変換回路ＩＰ１〜ＩＰ１０とを含む。第１〜第Ｋ（Ｋ＜Ｍ）のインピーダンス変換回路及び第Ｌ（Ｋ＜Ｌ＜Ｍ）〜第Ｍのインピーダンス変換回路は、その動作範囲が第１の電源電圧ＶＤＤと第２の電源電圧ＶＳＳとの間の範囲に設定された第１型の演算増幅器ＶＯＰＲを含み、第Ｋ＋１〜第Ｌ−１のインピーダンス変換回路は、その動作範囲が第１の電源電圧ＶＤＤよりも低い第３の電圧Ｖ３と、第１の電源電圧ＶＤＤよりも低く第２の電源電圧ＶＳＳよりも高い第４の電圧Ｖ４との間の範囲に設定された第２型の演算増幅器ＶＯＰを含む。 （もっと読む）