【課題】２つの回路ブロックを１つの基板上に実装する半導体集積回路を提供する。
【解決手段】本発明の半導体集積回路は、電源入力端子と、ＧＮＤ入力端子と、ＯＮ／ＯＦＦ制御電圧を入力する制御電圧入力端子と、クロック信号を出力する発振回路と、ＯＮ／ＯＦＦ制御電圧がＯＮの場合はクロック信号に基づいて容量の充電と放電を繰り返すチャージポンプ回路と、ＯＮ／ＯＦＦ制御電圧を遅延させる第１の遅延回路と、第１の遅延回路の出力するＯＮ／ＯＦＦ制御電圧がＯＦＦの場合はチャージポンプ回路の出力とＧＮＤ入力端子とを短絡し、ＯＮの場合は開放するスイッチと、電源入力端子及びチャージポンプ回路より電源を供給されて駆動する第１の回路ブロックと、電源入力端子及びＧＮＤ入力端子より電源を供給されて駆動する第２の回路ブロックと、を備え、第１の回路ブロックと第２の回路ブロックとを共通の半導体集積回路チップ上に搭載する。 （もっと読む）

スイッチ駆動回路が、ブースト型スイッチ駆動装置用にブースト回路および／またはスナバ回路内および／またはその間の電荷移動を利用する。ブースト回路はスイッチを駆動するためのブーストされた信号を制限するためのディバイダを含む。スナバ回路は電荷をブースト回路に移動することができる。 （もっと読む）

交流電源１から整流回路２を通して供給された直流、又は直流電源から直接供給された直流を導く線路の正側と負側に、スイッチング素子Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３を直列に接続し、前記スイッチング素子Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３を、高周波信号でオンオフ制御し、接続点ａと負荷端子ｃとの間にイン
ダクタＬ１、キャパシタＣ１を挿入し、接続点ｂと負荷端子ｄとの間にインダクタＬ２、キャパシタＣ２を挿入した。スイッチング素子Ｍ１，Ｍ３をオンオフする位相が同じであり、スイッチング素子Ｍ２をオンオフする位相が、逆相になっている。変圧器を用いないでも、直流に対する絶縁だけでなく、交流に対する絶縁も十分に確保することができる。
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