【課題】性能のばらつきが小さな半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置は、ノードＮ１，Ｎ２間に直列接続された第１のスイッチング素子（高耐圧のトランジスタＱ１）および第２のスイッチング素子（抵抗素子Ｒ１および低耐圧のトランジスタＱ２）と、第２のスイッチング素子に並列接続された第３のスイッチング素子（低耐圧のトランジスタＱ３）とを含む。トランジスタＱ２をオンさせるとトランジスタＱ１がオンし、さらにトランジスタＱ３をオンさせるとノードＮ１，Ｎ２間が導通状態になる。したがって、オン抵抗値の高い第１のスイッチング素子をオンさせて高耐圧のトランジスタＱ１をオンさせるので、ターンオン時間のばらつきが小さくなる。 （もっと読む）

【課題】ワイドギャップ半導体のターンオフの速度を高速化できるゲート駆動回路。
【解決手段】負極が接地された正電源Ｅ１と、正極が接地された負電源Ｅ２と、正電源の正極と負電源の負極との間に設けられ、制御信号を生成する制御回路１１と、正電源の正極と負電源の負極との間に設けられたトランジスタＱ１とトランジスタＱ２との直列回路と、ドレイン端子、接地されたソース端子及びＱ１とＱ２との接続点に接続されたゲート端子を備えたワイドバンドギャップ半導体からなるスイッチング素子ＧａＮＦＥＴと、制御信号のオフ時にＱ１を所定時間だけオンさせＱ１を介して負電源の電圧をスイッチング素子のゲート端子に印加するターンオフ制御回路１３と、スイッチング素子のゲート端子と接地との間に設けられ、制御信号のオフ時にそのゲート端子とソース端子を短絡させるトランジスタＱ３とトランジスタＱ４との直列回路を備える。 （もっと読む）

【課題】貫通電流の発生を防止することのできる出力回路を提供する。
【解決手段】実施形態の出力回路は、出力用ＮＭＯＳトランジスタＮ１００のドレイン端子に入力電圧ＶＤＩＮが印加され、ソース端子ＯＵＴにＬＣ回路およびダイオードＤが接続される。この出力回路は、ＮＭＯＳトランジスタＮ１およびＮ２が、出力用ＮＭＯＳトランジスタＮ１００のソース端子ＯＵＴとゲート端子との間に直列に接続され、ＮＭＯＳトランジスタＮ３が、ＮＭＯＳトランジスタＮ１とＮＭＯＳトランジスタＮ２の接続点と接地電位端子ＧＮＤとの間に接続され、制御回路１が、出力用ＮＭＯＳトランジスタＮ１００が非導通のときに出力用ＮＭＯＳトランジスタＮ１００のソース端子ＯＵＴとゲート端子との間に短絡経路が形成されるようＮＭＯＳトランジスタＮ１〜Ｎ３の導通を制御する。 （もっと読む）

【課題】スイッチング損失の増大を抑制しつつ、より高い周波数帯で発生するスイッチングノイズを抑制できるスイッチング素子の駆動装置を提供する。
【解決手段】スルーレート調整部は、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴを介してＤＣモータに出力される電圧波形のスルーレートを変化させ、キャリア周波数によって決まる周波数帯よりも高い周波数帯域に現れるスイッチングノイズの周波数成分を分散させてピークレベルを低下させる。 （もっと読む）

【課題】電力変換装置を構成するＦＥＴの発熱を低下させ、最大出力電力を高めた改良された電力変換装置を得る。
【解決手段】ＦＥＴ１ａ、ＦＥＴ１ｂとＦＥＴ１ａ、ＦＥＴ１ｂに逆並列接続された還流ダイオードＤ１ａ、Ｄ１ｂとにより半導体スイッチＳ１ａ、Ｓ１ｂを構成し、スイッチング動作を行う２個１組の半導体スイッチＳ１ａ、Ｓ１ｂと、平滑コンデンサＣ１とを有し、半導体スイッチＳ１ａ、Ｓ１ｂのＦＥＴ１ａ、ＦＥＴ１ｂの相補的スイッチング動作により電力変換を行う電力変換装置１０において、半導体スイッチＳ１ａ、Ｓ１ｂに流れる電流の向きを検出する電流センサＣＳ１と、半導体スイッチＳ１ａ、Ｓ１ｂに流れる電流の向きが負であるときに、半導体スイッチＳ１ａ、Ｓ１ｂのＰＷＭゲート信号のオン信号を間引くゲート生成部１１を備えた。 （もっと読む）

【課題】ドライバチップの異常検出期間が短過ぎると、異常パルス信号のパルス生成が停止された後、異常判定期間の経過前に異常パルス信号のパルス生成が再開されてしまい、コントローラチップでドライバチップの異常を認識することができなくなるおそれがあり、２つの回路を絶縁しつつ一方の異常を確実に他方に伝達することのできる信号伝達装置、及びこれを用いたモータ駆動装置を提供する。
【解決手段】信号伝達装置１００は、第１回路１１０と第２回路１２０との間を絶縁しながら信号伝達を行うものであり、第１回路１１０は、第２回路１２０から伝達される異常パルス信号Ｓｂを監視して第２回路１２０の異常有無を判定し、第２回路１２０は、第２回路１２０で異常が検出されてから少なくとも第１回路１１０で第２回路１２０の異常有無が判定されるまで異常パルス信号Ｓｂを異常状態に保持する。 （もっと読む）

【課題】複数の電力変換回路を有し、これらの電力変換回路に属する半導体モジュールを積層した電力変換装置において、電力変換回路間のサージ電圧による干渉を低減する。
【解決手段】複数の電力変換回路の正極端子を接続する正極接続プレート６６にスリット１００，１０２を設ける。一方、正極接続プレート６６が配置される固定台６８上にかしめ突起１０５を設ける。かしめ突起１０５を、正極接続プレートのスリット１００，１０２に貫通させ、かしめ突起１０５の先端をつぶして正極接続プレート６６をかしめ、固定台６８に固定する。正極接続プレートを固定するためのボルト等を用いていないため、負極接続プレート７０の面積を広くすることができ、サージ電圧による干渉を低減できる。 （もっと読む）

【課題】複数のスイッチ素子を備える装置を小型化すること。
【解決手段】駆動回路１は、キャパシタＣ２１と、充電部を構成する抵抗Ｒ２１およびダイオードＤ２１と、を備える。キャパシタＣ２１は、スイッチ素子Ｑ１１のゲートと、スイッチ素子Ｑ２１のゲートと、の間に設けられ、制御部２２の端子Ｙ３には、スイッチ素子Ｑ１１のゲートが接続されるとともに、キャパシタＣ２１を介してスイッチ素子Ｑ２１のゲートが接続される。抵抗Ｒ２１およびダイオードＤ２１で構成される充電部は、スイッチ素子Ｑ２１のゲートとソースとの間に設けられる。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子Ｓ＊＃の駆動異常の有無を適切に判断することのできるスイッチング素子の駆動回路を提供すること。
【解決手段】スイッチング素子Ｓ＊＃のゲートの充電経路を流通する電流を一定値に制御する定電流制御を行う。そして、定電流制御の開始が指示されてから充電経路における電流の流通が開始されるまでの時間が規定時間を上回ると判断された場合、スイッチング素子Ｓ＊＃の駆動異常が生じている旨判断する。また、定電流制御によって充電経路を電流が流通する時間が下限時間未満になると判断されたり、上記流通する時間が上限時間を上回ると判断されたりした場合、スイッチング素子Ｓ＊＃の駆動異常が生じている旨判断する。 （もっと読む）

【課題】 主素子の逆並列ダイオードの逆回復特性を改善することができ、構成素子の耐電圧化を図ることができる半導体スイッチを提供する。
【解決手段】 半導体スイッチ７は、スイッチング素子１及び逆並列ダイオード２を有した主素子３と、逆電圧印加回路６と、を備えている。逆電圧印加回路６は、補助電源１２と、高速還流ダイオード４と、補助素子５と、コンデンサ１３と、を有している。高速還流ダイオード４は、多直列に接続された複数のダイオード１５で形成されている。 （もっと読む）

【課題】充電用スイッチング素子２４ｌをオン操作することで、直流電圧源２２ｌの端子電圧（制限用電圧ＶＬ）をスイッチング素子Ｓ＊＃のゲートに印加している期間において、ノイズ等によってコレクタ等からゲートへの電流の流れ込みが生じうること。
【解決手段】ゲート電圧Ｖｇｅは、端子Ｔ８を介して駆動制御部７０によってモニタされる。駆動制御部７０では、充電用スイッチング素子２４ｌのオン操作期間においてゲート電圧Ｖｇｅが制限用電圧ＶＬを上回る場合、シンクスイッチング素子６０をオン操作して、ゲートの過剰な電荷を放電させる処理を行う。 （もっと読む）

【課題】 絶縁電源を別に設けることなくハイサイド側の回路に負のゲート電圧を供給することが可能なゲートドライバ回路を実現する。
【解決手段】
第１トランジスタ２１と第２トランジスタが直列に接続されたハーフブリッジ回路において、ハイサイド側の第１トランジスタ２１に負のゲート電圧を第１の制御回路１１を介して供給するためのコンデンサ１３、及び、ローサイド側の第２トランジスタ２２に負のゲート電圧を第２の制御回路１２を介して供給するための制御回路電源１４を備え、コンデンサ１３の一端をスイッチ素子３０を介して制御回路電源１４の−端子側の負電圧ＶＥＥと接続し、他端を出力端子４の電圧と接続するように構成したドライバ回路１であって、スイッチ素子３０は、第２トランジスタ２２がオン状態となるタイミングでオンされるように制御される。 （もっと読む）

【課題】 上下アームのスイッチング素子を駆動するとともに、上下アームの異常を検出して異常信号を出力するゲート駆動回路を備える情報処理装置において、異常信号の通知機能が正常であるか否かを判定する。
【解決手段】 情報処理装置（ＥＣＵ）において、ブートストラップ式のゲート駆動回路は、ゲート駆動の開始前に、通常駆動時ならば先に下アーム駆動信号を出力すべきところ先に上アーム駆動信号Ｄ１を出力し（Ｓ１０）、ダミー異常信号Ｅｄを意図的に発生させる（Ｓ２０）。ここで異常信号通知機能が正常であれば、ダミー異常信号Ｅｄは、異常信号出力部から出力され、異常信号線を経由して伝達され、異常信号受信部に受信される。そこで、異常信号受信部がダミー異常信号Ｅｄを受信したか否かを確認することで、異常信号通知機能が正常であるか否かを判定する（Ｓ３０）ことができる。 （もっと読む）

【課題】フェール信号を出力するフェール用フォトカプラＰＣｆの２次側を直列接続する場合、その配線長が長くなることから、フェール信号のノイズに対する耐性が低下するおそれがあること。
【解決手段】インバータＩＶ１、コンバータＣＶおよびインバータＩＶ２を構成する上側アームのスイッチング素子と下側アームのスイッチング素子とは、基板３０に対して２列に配置され、その制御端子（ケルビンエミッタ電極ＫＥ、センス端子ＳＴ、ゲートＧ）が基板３０に差し込まれている。これら２列の間には、フェール用フォトカプラＰＣｆが配置されている。インバータＩＶ１に対応するフェール用フォトカプラＰＣｆは、隣接するもの同士で直列接続され、各列の端部が接続されることでＵ字型の配線構造を有し、その端部がマイコン２０に接続されている。 （もっと読む）

【課題】インバータのゲート駆動にソフトターンオフ（Ｓｏｆｔ Ｔｕｒｎ Ｏｆｆ）を設けてＩＧＢＴを安定して保護できるようにしたインバータ駆動装置を提供する。
【解決手段】本発明のインバータ駆動装置は、ＩＧＢＴのターンオンまたはターンオフを制御し、ＩＧＢＴで短絡または過電流が検出されればＩＧＢＴを強制的にターンオフさせるゲート駆動部と、前記ゲート駆動部から出力されるＩＧＢＴのターンオンまたはターンオフ制御電流を増幅させる電流バッファと、前記ゲート駆動部から出力されるＩＧＢＴの強制ターンオフ制御電流を遅延させてＩＧＢＴのソフトターンオフ時間を長く維持させるフィルタと、を含んで構成される。 （もっと読む）

【課題】１個のデッドタイム生成回路を用いて、直列に接続されている２つのスイッチング素子を駆動する２系統の信号のそれぞれ対してデッドタイムを設けることができ、ＩＣ化した場合に外付けコンデンサを１個にすることができるドライブ回路を提供する。
【解決手段】
コンデンサ１３ａを用いて信号Ｖａ０をデッドタイムよりも短い時間遅延させる遅延回路２ａと、コンデンサ１３ｂを用いて信号Ｖｂ０をデッドタイムよりも短い時間遅延させる遅延回路２ｂと、コンデンサ２３を用い、信号Ｖａ０および信号Ｖｂ０の立ち上がりのタイミングからデットタイム分遅延させたタイミングで立ち上がる周期Ｔ／２のデッドタイム生成用信号Ｖ６を生成するデッドタイム生成回路３と、デッドタイム生成用信号Ｖ６に基づいてデッドタイムが設けられた信号Ｖａ７および信号Ｖｂ７とを生成するＡＮＤ回路１７ａ、１７ｂとを設ける。 （もっと読む）

【課題】並列接続された電力用スイッチング素子の特性の差異により生ずるターンオン／オフ動作時間の差に起因する当該並列接続された電力半導体素子間の遮断電流の偏りを緩和し、信頼性を向上させ、電流定格、及び耐圧の低い素子の適用を可能とし、低コスト化を実現する。
【解決手段】図は直流から交流に変換する電力変換装置１相分の回路を示し、電力用スイッチング素子を２並列で用いている回路構成例であり、電力半導体素子６ａ、６ｂの特性に差異があると各々の通電電流はＩＬａ≠ＩＬｂとなるが、６ａ、６ｂの特性に適したゲート電流ＩＧａ、ＩＧｂを流すゲート駆動回路構成を提供とすることで、ターンオン／オフに要する時間に差を緩和しＩＬａ≒ＩＬｂとし、並列接続された一方の電力半導体素子への主回路電流の集中を抑制することが可能となる。図では２並列の例であるが、並列接続数によらず本解決手段は有効である。 （もっと読む）

【課題】駆動回路やトランジスタにおいてばらつきがあっても、ＰＷＭ駆動信号の駆動デューティ成分が小さい場合にも、上側トランジスタと下側トランジスタのシュート・スルー（貫通状態）を防止する。
【解決手段】入力端子の第２レベルまたは第１レベル信号に応じてスイッチングデバイスの制御端子に駆動電流をシンク出力するシンク回路と、スイッチングデバイスのオフ期間中に制御端子を経て容量性の電流をシンクする電流シンクトランジスタと、入力端子の信号に応じてソース回路の入力駆動信号と、シンク回路あるいは前記シンクトランジスタへの入力駆動信号とを生成するＩ／Ｆ回路と、シンク回路または前記シンクトランジスタへの入力駆動信号をシンク回路かあるいはシンクトランジスタのどちらに入力駆動信号として出力するかを選択するセレクタと、この選択動作を制御するセレクタへの選択信号を受ける入力端子とを備える。 （もっと読む）

【課題】従来は、電力変換回路毎に半導体モジュールが必要となっていたため、種類が増加するという問題があった。また、需要の少ない回路方式では、その回路方式に合ったモジュールをカスタマイズ化することは型費や歩留まりなどの問題でコストアップ要因となるため、必然的に既存の半導体モジュールを組み合わせて回路を構成する必要があった。
【解決手段】半導体モジュールの構成を、ダイオードを逆並列接続したＩＧＢＴ２個と双方向スイッチ2個、又は双方向スイッチ4個を1個のモジュールに内蔵させ、5つの外部端子を備える構成にした。 （もっと読む）

【課題】ブートストラップコンデンサを十分に充電することができ、かつ回路を簡略化及び小型化することができる電力用半導体装置を得る。
【解決手段】ブートストラップコンデンサＣｂｓの一端が、トーテムポール接続されたハイサイドスイッチング素子Ｍ１とローサイドスイッチング素子Ｍ２の接続点に接続され、他端がハイサイド駆動回路１０ａの電源端子に接続されている。ブートストラップダイオードＤｂｓは、ローサイド駆動電源ＬＶからの電流をブートストラップコンデンサＣｂｓの他端に供給する。ハイサイド駆動回路１０ａがハイサイドスイッチング素子Ｍ１をＯＮにし、ローサイド駆動回路１０ｂがローサイドスイッチング素子Ｍ２をＯＦＦにする場合に、ブートストラップ補償回路１２は、ブートストラップコンデンサＣｂｓの他端に、高圧側電位を基準電位とするフローティング電源ＦＶからの電流を供給する。 （もっと読む）