【課題】ノーマリーオフ化したＧａＮ−ＨＥＭＴを電源回路に用いた場合、長期間電源をオフしている間にノーマリーオンに戻るのを防止する制御回路を提供する。
【解決手段】制御回路は、ソース、ゲート及びドレインを有する第１のスイッチング素子と、第２のスイッチング素子を介して前記ゲートに電圧を供給するバッテリーと、第３のスイッチング素子を介して前記ゲートにＰＷＭ信号を供給するＰＷＭ信号発生回路と、電源がオフの状態で、前記第２のスイッチング素子をオンして前記ゲートに前記バッテリーの電圧を供給すると共に、前記第３のスイッチング素子をオフし、電源がオンの状態で、前記第３のスイッチング素子をオンして前記ゲートに前記ＰＷＭ信号電圧を供給すると共に、前記第２のスイッチング素子をオフするゲート制御回路とを有する。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子を誤動作させずに高速低損失動作が可能なゲート駆動回路を部品点数の少ない簡易な回路を提供する。
【解決手段】ローサイドゲート駆動回路２から正極性の電圧が出力されるとハイサイドゲート駆動回路１は０Ｖを維持または負極性の電圧を出力し、ローサイドゲート駆動回路２からの出力が０Ｖまたは負極性の電圧を出力する時はハイサイドゲート駆動回路１から正極性の電圧が出力されるように制御を行なう。ハイサイドスイッチング素子５のゲート・ソース間にＮｃｈノーマリーオン型補助スイッチング素子１３のドレイン・ソースを接続し、トランス１５の1次側をゲート駆動回路１の出力に接続し、２次側をＮｃｈノーマリーオン型スイッチング素子１３のゲート・ソース間に接続し、ローサイドスイッチング素子６側もトランス及びＮｃｈノーマリーオン型スイッチング素子をハイサイドと同様に接続して電力変換回路を構成する。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチを小さい負担で駆動できるとともに、半導体スイッチに十分なゲート電流を流すことができ、しかも、ゲート配線のインピーダンスによる障害を回避できる半導体モジュール。
【解決手段】ゲートに印加される電圧に応じてオンオフする半導体スイッチＱ１と、半導体スイッチのソース電位に対して正極性を有する正極コンデンサ１１０と、半導体スイッチのソース電位に対して負極性を有する負極コンデンサ１１１と、正極コンデンサを充電する機能を有し、半導体スイッチをターンオンさせる場合は正極コンデンサからの電流を半導体スイッチのゲートに流すターンオン制御部１１２と、負極コンデンサを充電する機能を有し、半導体スイッチをターンオフさせる場合は負極コンデンサからの電流を半導体スイッチのゲートに流すターンオフ制御部１１３を備える。 （もっと読む）

【課題】遷移期間においてハイサイドトランジスタQ1がオンしないようにする。
【解決手段】高電位電源ラインと低電位電源ラインとの間に直列に接続されたハイサイドトランジスタとロウサイドトランジスタと，両トランジスタの接続ノードと出力端子との間に設けられたインダクタとを有する電源装置の前記両トランジスタを駆動する駆動回路であって，前記ハイサイドトランジスタのゲートを駆動する第１のゲートドライバと，前記ロウサイドトランジスタのゲートを駆動する第２のゲートドライバとを有し，前記ハイサイドトランジスタがオンでロウサイドトランジスタがオフの第１の状態から，前記ハイサイドトランジスタがオフでロウサイドトランジスタがオンの第２の状態に遷移する遷移期間で，前記第１のゲートドライバは前記ハイサイドトランジスタのゲートを前記低電位電源ラインの電位より低い第１の電圧に駆動する電源装置の駆動回路。 （もっと読む）

【課題】主スイッチング素子の面積を大きくすることなく、ゲートの容量に蓄積された電荷を引き抜く引き抜き期間を短くすることができる電源回路を提供する。
【解決手段】Ｎチャネル型の主スイッチング素子１０と、主スイッチング素子１０を制御する駆動回路３０と、主スイッチング素子１０の第２電極端子に接続される負バイアス回路２０とを備える。そして、負バイアス回路２０を、接地された第１抵抗２１と、当該第１抵抗２１と第２電極端子との間に配置されて第２電極端子との接続点の電位を第１抵抗２１との接続点の電位より低くする電位降下手段２２、２３とを有するものとする。また、駆動回路３０を第１抵抗２１と電位降下手段２２、２３との接続点に接続する。そして、主スイッチング素子１０がオフされたとき、ゲートの容量に蓄積された電荷を駆動回路３０および第１抵抗２１と電位降下手段２２、２３との接続点を介して引き抜くようにする。 （もっと読む）

【課題】信号遅延が小さく高速化可能なレベルシフト回路、制御回路及びＤＣ−ＤＣコンバータを提供する。
【解決手段】実施形態によれば、差動電流生成回路と電流減算回路とを備えたレベルシフト回路が提供される。前記差動電流生成回路は、第１の高電位端子と第１の低電位端子との間に接続され、入力される制御信号に応じて、規定値または前記規定値よりも大きい電流値に変化する電流と前記規定値よりも大きい電流値または前記規定値に変化する電流とを一対の差動電流として生成する。前記電流減算回路は、第２の高電位端子と第２の低電位端子との間に接続され、前記一対の差動電流を受けて、前記一対の差動電流の差に等しい電流を生成する。 （もっと読む）

【課題】低消費電力で高速動作可能なレベルシフト回路、制御回路及びＤＣ−ＤＣコンバータを提供する。
【解決手段】実施形態によれば、電流生成回路と、電流スイッチ回路と、保護回路と、を備えたレベルシフト回路が提供される。前記電流生成回路は、第１の高電位端子と第１の低電位端子との間に接続され、第１の電流を生成して第１の出力線に出力する。前記電流スイッチ回路は、第２の高電位端子と第２の低電位端子との間に接続され、前記電流生成回路よりも大きい電流供給能力で前記第１の電流を受け、入力信号に応じて前記第１の電流を流しまたは前記第１の電流を遮断する。前記保護回路は、前記電流生成回路と前記電流スイッチ回路との間において前記第１の出力線に接続され、前記第１の出力線の電位を前記第１の低電位端子の電位以上で前記第１の高電位端子の電位以下に制限して前記電流生成回路を過電圧から保護する。 （もっと読む）

【課題】 スイッチング素子を誤動作させずに高速低損失動作が可能なゲート駆動回路を部品点数の少ない簡易な回路構成で実現する。
【解決手段】 トランス15の1次側をローサイドゲート駆動回路2の出力端子に接続し、トランス15の2次側をハイサイドスイッチング素子5のゲート入力側に接続する。ローサイド駆動回路2から正極性のゲート駆動電圧が出力されるとハイサイドスイッチング素子5のゲート‐ソース間には負極性の電圧が印加されてゲート電圧は閾値以下に抑えられるため、ローサイドスイッチング素子がターンオンする際にハイサイドスイッチング素子はオフ状態を維持する。 （もっと読む）

【課題】 電源装置のインバータ回路を駆動するスイッチング素子駆動回路の逆バイアス電圧が低くなると、ターン・オフ損失が増加しスイッチング素子の劣化に繋がる。
【解決手段】 直流変換回路と、直流電圧を高周波交流電圧に変換するフルブリッジのインバータ回路と、インバータ回路を制御すると共に変圧器の入力電流が基準電流以上になると所定時間インバータ回路を停止する出力制御回路と、出力制御信号に応じてスイッチング素子を駆動すると共に逆バイアスコンデンサに電流を供給するスイッチング素子駆動回路とを備え、インバータ回路が停止しているとき、第１のスイッチング素子及び第４のスイッチング素子が０から１／２周期の間で重ならないようにオンし、第２のスイッチング素及び第３のスイッチング素子が１／２から１周期の間で重ならないようにオンするスイッチング制御回路、を備えたことを特徴とするアーク加工用電源装置である。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成でスイッチング素子の負バイアス駆動を行う駆動回路及び当該駆動回路を備えた半導体装置の提供を目的とする。
【解決手段】本発明の駆動回路は、ＩＣチップに搭載され、半導体スイッチング素子４ａを駆動する駆動回路であって、前記ＩＣチップ外部の単一電源から供給される第１の電圧Ｖ１を受け、第１の電圧Ｖ１から第２の電圧Ｖ２を生成して、これを半導体スイッチング素子４ａの基準端子に印加する電源回路８と、前記ＩＣチップ外部からの入力信号に応じて、半導体スイッチング素子４ａの制御端子に第１の電圧Ｖ１を印加／非印加することにより半導体スイッチング素子４ａを駆動する駆動部とを備える。 （もっと読む）

【課題】ターンオフサイリスタのゲート・カソード電圧が負になった場合でもターンオン電流が増大するのを防止することのできる半導体電力変換装置のゲート駆動回路を提供する。
【解決手段】エネルギー蓄積手段１２の正極から第１のスイッチ１０を介してターンオフサイリスタ１４のゲートにリアクトル１３を、ターンオフサイリスタのカソードとエネルギー蓄積手段の負極間に第２のスイッチ８を設ける。環流ループを得るためにフライホイールダイオード７及び９を設ける。
スイッチ１０、８をオンオフさせるためのターンオン制御手段５を設ける。ターンオン制御手段５は、スイッチ８がオンで且つターンオフサイリスタ１４のゲート・カソード電圧が負になったとき、スイッチ８、１０をオフさせるように制御する。 （もっと読む）

【課題】 ノイズによる誤動作や短絡を防止して安全に駆動できるゲート駆動回路を有する電力変換装置をより少ない部品と簡単な構成で実現する。
【解決手段】 上側スイッチング素子（１−ＳＷ２）を駆動する上側ゲート駆動回路（１−Ｇ２）と、下側スイッチング素子（１−ＳＷ１）を駆動する下側ゲート駆動回路（１−Ｇ１）と、を有する電力変換装置に、前記上側ゲート駆動回路については負電圧電源回路（１−Ｅ３）を備え、前記下側ゲート駆動回路については負電圧電源を作り出す下側ブートストラップ回路（１−Ｂ２）を備えた。 （もっと読む）

【課題】ゲート信号のオン状態が所定期間以上継続することを防止すること。
【解決手段】電力変換器（３）のスイッチング素子（３０１〜３０４）のオン期間を規定するパルス信号（Ｓ１〜Ｓ４）を絶縁用のトランス（２０１）に入力し、トランス（２０１）から出力される信号を用いてスイッチング素子（３０１〜３０４）のゲートに与えるゲート信号を形成するゲート駆動回路である。トランス（２０１）から出力される信号を整形する整形手段（２０２）と、整形手段（２０２）によって整形された信号が所定期間オン状態を継続した場合に前記ゲート信号をオフ状態にさせる信号オフ手段（２０３、２０４、２０５）とを備える。 （もっと読む）

【課題】複数個直列に接続された素子の過電流保護を確実、かつ安全に行ない得るようにする。
【解決手段】複数個直列接続される半導体素子１ａ〜１ｃと対応して設けられるゲート駆動回路３ａ，３ｂ，３ｃを、絶縁トランス１４ａ〜１４ｃおよび信号線１３を介して互いに接続し、いずれかの過電流判定回路８において過電流と判断されたら、当該過電流判定回路８から他のゲート駆動回路へその旨の信号を伝送することにより、他のゲート駆動回路でも過電流保護動作が行なわれるようにする。 （もっと読む）

【課題】正電圧の電源のみで、導通損失を増加させることなく、誤点弧を防止する電圧駆動型半導体素子のドライブ回路及びインバータ装置を提供する。
【解決手段】半導体素子を駆動するドライブ回路において、直流電源の正側に接続された第１のスイッチと、第１のスイッチの他端子に接続され、かつ直流電源の負側に接続された第２のスイッチと、直流電源の正側に接続された第３のスイッチと、第３のスイッチの他端子に接続された第４のスイッチと、第４のスイッチの他端子に接続され、かつ直流電源の負側に接続された第５のスイッチと、第１のスイッチの他端子と第４のスイッチの他端子に接続されたコンデンサを備え、半導体素子のゲートは第３のスイッチの他端子に接続され、半導体素子のソースは直流電源の負側に接続する。
【効果】正電圧の電源のみで、半導体素子のゲートに負電圧を印加することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ハイサイドドライバを使用することなく、ＧＮＤ基準の低圧信号によりｐ型ＭＯＳ−ＦＥＴが制御されるインバータ回路を提供する。
【解決手段】インバータ回路は、ハイサイドＭＯＳ−ＦＥＴ（１２）とローサイドＭＯＳ−ＦＥＴ（１３）とが入力信号に従って一方がＯＮし他方がＯＦＦするインバータ回路において、上記入力信号のＤＣレベルをカットするＤＣレベルカット用コンデンサ（１、２）と、上記ＤＣレベルがカットされた入力信号の最小ピーク値を電源電圧の近傍の値にクリップし上記ハイサイドＭＯＳ−ＦＥＴのベースに出力する第１のトランジスタ（７）と、上記ＤＣレベルがカットされた入力信号の最大ピーク値をＧＮＤの近傍の値にクリップし上記ローサイドＭＯＳ−ＦＥＴのベースに出力する第２のトランジスタ（８）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】従来の自給型ゲート駆動用電源回路では、ＲＣＤスナバ回路を充放電動作で使用するため、スナバ抵抗における充放電損失が大きくなり高周波動作では変換効率が低下し、装置が大型になる。さらに駆動用の電源として単一電源しか作れないため、ＩＧＢＴのゲートに逆バイアスをかけることができずターンオフ損失が大きい。
【解決手段】半導体スイッチング素子の両端電圧を直列コンデンサを介し、ハーフブリッジ形ダイオード整流器により整流して得られた直流中間点を持つ正負の直流電圧のうち、正側直流電圧を前記半導体スイッチング素子をオン駆動するための順バイアス側電源として供給し、負側直流電圧を前記半導体スイッチング素子をオフ駆動するための逆バイアス側電源として供給する。 （もっと読む）

【課題】上下アーム数が複数相分ある場合でも最小限の部品を追加するだけで、オフ状態のスイッチング素子への逆バイアス電圧の印加を可能にする。
【解決手段】主回路用直流電源の正極と負極との間に直列に接続されて交互にオン・オフを繰り返す２つの電圧駆動型半導体スイッチング素子を駆動する駆動回路において、前記スイッチング素子のうち主回路用直流電源１の正極に接続された上アーム素子２のオン時に、逆バイアス用直流電源９からダイオード１０を介して充電される逆バイアス用コンデンサ１１を備え、上アーム素子２のオフ時に、逆バイアス用コンデンサ１１の充電電圧により上アーム素子２に逆バイアス電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】単一の直流電源を使用しながらも簡単な構成で、ターンオン時の逆バイアス電圧の印加を実現できる絶縁ゲート型半導体素子の駆動回路を提供する。
【解決手段】ゲート電圧に応じて、グランドラインに接続されたエミッタと所定の電圧が供給されるコレクタとの間に流れる電流を制御する絶縁ゲート型半導体素子を駆動する駆動回路は、グランドラインＧＮＤと直流電圧ＶＤが供給される電圧ラインとの間に直列接続され、絶縁ゲート型半導体素子ＰＴのゲート電圧を制御するためのトランジスタＱ１，Ｑ２と、ゲート電圧を直流電圧ＶＤより低く維持するための電圧クランプ回路と、絶縁ゲート型半導体素子ＰＴのゲートとトランジスタＱ１，Ｑ２の接続点との間に設けられ、絶縁ゲート型半導体素子ＰＴのオン時に充電され、オフ時に逆バイアス電圧を発生するコンデンサＣ１などで構成される。 （もっと読む）

スイッチング回路装置１００は、電界効果トランジスタ４０と、電界効果トランジスタ４０のゲート電圧を特に、或る閾値、特に或る正の閾値レベル下にして、電界効果トランジスタ４０のゲート電圧にバイアスをかける回路５０，５２，５４，６０，６２とを有している。実施形態においては、逆回復及びゲートバウンスが同時に軽減される。一実施形態においては、バイアス回路は、電界効果トランジスタ４０のゲート電圧にバイアスをかけるために、電界効果トランジスタ４０のゲートＧと直列に接続されたバイアスダイオード５２と、電界効果トランジスタ４０のゲート電圧を或る閾値、特に或る正の閾値レベル下にするために、電界効果トランジスタ４０のゲートＧと電界効果トランジスタ４０のソースＳとの間に接続されたクランピング電界効果トランジスタユニット６２とを有している。
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