【課題】電圧制御形のパワースイッチング素子Ｓに過度の電流が流れることを回避する処理を行う場合、サージが大きくなるおそれがあること。
【解決手段】パワースイッチング素子Ｓのセンス端子ＳＴから出力される電流による抵抗体５２での電圧降下量は、コンパレータ５４によって、閾値電圧Ｖｒｅｆと大小関係が比較される。これにより、パワースイッチング素子Ｓを流れる電流（コレクタ電流）が閾値を超えるか否かを判断する。そして、閾値を超えると判断される場合、スイッチング素子５６をオンすることで、パワースイッチング素子Ｓのゲートの電圧をツェナーダイオード５８のブレークダウン電圧程度に制限する。ツェナーダイオード５８のカソード及びパワースイッチング素子Ｓのゲート間には、放電用抵抗体４２が接続されている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の種類によらず半導体素子を確実に保護することが可能な半導体素子駆動回路を提供する。
【解決手段】このＩＧＢＴ駆動回路では、ＩＧＢＴ１のゲート−補助エミッタ間にトランジスタ６を接続し、ＩＧＢＴ１の主電流Ｉが所定値Ｉ１を超えたことに応じてトランジスタ６を導通させ、その所定時間Ｔｄ１経過後に制御信号ＶＣを「Ｌ」レベルにし、トランジスタ６を非導通にするとともにＩＧＢＴ１のゲートの電荷を抵抗素子２０およびトランジスタ１７を介して放電させる。したがって、ＩＧＢＴ１のコレクタに発生するサージ電圧ＶＳを小さく抑制できる。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのゲート電位をスレショルド電位未満に維持するための構成を備えるスイッチング回路において、ゲート電位の立ち上がりの遅延を抑制すること等。
【解決手段】電圧制御される主トランジスタと、グランド端子に接続され、前記主トランジスタのゲートスレショルド電圧よりもオン時ドレインーソース間電圧が低い副トランジスタと、第１の抵抗が設けられ、電源装置に接続される端子と前記主トランジスタのゲートとを接続する第１の電力ラインと、前記主トランジスタのゲートから前記副トランジスタへ流れる電流を選択的に許容する第２の電力ラインと、第２の抵抗が設けられ、前記端子と前記副トランジスタとを接続する第３の電力ラインと、を有し、前記第２の抵抗の抵抗値は、前記主トランジスタの容量と前記第１の抵抗の抵抗値の積を前記副トランジスタの容量で除した値よりも小さい値である、スイッチング回路。 （もっと読む）

【課題】
パワーモジュールに大きな電流を流すインバータ装置であっても、高電位側ＩＧＢＴを駆動する信号の基準電位端子とゲート駆動ＩＣの基準電位端子間の逆サージを効果的に回避する。
【解決手段】
高電位側のＩＧＢＴ１２１及び低電位側のＩＧＢＴ１２３を有するＩＧＢＴモジュール１１３と、高電位側ＩＧＢＴ１２１及びＩＧＢＴ１２３を駆動する信号を出力するゲート駆動ＩＣ１０１と、ゲート駆動ＩＣ１０１の高電位側ＩＧＢＴ駆動信号用基準電位端子１０６と低電位側のＩＧＢＴ１２３のコレクタ端子１１７との間に設けられた容量１２８と、ゲート駆動ＩＣ１０１の高電位側ＩＧＢＴ駆動信号用基準電位端子１０６と高電位側ＩＧＢＴ１２１のエミッタ端子１１６との間に設けられた抵抗１２７と、を有するインバータ装置。 （もっと読む）

【課題】安定した電圧で充電して当該充電電圧をターンオフ時に利用することができ、しかもターンオフ時にパルストランスの二次巻線側に設けたゲート放電用トランジスタを高速にオンすることができる電圧制御型トランジスタのゲートドライブ回路を提供する。
【解決手段】パルストランス１０とＭＯＳトランジスタ２０とダイオード２１とコンデンサ３０とダイオード３１とゲート放電用ｐｎｐトランジスタ４０と抵抗４１とを備え、一次巻線１１に印加された電圧によって二次巻線１２に発生する電圧をトランジスタ２０およびダイオード２１を介して電圧制御型トランジスタ５０のゲートに印加するとともにダイオード３１を介してコンデンサ３０を充電し、一次巻線１１に印加される電圧が印加されなくなることで二次巻線１２に発生する逆電圧によりコンデンサ３０、抵抗４１、ダイオード２１、トランジスタ２０を介する電流が流れる。 （もっと読む）

【課題】ダイオードリカバリによるサージ電圧を抑制すると共に、半導体スイッチング素子のターンオン時の損失増加を抑えることにより、電力変換効率の低下を抑えることが可能な電力変換装置を提供する。
【解決手段】ゲート抵抗で第１半導体スイッチング素子のスイッチング速度を決定し、第１半導体スイッチング素子を駆動する第１のゲート駆動回路７と、前記半導体スイッチング素子に制御パルスを供給する制御パルス発生回路１２の出力端に、第２半導体スイッチング素子のゲートの充電開始から所定の時間後にオンするスイッチ素子であるPチャネル型のMOS-FET１５とツェナーダイオード１６との並列回路を直列に接続し、更に並列回路の出力端をゲート抵抗１７を介して第２半導体スイッチング素子のゲート端子に接続し、第２半導体スイッチング素子を駆動する第２のゲート駆動回路８とを備える。 （もっと読む）

【課題】パワーデバイスのゲートにコンデンサと抵抗の直列回路を接続することなく、損失およびノイズを低減するとともに、ドライブ能力を向上させることが可能なドライバ回路を提供する。
【解決手段】ドライバ回路には、ＩＧＢＴ４３のゲート電圧波形を設定するスロープ設定回路１３を設け、スロープ設定回路１３の出力電圧Ｖ^＊をオペアンプ１４の非反転入力端子に入力するとともに、抵抗１５、１６にて分圧された電圧Ｖｇｓｆをオペアンプ１４の反転入力端子に入力し、スロープ設定回路１３の出力電圧Ｖ^＊と、抵抗１５、１６にて分圧された分圧電圧Ｖｇｓｆとの偏差に比例した出力電圧Ｖｏｕｔをオペアンプ１４から出力させて、ＩＧＢＴ４３のゲート端子に入力する。 （もっと読む）

【課題】サイリスタ素子がターンオフ時に故障しないようにする。
【解決手段】サイリスタ素子２の制御電極３のゲート電圧を正電位にする順バイアス電圧手段５と、負電位にする逆バイアス電圧手段６とを具備したサイリスタ用ゲート駆動装置において、サイリスタ素子の主電極に流れる陽極電流又は陰極電流の電流値を監視する電流監視手段１０と、この電流監視手段で検出された電流値が入力され、この入力された電流のサイリスタ素子がターンオフ開始直前の電流値が、サイリスタ素子のオン電流最大定格値に対してどのくらいの割合であるかを演算する電流演算手段１１と、この電流演算手段の出力値に対応して、サイリスタ素子の制御電極に印加するゲート電圧の逆バイアス定常値を制御する逆バイアス定常値制御手段１２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 モータの駆動制御に伴って、装置各部の温度が上昇し、その許容温度に対して
余裕がなくなってきた場合は、温度上昇を抑制する効果が得られる制御を行い、一方、そ
の許容温度に対して余裕がある場合は、モータ電流の歪やスイッチング動作に起因するノ
イズを低減する効果が得られる制御を行うことができ、装置の発熱状態に応じて適切なモ
ータの駆動制御を実行することができるモータ制御装置を提供すること。
【解決手段】 モータ５０に駆動電流を供給するラインに介装されるスイッチング回路４
と、スイッチング回路４を駆動させるためのプリドライバ３と、プリドライバ３を駆動さ
せてモータ５０の駆動を制御するモータ制御手段２０と、スイッチング回路４のスイッチ
ング切替時の動作速度を切り替えるための動作速度切替手段１１と、発熱状態に基づいて
動作速度切替手段１１の設定を切り替える切替制御手段２０とを装備する。 （もっと読む）

【課題】本発明は上記課題に鑑み、インバータ回路におけるスイッチング素子の出力電流に発生するノイズを同期的に低減させ、インバータ回路によって駆動される制御モータの誤作動を有効に防止し得る制御モータ駆動装置の提供を目的とする。
【解決手段】制御モータ駆動装置１００を構成するインバータ回路２４０は、ドライブ回路１４１と複数のスイッチ回路２４２ａ〜２４２ｆと電流検出回路１４３とを備えている。そして、インバータ回路２４０に配備されるそれぞれのスイッチ回路２４２ａ〜２４２ｆは、ゲートＧに接続される調整抵抗Ｒｇａ〜Ｒｇｆと、エミッタＥ−コレクタＣ間に接続される帰還ダイオードＤ１ａ〜Ｄ１ｆと、ゲートＧ−エミッタＥ間に接続される吸収ダイオードＤ２ａ〜Ｄ２ｆとを備えるスイッチング素子Ｔｒａ〜Ｔｒｆから構成されている。 （もっと読む）

スイッチング回路装置１００は、電界効果トランジスタ４０と、電界効果トランジスタ４０のゲート電圧を特に、或る閾値、特に或る正の閾値レベル下にして、電界効果トランジスタ４０のゲート電圧にバイアスをかける回路５０，５２，５４，６０，６２とを有している。実施形態においては、逆回復及びゲートバウンスが同時に軽減される。一実施形態においては、バイアス回路は、電界効果トランジスタ４０のゲート電圧にバイアスをかけるために、電界効果トランジスタ４０のゲートＧと直列に接続されたバイアスダイオード５２と、電界効果トランジスタ４０のゲート電圧を或る閾値、特に或る正の閾値レベル下にするために、電界効果トランジスタ４０のゲートＧと電界効果トランジスタ４０のソースＳとの間に接続されたクランピング電界効果トランジスタユニット６２とを有している。
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【課題】 負側電源の故障が発生しても、絶縁ゲート型半導体素子が誤オン動作しないような安全な絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路を得る。
【解決手段】 正側電源２Ａと負側電源２Ｂで動作し、絶縁ゲート型半導体素子３のゲート駆動を行うＦＥＴ１２Ａ及びＦＥＴ１２Ｂから成るトーテムポール回路と、ゲート制御ＩＣ１１と、ゲート制御ＩＣの出力とＦＥＴ１２Ａのゲート間に設けたツェナーダイオード１５Ａ及び抵抗１４Ａから成る直列回路と、ゲート制御ＩＣの出力とＦＥＴ１２Ｂのゲート間に設けたツェナーダイオード１５Ｂ及び抵抗１４Ｂから成る直列回路とで構成し、ツェナーダイオード１５Ａの降伏電圧は、正側電源の電圧からＦＥＴ１２Ａのゲートしきい値電圧を減算した値より大きく、ツェナーダイオード１５Ｂの降伏電圧は、負側電源の電圧からＦＥＴ１２Ｂのゲートしきい値電圧を減算した値より小さく選定する。 （もっと読む）

【課題】 スイッチング素子を大型化せずに高温動作時におけるスイッチング素子の特性劣化や破壊を防止できるスイッチング素子保護回路を提供する。
【解決手段】 本発明によるスイッチング素子保護回路は、ＭＯＳ-ＦＥＴ(4)の動作温度を検出する温度検出用サーミスタ(11)と、温度検出用サーミスタ(11)により検出した動作温度が所定のレベルを越えるときに保全信号を発生する比較回路(12)と、過電圧保護回路(10)の検出電圧を設定する２つのアバランシェダイオード(5,6)とＭＯＳ-ＦＥＴ(4)の制御端子(G)との間に接続された切換手段(13)を構成するトランジスタ(14)とを備え、比較回路(12)の保全信号が発生したときにトランジスタ(14)をオン状態にして過電圧保護回路(10)の検出電圧を低下させる。これにより、高温動作時のＭＯＳ-ＦＥＴ(4)が低下した安全動作領域内での動作に切り換わるので、高温動作時におけるＭＯＳ-ＦＥＴ(4)の特性劣化や破壊を防止できる。 （もっと読む）

【課題】 スイッチング素子に半導体素子を用いてこれをパルス駆動する際に、良好なスイッチング特性を有するスイッチング回路を得る。
【解決手段】 スイッチング回路１をＯＮする際は、半導体スイッチング素子１１の制御端子としてのゲート端子Ｇのインピーダンスを、このスイッチング回路１の制御信号の立ち上がりを微分するように開放値から短絡値を経て抵抗１５に相当する値に安定させる。また、スイッチング回路をＯＦＦする際は、この抵抗１５に相当するインピーダンス値から開放値まで変化させている。これによって、制御信号入力端子に印加されるパルス状の制御信号に対する応答速度を速める。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電源電圧変動（パルス重畳）に依ることなく、高精度の熱保護動作を行うことが可能な半導体集積回路装置を提供することを目的とする。
【解決手段】上記目的を達成すべく、本発明に係る半導体集積回路装置の熱保護回路１は、電源電圧Ｖｃｃから高周波数成分を除去するフィルタ手段を有して成る構成、具体的には、基準電圧Ｖｒｅｆを生成するバンドギャップ電源部ＢＧ及び抵抗Ｒ１、Ｒ２と、温度検出用のトランジスタＮ１と、電源電圧ＶｃｃからトランジスタＮ１のオン／オフ状態に応じた制御信号Ｓｃｔｒｌを生成する抵抗Ｒ３、Ｒ４と、制御信号Ｓｃｔｒｌに応じてオン／オフ制御されるトランジスタＰ１と、トランジスタＰ１のオン／オフ状態に応じて熱保護信号Ｓｔｓｄを生成するトランジスタＮ２及び抵抗Ｒ５、Ｒ６と、を有するほか、前記フィルタ手段として、トランジスタＰ１のエミッタ及びコレクタに各々接続された抵抗Ｒ７及び容量Ｃ１を有して成る構成とされている。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチ用の駆動電源を不要とし、信頼性が高く、応答速度が速く、スイッチング特性にあわせた適切な駆動制御が可能といった半導体スイッチ回路半導体スイッチ回路およびその応用商品を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体スイッチ１００と、電源供給手段１０２と、電圧昇圧手段１０３とを備え、前記電源供給手段１０２の出力電圧は、前記半導体スイッチ１００の動作電圧以下であることを特徴とするもので、電源供給手段１０２における２次側回路が簡素化され部品点数が削減できる。また、常に半導体スイッチ１００における最適なスイッチング速度を具現化するゲート駆動を電圧昇圧手段１０３における昇圧動作で実現できる。 （もっと読む）

この発明は、トライアックのゲートへの単一の短い期間のパルスであらゆる力率の負荷を動作させることにより、トライアックを制御しトリガするシステムに関する。単一のコンパレータ(CP1)を使用するために、また、電流レベル(Ic)で制限することなく動作させるために、トライアックを制御しトリガするシステムが予見され、前記トライアックはゲートを備え、かつ、負荷に接続され、ゲートは、制御ユニット４に接続され、 制御ユニットは、回路電圧Vacを負荷に印加して電流Icを流すためにトライアックを動作させ、システムは、ゲート電圧検出ユニット(１)、制御ユニット(４)、制御ユニット(４)に接続のゲート電圧検出ユニット(１)を備え、制御ユニットはゲート電圧限界値(＋LIMIT,−LIMIT)を確立し、トライアックの導通を維持するためゲートにパルスを発生させ、ゲートでのパルスは、前記電圧限界値と、ゲート測定電圧との比較から発生され、制御ユニットは、Icを測定し、Icに比例して電圧限界値を調節する。

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