説明

Fターム[5H740MM10]の内容

電力変換一般 (12,896) | 保護 (1,231) | 配線インダクタンスの減少 (43)

Fターム[5H740MM10]に分類される特許

1 - 20 / 43


【課題】IGBTのオン・オフ時に発生するスイッチングノイズや、コモンモードノイズによるゲート駆動信号への影響を低減できるゲート駆動回路を提供する。
【解決手段】ゲート駆動回路は、パルストランスTにより一次側と二次側とに絶縁され、パルストランスTの一次側は第1の接地電位点GND1に接地され、パルストランスTの二次側は第1の接地電位点GND1とは絶縁された第2の接地電位点GND2に接地され、入力側にインピーダンス整合用抵抗R1〜R4を備えたレシーバCMPを介してパルストランスTの二次巻線N2に発生したゲート駆動信号を出力するゲート駆動回路において、パルストランスの一次巻線N1と二次巻線N2との間に静電シールド板5を備え、静電シールド板5は第2の接地電位点GND2に接地されている。 (もっと読む)


【課題】バスバを含む接続配線において、比較的簡単な構造で、バスバに電流が流れるときのインダクタンスを効果的に抑制することである。
【解決手段】電力変換器10においてバスバを含む接続配線30は、平滑用コンデンサモジュール12とパワーモジュール14の間を接続する正極側バスバ32と、正極側バスバ32と対をなして平滑用コンデンサモジュール12とパワーモジュール14の間を接続する負極側バスバ34と、絶縁物40を介して正極側バスバ32の外周全体を被覆する正極側導体42と、絶縁物44を介して負極側バスバ34の外周全体を被覆する負極側導体46と、正極側導体42と負極側導体46とを相互に電気的に接続する接続導体50,52を備える。 (もっと読む)


【課題】複数の電力変換回路を有し、これらの電力変換回路に属する半導体モジュールを積層した電力変換装置において、電力変換回路間のサージ電圧による干渉を低減する。
【解決手段】複数の電力変換回路の正極端子を接続する正極接続プレート66にスリット100,102を設ける。一方、正極接続プレート66が配置される固定台68上にかしめ突起105を設ける。かしめ突起105を、正極接続プレートのスリット100,102に貫通させ、かしめ突起105の先端をつぶして正極接続プレート66をかしめ、固定台68に固定する。正極接続プレートを固定するためのボルト等を用いていないため、負極接続プレート70の面積を広くすることができ、サージ電圧による干渉を低減できる。 (もっと読む)


【課題】インバータ回路のサージ電圧を抑制する半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】スイッチング素子からなる回路S1,S2が封入されたモジュール13,14が、バスバー配線100により、2つ以上並列に接続された回路構成を有するインバータ回路を備えた半導体装置であって、バスバー配線100は、導体層130,140,150と絶縁層110,120とを交互に重ね合わせた、ラミネート構造を有しており、導体層である直流正極130、直流負極140、交流出力150の各配線が、異なる導体層に形成される。 (もっと読む)


【課題】自己インダクタンスを有する接続ラインを用いてなる電力変換装置において、スイッチング素子をターンオンまたはオフしたときに、電流経路とスナバコンデンサとが共振することを抑制することができ、配置の自由度を向上させることができる電力変換装置を提供する。
【解決手段】一対の接続ライン20、30の少なくとも一方の接続ラインに、当該接続ラインよりも自己インダクタンスが低いと共に抵抗値が高い補助配線21〜23、31〜33を備える。そして、補助配線21〜23、31〜33を含んで構成される電流経路の自己インダクタンスを、一対の接続ライン20、30を含んで構成される電流経路の自己インダクタンスより小さくする。 (もっと読む)


【課題】並列接続された電力用スイッチング素子の特性の差異により生ずるターンオン/オフ動作時間の差に起因する当該並列接続された電力半導体素子間の遮断電流の偏りを緩和し、信頼性を向上させ、電流定格、及び耐圧の低い素子の適用を可能とし、低コスト化を実現する。
【解決手段】図は直流から交流に変換する電力変換装置1相分の回路を示し、電力用スイッチング素子を2並列で用いている回路構成例であり、電力半導体素子6a、6bの特性に差異があると各々の通電電流はILa≠ILbとなるが、6a、6bの特性に適したゲート電流IGa、IGbを流すゲート駆動回路構成を提供とすることで、ターンオン/オフに要する時間に差を緩和しILa≒ILbとし、並列接続された一方の電力半導体素子への主回路電流の集中を抑制することが可能となる。図では2並列の例であるが、並列接続数によらず本解決手段は有効である。 (もっと読む)


【課題】並列に設けられた複数のトランジスタと、これに共通に接続されるコンデンサとを有する半導体回路において、各トランジスタのターンオン電流に関して各トランジスタ間における過渡的な電流アンバランスを低減することである。
【解決手段】半導体回路10において、コンデンサ30と、並列接続される複数のトランジスタと、コンデンサ30の一方側端子から延伸する一方側バスバーと、コンデンサの他方側端子から分岐して、その分岐の先端がそれぞれ各トランジスタの他方側端子に向かって延伸する他方側バスバーであって、各分岐バスバーと一方側バスバーとの間の各相互インダクタンスを調整することで各分岐バスバーのバスバインダクタンスが同一となるように一方側バスバーに並走して設けられる他方側バスバーと、を備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】複数の3レベルインバータ回路を1つのユニットに収納する場合の装置の小形化及び低コスト化に有効な3レベルインバータ回路を提供する。
【解決手段】3レベルインバータ回路30の各素子パッケージは、取付板15の平面上に第1の結合ダイオード5、第1のIGBT1〜第4のIGBT4、第2の結合ダイオード6の順に直線上に配置される。第1及び第2の結合ダイオード5及び6が第1〜第4のIGBT1〜4の外側に配置されているので、第1及び第2の結合ダイオード5及び6の絶縁バリア16及び17との干渉を避ける必要がある積層接続板9の上部導体板10を1つの接続導体板で構成することができ、スナバ回路を必要とせずターンオフサージ電圧を抑制することができる3レベルインバータ回路を簡素な形状で構成できる。3相分を1ユニットに収容する場合は、3本のAC引出配線を通すように第2のIGBT2と第3のIGBT3間の間隙を広げる。 (もっと読む)


【課題】半導体電力変換装置に用いられる積層配線導体において、ターンオフサージ電圧をより良く抑制する構造のヒューズ接続部を備えた積層配線導体を提供する。
【解決手段】積層配線導体1の絶縁部材17を除いた内部では、平板導体11及び12と、平板導体13とが夫々の平面部分が互いに向かい合って且つ平行に配置され、平板導体11の引き出し部11aと平板導体12の引き出し部12a間にヒューズ14がその端子14a及び14bを介して固定して接続される。平板導体13とヒューズ14とが対向する部分には平板導体11及び12の延出平面部11b及び12bが介在する。平板導体11及び13間にスイッチング素子Q1及びQ2を接続し、平板導体12及び13間にコンデンサCを接続する。平板導体11及び12と平板導体13とで電流の向きが異なり磁束の向きが互いに打ち消し合いインダクタンス成分を相殺するのでスイッチング素子のターンオフ時のサージ電流が抑制される。 (もっと読む)


【課題】各素子を近接配置する必要がなく、部品点数やコストの増大を招くことがなく、容易に実現することが可能であって、スイッチング素子の切換えに伴うサージ電圧を効果的に抑える。
【解決手段】第3及び第2トランジスタ13、12がオンからオフに切換わっても、各寄生インダクタンス56b、55cに電流が流れ続けている。これは、第4ダイオード24のカソードKを第3トランジスタ13のエミッタE近傍に接続し、かつ第1ダイオード21のアノードAを第2トランジスタ12のコレクタC近傍に接続したことから、第4ダイオード24から誘導性負荷17への電流経路が寄生インダクタンス56bを介して形成され、かつ直流抵抗18から第1ダイオード21への電流経路が寄生インダクタンス55cを介して形成されるためである。 (もっと読む)


【課題】 ノイズフィルタを内蔵した電力変換装置において、ノイズフィルタを構成するフィルタ素子を効率的に冷却することが可能となるとともに電力変換装置を小型化でき、さらに伝導ノイズの低減効果を向上させることが可能な電力変換装置を得る。
【解決手段】 電力変換回路が実装された主回路モジュール9と、ベース部5bと羽根部5aを有し、ベース部5bに主回路モジュール9を取り付けた冷却フィン5と、外部電源と電力変換回路との間に接続されるノイズフィルタ回路が実装されたノイズフィルタ回路基板7とを備える電力変換装置1において、冷却フィン5は、ベース部5bに開口部5bxが形成されるとともに、羽根部5aに開口部5bxと一体となって空間部5cを形成する切り欠き部5axが形成され、ノイズフィルタ回路基板7は、ノイズフィルタ回路を構成する発熱部品11を空間部5cの内部に収納するとともに、開口部5bxを塞ぐようにベース部5bに固定される。 (もっと読む)


【課題】小型化が可能な構造の電力変換装置を提供すること。
【解決手段】IGBT12に並列接続されたスナバモジュール64のスナバコンデンサ64とスナバダイオード74の接続点96と、IGBT16に並列接続されたスナバモジュール68のスナバコンデンサ84とスナバダイオード86の接続点98とを互いに接続し、互いに接続しスナバ抵抗102,104を挿入し、スナバ抵抗102,104の一端とIGBT12の負極側の回路との間にスナバ共通抵抗106を接続する。 (もっと読む)


【課題】トランス自体をシールドせずに輻射ノイズを低減させることができる電力変換装置を提供する。
【解決手段】電力変換装置11は、トランス12の2次巻線14に中間タップ14aが設けられ、中間タップ14aの端子部14bがLCフィルタ回路16を介してプラス側出力端子17aに接続され、2次巻線14の両端子20a,20bがそれぞれ異なる整流用素子21a,21bを介してマイナス側出力端子17bに接続されている。トランス12は、2次巻線14の両端子20a,20bが隣り合う位置となるように構成されている。トランス12、LCフィルタ回路16及び整流用素子21a,21bは、GNDとして機能するヒートシンク上に絶縁層を介して実装されている。整流用素子21a,21bとしてスイッチング素子が使用されている。 (もっと読む)


【課題】電磁気学に忠実でありながら設計が容易な、1MHzを超える繰り返し周波数においても電力変換効率が高く電磁適合性に優れたスイッチングモード電力変換装置を提供する。
【解決手段】 スイッチングモード電力変換装置の設計に孤立電磁波コンセプトを適用する。降圧型コンバータにおいてMOS FET64の受電側に損失線路60、送電側に損失線路63が接続され、損失線路60と直流電源4間に低インピーダンス損失線路55が接続され、損失線路63の負荷側にリアクトル74が接続される。MOS FET64が励起した孤立電磁波は損失線路60、63上で大幅に減衰するが、リアクトル74にはMOS
FET64の上昇時間で直流電源電圧が印加され降圧型コンバータは正常に機能する。孤立電磁波はさらに低インピーダンス損失線路55中でも減衰するので、降圧型コンバータからの不要電磁波は実用上完全に抑圧される。 (もっと読む)


【課題】
表皮効果を用いて効果的にノイズを低減する。
【解決手段】
本発明に係る電力変換装置は、半導体スイッチング素子を備える電力変換装置であって、該装置の内部の配線および/または基板に用いる導体を少なくとも2種類以上の材料で構成し、前記材料のうち第1の材料を前記導体の中心部に用い、前記材料のうち第2の材料を前記導体の表皮部に用い、前記第2の材料の導電率は、前記第1の材料の導電率の2%以上71%以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】電力変換装置13において、交流電動機20から大地(アース)に流れる漏洩電流IRを低減する。
【解決手段】漏洩電流IRを漏洩電流検出器26で検出して、反転増幅回路27で反転増幅したのち、コンプリメンタリトランジスタペア30で検出された漏洩電流IR(x)を正成分と負成分に分けてNPN型とPNP型との各トランジスタ31、32で増幅したのち合成点34で信号合成して出力する。このコンプリメンタリトランジスタペアの合成点から出力された電流を漏洩電流IRに対する打消し電流IQとしてトランス51を介して漏洩電流IRのアースの流路に出力する。
また、コンプリメンタリトランジスタペアを構成する各トランジスタのベースに所定のバイアス電圧VBを印加する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、大電圧のスイッチング変換器のスイッチングに伴って発生するサージエネルギーの影響を効果的に回避する機能を備えたスイッチング変換器の制御用論理回路を提供することを目的とする。
【解決手段】大電圧のスイッチング変換器の制御用論理回路において、制御用論理回路ICの外部接続端子と、該制御用論理回路IC内のコンプリメンタリロジック回路の出力端子とを接続する3つの配線を半導体基板内に多層配線構造として形成することによって、各配線の備える寄生インダクタンスが磁気的に結合され、その結果、コンプリメンタリロジック回路のFETに印加されるサージ電圧が効果的に低減される。 (もっと読む)


【課題】コンデンサの配線に寄生するインダクタンスをより小さくすることができる電力変換装置を提供する。
【解決手段】基板22に半導体チップ23が実装され、正極用配線部材27及び負極用配線部材28での平板状の本体部27a,28aが基板22の上方において基板22と平行に、かつ相互に電気的に絶縁された状態で近接して重なるように配置されている。コンデンサ17が負極用配線部材28の本体部28a上に配置されている。正極用配線部材27及び負極用配線部材28は、本体部27a,28aから基板22に向かって延びる垂下部27b,28bが平板状に形成され、かつ、垂下部27b,28bは基板22との接合部の直近まで平行状態で互いに近接した状態に保持されている。 (もっと読む)


【課題】基板が熱により伸縮することで正極用配線部材及び負極用配線部材と基板との接合部に加わる応力を低減することができる電力変換装置を提供する。
【解決手段】基板に半導体チップが実装され、正極用配線部材27及び負極用配線部材28での平板状の本体部27a,28aが基板の上方において基板と平行に、かつ相互に電気的に絶縁された状態で近接して重なるように配置されている。コンデンサ17が負極用配線部材28の本体部28a上に配置されている。正極用配線部材27及び負極用配線部材28は、本体部27a,28aから基板に向かって延びる垂下部27b,28bが平板状に形成され、かつ、端子部27c,28cにて基板に接合され、垂下部27b,28bには切り欠き部27d,28dが垂下部27b,28bの下端から上端まで延設されている。 (もっと読む)


【課題】直列接続回路において、磁気結合手段によってスイッチングタイミングが調整されているにもかかわらず、ターンオン時に於て電圧アンバランスが発生する恐れがある。
【解決手段】直列接続した各半導体スイッチング素子のゲート信号タイミングのズレは磁気結合手段で抑制し、テイル電流特性などの素子特性の違いに起因する電圧アンバランスはターンオン時の素子電圧に基づいて入力容量の充電時間を調整する手段を付加することにより抑制する。 (もっと読む)


1 - 20 / 43