半導体電力変換装置の積層配線導体
【課題】半導体電力変換装置に用いられる積層配線導体において、ターンオフサージ電圧をより良く抑制する構造のヒューズ接続部を備えた積層配線導体を提供する。
【解決手段】積層配線導体１の絶縁部材１７を除いた内部では、平板導体１１及び１２と、平板導体１３とが夫々の平面部分が互いに向かい合って且つ平行に配置され、平板導体１１の引き出し部１１ａと平板導体１２の引き出し部１２ａ間にヒューズ１４がその端子１４ａ及び１４ｂを介して固定して接続される。平板導体１３とヒューズ１４とが対向する部分には平板導体１１及び１２の延出平面部１１ｂ及び１２ｂが介在する。平板導体１１及び１３間にスイッチング素子Ｑ１及びＱ２を接続し、平板導体１２及び１３間にコンデンサＣを接続する。平板導体１１及び１２と平板導体１３とで電流の向きが異なり磁束の向きが互いに打ち消し合いインダクタンス成分を相殺するのでスイッチング素子のターンオフ時のサージ電流が抑制される。
【解決手段】積層配線導体１の絶縁部材１７を除いた内部では、平板導体１１及び１２と、平板導体１３とが夫々の平面部分が互いに向かい合って且つ平行に配置され、平板導体１１の引き出し部１１ａと平板導体１２の引き出し部１２ａ間にヒューズ１４がその端子１４ａ及び１４ｂを介して固定して接続される。平板導体１３とヒューズ１４とが対向する部分には平板導体１１及び１２の延出平面部１１ｂ及び１２ｂが介在する。平板導体１１及び１３間にスイッチング素子Ｑ１及びＱ２を接続し、平板導体１２及び１３間にコンデンサＣを接続する。平板導体１１及び１２と平板導体１３とで電流の向きが異なり磁束の向きが互いに打ち消し合いインダクタンス成分を相殺するのでスイッチング素子のターンオフ時のサージ電流が抑制される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体電力変換装置に用いられ、ターンオフサージ電圧をより良く抑制する構造のヒューズ接続部を備えた積層配線導体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、商用交流電源などから得られた入力電力を、半導体スイッチング素子を用いて所定の周波数の電力に変換して出力するものとして、インバータなどの半導体電力変換装置が用いられる。
【０００３】
半導体電力変換装置には、直流回路の平滑コンデンサと半導体スイッチング素子との間の配線インタクタンスが存在し、また、過電流保護用ヒューズの内部インダクタンスが存在する。このため、スイッチング時の電流の変化に伴ってサージ電圧が発生する。
【０００４】
図４はスイッチング素子にI ＧＢＴ(insulated gate bipolar transistor) が適用された２レベル電力変換装置の１相分の回路構成を示す図である。図４において、スイッチング素子Ｑ１及びＱ２には、帰還ダイオードＤ１及びＤ２がそれぞれ逆並列接続され、スィッチング素子Ｑ１、Ｑ２は互いに直列接続されている。
【０００５】
ここで、スイッチング素子Ｑ１及びＱ２の接続点には交流端子Ｕが設けられ、直列接続されたスイッチング素子Ｑ１及びＱ２の両端には、直流電源正側端子Ｐおよび直流電源負側端子Ｎがそれぞれ設けられている。また、直列接続されたスイッチング素子Ｑ１及びＱ２には、平滑コンデンサＣが並列接続されている。また配線５５と配線５６の間にはヒューズＦが接続されている。
【０００６】
そして、平滑コンデンサＣ→配線５３→配線５５→ヒューズＦ→配線５６→スイッチング素子Ｑ１→配線５７→スイッチング素子Ｑ２→配線５８→配線５４→平滑コンデンサＣの経路上には配線インダクタンスが存在する。
【０００７】
スイッチング時の電流の変化に伴ってサージ電圧が発生すると、そのサージ電圧は直流電圧に加え合わされてスイッチング素子Ｑ１及びＱ２に印加される。そして、その印加された電圧の値がスイッチング素子Ｑ１及びＱ２の電圧定格を超えると、スイッチング素子Ｑ１及びＱ２が破壊されるという不具合が引き起こされる。
【０００８】
このような不具合な現象を回避するために、スイッチング時の電流の変化に伴うサージ電圧を抑制する方法として、配線インダクタンスを小さくする方法やスイッチング素子Ｑ１及びＱ２に流れる電流を小さくする方法などが考えられる。
【０００９】
スイッチング素子Ｑ１及びＱ２に流れる電流を小さくする方法としては、電力変換装置の容量を下げることが考えられる。しかし、電力変換装置の容量を下げると、下げた容量に相等する分だけ出力を上げるために増幅器等の出力増幅装置を付加する必要が生じ、これがコストアップの要因になる。このため、配線インダクタンスを小さくすることで、スイッチング時の電流の変化に伴うサージ電圧を抑制することが通常行われる。
【００１０】
配線インダクタンスを小さくする方法としては、平滑コンデンサＣ→配線５３→配線５５→ヒューズＦ→配線５６→スイッチング素子Ｑ１→配線５７→スイッチング素子Ｑ２→配線５８→配線５４→平滑コンデンサＣの経路上において、スイッチングのターンオフ時に電流が増加する部分と、スイッチングのターンオフ時に電流が減少する部分の配線を対にして配置することでインダクタンス成分を相殺する方法がある（例えば、特許文献１参照）。
【００１１】
この方法は、具体的には、いま、スイッチング素子Ｑ１がオンし、平滑コンデンサＣ→配線５３→配線５５→ヒューズＦ→配線５６→スイッチング素子Ｑ１→配線５７→交流端子Ｕの経路Ｋ１を介して負荷に電流が流れているものとする。
【００１２】
そして、この状態からスイッチング素子Ｑ１がターンオフすると、経路Ｋ１に流れる電流が減少する。このとき、電流変化に伴って発生する配線５３、５５、５６のインダクタンスによる電圧は、平滑コンデンサＣに対してスイッチング素子Ｑ１の方が高くなる向きに発生する。
【００１３】
一方、スイッチング素子Ｑ１が上記のようにターンオフすると、平滑コンデンサＣ→配線５４→配線５８→スイッチング素子Ｑ２→配線５７→交流端子Ｕの経路Ｋ２に流れる電流が増加する。このとき、電流変化に伴って発生する配線５４、５８のインダクタンスによる電圧は、スイッチング素子Ｑ２に対して平滑コンデンサＣの方が高くなる向きに発生する。
【００１４】
すなわち、スイッチング素子Ｑ１のターンオフ時には、配線５３、５５、５６と配線５４、５８とでは、電流変化の向きが互いに異なるようになり、したがって、磁束の向きも互いに異なるようになる。
【００１５】
このため、配線５３と配線５４を対にして配置するとともに、配線５５、５６と配線５８を対にして配置することで、スイッチング素子Ｑ１のターンオフ時に発生する磁束を打ち消し合わせることができ、これにより、インダクタンス成分を相殺することが可能となり、結果としてスイッチング時の電流の変化に伴うサージ電圧を抑制することができる。
【００１６】
このように配線５３と配線５４を対にして配置し、配線５５、５６と配線５８を対にして配置するために、配線５３〜５８に平板導体を使用し、電流の変化の向きが互いに異なる部分の面を向かい合わせて平行に配置し、これらの平板導体間を絶縁物にて絶縁して、配線部分を積層配線導体とする方法がある。
【００１７】
図５(a) は、従来の２レベル電力変換装置における積層配線導体のヒューズ接続部の概略構成を示す斜視図であり、図５(b) は、図５(a) の積層配線導体の導体部分の概略構成を示す斜視図である。
【００１８】
図５(a),(b) において、積層配線導体４には平板導体４１、４２、４３が設けられている。平板導体４１及び４２と、平板導体４３とは、それらの平面部分が互いに向かい合って且つ平行に配置されている。平板導体４１、４２、及び４３間、並びにそれらの周囲は、絶縁材４７により覆われている。
【００１９】
平板導体４１及び４２には、それぞれの平面部分から、その垂直方向に形成された引き出し部４１ａ及び４２ａがそれぞれ設けられ、それらの引き出し部４１ａ及び４２ａは絶縁材４７から露出されている。
【００２０】
そして、それらの引き出し部４１ａ及び４２ａに差し渡されるように配置されたヒューズ４４が、その端子４４ａ及び４４ｂを、それぞれボルト４５及び４６によって、引き出し部４１ａ及び４２ａに固定されている。なお、ヒューズ４４の部分には平板導体４３と向かい合う平板導体は存在しない。
【００２１】
この構成において、図４のスイッチング素子Ｑ１のターンオフ時には、平板導体４１及び４２と、平板導体４３とでは、電流変化の向きが互いに異なるようになり、したがって磁束の向きが互いに異なるようになる。
【００２２】
つまり、スイッチング素子Ｑ１のターンオフ時に発生する磁束を打ち消し合わせることができ、これにより、インダクタンス成分を相殺することが可能となることから、スイッチング時の電流の変化に伴うサージ電圧を抑制することができるというものである。
【特許文献１】実用新案登録公報第２５４３１６６号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２３】
しかしながら、図５(a),(b) に示す積層配線導体４の構造では、ヒューズ４４の部分には平板導体４３と向かい合う平板導体が存在しないため、その分だけインタクタンス成分を相殺することができない。そのため、サージ電流は平板導体４３側に多く偏って流れることになる。
【００２４】
通常、ヒューズ４４の内部には、特には図示しないが、複数本の細いヒューズ素子が平行に束ねられて配置され、平行する部分は相互に絶縁され、両端部がそれぞれ端子４４ａ及び４４ｂに接続されて直方体状の保護外被中に収容されている。また、ヒューズ４４は、積層配線導体４の構造を出来るだけ小さく構成するために平板導体４３に出来るだけ近接して配置される。
【００２５】
ヒューズ４４がこのような構造のため、サージ電流が平板導体４３側に多く偏って流れると、その平板導体４３側に多く偏って流れるサージ電流で引き起こされる磁束線からの影響で、ヒューズ４４内部において板導体４３に最も近接する位置に配置されたヒューズ素子に流れるサージ電流が、インタクタンス成分を相殺することができない分だけ多く流れる。
【００２６】
これにより、ヒューズ４４のヒューズ素子全体では定格電流となるサージ電流でも、最も平板導体４３に近接するヒューズ素子にとっては定格以上の電流となって先ずこのヒューズ素子が溶断する。
【００２７】
ヒューズ素子が一本でも溶断すると、その分だけ残りのヒューズ素子に加わる負荷が増大し、次に平板導体４３に近接して配置されているヒューズ素子が上記と同様の状態となって溶断する。結果として、定格電流よりも低い電流でヒューズ４４が溶断するという問題があった。
【００２８】
本発明の目的は、上記従来の実情に鑑み、半導体電力変換装置に用いられる積層配線導体において、ターンオフサージ電圧をより良く抑制する構造のヒューズ接続部を備えた積層配線導体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２９】
本発明の積層配線導体は、第１及び第２の平板導体と、該第１及び第２の平板導体の引き出し部間に接続されたヒューズと、上記第１及び第２の平板導体の平面部分とそれぞれ対向し且つ並行に配置された平面部分を有する第３の平板導体と、上記第１の平板導体、上記第２の平板導体、及び上記第３の平板導体のそれぞれを絶縁する絶縁部材と、を有し、上記第１及び第２の平板導体の上記平面部分は、上記第３の平板導体の平面部分と上記ヒューズとの対向部分にも延在するよう形成されていることを特徴とする。
【００３０】
上記第３の平板導体は、例えば、上記第１及び第２の平板導体とは異なる電位の電流を通電されることを特徴とする。
また、上記引き出し部は、例えば、上記第１及び第２の平板導体の上記第３の平板導体の平面部分と上記ヒューズとの対向部分にも延在するよう形成されている平面部からそれぞれ垂直方向に且つ上記第１及び第２の平板導体を通過する電流経路と垂直方向に形成され上記絶縁部材から露出して配置されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００３１】
本発明によれば、半導体電力変換装置に用いられる積層配線導体において、ターンオフサージ電圧をより良く抑制する構造のヒューズ接続部を備えた積層配線導体を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【実施例１】
【００３３】
図１(a) は、本発明の実施例１におけるヒューズ接続部を備えた積層配線導体の概略構成を示す斜視図であり、図１(b) は図１(a) の積層配線導体の絶縁部材を除いて平板導体の内部構成を示す分解斜視図である。
【００３４】
図１(a),(b) に示すように、本例の積層配線導体１は、平板導体１１、１２及び１３を備えている。平板導体１１及び１２と、平板導体１３とは、それらの平面部分が互いに向かい合って且つ平行に配置されている。また、平板導体１１、１２、及び１３間、並びにそれらの周囲は、絶縁部材１７により覆われている。
【００３５】
上記の平板導体１１及び１２には、絶縁部材１７から外部に露出する引き出し部１１ａ及び１２ａがそれぞれ形成されている。
そして、引き出し部１１ａ及び１２ａ間に差し渡されるように、ヒューズ１４が配設されている。ヒューズ１４は、その端子１４ａ及び１４ｂを、それぞれボルト１５及び１６によって、引き出し部１１ａ及び１２ａに固定されている。
【００３６】
上記の平板導体１１及び１２の平面部分には、平板導体１３とヒューズ１４とが対向する部分に延在し且つ双方それぞれが位置的に干渉しないような形状の延出平面部１１ｂ及び１２ｂが形成されている。
【００３７】
本例では、延出平面部１１ｂ及び１２ｂは、それぞれの本体平面部分の電流経路幅のおよそ１／２を切り欠いた残り部分を、平板導体１３とヒューズ１４とが対向する部分に相互に入れ込む形で且つ相互に干渉しない形に形成されている。
【００３８】
そして、上記の引き出し部１１ａ及び１２ａは、延出平面部１１ｂ及び１２ｂからそれぞれ垂直に且つ平板導体１１及び１２を通過する電流経路１８の方向に平行に沿って電流経路１８に対し垂直に形成されている。
【００３９】
この積層配線導体１の構成において、平板導体１１、１２及び１３を、それぞれ図４の配線５５、５６及び５８として使用し、図４のスイッチング素子Ｑ１、Ｑ２及びコンデンサＣを接続する。
【００４０】
この構成の積層配線導体１の効果としては、図４のスイッチング素子Ｑ１のターンオフ時には、平板導体１１及び１２と平板導体１３とでは、電流変化の向きが互いに異なるので、結果として磁束の向きが互いに打ち消し合うことになり、インダクタンス成分を相殺することが可能となり、スイッチング時の電流の変化に伴って発生するサージ電圧を抑制することができる。
【００４１】
そして、この抑制力は、ヒューズ１４に対向する部分の平板導体１３の平面部分に対しても、平板導体１１及び１２の平面部分の延長である延出平面部１１ｂ及び１２ｂが平行に配置されているので、平板導体１１及び１２と、平板導体１３とで互いに打ち消し合う磁束量はほぼ同一の磁束量となり、サージ電圧への抑制力は、図５(a),(b) に示した従来例に比較して、より有効に作用する。
【００４２】
すなわち、平板導体１１及び１２の平面部分の延長としての延出平面部１１ｂ及び１２ｂがヒューズ１４と平板導体１３間にも配置されるので、このヒューズ１４配置部分でも平板導体１１及び１２と平板導体１３との間でインダクタンス成分が相殺されることにより、ヒューズ１４内部を流れる電流が平板導体１３を流れる電流による影響を受ける割合が大幅に低減する。
【００４３】
これにより、ヒューズ１４内部の各ヒューズ素子を流れる電流の偏りを抑制でき、ヒューズ１４が定格電流よりも低い電流で溶断する不具合を避けることができるようになる。
図２(a) は、本発明の実施例２におけるヒューズ接続部を備えた積層配線導体の概略構成を示す斜視図であり、同図(b) は同図(a) の積層配線導体の絶縁部材を除いて平板導体の内部構成を示す分解斜視図である。
【００４４】
図２(a),(b) に示すように、本例の積層配線導体２は、平板導体２１、２２及び２３を備えている。平板導体２１及び２２と、平板導体２３とは、それらの平面部分が互いに向かい合って且つ平行に配置されている。また、平板導体２１、２２、及び２３間、並びにそれらの周囲は、絶縁部材２７により覆われている。
【００４５】
上記の平板導体２１及び２２には、絶縁部材２７から外部に露出する引き出し部２１ａ及び２２ａがそれぞれ形成されている。
そして、引き出し部２１ａ及び２２ａ間に差し渡されるように、ヒューズ２４が配設されている。ヒューズ２４は、その端子２４ａ及び２４ｂを、それぞれボルト２５及び２６によって、引き出し部２１ａ及び２２ａに固定されている。
【００４６】
上記の平板導体２１及び２２の平面部分には、平板導体２３とヒューズ２４とが対向する部分に延在し且つ双方それぞれが位置的に干渉しないような形状の延出平面部２１ｂ及び２２ｂが形成されている。
【００４７】
本例では、延出平面部２１ｂ及び２２ｂは、それぞれの本体平面部分を電流経路方向へ延出させた部分を斜めに切り欠き、欠いた残り部分を、平板導体２３とヒューズ２４とが対向する部分に相互に入れ込む形で且つ相互に干渉しない形に形成されている。
【００４８】
そして、上記の引き出し部２１ａ及び２２ａは、延出平面部２１ｂ及び２２ｂからそれぞれ垂直に且つ平板導体２１及び２２を通過する電流経路２８の方向に平行に沿って電流経路２８に対し垂直に形成されている。
【００４９】
この積層配線導体２の構成において、平板導体２１、２２及び２３を、それぞれ図４の配線５５、５６及び５８として使用し、図４のスイッチング素子Ｑ１、Ｑ２及びコンデンサＣを接続する。
【００５０】
この構成の積層配線導体２に関する電気現象及びその効果は、前述した実施例１の場合と同様である。
図３(a) は、本発明の実施例３におけるヒューズ接続部を備えた積層配線導体の概略構成を示す斜視図であり、同図(b) は同図(a) の積層配線導体の絶縁部材を除いて平板導体の内部構成を示す分解斜視図である。
【００５１】
図３(a),(b) に示すように、本例の積層配線導体３は、平板導体３１、３２及び３３を備えている。平板導体３１及び３２と、平板導体３３とは、それらの平面部分が互いに向かい合って且つ平行に配置されている。また、平板導体３１、３２、及び３３間、並びにそれらの周囲は、絶縁部材３７により覆われている。
【００５２】
上記の平板導体３１及び３２には、絶縁部材３７から外部に露出する引き出し部３１ａ及び３２ａがそれぞれ形成されている。
そして、引き出し部３１ａ及び３２ａ間に差し渡されるように、ヒューズ３４が配設されている。ヒューズ３４は、その端子３４ａ及び３４ｂを、それぞれボルト３５及び３６によって、引き出し部３１ａ及び３２ａに固定されている。
【００５３】
上記の平板導体３３は、ほぼ中央に、電流経路３８に直交する形状で直角に折り曲げられた折り曲げ部３３ａを形成されている。これにより、図３(b) に示す図では、平板導体３３は、形状的に、折り曲げ部３３ａから立設する一方の平板部３３ｂと、折り曲げ部３３ａから水平に張り出す平板部３３ｃとに分けられている。
【００５４】
平板導体３３の平板部３３ｂと向かい合って且つ平行に配置される平板導体３１の折り曲げ部側端部３１ｂには、その一方の側縁から上記の引き出し部３１ａが、折り曲げ部側端部３１ｂに垂直に且つ平板導体３１を通過する電流経路３８の方向に平行に沿って電流経路３８に対し垂直に形成されている。
【００５５】
また、平板導体３３の平板部３３ｃに向かい合って且つ平行に配置される平板導体３２の折り曲げ部側端部３２ｂには、その一方の側縁（平板導体３１の折り曲げ部側端部３１ｂの一方の側縁に対向する位置の側縁）から上記の引き出し部３２ａが、折り曲げ部側端部３２ｂに垂直に且つ平板導体３２を通過する電流経路３８の方向に平行に沿って電流経路３８に対し垂直に形成されている。
【００５６】
ヒューズ３４は、この平板導体３１、３２及び３３からなる積層配線導体３の直角に折り曲げられている部分に近接して配置される。すなわち、直方体を成すヒューズ３４の端子３４ａ及び３４ｂを除く４面のうち２面が、それぞれ平板導体３１の折り曲げ部側端部３１ｂ、又は平板導体３２の折り曲げ部側端部３２ｂに近接して対向する位置に配置される。
【００５７】
すなわち、平板導体３３とヒューズ３４とが対向する部分において、平板導体３３の平板部３３ｂとヒューズ３４の２面のうちの一面とが対向する部分には平板導体３１の折り曲げ部側端部３１ｂが配置され、平板導体３３の平板部３３ｃとヒューズ３４の２面のうちの他の一面とが対向する部分には平板導体３２の折り曲げ部側端部３２ｂが配置されている。
【００５８】
平板導体３１の折り曲げ部側端部３１ｂと、平板導体３２の折り曲げ部側端部３２ｂとは、平板導体３３の折り曲げ部３３ａを境界線として上下に配置されるので、近接した配置ながら、位置的に相互に干渉することはない。
【００５９】
この積層配線導体３の構成において、平板導体３１、３２及び３３を、それぞれ図４の配線５５、５６及び５８として使用し、図４のスイッチング素子Ｑ１、Ｑ２及びコンデンサＣを接続する。
【００６０】
この構成の積層配線導体３に関する電気現象及びその効果は、前述した実施例１及び実施例２の場合と同様である。
また、本例のように、積層配線導体上に折り曲げ部を有する場合は、折り曲げ部にヒューズを配置することにより半導体電力変換装置の小型化に有効な配置となる。
【００６１】
また、上述した実施例１、２及び３は、２レベル電力変換装置への適用を想定した積層配線導体を示したが、これらの積層配線導体のヒューズ、接続構造を２つ以上並列配置したり、例えば図１において、平板導体１３に背中合わせに他の平板導体１１、１２、及びヒューズ１４を配置することにより、３レベル電力変換装置への適用も可能である。
【００６２】
このように、本発明によれば、半導体電力変換装置などの積層配線導体のヒューズ接続部において、ヒューズを接続しない平板導体とヒューズとが対向して配置された間にも、ヒューズを接続する平板導体を延在するように配置することにより、ヒューズを接続しない平板導体側とヒューズを接続した平板導体側との間で積層配線導体のインダクタンス成分を相殺することができる。
【００６３】
したがって、積層配線導体のヒューズ接続部の配線インダクタンスを小さくでき、これにより、ヒューズ内部の電流の偏りを抑制して、ヒューズが定格電流よりも低い電流で溶断するような不具合の生じない半導体電力変換装置の積層配線導体を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】(a) は本発明の実施例１におけるヒューズ接続部を備えた積層配線導体の概略構成を示す斜視図、(b) は(a) の積層配線導体の絶縁部材を除いて平板導体の内部構成を示す分解斜視図である。
【図２】(a) は本発明の実施例２におけるヒューズ接続部を備えた積層配線導体の概略構成を示す斜視図、(b) は(a) の積層配線導体の絶縁部材を除いて平板導体の内部構成を示す分解斜視図である。
【図３】(a) は本発明の実施例３におけるヒューズ接続部を備えた積層配線導体の概略構成を示す斜視図、(b) は(a) の積層配線導体の絶縁部材を除いて平板導体の内部構成を示す分解斜視図である。
【図４】スイッチング素子にI ＧＢＴ(insulated gate bipolar transistor) が適用された２レベル電力変換装置の１相分の回路構成を示す図である。
【図５】(a) は従来の２レベル電力変換装置における積層配線導体のヒューズ接続部の概略構成を示す斜視図、(b) は(a) の積層配線導体の導体部分の概略構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００６５】
１ 積層配線導体
１１、１２、１３ 平板導体
１１ａ、１２ａ 引き出し部
１１ｂ、１２ｂ 延出平面部
１４ ヒューズ
１４ａ、１４ｂ 端子
１５、１６ ボルト
１７ 絶縁部材
１８ 電流経路
２ 積層配線導体
２１、２２、２３ 平板導体
２１ａ、２２ａ 引き出し部
２１ｂ、２２ｂ 延出平面部
２４ ヒューズ
２４ａ、２４ｂ 端子
２５、２６ ボルト
２７ 絶縁部材
２８ 電流経路
３ 積層配線導体
３１、３２、３３ 平板導体
３１ａ、３２ａ 引き出し部
３１ｂ、３２ｂ 折り曲げ側端部
３３ａ 折り曲げ部
３３ｂ、３３ｃ 平板部
３４ ヒューズ
３４ａ、３４ｂ 端子
３５、３６ ボルト
３７ 絶縁部材
３８ 電流経路
５３、５４、５５、５６、５７、５８ 配線
Ｃ 平滑コンデンサ
Ｄ１、Ｄ２ 帰還ダイオード
Ｆ ヒューズ
Ｎ 直流電源負側端子
Ｐ 直流電源正側端子
Ｑ１、Ｑ２ スイッチング素子
Ｕ 交流端子
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体電力変換装置に用いられ、ターンオフサージ電圧をより良く抑制する構造のヒューズ接続部を備えた積層配線導体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、商用交流電源などから得られた入力電力を、半導体スイッチング素子を用いて所定の周波数の電力に変換して出力するものとして、インバータなどの半導体電力変換装置が用いられる。
【０００３】
半導体電力変換装置には、直流回路の平滑コンデンサと半導体スイッチング素子との間の配線インタクタンスが存在し、また、過電流保護用ヒューズの内部インダクタンスが存在する。このため、スイッチング時の電流の変化に伴ってサージ電圧が発生する。
【０００４】
図４はスイッチング素子にI ＧＢＴ(insulated gate bipolar transistor) が適用された２レベル電力変換装置の１相分の回路構成を示す図である。図４において、スイッチング素子Ｑ１及びＱ２には、帰還ダイオードＤ１及びＤ２がそれぞれ逆並列接続され、スィッチング素子Ｑ１、Ｑ２は互いに直列接続されている。
【０００５】
ここで、スイッチング素子Ｑ１及びＱ２の接続点には交流端子Ｕが設けられ、直列接続されたスイッチング素子Ｑ１及びＱ２の両端には、直流電源正側端子Ｐおよび直流電源負側端子Ｎがそれぞれ設けられている。また、直列接続されたスイッチング素子Ｑ１及びＱ２には、平滑コンデンサＣが並列接続されている。また配線５５と配線５６の間にはヒューズＦが接続されている。
【０００６】
そして、平滑コンデンサＣ→配線５３→配線５５→ヒューズＦ→配線５６→スイッチング素子Ｑ１→配線５７→スイッチング素子Ｑ２→配線５８→配線５４→平滑コンデンサＣの経路上には配線インダクタンスが存在する。
【０００７】
スイッチング時の電流の変化に伴ってサージ電圧が発生すると、そのサージ電圧は直流電圧に加え合わされてスイッチング素子Ｑ１及びＱ２に印加される。そして、その印加された電圧の値がスイッチング素子Ｑ１及びＱ２の電圧定格を超えると、スイッチング素子Ｑ１及びＱ２が破壊されるという不具合が引き起こされる。
【０００８】
このような不具合な現象を回避するために、スイッチング時の電流の変化に伴うサージ電圧を抑制する方法として、配線インダクタンスを小さくする方法やスイッチング素子Ｑ１及びＱ２に流れる電流を小さくする方法などが考えられる。
【０００９】
スイッチング素子Ｑ１及びＱ２に流れる電流を小さくする方法としては、電力変換装置の容量を下げることが考えられる。しかし、電力変換装置の容量を下げると、下げた容量に相等する分だけ出力を上げるために増幅器等の出力増幅装置を付加する必要が生じ、これがコストアップの要因になる。このため、配線インダクタンスを小さくすることで、スイッチング時の電流の変化に伴うサージ電圧を抑制することが通常行われる。
【００１０】
配線インダクタンスを小さくする方法としては、平滑コンデンサＣ→配線５３→配線５５→ヒューズＦ→配線５６→スイッチング素子Ｑ１→配線５７→スイッチング素子Ｑ２→配線５８→配線５４→平滑コンデンサＣの経路上において、スイッチングのターンオフ時に電流が増加する部分と、スイッチングのターンオフ時に電流が減少する部分の配線を対にして配置することでインダクタンス成分を相殺する方法がある（例えば、特許文献１参照）。
【００１１】
この方法は、具体的には、いま、スイッチング素子Ｑ１がオンし、平滑コンデンサＣ→配線５３→配線５５→ヒューズＦ→配線５６→スイッチング素子Ｑ１→配線５７→交流端子Ｕの経路Ｋ１を介して負荷に電流が流れているものとする。
【００１２】
そして、この状態からスイッチング素子Ｑ１がターンオフすると、経路Ｋ１に流れる電流が減少する。このとき、電流変化に伴って発生する配線５３、５５、５６のインダクタンスによる電圧は、平滑コンデンサＣに対してスイッチング素子Ｑ１の方が高くなる向きに発生する。
【００１３】
一方、スイッチング素子Ｑ１が上記のようにターンオフすると、平滑コンデンサＣ→配線５４→配線５８→スイッチング素子Ｑ２→配線５７→交流端子Ｕの経路Ｋ２に流れる電流が増加する。このとき、電流変化に伴って発生する配線５４、５８のインダクタンスによる電圧は、スイッチング素子Ｑ２に対して平滑コンデンサＣの方が高くなる向きに発生する。
【００１４】
すなわち、スイッチング素子Ｑ１のターンオフ時には、配線５３、５５、５６と配線５４、５８とでは、電流変化の向きが互いに異なるようになり、したがって、磁束の向きも互いに異なるようになる。
【００１５】
このため、配線５３と配線５４を対にして配置するとともに、配線５５、５６と配線５８を対にして配置することで、スイッチング素子Ｑ１のターンオフ時に発生する磁束を打ち消し合わせることができ、これにより、インダクタンス成分を相殺することが可能となり、結果としてスイッチング時の電流の変化に伴うサージ電圧を抑制することができる。
【００１６】
このように配線５３と配線５４を対にして配置し、配線５５、５６と配線５８を対にして配置するために、配線５３〜５８に平板導体を使用し、電流の変化の向きが互いに異なる部分の面を向かい合わせて平行に配置し、これらの平板導体間を絶縁物にて絶縁して、配線部分を積層配線導体とする方法がある。
【００１７】
図５(a) は、従来の２レベル電力変換装置における積層配線導体のヒューズ接続部の概略構成を示す斜視図であり、図５(b) は、図５(a) の積層配線導体の導体部分の概略構成を示す斜視図である。
【００１８】
図５(a),(b) において、積層配線導体４には平板導体４１、４２、４３が設けられている。平板導体４１及び４２と、平板導体４３とは、それらの平面部分が互いに向かい合って且つ平行に配置されている。平板導体４１、４２、及び４３間、並びにそれらの周囲は、絶縁材４７により覆われている。
【００１９】
平板導体４１及び４２には、それぞれの平面部分から、その垂直方向に形成された引き出し部４１ａ及び４２ａがそれぞれ設けられ、それらの引き出し部４１ａ及び４２ａは絶縁材４７から露出されている。
【００２０】
そして、それらの引き出し部４１ａ及び４２ａに差し渡されるように配置されたヒューズ４４が、その端子４４ａ及び４４ｂを、それぞれボルト４５及び４６によって、引き出し部４１ａ及び４２ａに固定されている。なお、ヒューズ４４の部分には平板導体４３と向かい合う平板導体は存在しない。
【００２１】
この構成において、図４のスイッチング素子Ｑ１のターンオフ時には、平板導体４１及び４２と、平板導体４３とでは、電流変化の向きが互いに異なるようになり、したがって磁束の向きが互いに異なるようになる。
【００２２】
つまり、スイッチング素子Ｑ１のターンオフ時に発生する磁束を打ち消し合わせることができ、これにより、インダクタンス成分を相殺することが可能となることから、スイッチング時の電流の変化に伴うサージ電圧を抑制することができるというものである。
【特許文献１】実用新案登録公報第２５４３１６６号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２３】
しかしながら、図５(a),(b) に示す積層配線導体４の構造では、ヒューズ４４の部分には平板導体４３と向かい合う平板導体が存在しないため、その分だけインタクタンス成分を相殺することができない。そのため、サージ電流は平板導体４３側に多く偏って流れることになる。
【００２４】
通常、ヒューズ４４の内部には、特には図示しないが、複数本の細いヒューズ素子が平行に束ねられて配置され、平行する部分は相互に絶縁され、両端部がそれぞれ端子４４ａ及び４４ｂに接続されて直方体状の保護外被中に収容されている。また、ヒューズ４４は、積層配線導体４の構造を出来るだけ小さく構成するために平板導体４３に出来るだけ近接して配置される。
【００２５】
ヒューズ４４がこのような構造のため、サージ電流が平板導体４３側に多く偏って流れると、その平板導体４３側に多く偏って流れるサージ電流で引き起こされる磁束線からの影響で、ヒューズ４４内部において板導体４３に最も近接する位置に配置されたヒューズ素子に流れるサージ電流が、インタクタンス成分を相殺することができない分だけ多く流れる。
【００２６】
これにより、ヒューズ４４のヒューズ素子全体では定格電流となるサージ電流でも、最も平板導体４３に近接するヒューズ素子にとっては定格以上の電流となって先ずこのヒューズ素子が溶断する。
【００２７】
ヒューズ素子が一本でも溶断すると、その分だけ残りのヒューズ素子に加わる負荷が増大し、次に平板導体４３に近接して配置されているヒューズ素子が上記と同様の状態となって溶断する。結果として、定格電流よりも低い電流でヒューズ４４が溶断するという問題があった。
【００２８】
本発明の目的は、上記従来の実情に鑑み、半導体電力変換装置に用いられる積層配線導体において、ターンオフサージ電圧をより良く抑制する構造のヒューズ接続部を備えた積層配線導体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２９】
本発明の積層配線導体は、第１及び第２の平板導体と、該第１及び第２の平板導体の引き出し部間に接続されたヒューズと、上記第１及び第２の平板導体の平面部分とそれぞれ対向し且つ並行に配置された平面部分を有する第３の平板導体と、上記第１の平板導体、上記第２の平板導体、及び上記第３の平板導体のそれぞれを絶縁する絶縁部材と、を有し、上記第１及び第２の平板導体の上記平面部分は、上記第３の平板導体の平面部分と上記ヒューズとの対向部分にも延在するよう形成されていることを特徴とする。
【００３０】
上記第３の平板導体は、例えば、上記第１及び第２の平板導体とは異なる電位の電流を通電されることを特徴とする。
また、上記引き出し部は、例えば、上記第１及び第２の平板導体の上記第３の平板導体の平面部分と上記ヒューズとの対向部分にも延在するよう形成されている平面部からそれぞれ垂直方向に且つ上記第１及び第２の平板導体を通過する電流経路と垂直方向に形成され上記絶縁部材から露出して配置されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００３１】
本発明によれば、半導体電力変換装置に用いられる積層配線導体において、ターンオフサージ電圧をより良く抑制する構造のヒューズ接続部を備えた積層配線導体を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【実施例１】
【００３３】
図１(a) は、本発明の実施例１におけるヒューズ接続部を備えた積層配線導体の概略構成を示す斜視図であり、図１(b) は図１(a) の積層配線導体の絶縁部材を除いて平板導体の内部構成を示す分解斜視図である。
【００３４】
図１(a),(b) に示すように、本例の積層配線導体１は、平板導体１１、１２及び１３を備えている。平板導体１１及び１２と、平板導体１３とは、それらの平面部分が互いに向かい合って且つ平行に配置されている。また、平板導体１１、１２、及び１３間、並びにそれらの周囲は、絶縁部材１７により覆われている。
【００３５】
上記の平板導体１１及び１２には、絶縁部材１７から外部に露出する引き出し部１１ａ及び１２ａがそれぞれ形成されている。
そして、引き出し部１１ａ及び１２ａ間に差し渡されるように、ヒューズ１４が配設されている。ヒューズ１４は、その端子１４ａ及び１４ｂを、それぞれボルト１５及び１６によって、引き出し部１１ａ及び１２ａに固定されている。
【００３６】
上記の平板導体１１及び１２の平面部分には、平板導体１３とヒューズ１４とが対向する部分に延在し且つ双方それぞれが位置的に干渉しないような形状の延出平面部１１ｂ及び１２ｂが形成されている。
【００３７】
本例では、延出平面部１１ｂ及び１２ｂは、それぞれの本体平面部分の電流経路幅のおよそ１／２を切り欠いた残り部分を、平板導体１３とヒューズ１４とが対向する部分に相互に入れ込む形で且つ相互に干渉しない形に形成されている。
【００３８】
そして、上記の引き出し部１１ａ及び１２ａは、延出平面部１１ｂ及び１２ｂからそれぞれ垂直に且つ平板導体１１及び１２を通過する電流経路１８の方向に平行に沿って電流経路１８に対し垂直に形成されている。
【００３９】
この積層配線導体１の構成において、平板導体１１、１２及び１３を、それぞれ図４の配線５５、５６及び５８として使用し、図４のスイッチング素子Ｑ１、Ｑ２及びコンデンサＣを接続する。
【００４０】
この構成の積層配線導体１の効果としては、図４のスイッチング素子Ｑ１のターンオフ時には、平板導体１１及び１２と平板導体１３とでは、電流変化の向きが互いに異なるので、結果として磁束の向きが互いに打ち消し合うことになり、インダクタンス成分を相殺することが可能となり、スイッチング時の電流の変化に伴って発生するサージ電圧を抑制することができる。
【００４１】
そして、この抑制力は、ヒューズ１４に対向する部分の平板導体１３の平面部分に対しても、平板導体１１及び１２の平面部分の延長である延出平面部１１ｂ及び１２ｂが平行に配置されているので、平板導体１１及び１２と、平板導体１３とで互いに打ち消し合う磁束量はほぼ同一の磁束量となり、サージ電圧への抑制力は、図５(a),(b) に示した従来例に比較して、より有効に作用する。
【００４２】
すなわち、平板導体１１及び１２の平面部分の延長としての延出平面部１１ｂ及び１２ｂがヒューズ１４と平板導体１３間にも配置されるので、このヒューズ１４配置部分でも平板導体１１及び１２と平板導体１３との間でインダクタンス成分が相殺されることにより、ヒューズ１４内部を流れる電流が平板導体１３を流れる電流による影響を受ける割合が大幅に低減する。
【００４３】
これにより、ヒューズ１４内部の各ヒューズ素子を流れる電流の偏りを抑制でき、ヒューズ１４が定格電流よりも低い電流で溶断する不具合を避けることができるようになる。
図２(a) は、本発明の実施例２におけるヒューズ接続部を備えた積層配線導体の概略構成を示す斜視図であり、同図(b) は同図(a) の積層配線導体の絶縁部材を除いて平板導体の内部構成を示す分解斜視図である。
【００４４】
図２(a),(b) に示すように、本例の積層配線導体２は、平板導体２１、２２及び２３を備えている。平板導体２１及び２２と、平板導体２３とは、それらの平面部分が互いに向かい合って且つ平行に配置されている。また、平板導体２１、２２、及び２３間、並びにそれらの周囲は、絶縁部材２７により覆われている。
【００４５】
上記の平板導体２１及び２２には、絶縁部材２７から外部に露出する引き出し部２１ａ及び２２ａがそれぞれ形成されている。
そして、引き出し部２１ａ及び２２ａ間に差し渡されるように、ヒューズ２４が配設されている。ヒューズ２４は、その端子２４ａ及び２４ｂを、それぞれボルト２５及び２６によって、引き出し部２１ａ及び２２ａに固定されている。
【００４６】
上記の平板導体２１及び２２の平面部分には、平板導体２３とヒューズ２４とが対向する部分に延在し且つ双方それぞれが位置的に干渉しないような形状の延出平面部２１ｂ及び２２ｂが形成されている。
【００４７】
本例では、延出平面部２１ｂ及び２２ｂは、それぞれの本体平面部分を電流経路方向へ延出させた部分を斜めに切り欠き、欠いた残り部分を、平板導体２３とヒューズ２４とが対向する部分に相互に入れ込む形で且つ相互に干渉しない形に形成されている。
【００４８】
そして、上記の引き出し部２１ａ及び２２ａは、延出平面部２１ｂ及び２２ｂからそれぞれ垂直に且つ平板導体２１及び２２を通過する電流経路２８の方向に平行に沿って電流経路２８に対し垂直に形成されている。
【００４９】
この積層配線導体２の構成において、平板導体２１、２２及び２３を、それぞれ図４の配線５５、５６及び５８として使用し、図４のスイッチング素子Ｑ１、Ｑ２及びコンデンサＣを接続する。
【００５０】
この構成の積層配線導体２に関する電気現象及びその効果は、前述した実施例１の場合と同様である。
図３(a) は、本発明の実施例３におけるヒューズ接続部を備えた積層配線導体の概略構成を示す斜視図であり、同図(b) は同図(a) の積層配線導体の絶縁部材を除いて平板導体の内部構成を示す分解斜視図である。
【００５１】
図３(a),(b) に示すように、本例の積層配線導体３は、平板導体３１、３２及び３３を備えている。平板導体３１及び３２と、平板導体３３とは、それらの平面部分が互いに向かい合って且つ平行に配置されている。また、平板導体３１、３２、及び３３間、並びにそれらの周囲は、絶縁部材３７により覆われている。
【００５２】
上記の平板導体３１及び３２には、絶縁部材３７から外部に露出する引き出し部３１ａ及び３２ａがそれぞれ形成されている。
そして、引き出し部３１ａ及び３２ａ間に差し渡されるように、ヒューズ３４が配設されている。ヒューズ３４は、その端子３４ａ及び３４ｂを、それぞれボルト３５及び３６によって、引き出し部３１ａ及び３２ａに固定されている。
【００５３】
上記の平板導体３３は、ほぼ中央に、電流経路３８に直交する形状で直角に折り曲げられた折り曲げ部３３ａを形成されている。これにより、図３(b) に示す図では、平板導体３３は、形状的に、折り曲げ部３３ａから立設する一方の平板部３３ｂと、折り曲げ部３３ａから水平に張り出す平板部３３ｃとに分けられている。
【００５４】
平板導体３３の平板部３３ｂと向かい合って且つ平行に配置される平板導体３１の折り曲げ部側端部３１ｂには、その一方の側縁から上記の引き出し部３１ａが、折り曲げ部側端部３１ｂに垂直に且つ平板導体３１を通過する電流経路３８の方向に平行に沿って電流経路３８に対し垂直に形成されている。
【００５５】
また、平板導体３３の平板部３３ｃに向かい合って且つ平行に配置される平板導体３２の折り曲げ部側端部３２ｂには、その一方の側縁（平板導体３１の折り曲げ部側端部３１ｂの一方の側縁に対向する位置の側縁）から上記の引き出し部３２ａが、折り曲げ部側端部３２ｂに垂直に且つ平板導体３２を通過する電流経路３８の方向に平行に沿って電流経路３８に対し垂直に形成されている。
【００５６】
ヒューズ３４は、この平板導体３１、３２及び３３からなる積層配線導体３の直角に折り曲げられている部分に近接して配置される。すなわち、直方体を成すヒューズ３４の端子３４ａ及び３４ｂを除く４面のうち２面が、それぞれ平板導体３１の折り曲げ部側端部３１ｂ、又は平板導体３２の折り曲げ部側端部３２ｂに近接して対向する位置に配置される。
【００５７】
すなわち、平板導体３３とヒューズ３４とが対向する部分において、平板導体３３の平板部３３ｂとヒューズ３４の２面のうちの一面とが対向する部分には平板導体３１の折り曲げ部側端部３１ｂが配置され、平板導体３３の平板部３３ｃとヒューズ３４の２面のうちの他の一面とが対向する部分には平板導体３２の折り曲げ部側端部３２ｂが配置されている。
【００５８】
平板導体３１の折り曲げ部側端部３１ｂと、平板導体３２の折り曲げ部側端部３２ｂとは、平板導体３３の折り曲げ部３３ａを境界線として上下に配置されるので、近接した配置ながら、位置的に相互に干渉することはない。
【００５９】
この積層配線導体３の構成において、平板導体３１、３２及び３３を、それぞれ図４の配線５５、５６及び５８として使用し、図４のスイッチング素子Ｑ１、Ｑ２及びコンデンサＣを接続する。
【００６０】
この構成の積層配線導体３に関する電気現象及びその効果は、前述した実施例１及び実施例２の場合と同様である。
また、本例のように、積層配線導体上に折り曲げ部を有する場合は、折り曲げ部にヒューズを配置することにより半導体電力変換装置の小型化に有効な配置となる。
【００６１】
また、上述した実施例１、２及び３は、２レベル電力変換装置への適用を想定した積層配線導体を示したが、これらの積層配線導体のヒューズ、接続構造を２つ以上並列配置したり、例えば図１において、平板導体１３に背中合わせに他の平板導体１１、１２、及びヒューズ１４を配置することにより、３レベル電力変換装置への適用も可能である。
【００６２】
このように、本発明によれば、半導体電力変換装置などの積層配線導体のヒューズ接続部において、ヒューズを接続しない平板導体とヒューズとが対向して配置された間にも、ヒューズを接続する平板導体を延在するように配置することにより、ヒューズを接続しない平板導体側とヒューズを接続した平板導体側との間で積層配線導体のインダクタンス成分を相殺することができる。
【００６３】
したがって、積層配線導体のヒューズ接続部の配線インダクタンスを小さくでき、これにより、ヒューズ内部の電流の偏りを抑制して、ヒューズが定格電流よりも低い電流で溶断するような不具合の生じない半導体電力変換装置の積層配線導体を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】(a) は本発明の実施例１におけるヒューズ接続部を備えた積層配線導体の概略構成を示す斜視図、(b) は(a) の積層配線導体の絶縁部材を除いて平板導体の内部構成を示す分解斜視図である。
【図２】(a) は本発明の実施例２におけるヒューズ接続部を備えた積層配線導体の概略構成を示す斜視図、(b) は(a) の積層配線導体の絶縁部材を除いて平板導体の内部構成を示す分解斜視図である。
【図３】(a) は本発明の実施例３におけるヒューズ接続部を備えた積層配線導体の概略構成を示す斜視図、(b) は(a) の積層配線導体の絶縁部材を除いて平板導体の内部構成を示す分解斜視図である。
【図４】スイッチング素子にI ＧＢＴ(insulated gate bipolar transistor) が適用された２レベル電力変換装置の１相分の回路構成を示す図である。
【図５】(a) は従来の２レベル電力変換装置における積層配線導体のヒューズ接続部の概略構成を示す斜視図、(b) は(a) の積層配線導体の導体部分の概略構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００６５】
１ 積層配線導体
１１、１２、１３ 平板導体
１１ａ、１２ａ 引き出し部
１１ｂ、１２ｂ 延出平面部
１４ ヒューズ
１４ａ、１４ｂ 端子
１５、１６ ボルト
１７ 絶縁部材
１８ 電流経路
２ 積層配線導体
２１、２２、２３ 平板導体
２１ａ、２２ａ 引き出し部
２１ｂ、２２ｂ 延出平面部
２４ ヒューズ
２４ａ、２４ｂ 端子
２５、２６ ボルト
２７ 絶縁部材
２８ 電流経路
３ 積層配線導体
３１、３２、３３ 平板導体
３１ａ、３２ａ 引き出し部
３１ｂ、３２ｂ 折り曲げ側端部
３３ａ 折り曲げ部
３３ｂ、３３ｃ 平板部
３４ ヒューズ
３４ａ、３４ｂ 端子
３５、３６ ボルト
３７ 絶縁部材
３８ 電流経路
５３、５４、５５、５６、５７、５８ 配線
Ｃ 平滑コンデンサ
Ｄ１、Ｄ２ 帰還ダイオード
Ｆ ヒューズ
Ｎ 直流電源負側端子
Ｐ 直流電源正側端子
Ｑ１、Ｑ２ スイッチング素子
Ｕ 交流端子
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１及び第２の平板導体と、
該第１及び第２の平板導体の引き出し部間に接続されたヒューズと、
前記第１及び第２の平板導体の平面部分とそれぞれ対向し且つ並行に配置された平面部分を有する第３の平板導体と、
前記第１の平板導体、前記第２の平板導体、及び前記第３の平板導体のそれぞれを絶縁する絶縁部材と、
を有し、
前記第１及び第２の平板導体の前記平面部分は、前記第３の平板導体の平面部分と前記ヒューズとの対向部分にも延在するよう形成されている、
ことを特徴とする積層配線導体。
【請求項２】
前記第３の平板導体は、前記第１及び第２の平板導体とは異なる電位の電流を通電される、ことを特徴とする請求項１記載の積層配線導体。
【請求項３】
前記引き出し部は、前記第１及び第２の平板導体の前記第３の平板導体の平面部分と前記ヒューズとの対向部分にも延在するよう形成されている平面部からそれぞれ垂直方向に且つ前記第１及び第２の平板導体を通過する電流経路と垂直方向に形成され前記絶縁部材から露出して配置される、
ことを特徴とする請求項１記載の積層配線導体。
【請求項１】
第１及び第２の平板導体と、
該第１及び第２の平板導体の引き出し部間に接続されたヒューズと、
前記第１及び第２の平板導体の平面部分とそれぞれ対向し且つ並行に配置された平面部分を有する第３の平板導体と、
前記第１の平板導体、前記第２の平板導体、及び前記第３の平板導体のそれぞれを絶縁する絶縁部材と、
を有し、
前記第１及び第２の平板導体の前記平面部分は、前記第３の平板導体の平面部分と前記ヒューズとの対向部分にも延在するよう形成されている、
ことを特徴とする積層配線導体。
【請求項２】
前記第３の平板導体は、前記第１及び第２の平板導体とは異なる電位の電流を通電される、ことを特徴とする請求項１記載の積層配線導体。
【請求項３】
前記引き出し部は、前記第１及び第２の平板導体の前記第３の平板導体の平面部分と前記ヒューズとの対向部分にも延在するよう形成されている平面部からそれぞれ垂直方向に且つ前記第１及び第２の平板導体を通過する電流経路と垂直方向に形成され前記絶縁部材から露出して配置される、
ことを特徴とする請求項１記載の積層配線導体。
【図４】
【図１】
【図２】
【図３】
【図５】
【図１】
【図２】
【図３】
【図５】
【公開番号】特開２０１０−１４８１７６（Ｐ２０１０−１４８１７６Ａ）
【公開日】平成２２年７月１日（２０１０．７．１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−３２００４２（Ｐ２００８−３２００４２）
【出願日】平成２０年１２月１６日（２００８．１２．１６）
【出願人】（５９１０８３２４４）富士電機システムズ株式会社 (1,717)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年７月１日（２０１０．７．１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年１２月１６日（２００８．１２．１６）
【出願人】（５９１０８３２４４）富士電機システムズ株式会社 (1,717)
【Ｆターム（参考）】
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