【課題】低ゲート消費電力で、高速かつ確実にスイッチング素子をオンオフさせる半導体スイッチング回路、及びそれを用いた半導体モジュール、電力変換モジュールを提供する。
【解決手段】スイッチング素子１，１１を有するスイッチング回路２０，２１において、容量４，１４と抵抗５，１５との容量抵抗並列接続回路３，１３と、ダイオード直列接続回路７，１７とこのダイオードと逆方向に並列に接続されたダイオード８，１８とを有するダイオード直列並列接続回路６，１６とを有し、スイッチング素子１，１１のゲート端子には容量抵抗並列接続回路３，１３の一端が接続され、この他端とゲート駆動用回路９の出力端子との間には、ダイオード直列接続回路７，１７のダイオードのアノード端子をゲート駆動用回路９側、このカソード端子をスイッチング素子１，１１のゲート端子側にして、ダイオード直列並列接続回路６，１６が接続されている。 （もっと読む）

【課題】バスバを含む接続配線において、比較的簡単な構造で、バスバに電流が流れるときのインダクタンスを効果的に抑制することである。
【解決手段】電力変換器１０においてバスバを含む接続配線３０は、平滑用コンデンサモジュール１２とパワーモジュール１４の間を接続する正極側バスバ３２と、正極側バスバ３２と対をなして平滑用コンデンサモジュール１２とパワーモジュール１４の間を接続する負極側バスバ３４と、絶縁物４０を介して正極側バスバ３２の外周全体を被覆する正極側導体４２と、絶縁物４４を介して負極側バスバ３４の外周全体を被覆する負極側導体４６と、正極側導体４２と負極側導体４６とを相互に電気的に接続する接続導体５０，５２を備える。 （もっと読む）

【課題】電磁障害などの原因となる電圧振動の発生を低減できるパワー半導体モジュールを提供する。
【解決手段】複数の絶縁基板２０，２０′の各々に搭載されるＩＧＢＴ等の半導体スイッチング素子５０，５０′の各主電極５２，５２′が導体部材４５により電気的に接続される。これにより、半導体スイッチング素子の接合容量と寄生インダクタンスとによる共振電圧の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】複数の回路部間で異なるインダクタンス成分より生じる異なるサージ電圧を低減させ、かつ装置全体のコストダウンを図ることができるパワーモジュールを得る。
【解決手段】入力端子Ｐ１１及びＰ１２が設けられる第１の縁部と対向する第３の縁部の上方にスナバ端子Ｐ１３及びＰ１４を設け、スナバ端子Ｐ１３及びＰ１４間に補助スナバ回路２２を設けることにより、入力端子Ｐ１１及びＰ１２間に形成されるスナバ回路２１から最も離された位置に補助スナバ回路２２を設けている。そして、スナバ端子Ｐ１３及びＰ１４の形成幅を、入力端子Ｐ１２の形成幅の半分以下にする等により、スナバ端子Ｐ１３及びＰ１４それぞれの平面視断面積を、入力端子Ｐ１１及びＰ１２の平面視断面積の半分以下に抑えている。 （もっと読む）

【課題】精度の高い電流制御、電圧制御を提供する。
【解決手段】主端子と基準端子と制御端子を有する第一のスイッチと、第二のスイッチまたは整流器、入力側コンデンサと出力側コンデンサを各１以上持ち、インダクタを持つ電力変換回路であって、相互接続点と基準電位または出力または入力間の電流によって生じる電圧を利用して、出力の制御や保護を行う回路であって、印刷基板を用いたものであって、前記電圧の生じている素子のうち相互接続点でない側と接合された印刷基板上の導体と、その導体と回路図上は同電位となるべき基準電位または入力または出力のいずれかと結合された入力コンデンサあるいは出力コンデンサの端子と接合された導体が、最短距離で結合されないように、空隙によって分断された構造を持つもの。 （もっと読む）

【課題】冷却能力の低下を的確に判断し、運転時に冷却異常が生じても、素子が許容最高温度に達するまで運転を継続させる。
【解決手段】予め、風速をパラメータとして、冷却体（チップ直下）と第１温度センサＡ間の熱抵抗Ｒｔｈ（ｆ−ｆ１）を格納しておき、運転時に、風速に基づいて格納されたデータから、前記熱抵抗Ｒｔｈ（ｆ−ｆ１）を推定する。また、半導体電力変換装置１の出力電流検出値Ｉｏｕｔから素子損失Ｐを推定する。そして、接合部の許容最高温度Ｔｊｍａｘ，素子損失Ｐ，熱抵抗Ｒｔｈ（ｆ−ｆ１）に基づき、第１温度センサＡの測定点における温度許容値Ｔｆ１ｍａｘを推定する。第１温度センサＡの温度検出値Ｔｆ１と、温度許容値Ｔｆ１ｍａｘとを比較し、温度検出値Ｔｆ１が温度許容値Ｔｆ１ｍａｘを超えた時は装置を停止する。また、ファンの風速が閾値よりも低い時は、警報を出力する。 （もっと読む）

【課題】スナバ抵抗体１８＃（＃＝ｐ，ｎ）の発熱量が無視できないこと。
【解決手段】スイッチング素子Ｓｗ＃およびフリーホイールダイオードＦＤ＃を備える半導体チップ２２＃は、ビア導体３２＃、配線層３４＃、ビア導体３８＃を介して導体４０＃に接続されている。導体４０＃は、半導体チップ２２＃を垂直投影した投影領域からはみ出すようにして形成されており、はみ出した部分には絶縁膜４２＃およびスナバ抵抗体１８＃が積み重ねられている。スナバ抵抗体１８＃は、ビア導体４４＃、配線層４６＃およびビア導体４８＃を介してスナバ回路を構成するコンデンサ１６に接続されている。 （もっと読む）

【課題】フェール信号を出力するフェール用フォトカプラＰＣｆの２次側を直列接続する場合、その配線長が長くなることから、フェール信号のノイズに対する耐性が低下するおそれがあること。
【解決手段】インバータＩＶ１、コンバータＣＶおよびインバータＩＶ２を構成する上側アームのスイッチング素子と下側アームのスイッチング素子とは、基板３０に対して２列に配置され、その制御端子（ケルビンエミッタ電極ＫＥ、センス端子ＳＴ、ゲートＧ）が基板３０に差し込まれている。これら２列の間には、フェール用フォトカプラＰＣｆが配置されている。インバータＩＶ１に対応するフェール用フォトカプラＰＣｆは、隣接するもの同士で直列接続され、各列の端部が接続されることでＵ字型の配線構造を有し、その端部がマイコン２０に接続されている。 （もっと読む）

【課題】冷却ファンの冷却能力が低下した場合でも、半導体素子のジャンクション温度を正確に推定できる電力変換装置を提供する。
【解決手段】この電力変換装置１は、電力変換を行なうための半導体素子１１と、半導体素子１１を搭載した放熱フィン１２と、放熱フィン１２を冷却する冷却ファン１３と、放熱フィン１２の近傍の風速を検出する風速センサ１４と、検出した風速、半導体素子１１の損失、および半導体素子１１の周囲温度に基づいて半導体素子１１のジャンクション温度Ｔｊを推定する制御部４とを備える。したがって、冷却ファン１３が故障した場合でも、ジャンクション温度Ｔｊを正確に推定できる。 （もっと読む）

【課題】円筒状パイプの変形を防ぐと共に、フレームに対して冷却器が安定して固定された電力変換装置を提供すること。
【解決手段】電力変換装置１は、スイッチング素子を内蔵した半導体モジュール２と、内部の冷媒流路に冷却媒体を導入又は排出する一対の円筒状パイプ３１を備えた冷却器３と、冷却器３を保持するフレーム４と、円筒状パイプ３１をフレーム４に固定するクランプ５とを有する。クランプ５は、フレーム４に締結される締結部５１と、円筒状パイプ３１をフレーム４側へ向かって押圧する押さえ部５２とを有する。円筒状パイプ３１は、フレーム４に設けた凹状支承部と、クランプ５とによって挟持されている。円筒状パイプ３１の突出方向から見たとき、円筒状パイプ３１は、凹状支承部における２つの支承面と、クランプ５の押さえ部５２とによって、３つの支持点において支持されている。 （もっと読む）

【課題】異常停止時においても主素子の逆並列ダイオードを通流させることで、還流ダイオードにおける発熱を抑え、還流ダイオードの冷却が容易にした電力変換装置を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体スイッチ制御装置は、各相のアーム毎に、主素子３の負極と補助素子５の負極とを接続して主素子の正極を正極端子７とし、補助素子の正極を負極端子８とし、正極端子と負極端子との間に負極端子から正極端子に向かう方向が順方向となるように還流ダイオード４を並列接続した半導体スイッチに対して、主素子と補助素子とをそれぞれ個別にＯＮ／ＯＦＦ制御する。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子による高温の悪影響を回避して、誤点弧を防止する回路をスイッチング素子と同一の基板上に配置した半導体装置を提供する。
【解決手段】基板５上の導電体パターン５１，５２上にＮチャネル型のＭＯＳＦＥＴ１０、及びＮチャネル型で半導体材料が炭化珪素からなるＪＦＥＴ３０を各別に近接して配置し、ＭＯＳＦＥＴ１０のゲート電極１３とＪＦＥＴ３０のドレイン電極３１とをリード線６１で接続する。ＭＯＳＦＥＴ１０をオン／オフに制御する外部からの駆動信号がＪＦＥＴ３０のソース電極３２及びドレイン電極３１間を伝播するときに、ソース電極３２及びゲート電極３３間のゲート電圧の低／高に応じてＪＦＥＴ３０のチャネル抵抗を大／小に変更することにより、ＭＯＳＦＥＴ１０のドレイン電極１１及びソース電極１２間のスイッチング波形の前縁を、後縁に比較して緩やかな傾斜にする。 （もっと読む）

【課題】温度センサを取り付ける作業を容易に行うことができ、冷媒の測定温度が、特定の半導体モジュールの影響を受けにくい電力変換装置を提供する。
【解決手段】複数個の半導体モジュール２０と冷却チューブ２１とを積層した積層体２を備える。積層体２の積層方向Ｘにおける一方の端部に位置する冷却チューブ２１ａに、一対のパイプ３ａ，３ｂが接続されている。積層体２とパイプ３とは、収納ケース４に収納されている。また、固定部材５によって、一対のパイプ３が各々収納ケース４に固定されている。パイプ３には、冷媒を導入するための導入側パイプ３ａと、冷媒が導出される導出用パイプ３ｂとがある。導入側パイプ３ａを固定する固定部材５ａと、導出側パイプ３ｂを固定する固定部材５ｂとのうち、少なくとも一方の固定部材５に、冷媒の温度を検出する温度センサ６が取り付けられている。 （もっと読む）

【課題】電流駆動型の半導体装置のゲートへの寄生インダクタンスによる外乱ノイズを低減し、ゲート駆動を高精度化及び安定化させる。
【解決手段】半導体装置１００であって、電流駆動型の半導体素子３と、半導体素子３を制御するゲート駆動回路１１と、接続端子部とを備え、半導体素子３は、窒化物半導体層の積層体の上に形成されたゲート電極パッド１と、オーミック電極パッド２及び５とを有し、接続端子部は、オーミック電極パッド２と接続されたオーミック電極端子６と、オーミック電極パッド５と接続されたオーミック電極端子１０と、オーミック電極パッド２と接続されたゲート駆動用端子７と、ゲート電極パッド１と接続されたゲート端子８とを有し、ゲート駆動回路１１の入力端子はゲート駆動用端子７に接続され、ゲート駆動回路１１の出力端子はゲート端子８に接続され、ゲート駆動回路１１の基準電位をオーミック電極パッド２の電位とする。 （もっと読む）

【課題】パワーエレクトロニクスシステムの不要輻射を低減する装置を提供する。
【解決手段】パワー半導体モジュール又は少なくとも１つのパワー半導体モジュールの構成部と、第１形成体を備えている基準電位と、パワー半導体構成素子を外部接続するために付設されている端子要素と接続するため、装置内に配されている異なる極性の少なくとも２つの直流負荷接続要素とを有している。異なる極性の２つの直流負荷接続要素は少なくとも夫々１つの部分を有し、この部分においてこれらの接続要素は平面状に形成され、これらの部分は互いに平行で隣接して延び電気絶縁されている。平面状の第１部分形成体を有する少なくとも１つの第２形成体を有し、この第２形成体は直流負荷接続要素の２つの平行する部分間の範囲でこれらの接続要素から電気絶縁されて配されている。同様に第２部分形成体は第１形成体と導電接続されている。 （もっと読む）

【課題】半導体スタックの組立時、組立後を問わず、積層体の半導体素子における圧接力の測定ないし管理が容易に実施でき、しかも皿バネの劣化を抑制する。
【解決手段】平型半導体素子とヒートシンクとを積層して積層体が構成されている。積層体の積層方向両側には、一対の加圧支持板およびこの加圧支持板の一方と積層体との間に介在された皿バネが設けられ、これらにより積層体が締め付けられる。皿バネ部分には皿バネを収容するカップ状の皿バネガイド２４が設けられ、また、皿バネ１３と加圧支持板との間に、皿バネを圧縮する押し棒が設けられる。皿バネガイド２４の側面に、皿バネの状態を確認できるスリット２４ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】インバータ装置とＤＣ／ＤＣコンバータ装置との冷却水路を接続するホースに電食が生じないように、インバータ装置とＤＣ／ＤＣコンバータ装置とを一体型として小型化を図ること。
【解決手段】インバータ装置２とＤＣ／ＤＣコンバータ装置３との筺体同士を結合して一体型にすると共に、インバータ装置２とＤＣ／ＤＣコンバータ装置３との筺体内に形成された冷却水路の出入口を所定の抵抗値を有するホース４で接続し、筺体同士の結合部分の第１の抵抗値Ｒ１とホース４の第２の抵抗値Ｒ２との合成抵抗値Ｒを、電力変換動作時のＤＣ／ＤＣコンバータ装置３から筺体とホース４に電流が流れた際に、ホース４に電食を発生させない電位差以下の電圧が生じる値となるようにする。 （もっと読む）

【課題】小型で、しかも、金属接合部の劣化を精度良く検知できる電力変換装置を提供することにある。
【解決手段】パワー半導体素子２の表面電極と電極用の金属板３は、金属ワイヤ８により金属接合される。接合部特性検出回路２０は、金属接合の接合部の特性を検出し、接合部の劣化による抵抗ＲＴ８の上昇と寿命の関係から決定したしきい値ＶＬを用いて、接合部の劣化を予測する。第１端子は、第１金属製ワイヤの一端及び他端の接続部の特性を検出するためにパワー半導体素子２の他方の主面に形成された電極面の電位に係る情報を伝達し、第２端子は、第１金属製ワイヤの一端及び他端の接続部の特性を検出するために金属板の電位に係る情報を伝達する。 （もっと読む）

【課題】データセンタ施設又はサーバルームにおいて、エネルギーの効率利用が望まれる。
【解決手段】データセンタ施設又はサーバルームに、第１の空間内に備えられた論理演算処理に用いられる演算処理設備と、第２の空間内に備えられた演算処理設備に対して直流電源を供給する電源設備と、演算処理装置と電源装置とを夫々独立して冷却する第１及び第２の冷却設備とを設け、第１の冷却設備および第２の冷却設備を用いて、第１の空間および第２の空間を所定の設定に温度制御することとした。 （もっと読む）

【課題】電力変換装置の小型化に適した半導体モジュールの実装構造を提供する。
【解決手段】同一構成の半導体モジュール１１，１２を互いに並列接続してなり、半導体モジュール１１，１２は、直列接続された一対の半導体スイッチング素子と、各半導体モジュールの縁部に設けられ一対の半導体スイッチング素子に接続された正極端子１１Ｐ、１２Ｐ及び負極端子１２Ｎ，１２Ｎと、対向する縁部に設けられた正極制御端子１１ＧＰ、１１ＧＮ及び負極制御端子１２ＧＰ，１２ＧＮとを有し、各スイッチング素子を制御する制御回路基板２を、一方の半導体モジュール１２の投影領域内に配置し、正極側のスイッチング素子を制御する正極制御回路２０Ｐ１，２０Ｐ２は半導体モジュール１２の負極制御端子１２ＧＮ側に、負極側のスイッチング素子を制御する負極制御回路２０Ｎ１，２０Ｎ２は正極制御端子１２ＧＰ側に配置する。 （もっと読む）