【課題】半導体リレー装置において、装置全体のチップサイズを小さくして、チップコストの低減と実装面積の縮小化を図る。
【解決手段】従来はｐ型単結晶シリコン島２１３に形成していた（充放電回路における）ｐチャネル型のＭＯＳＦＥＴ２０８（図（ａ）参照）を、ｎ型単結晶シリコン島１３に形成したｎチャネル型のＭＯＳＦＥＴ８（図（ｂ）参照）に変更した。これにより、ｎ型単結晶シリコン島１３のキャリアの通路の断面積を、ｐ型単結晶シリコン島２１３のキャリアの通路の断面積の２分の１以下にしても、これらのキャリアの通路における抵抗値を同じにすることができる。従って、ＭＯＳＦＥＴ８をｎ型単結晶シリコン島１３にｎチャネル型で形成することにより、オン抵抗を従来のＭＯＳＦＥＴ２０８に比べて大きくすることなく、ＭＯＳＦＥＴ８のゲート幅Ｗ３を従来のＭＯＳＦＥＴ２０８のゲート幅Ｗ１より小さくできる。 （もっと読む）

【課題】連続的な磁界の変化を、高精度なデジタル値として検出し、かつ低コストで提供できる半導体チップを提供する。
【解決手段】磁気センサは、ＭＲ素子を有し、外部磁界の強度に対応して発振周期が変化するＭＲ発振器と、一定の発振周期で発振する固定発振器と、ＭＲ発振器が出力する矩形波を固定発振器の出力するリセット信号に基づいてカウントしデジタル値として出力する積分器を備えている。磁気センサのＭＲ発振器と固定発振器と積分器は一つの半導体チップに形成されている。 （もっと読む）

【課題】高感度で、低背化および小型化の可能な半導体リレーを提供する。
【解決手段】入力信号によって点灯・消灯する発光素子１００と、発光素子１００と光結合せしめられ、起電力を発生する受光素子としての光電変換素子２００と、受光素子で生起された電力によってスイッチングするスイッチング用半導体素子からなる出力素子３００とを具備した半導体リレーであって、発光素子１００と光電変換素子２００は、集光部を構成する絶縁性部材の対向する面に、配置される。 （もっと読む）

【課題】 集積回路化が容易なタッチセンサを提供する。
【解決手段】タッチセンサ１００Ａは、センサパッド２２が接続されるタッチ線２８と、基準容量２０が接続された基準線２９と、クロック信号に応じてタッチ線２８を充電又は放電するインバータ１３と、クロック信号に応じて、基準線２９を充電及び放電するインバータ１４と、タッチ線２８の電圧と基準線２９の電圧を比較する比較器２３と、基準線２９の充電又は放電の開始から基準線２９の電圧が所定の電圧に到達するまでの期間にラッチパルスＬＰを生成するラッチパルス生成回路と、ラッチパルスＬＰに応じて比較器２３の比較出力をラッチするラッチ回路２４を備える。 （もっと読む）

【課題】 部品点数を減らして小型化及び低コスト化を図った交流・直流兼用型のソリッドステートリレーを提供すること。
【解決手段】 一対の入力端子と、前記一対の入力端子間に接続される発光素子と、前記発光素子の発光を光電変換して電流を出力する光電変換素子と、前記光電変換素子の出力によって導通するスイッチング素子と、交流電源又は直流電源と負荷とが接続される一対の出力端子と、対角する一対の端子が前記スイッチング素子の電流入力端と電流出力端との間に接続され、対角する他の一対の端子が前記一対の出力端子間に接続されるブリッジ型の整流素子とを含む、ソリッドステートリレー。 （もっと読む）

【課題】近接センサとカウンタ／タイマを含む機械・装置（システム）の高信頼・高安全稼動の予防診断および不具合時の適切な処理を行う。
【解決手段】センサ内蔵の近接ヘッド部と、この近接ヘッド部から入力する検出生データを補正、生成する近接センサ機能部と、近接センサ機能部から検出生データを取り込み、この取り込んだ検出生データからデータ累積／分布および／または設定時間ないし設定時刻等のデータへの加工処理、および加工に際して上位コントローラからのデータとパラメータとを用いることが可能になっているカウンタ／タイマ機能部と、両機能部からのデータを複数別系統にて入出力し、かつ、上位コントローラからのデータを入力してカウンタ／タイマ機能部に出力することが可能な入出力インターフェース機能部と、を備えたもので、近接センサ機能部の検出生データとカウンタ／タイマ機能部による加工データとの２系統の情報を持たせた構成。 （もっと読む）

【課題】 回路素子が少なく、かつ集積化が可能な検出回路であって、誤反応の少ない容量変化検出回路を提供すること。
【解決手段】 検出回路１は、入力部２と、前記入力部に接続された２つの接触電極Ａ、Ｂと、接触電極Ａに接続された位相反転手段３と、各接触手段に設けられた一の増幅手段４１と、前記増幅手段４１に接続され、各接触電極Ａ、Ｂにおける容量変化による入力信号の振幅の変化を電気的変化量として検出する検出手段５Ａ、５Ｂとを備える。検出回路１は、位相反転手段３により、２つの電極に対し、互いに位相が半周期ずれた信号を入力せしめる。接触があった場合には入力パルスの振幅を増幅手段４１において増幅せしめ、増幅された一つの信号から各電極での信号を各検出手段５Ａ、５Ｂで検出し、各出力部６Ａ、６Ｂへ出力している。 （もっと読む）

【課題】スポット照射によるアタックを検出する受光素子のチップ占有面積を削減すること。
【解決手段】光照射アタック検出器は、光照射アタック検出のためのフォトダイオードPD1、キャパシタC1、電圧プリセット回路Pre_Ckt、電圧検出器Det_Cktにより構成される。スポット光照射Lgtにより、フォトダイオードPD1のPN接合の逆方向電流は増大する。アタック有無によるキャパシタC1の検出電圧Vsenのレベル変化は、電圧検出器により検出される。光照射の無い場合でも、逆方向電流は温度上昇によって増大して、検出電圧のレベルが低下する。電圧プリセット回路はクロック信号CLKに応答してキャパシタの端子電圧をプリセットして、温度上昇による検出電圧のレベル低下を補償する。 （もっと読む）

【課題】より小さな回路面積で温度特性に優れた定電流源及び近接センサ用集積回路装置を提供する。
【解決手段】集積回路化された定電流源は、一方をコレクタ及びベースの接続されたマスター側トランジスタＱ０とし他方をスレーブ側トランジスタＱ１とするカレントミラー回路１１で構成される。カレントミラー回路は、マスター側トランジスタのエミッタ及びスレーブ側トランジスタのエミッタが、それぞれインプラ抵抗ＲＨ及びベース拡散抵抗ＲＢを介して第１の所定電圧の供給される第１電源線Ｘ１に接続され、インプラ抵抗ＲＨの抵抗値が、ベース拡散抵抗ＲＢの抵抗値よりも大きく設定され、マスター側トランジスタのコレクタが、その流れる電流を制限するための制限用インプラ抵抗ＲＨ０を介して第２の所定電圧の供給される第２電源線Ｘ２に接続され、定電流源の供給電流を、スレーブ側トランジスタに流れる電流Ｉ１とした。 （もっと読む）

本発明は、制御装置内に配置されており、少なくとも２つの電圧レベルを形成するように構成されている、ケーシングを備えた集積回路（１００）に関する。本発明によれば、集積回路には、プロセッサ（１１２）を監視し、少なくとも１つの点火終段（１１９）のイネーブルのために少なくとも１つの加速度信号を評価するＷａｔｃｈｄｏｇ（１２０）と、制御装置の外に配置された少なくとも１つのセンサに接続される少なくとも１つの第１のインタフェース（１２３）とが設けられている。
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本発明は、一体化タッチスイッチ／コントロールパネル・アセンブリを製作するために、一体化された熱成型可能な射出成型された基板を備えたタッチスイッチの一体化に関する。このアセンブリは尾根、窪み、アンカー、重なり部、リベット、ベゼルまたは他のハウジングを含む。それらは平坦面、湾曲面の任意の組み合わせを持つことができる。さらに、そのようなアセンブリを自動車など、他のアセンブリの部材に組み込むことができる。
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