【課題】操作部の動きを検出できるだけでなく、操作部を強制的に動かすことができる、操作検出回路を提供すること。
【解決手段】操作部の動きに応じてインダクタンスが変化するインダクタＬ１に接続される操作検出回路であって、第１の電圧部９１とインダクタＬ１の一方の端部である第１の端部ａとの間に配置されたトランジスタＱ１と、第２の電圧部９２とインダクタＬ１のもう一方の端部である第２の端部ｂとの間に配置された抵抗Ｒ１と、抵抗Ｒ１に並列に接続されたトランジスタＱ２とを備え、トランジスタＱ１がオン且つトランジスタＱ２がオフのとき、インダクタＬ１と抵抗Ｒ１に検出電流ｉ１を流すことによって、操作部の動きに応じた検出信号を端部ｂから出力し、トランジスタＱ１がオン且つトランジスタＱ２がオンのとき、操作部を可動させる駆動電流ｉ２をインダクタＬ１に流す、ことを特徴とする、操作検出回路。 （もっと読む）

【課題】半導体リレーにおいて、ＬＥＤの駆動電力の低減を図る。
【解決手段】半導体リレー１は、ＬＥＤ２を駆動回路３により駆動して発光させ、ＬＥＤ２から発光された光を受光部４により受光する。駆動回路３は、バイポーラトランジスタ３１と、コイル３２と、ダイオード３３等を有する。バイポーラトランジスタ３１は、導通状態と非導通状態とに切換えられ、導通状態のときに、電源からＬＥＤ２に電流が供給される状態にし、非導通状態のときに、電源からＬＥＤ２に電流が供給されない状態にする。コイル３２は、ＬＥＤ２に直列に接続されており、バイポーラトランジスタ３１が導通状態から非導通状態になったときに、自己誘導作用によって誘導起電力を発生する。ダイオード３３は、ＬＥＤ２及びコイル３２に並列に接続されており、バイポーラトランジスタ３１が非導通状態のときに、コイル３２が発生する誘導起電力によって、ＬＥＤ２に電流を還流させる。 （もっと読む）

【課題】半導体リレー装置において、装置全体のチップサイズを小さくして、チップコストの低減と実装面積の縮小化を図る。
【解決手段】従来はｐ型単結晶シリコン島２１３に形成していた（充放電回路における）ｐチャネル型のＭＯＳＦＥＴ２０８（図（ａ）参照）を、ｎ型単結晶シリコン島１３に形成したｎチャネル型のＭＯＳＦＥＴ８（図（ｂ）参照）に変更した。これにより、ｎ型単結晶シリコン島１３のキャリアの通路の断面積を、ｐ型単結晶シリコン島２１３のキャリアの通路の断面積の２分の１以下にしても、これらのキャリアの通路における抵抗値を同じにすることができる。従って、ＭＯＳＦＥＴ８をｎ型単結晶シリコン島１３にｎチャネル型で形成することにより、オン抵抗を従来のＭＯＳＦＥＴ２０８に比べて大きくすることなく、ＭＯＳＦＥＴ８のゲート幅Ｗ３を従来のＭＯＳＦＥＴ２０８のゲート幅Ｗ１より小さくできる。 （もっと読む）

【課題】 比較的単純な回路構成により明るさが全く異なる環境で人が移動したことを容易且つ確実に検出することのできる光学モーションセンサーを提供する。
【解決手段】 受光素子15と電圧一定化回路21とを直列に接続し、受光素子15と電圧一定化回路21との接続点を微分増幅回路31及びパルス成形回路37を介して信号出力端子39に接続した回路構成とし、前記電圧一定化回路は、エミッタ接地のトランジスタと、該トランジスタのベース・エミッタ間に挿入されるコンデンサと、このトランジスタのベース・コレクタ間に挿入される抵抗器とで構成され、前記トランジスタのコレクタが前記受光素子に接続されている。 （もっと読む）

【課題】電流負荷への電流供給を適切に制御でき、電流負荷を高速に停止できて電流制限抵抗が不要な電流負荷駆動回路を提供すること。
【解決手段】この電流負荷駆動回路の場合、カレントミラー回路１ｂの電圧経路上で入力回路５ｂ、出力回路７ｃを分割し、カレントミラー回路２ｃを含む出力回路７ｃに備えられた電圧制御回路では、スイッチ回路Ｓａ、Ｓｂの働きでＭＯＳトランジスタＮ１をオフにして電流負荷のＬＥＤ４（調光可能）の消灯を行う。制御端子Ｔ１、Ｔ２に入力された低レベルの制御信号を入力したＮＯＲ回路１２からは、高レベルの制御信号がゲートバイアス電圧として高耐圧Ｐ型ＭＯＳトランジスタＰ３に印加され、トランジスタＰ３のドレイン電圧は、ソース電圧（ＬＥＤ４の電源電圧）に一致した状態となってＬＥＤ４が高速消灯される。各カレントミラー回路及び電圧制御回路によってＬＥＤ４の駆動電流を制御するため、電流制限抵抗が不要となる。 （もっと読む）

【課題】動作特性の低下を抑制しつつ、配置の自由度を大きくできる上、電流負荷を高速停止できて電流制限抵抗が不要な電流負荷駆動回路を提供すること。
【解決手段】電流負荷駆動回路における第１カレントミラー回路１ｂの電圧経路上で入力回路５ｂ、出力回路７ｂを分割し、第２カレントミラー回路２ｂを含む出力回路７ｂに備えられた電圧制御回路では、電流負荷のＬＥＤ４の消灯を行う際、ＬＥＤ４の一端にドレイン端子が接続された高耐圧Ｐ型ＭＯＳトランジスタＰ３が、制御端子Ｔ１に入力された信号によって、オン状態とされる。このとき、ＭＯＳトランジスタＰ３のドレイン電圧は、ほぼソース電圧（ＬＥＤ４の電源電圧）に一致した状態となるため、ＬＥＤ４は高速消灯される。各カレントミラー回路および電圧制御回路によってＬＥＤ４の駆動電流を制御するため、電流制限抵抗が不要となる。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤの発光出力の消灯時応答を高速化することにより、ＬＥＤを駆動する駆動回路の動作を高速化することを目的とする。
【解決手段】本発明の駆動回路は、ＬＥＤ駆動回路の駆動素子ＰＭＯＳトランジスタ５５に加えて、ＬＥＤ消灯時にＬＥＤのアノード・カソード間容量に充電された電荷を放電させるためのＰＭＯＳトランジスタ１０３を設けた。ＬＥＤ消灯時にＬＥＤ１のアノード・カソード間容量に充電された電荷を放電する電流経路を設けたので、ＬＥＤ消灯を高速に行うことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】２つのＬＥＤを排他的に駆動できる上に、ゲートアレイなどで構成する場合に、動作特性の低下をできるだけ抑制しつつ、各構成要素の配置の自由度を大きくする。
【解決手段】この発明は、第１電流負荷駆動回路１、第２電流負荷駆動回路２、および点灯制御回路５とを備えている。点灯制御回路５は、第１電流負荷駆動回路１によるＬＥＤ４の点灯と第２電流負荷駆動回路２によるＬＥＤ３の点灯を、選択的（排他的）に行う。また、この発明は、回路全体を入力回路６０、７０と出力回路８０に分割し、その分割位置を、第１カレントミラー回路１１および第３カレントミラー回路２１のそれぞれの電圧経路上に設けるようにした。 （もっと読む）

【課題】無負荷及び有負荷での漏れ電流の検出感度を好適に設定することができる出力回路及びそれを用いた検出スイッチを提供する。
【解決手段】制御手段１１は、電源投入時に、スイッチング素子２１のオン状態において、出力電流検出手段２５により検出された出力電流に基づいて、出力電圧検出手段２４による漏れ電流の検出感度を変更して記憶手段１２に記憶させる設定ステップと、設定ステップ終了後に、記憶手段１２に記憶される検出感度に従って、出力電圧検出手段２４による漏れ電流の検出を行う検出ステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】低電圧駆動で駆動される低耐圧素子で構成される論理回路部分と駆動電圧に耐える高耐圧の素子を同一チップのＩＣで構成する場合、高耐圧素子の部分に半導体製造プロセスによる微細加工が適用できず、プロセス工程が増加するという問題があった。
【解決手段】電源供給端子ＶＤＤにソース端子が接続されたＰチャンネル型の第１と第２のＭＯＳトランジスタと、グランドにソース端子が接続されたＮチャンネル型の第３と第４のＭＯＳトランジスタと、前記第３のＭＯＳトランジスタのドレインにソース端子が接続されるＮチャンネル型の第５のＭＯＳトランジスタと、前記第４のＭＯＳトランジスタのドレインにソース端子が接続されるＮチャンネル型の第６のＭＯＳトランジスタと、第２の電源供給端子ＶＤにソースが接続されたＰチャンネル型の第７と第８のＭＯＳトランジスタとを備える。 （もっと読む）

【課題】接続仕様の異なる２種類のＬＥＤが使用される電子機器におけるＬＥＤの駆動回路の共通化を可能する。
【解決手段】ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＴｐ及びＮチャンネルＭＯＳトランジスタＴｎからなるインバータ回路２を介して、端子極性が異なる第１の発光ダイオードＬ１、又は第２の発光ダイオードＬ２に電力を供給する。また、制御部３を設け、電源投入時にはＰチャンネルＭＯＳトランジスタＴｐとＮチャンネルＭＯＳトランジスタＴｎとをオフ状態として出力端Ａの電位（Ｖｏ）を取得し、取得結果に基づき、第１の発光ダイオードＬ１又は第２の発光ダイオードＬ２のいずれが接続されているのか判断させる。また、制御部３に、ＬＥＤの点灯及び消灯要求に応じ、上記判断の結果に応じて制御内容が反転するように、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＴｐ及びＮチャンネルＭＯＳトランジスタＴｎの動作状態を制御させる。 （もっと読む）

【課題】リングオシレータで具現された温度センサ及びそれを利用した温度検出方法を提供する。
【解決手段】温度変化によってその内部電流量が可変し、第１及び第２バイアス信号を発生する第１バイアス部と、温度変化に関係なくその内部電流量が一定であり、第３及び第４バイアス信号を発生する第２バイアス部と、第１及び第２バイアス信号に応答して第１クロック信号を発生する第１リングオシレータと、第３及び第４バイアス信号に応答して第２クロック信号を発生する第２リングオシレータと、第１クロック信号の一つのパルスをラッチしてワンショットパルスを発生するワンショットパルス発生部と、ワンショットパルス幅を第２クロック信号のパルスとしてカウントして温度コードを発生するカウンタと、を備える温度センサである。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳ型半導体リレーにおいて、特に、入力信号が流れてからオン状態に変化するまでの時間がかかることにより、ディプレッションＭＯＳ型半導体リレーの動作時間＜エンハンスメントＭＯＳ型半導体リレーの動作時間という特性を得ることにより、これらのＭＯＳ型半導体リレーを組み合わせて使用しても同時にオン状態にならない。
【解決手段】発光素子２の入力端子１Ａ、１Ｂに入力信号が流れると、フォトダイオードアレイ３に起電力が発生し、充放電回路２０とインピーダンス回路３０とを介して、出力用ＭＯＳＦＥＴ４の寄生コンデンサを充電する。このとき、出力用ＭＯＳＦＥＴ４のゲート電圧が小さい場合は、インピーダンス回路３０は高いインピーダンスとなる。そのため、出力用ＭＯＳＦＥＴ４の寄生コンデンサの充電電流は小さくなることにより、出力用ＭＯＳＦＥＴ４がオン状態に変化するのを遅らせることができる。 （もっと読む）

【課題】 発光特性を改善する。
【解決手段】 単位駆動回路Ｕ１は、駆動電流Ｉdataを生成する駆動電流生成部Ｕａと付加電流Ｉadを生成する付加電流生成部Ｕｂを備える。付加電流生成部Ｕｂは、第２制御信号ＣＴＬ２のデータ値に応じた付加電流Ｉadをデジタル的に生成する。駆動電流Ｉdataと付加電流Iadは接続点Ｚで合成され、スイッチＳＷａを介して容量を有するデータ線に供給される。付加電流Iadはデータ線の容量によって定まる時定数で変化し、当該容量の充電電流を補償するように定められる。 （もっと読む）

本発明は、ギガビット／秒程度のデータ速度で、特にレーザ・ダイオード（７００）または変調器を駆動するための駆動回路（１００）を提供する。駆動回路（１０）はレーザ・ダイオード（７００）または変調器を効率的に駆動できる低電圧高速出力段を有する。ドライバ回路（１０）は、一連の回路を備えており、前記一連の回路は、スルーレート制御回路、少なくとも１つのトランスリニア増幅器（２００、２０１、２０２）、プッシュプル段（３００）、および負荷電流を駆動する出力段（４００）を備える。その多様性により、このドライバは他の用途、例えばライン・ドライバ、ケーブル・ドライバ、バックプレーン相互接続用の高速シリアル・インターフェースなどに使用されてよい。ドライバは、高い電力効率でもって、例えば公称３．３Ｖで２．７Ｖまでの低電源電圧で動作することができる。１つの主要な手がかりは、出力段によって生成された大きな信号電流全部を、例えば駆動されるレーザ・ダイオード中で、電源線路で電流を浪費することなく使用することである。
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半導体試験装置に使用されるプログラマブル電源において、電流レンジや出力リレーにおける大電流の高速切り換えを可能とする。
半導体試験装置１のプログラマブル電源１０に設けられたスイッチ部２０のＭＯＳＦＥＴ駆動回路２２において、光絶縁素子２２−１の受光部２２−１２からの電流によりコンデンサ部２２−１２に電荷が蓄積される。アナログスイッチ部２２−３の切り換えによりＳＷＡがＯＮ（ＳＷＢがＯＦＦ）となると、コンデンサ部２２−１２に蓄積されていた電荷によりＭＯＳＦＥＴ部２１の各ＭＯＳＦＥＴのゲートがチャージされＯＮ状態となる。一方、アナログスイッチ部２２−３のＳＷＢがＯＮ（ＳＷＡがＯＦＦ）となると、ＭＯＳＦＥＴのゲートがディスチャージされる。

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