【課題】半導体リレー装置において、特殊なプロセスを用いることなく、充放電回路全体の耐圧を向上させることを可能にして、低コストで出力用ＭＯＳＦＥＴの低オン抵抗化を図る。
【解決手段】出力用ＭＯＳＦＥＴ５のゲート・ソース間に配された複数の充放電回路７ａ、７ｂを直列に接続し、これらの充放電回路７ａ、７ｂの各々に、２つのフォトダイオードアレイ３ａ、３ｂの各々を並列に接続した。この構成においては、各フォトダイオードアレイ３ａ、３ｂの光起電力に相当する電圧が、そのフォトダイオードアレイに並列に接続された充放電回路（７ａ又は７ｂ）内のＭＯＳＦＥＴ（８ａ又は８ｂ）のみにかかり、それ以外の充放電回路内のＭＯＳＦＥＴにはかからない。従って、２つの充放電回路７ａ、７ｂの全体の耐圧を、これらの充放電回路７ａ、７ｂに含まれる、複数のＭＯＳＦＥＴ８ａ、８ｂの耐圧の合計にすることができる。 （もっと読む）

【課題】操作部の動きを検出できるだけでなく、操作部を強制的に動かすことができる、操作検出回路を提供すること。
【解決手段】操作部の動きに応じてインダクタンスが変化するインダクタＬ１に接続される操作検出回路であって、第１の電圧部９１とインダクタＬ１の一方の端部である第１の端部ａとの間に配置されたトランジスタＱ１と、第２の電圧部９２とインダクタＬ１のもう一方の端部である第２の端部ｂとの間に配置された抵抗Ｒ１と、抵抗Ｒ１に並列に接続されたトランジスタＱ２とを備え、トランジスタＱ１がオン且つトランジスタＱ２がオフのとき、インダクタＬ１と抵抗Ｒ１に検出電流ｉ１を流すことによって、操作部の動きに応じた検出信号を端部ｂから出力し、トランジスタＱ１がオン且つトランジスタＱ２がオンのとき、操作部を可動させる駆動電流ｉ２をインダクタＬ１に流す、ことを特徴とする、操作検出回路。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチにおいて、エネルギー効率を高くする。
【解決手段】半導体スイッチ１は、ＬＥＤ２を駆動回路３により駆動して発光させ、ＬＥＤ２から発光された光を受光部４により受光する。駆動回路３は、バイポーラトランジスタ３１と、コイル３２と、ダイオード３３等を有する。バイポーラトランジスタ３１は、導通状態と非導通状態とに切換えられ、導通状態のときに、電源からＬＥＤ２に電流が供給される状態にし、非導通状態のときに、電源からＬＥＤ２に電流が供給されない状態にする。コイル３２は、ＬＥＤ２に直列に接続されており、バイポーラトランジスタ３１が導通状態から非導通状態になったときに、自己誘導作用によって誘導起電力を発生する。ダイオード３３は、ＬＥＤ２及びコイル３２に並列に接続されており、バイポーラトランジスタ３１が非導通状態のときに、コイル３２が発生する誘導起電力によって、ＬＥＤ２に電流を還流させる。 （もっと読む）

【課題】半導体リレーにおいて、ＬＥＤの駆動電力の低減を図る。
【解決手段】半導体リレー１は、ＬＥＤ２を駆動回路３により駆動して発光させ、ＬＥＤ２から発光された光を受光部４により受光する。駆動回路３は、バイポーラトランジスタ３１と、コイル３２と、ダイオード３３等を有する。バイポーラトランジスタ３１は、導通状態と非導通状態とに切換えられ、導通状態のときに、電源からＬＥＤ２に電流が供給される状態にし、非導通状態のときに、電源からＬＥＤ２に電流が供給されない状態にする。コイル３２は、ＬＥＤ２に直列に接続されており、バイポーラトランジスタ３１が導通状態から非導通状態になったときに、自己誘導作用によって誘導起電力を発生する。ダイオード３３は、ＬＥＤ２及びコイル３２に並列に接続されており、バイポーラトランジスタ３１が非導通状態のときに、コイル３２が発生する誘導起電力によって、ＬＥＤ２に電流を還流させる。 （もっと読む）

【課題】製造コストを抑制しつつ、カラー発光及び白色発光の双方を行うことのできる光源駆動装置を実現する。
【解決手段】駆動装置１０は、ＬＥＤ１００、２００、及び３００に対して電流を供給可能な電流供給部１５と、ＬＥＤ１００及び２００にそれぞれ接続された抵抗１３及び抵抗１４と、電流供給部１５を、上記複数のＬＥＤの何れか１つに対して、抵抗１３及び抵抗１４を介することなく選択的に接続または遮断するスイッチ部１１と、電流供給部１５を、上記抵抗が接続された各ＬＥＤに対して、上記抵抗を介して接続または遮断するスイッチ部１２と、を備えており、第１の発光モードにおいて、上記複数のＬＥＤの何れか１つをスイッチ部１１により電流供給部１５に接続し、第２の発光モードにおいて、スイッチ部１２を接続状態に設定すると共に、上記抵抗が接続されていないＬＥＤをスイッチ部１１により電流供給部１５に接続する。 （もっと読む）

【課題】 光源をＰＷＭ駆動させるためのＰＷＭ信号の周期が短い場合であっても、光源の断線状態及び非断線状態を確実に検出することが可能な光源制御回路を提供する。
【解決手段】 制御部１１からの指令信号により制御されるトランジスタ１２と、トランジスタ１２のオン／オフ状態を切り換えることにより発光制御される光源１３と、光源１３に電力を供給する電源１４と、光源１３の断線検出を行う断線検出回路１６とを備えた光源制御回路において、制御部１１は、光源１３の発光輝度を調節可能なＰＷＭ制御機能と、断線検出回路１６を介して制御部１０へと入力される信号波形にパルス波形が含まれているか否かを判定可能なパルス判定機能とを有し、信号波形にパルス波形が含まれているとき光源１３が非断線状態であると判断し、信号波形にパルス波形が含まれていないとき光源１３が断線状態であると判断する。 （もっと読む）

【課題】高速化と高出力化の両立した受光アンプ回路が求められている。
【解決手段】本発明は、受光信号を光電変換し、その光電流に応じて出力トランジスタのオンもしくはオフ状態を制御する受光アンプ回路であって、前記出力トランジスタの制御端子に接続され、前記光電流に応じて、前記出力トランジスタのオンもしくはオフ状態を制御する第１の制御回路と、前記出力トランジスタの制御端子と接地電圧端子との間に接続され、前記出力トランジスタがオフする場合、前記出力トランジスタの制御端子と前記接地電圧端子を導通することで前記出力トランジスタの制御端子の放電を行うスイッチと、を有する受光アンプ回路である。 （もっと読む）

【課題】双方向整流素子の漏れ電流による影響を抑制することが可能な信号出力回路、検出スイッチ及び多光軸光電スイッチを提供する。
【解決手段】信号出力回路２９は、出力端子４３に第１スイッチング回路３０に対応する負荷５０が接続されたときに当該負荷のローレベルライン側に接続される一方で、出力端子４３に前記第２スイッチング回路３０に対応する負荷６０が接続されたときに当該負荷のハイレベルライン側に接続される接続端子４４と、前記接続端子４４レベルがローレベルの場合に前記第１スイッチング回路３０からの出力信号Ｓ１を前記出力端子４３に与え、前記接続端子４４レベルがハイレベルの場合に前記第２スイッチング回路３０からの出力信号Ｓ１を前記出力端子４３に与える選択手段を備え、前記出力端子４３と前記接続端子４４との間に双方向整流素子７０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ゲートアレイなどで構成する場合に、動作特性の低下をできるだけ抑制しつつ、各構成要素の配置の自由度が大きな電流負荷駆動回路の提供。
【解決手段】この発明は、ＬＥＤ４に代表される電流負荷を駆動する電流負荷駆動回路であり、第１カレントミラー回路１と、第２カレントミラー回路２と、第３カレントミラー回路３とを備えている。そして、第１、第２および第３カレントミラー回路１〜３の全体を入力回路５、中間回路６、および出力回路７に分割し、その分割位置を、第１カレントミラー回路１および第２カレントミラー回路２の各電圧経路上に設けるようにした。 （もっと読む）

【課題】導通時の損失が低減されたＭＯＳＦＥＴを用いた整流装置で、２端子のダイオードとの置き換えが容易であると共に、ＭＯＳＦＥＴのオン時に連続して駆動電圧を生成してＭＯＳＦＥＴのオン動作が継続できる構造を提供する。
【解決手段】寄生ダイオードを内蔵したＭＯＳＦＥＴＳ１のソース・ドレイン間の導通電圧を所定の電圧まで昇圧する昇圧回路２と、昇圧回路２の出力電圧で動作するゲート制御回路１を備え、昇圧回路２の出力電圧は電源切替回路３により昇圧回路２の電源電圧として供給される。ＭＯＳＦＥＴＳ１はドレイン電極を電位基準として回路構成し、昇圧回路２は、ドレイン電極を電位基準とした正のソース・ドレイン電圧を昇圧し、ＭＯＳＦＥＴＳ１のドレイン・ゲート間に正の駆動電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】電源を用いることなく、かつ、摩擦により磨耗するなどの接触式のスイッチ構造の不都合を抑制することが可能なスイッチング素子を提供する。
【解決手段】このスイッチング素子１０は、ｐチャネルトランジスタ４と、ｐチャネルトランジスタ４に対して相対的に移動可能なように設けられ、電荷を蓄積することが可能なエレクトレット部材９とを備えている。そして、エレクトレット部材９のｐチャネルトランジスタ４に対する相対的な位置により、静電誘導を用いてｐチャネルトランジスタ４のオン状態およびオフ状態を制御する。 （もっと読む）

【課題】
１チップ内に構成されている素子を変更することなく、多品種に適用可能な光半導体リレーを提供することを目的とする。
【解決手段】
電気信号を光信号に変換する発光ダイオード１５と、発光ダイオード１５の光信号を受光して電気信号に変換する複数のフォトダイオードを直列に接続して形成された第１のフォトダイオードアレイ１８ａ並びに第１のフォトダイオードアレイ１８ａに隣接した位置に形成された第２のフォトダイオードアレイ１８ｂと、前記第１及び第２のフォトダイオードアレイに接続された制御回路と、前記第１のフォトダイオードアレイと前記第２のフォトダイオードアレイの接続を切り替え可能に行う切り替え配線１９、２０とから構成される光半導体リレー。 （もっと読む）

【課題】ＬＣ共振回路を用いた発振回路における検出コイルの断線を直流２線式近接スイッチの２線出力から判別する。
【解決手段】ＬＣ共振回路１０の検出コイルＬが断線故障した場合、開放動作を呈するよう設定すると共に、開放動作時の漏れ電流に加えて定電圧発生手段Ｄ１，Ｄ２および第１の抵抗器Ｒeで調整された電流が付加された中間電流を出力するように構成する。 （もっと読む）

入力に接続された変換回路であって、入力に接続された入力デバイスの入力特性を受信し、受信した入力特性に応答して変化するパルス幅を有するパルス幅信号を発生する変換回路と、出力および変換回路に接続された出力回路であって、パルス幅信号を受信し、パルス幅信号のパルス幅に応答して変化する特性を出力において与える出力回路と、を有し、出力特性は、入力デバイスとは異なる合成デバイスの特性に対応する電子アダプタ・アセンブリおよび方法。
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【課題】発振振幅の変動が大きい場合であっても、被検出物Ｗの安定検出状態を検知することが可能な近接センサ１を提供する。
【解決手段】被検出物Ｗに対する距離に応じて発振回路１０における発振振幅が変化し、この発振振幅を所定の検出用閾値Ｄｔｈと比較することにより、被検出物Ｗの有無を検出する。また、発振回路１０における所定の発振振幅を維持するための帰還電流を供給する帰還回路が備えられており、帰還回路から供給される帰還電流の大きさに基づいて被検出物Ｗの安定検出状態を検知する。 （もっと読む）

【課題】消費電力の変化を抑制して発熱量を安定させ、検出精度を向上することができる検出センサを提供する。
【解決手段】検出センサ１ａ，１ｂの出力回路４ａ，４ｂにおいて、駆動回路５には定電流回路６からの駆動電流が流れることで出力トランジスタＱ１，Ｑ４をオンとする第１の経路と、その駆動電流を第１の経路から迂回するように流して出力トランジスタＱ１，Ｑ４をオフとする第２の経路とが設けられる。検出回路３における被検出物Ｍの検出に基づいてオン又はオフされ、その駆動電流の経路を第１及び第２の経路のいずれかに切り替えるトランジスタＱ２，Ｑ３が設けられる。このトランジスタＱ２，Ｑ３により、定電流回路６を常時動作させ消費電力の変化を抑制できるようになる。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳＦＥＴの半導体リレー装置において、オン時の動作時間を高速化、又は低速化する。
【解決手段】半導体リレー装置は、入力信号に応答して光信号を出力するＬＥＤ１と、このＬＥＤ１からの光信号を受光して所定電圧を発生するフォトダイオードアレイ２と、この所定電圧の充放電を制御する充放電制御回路３と、この充放電制御回路３からの制御電圧によりオン、オフされる出力ＭＯＳＦＥＴ４とを備え、充放電制御回路３と出力ＭＯＳＦＥＴ４のゲート間に容量Ｃ１を直列接続する。これにより、出力ＭＯＳＦＥＴ４の入力容量を減らすことができ、リレーの動作速度を速めることができる。同様に、容量をゲートに並列接続することによりリレーの動作速度を遅くさせることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体リレー装置において、高耐圧化、高耐温化及び小型化を図る。
【解決手段】半導体リレー装置は、入力信号に応答して光信号を出力するＬＥＤ１と、このＬＥＤ１からの光信号を受光して所定電圧を発生するフォトダイオードアレイ２と、このフォトダイオードアレイ２による発生電圧を充放電する充放電回路３と、この充放電回路３からの制御電圧によりオン、オフされる炭化珪素を材料とする出力用ＭＯＳＦＥＴ４とを備える。これにより、出力部が高耐圧化、高耐熱化、高効率化されるので、従来のＳｉ半導体のＭＯＳＦＥＴを用いた半導体リレー装置に比べ、より高耐電圧、高耐熱、低損失の小型、高性能の半導体リレーを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 負荷に供給する電流の変動を防ぐことが可能な駆動回路およびそれを備えた携帯情報端末を提供する。
【解決手段】 駆動回路は、反転入力端子に印加される電圧および非反転入力端子に印加される基準電圧を比較するオペアンプＯＰ１と、出力がオペアンプＯＰ１の反転入力端子に接続され、オペアンプＯＰ１の比較結果に応じて負荷３に電流を供給するＭＯＳトランジスタＭ１と、制御信号に基づいてオペアンプＯＰ１の比較結果をＭＯＳトランジスタＭ１へ出力するか、または所定の電圧をＭＯＳトランジスタＭ１へ出力してＭＯＳトランジスタＭ１をオフ状態とするかを切り替えるスイッチＳＷ１とを備える。 （もっと読む）

【課題】従来技術の問題を解決することが可能な温度検知回路等を提供する。
【解決手段】温度検知回路が本願では開示される。いくつかの実施例で、それらは、電流ミラー構造において連結された第１及び第２のトランジスタと、第１及び第２のダイオードとを有する。第１のダイオードは、第１のトランジスタへ結合され、第２のダイオードは、第２のトランジスタへ結合されている。温度検知信号は、当該回路が動作しているときに、第１及び第２のダイオードの間で発生する。他の実施例についても、本願で開示及び／又は請求をなされている。 （もっと読む）