【課題】半導体を用いた半導体装置として、論理回路がある。論理回路にはダイナミック論理回路とスタティック論理回路とがあり、トランジスタ等を用いて構成される。ダイナミック論理回路は情報を一定期間保持することができる。そのため、ダイナミック論理回路は、スタティック論理回路と比較して、トランジスタからのリーク電流が問題となる。
【解決手段】論理回路は、オフ電流が小さい第１のトランジスタと、ゲートが電気的に接続された第２のトランジスタと、を有し、第２のトランジスタのゲートのノードには第１のトランジスタを介して電荷が供給される。ノードに対して、第１及び第２の容量を介して電荷を供給する。電荷の状態に応じて、第２のトランジスタのオン、オフが制御される。第１のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体を用いた半導体装置として、論理回路がある。論理回路にはダイナミック論理回路とスタティック論理回路とがあり、トランジスタ等を用いて構成される。ダイナミック論理回路は情報を一定期間保持することができる。そのため、ダイナミック論理回路は、スタティック論理回路と比較して、トランジスタからのリーク電流が問題となる。
【解決手段】論理回路は、オフ電流が小さい第１のトランジスタと、ゲートが電気的に接続された第２のトランジスタと、を有し、第２のトランジスタのゲートのノードには第１のトランジスタを介して電荷が供給される。ノードに対して、複数の容量を介して電荷を供給する。電荷の状態に応じて、第２のトランジスタのオン、オフが制御される。第１のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有する。 （もっと読む）

【課題】電子スイッチの開放されたスイッチを通したリーク電流は、信号クロストークを引き起こす。
【解決手段】スイッチング用の電子回路は少なくとも４個の電子スイッチ２００のセット１００を備える。第１サブセット１１０の少なくとも２個の電子スイッチ２１０，２３０は直列接続され、第２サブセット１２０の少なくとも２個の電子スイッチ２２０，２４０は直列接続される。前記第１サブセット１１０の第１電子スイッチ２１０に接続される第１バッファ３１０、及び前記第２サブセット１２０の第２電子スイッチ２２０に接続される第２バッファ３２０を備え、前記第１バッファ３１０は開状態における前記第１電子スイッチ２１０を通した電圧降下を最小化し、前記第２バッファ３２０は開状態における前記第２電子スイッチ２２０を通した電圧降下を最小化する。また２個のサブセット１１０，１２０の間に配され、グランドに接続されたスイッチ４１０を備える。 （もっと読む）

【課題】高次高調波歪またはＩＭＤを低減可能な半導体集積回路装置および高周波モジュールを提供する。
【解決手段】例えば、アンテナ端子ＡＮＴと複数の信号端子Ｔｘａ，Ｒｘｂ，Ｒｘｃとの間にそれぞれ複数のトランジスタＱａ，Ｑｂ，Ｑｃを備えた所謂アンテナスイッチに対して、電圧供給回路ＶＤ＿ＢＫを設ける。電圧供給回路ＶＤ＿ＢＫは、電圧供給端子Ｖｄｄから前述した複数の信号端子Ｔｘａ，Ｒｘｂ，Ｒｘｃの中の少なくとも２つの信号端子（例えばＲｘｂ，Ｒｘｃ）に向けてそれぞれ抵抗素子Ｒａｄｄ１，Ｒａｄｄ２を介して電圧を供給する回路である。これによって、リーク等によって低下したアンテナ電圧Ｖａｎｔを上昇させることが可能となり、例えばオフ状態となっているトランジスタＱｂ，Ｑｃを深いオフ状態にすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ON状態での低いオン抵抗とOFF状態での小さいオフリーク電流を持つMOSトランジスタスイッチを用いた半導体装置及びサンプルホールド回路を実現する。
【解決手段】PMOSトランジスタM11がON状態の場合には、PMOSトランジスタM12がON状態になりPMOSトランジスタM11のバックゲート端子をPMOSトランジスタM11のソース端子に接続し、PMOSトランジスタM11がOFF状態の場合には、PMOSトランジスタM13がON状態になりPMOSトランジスタM11のバックゲート端子を電源電圧端子VDD1に接続する。 （もっと読む）

【課題】入出力端子と半導体スイッチとの間を接続する配線同士が交差する箇所が発生しても、端子間のアイソレーション特性を向上させつつ、サイズ及びコストを抑制可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体スイッチ回路（２０）は、複数の入力端子（３１，３２）のうち任意の入力端子を配線層（５１）又は再配線層（２５１）を介して複数の出力端子（４１〜４４）のうち任意の出力端子と接続させるように構成される。複数の入力端子及び複数の出力端子のうち、ある端子と半導体スイッチ回路との間を接続する配線と、他の端子と半導体スイッチ回路との間を接続する配線とが交差している箇所において、交差する配線のうち、一方の配線を配線層とし、他方の配線を再配線層とする。 （もっと読む）

【課題】時分割統合された信号系列に対して、時分割で兼用する場合であっても、各系統間で信号の混ざりを回避するダイレクトサンプリング回路を提供する。
【解決手段】スイッチトキャパシタフィルタ１６０の前段に系統毎にヒストリキャパシタ１５３，１５５を接続し、スイッチトキャパシタフィルタ１６０の後段に系統毎にバッファキャパシタ１７３，１７５を接続し、スイッチトキャパシタフィルタ１６０のローテーションキャパシタと接続するヒストリキャパシタ及びバッファキャパシタを入力している時分割系統毎に切り替える。 （もっと読む）

【課題】クロックゲーティングを行う論理回路において、待機電力を低減すること又は誤動作を抑制すること。
【解決手段】論理回路は、クロック信号が供給されない期間に渡って、ソース端子及びドレイン端子に電位差が存在する状態でオフするトランジスタを有する。該トランジスタのチャネル形成領域は、水素濃度が低減された酸化物半導体によって構成される。具体的には、当該酸化物半導体の水素濃度は、５×１０^１９（ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３）以下である。そのため、当該トランジスタのリーク電流を低減することができる。その結果、当該論理回路の待機電力を低減すること及び誤動作を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのドレインとバックゲート間およびソースとバックゲート間に生じる電流の漏洩を抑圧し、高周波信号の透過損失の増大を抑制できる高周波半導体スイッチを得る。
【解決手段】高周波半導体スイッチは、接地部を有するＳｉ等の真性半導体基板と、この真性半導体基板に形成され、バックゲート端子を有するＭＯＳトランジスタと、真性半導体基板の接地部およびＭＯＳトランジスタのバックゲート端子間に設けられたインダクタとを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、レベルシフタ誤動作防止回路に係り、レベルシフタの誤動作を、信号伝達の過大な遅延と消費電流の増大とを招くことなく防止することにある。
【解決手段】伝達すべき信号に応じて駆動されるＮ型トランジスタ３０と、Ｎ型トランジスタ３０の出力に応じて駆動されるＰ型トランジスタ３２と、Ｐ型トランジスタ３２を駆動するために設けられるプルアップ抵抗３４と、を有する、基準電圧が互いに異なる２つの回路系の間で信号伝達を行うレベルシフタ１６の誤動作を防止する回路において、２つの回路系の基準電圧が相対変位した際、Ｎ型トランジスタ３０に存在する寄生容量３６へプルアップ抵抗３４を介して充電電流が供給される前に、その寄生容量３６へ充電電流を供給する急速充電手段を設ける。 （もっと読む）

【課題】ＰＫＧの設計期間を遅延させることなくクロストーク耐性を向上させることが可能な半導体集積回路を提供する。
【解決手段】複数の信号配線を有するＣｈｉｐ２０において、一の信号配線と前記一の信号配線に隣接する一方の隣接信号配線と前記一の信号配線に隣接する他方の隣接信号配線との間で生じるクロストークの発生量を抑制するための補正係数３１と、前記一の信号配線に送出される一の信号、前記一方の隣接信号配線に送出される一方の隣接信号、および前記他方の隣接信号配線に送出される他方の隣接信号の組み合わせパターンと、に基づいて、前記一の信号のスルーレートの低減度合を示す補正量を演算する補正量演算部４２ａ〜４２ｃと、前記補正量に基づいて、前記一の信号のスルーレートを調整するドライバ４１ａ〜４１ｃと、を備える。 （もっと読む）

【課題】プルアップ回路（バスホールド回路）の電源電圧Ｖｃｃ及び入力端子ＩＮに電位差が生じる場合でもリーク電流を発生させない手段を提供する。
【解決手段】パスホールド回路に制御端子ＣＮＴを設ける。この制御端子ＣＮＴの反転出力で動作するスイッチとしてＭＯＳＦＥＴ１３を備える。一方入力端子ＩＮと制御端子ＣＮＴの入力はＮＯＲゲート３１に入力され、このＮＯＲゲート３１の出力がパスホールド回路の入力端子・電源電圧間の接続を制御するＭＯＳＦＥＴ１２のゲート端子に入力される。ＭＯＳＦＥＴ１２及びＭＯＳＦＥＴ１３を直列に接続することで、入力端子・電源電圧間の接続をより制度よく制御し、リーク電流の発生を抑止する。 （もっと読む）

【課題】ピークホールド回路において、ドループを抑制してピーク電圧を長時間保持できるドループ補正ピークホールド回路を提供すること。
【解決手段】ピークホールド回路のホールドコンデンサＣ１は、一端をダイオードＤ１のカソードに接続し、他端をドループ補正回路２０に接続してある。ドループ補正回路２０は、ホールドコンデンサＣ２の保持電圧を、増幅回路Ａ３において極性を反転してホールドコンデンサＣ１に印加する。即ちドループ補正回路２０は、ホールドコンデンサＣ１にその保持電圧と逆極性のドループ補正電圧を印加する。ドループ補正電圧の印加によりホールドコンデンサＣ１のドループを長時間抑制できる。 （もっと読む）

【課題】信号の電力漏洩を抑制することができる切替回路を提供することを課題とする。
【解決手段】第１の端子（Ｐ１）と、第２の端子（Ｔｘ）と、第３の端子（Ｒｘ）と、前記第１の端子及び前記第２の端子間に直列に接続される第１のトランジスタ（３０１）と、前記第１の端子及び前記第３の端子間において前記第１の端子側から順に接続される第１のインピーダンス変換素子（３１２）、第２のトランジスタ（３０２）、第３のトランジスタ（３０３）及び第２のインピーダンス変換素子（３１３）とを有し、前記第２のトランジスタは、前記第３のトランジスタ及び前記第１のインピーダンス変換素子の相互接続点と基準電位ノードとの間に接続され、前記第３のトランジスタは、前記第１のインピーダンス変換素子及び第２のインピーダンス変換素子間に直列に接続される切替回路が提供される。 （もっと読む）

【課題】トランジスタと容量によって情報を記憶し、リフレッシュを必要としないＲＦＩＤタグを提供する。
【解決手段】第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジスタ、容量およびバッファを有するＲＦＩＤタグであり、第２のトランジスタのソースおよびドレインの一方は入力端子に電気的に接続され、ソースおよびドレインの他方は、第１のトランジスタのソースおよびドレインの一方かつ第３のトランジスタのソースおよびドレインの一方に電気的に接続され、第１のトランジスタのソースおよびドレインの他方は容量の一方の電極かつバッファの入力に電気的に接続され、容量の他方の電極は基準電圧端子に電気的に接続され、バッファの出力は出力端子および第３のトランジスタのソースおよびドレインの他方に電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】電源起動時のリーク電流によるトランジスタの誤作動を防止することが可能な半導体集積回路を提供すること。
【解決手段】発明にかかる半導体集積回路は、第１の制御信号を駆動回路１２０を介して出力する論理回路２０９と、コレクタが高電位側の電源電圧ＶＣＣに接続され、エミッタが出力端子ＶＯＵＴに接続され、ベースに入力される第１の制御信号に応じてオンオフが制御されるＮＰＮ型バイポーラトランジスタ２０１をそなえる。また、一方の端子がベースと駆動回路２１０との間のノードに接続され、他方の端子が電源電圧及び接地電圧のいずれか一方に接続されたトランジスタスイッチ２０３と、第１のトランジスタスイッチに並列に接続された抵抗素子２０５とを備える。このような回路構成により、電源起動時のリーク電流によるトランジスタの誤作動を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳ論理回路を小さいスイッチで高速動作させることができ、サブスレッショルドリーク電流を効果的に低減可能な半導体集積回路及びＬＳＩシステムを提供すること。
【解決手段】半導体集積回路は、ＣＭＯＳ論理回路と、ＣＭＯＳ論理回路の電圧供給源とＣＭＯＳ論理回路の電源端の間に設けられた、第１のＭＯＳＦＥＴを有するスイッチ回路と、第１のＭＯＳＦＥＴと逆チャネルの第２のＭＯＳＦＥＴと、第２のＭＯＳＦＥＴのドレインに接続された第１の抵抗と、第１の抵抗及び第１のＭＯＳＦＥＴのソースに接続された第２の抵抗と、を有するデジタルアナログ変換回路とを備える。第１のＭＯＳＦＥＴのバックゲートと、第１の抵抗と第２の抵抗の接続点が接続される。また、第１のＭＯＳＦＥＴのゲートに供給される制御信号と第２のＭＯＳＦＥＴのゲートに供給される制御信号が共通である。 （もっと読む）

【課題】サンプリングされた値を長時間キャパシタに保持し、かつ蓄積された値に対するスイッチ漏れ電流の影響を実質的に減少させるための方法および装置を提供する。
【解決手段】サンプルホールド回路は、一局面において、第１および第２のスイッチを含む。第１のスイッチは、入力信号を受けて、第１のキャパシタを用いて入力信号をサンプリングするために結合されることができる。第１の漏れ電流は、第１のスイッチの第１および第２の導電性端子の間を流れ、第１の漏れ電荷として第１のキャパシタに蓄えられる。第２の漏れ電流は、第２のスイッチの第１および第２の導電性端子の間を流れ、第２の漏れ電荷として第２のキャパシタに蓄えられる。オフセット回路は、保持されサンプリングされた信号に応答して発生する信号および第１のスイッチを介して蓄えられた電荷からある量を減算することによって、補償されサンプリングされた値を生成し、ある量は、第２のキャパシタの蓄えられた漏れ電荷に応答して発生する。 （もっと読む）

【課題】電源状態通知方法及び電源状態通知回路において、実装面積を増大することなく電流回り込み現象を抑制可能とすることを目的とする。
【解決手段】第１の装置が用いる第１の電源とは異なる第２の電源を用いる第２の装置における第２の電源の切断を第１の装置に通知する電源状態通知方法において、１の電源の電源電圧は第２の電源の電源電圧とは異なり、第２の電源の電源電圧が一定電圧以下に下がると第２の電源が切断されたことを示すローレベルの通知信号を第１の装置へ通知し、一定の電圧を、通知信号が供給される第１の装置の回路がローレベルを認識する閾値レベルより高い値に設定するように構成する。 （もっと読む）

【課題】マルチプレクサの出力信号波形の歪みを低減する。また、大型化を抑制する。
【解決手段】マルチプレクサ１は、第１の容量素子を介して第１の入力信号を受けるＣＭＯＳスイッチ１０_１と、第２の容量素子を介して第２の入力信号を受けるＣＭＯＳスイッチ１０_２と、クランプ回路３０と、クランプ回路４０と、を備える。クランプ回路３０は、ＣＭＯＳスイッチ１０_１を導通させる場合には、第１の入力信号に同期してＶｃｌｐ１で第１の入力信号をクランプし、ＣＭＯＳスイッチ１０_２を導通させる場合には、第２の入力信号に同期してＶｃｌｐ１で第２の入力信号をクランプする。クランプ回路４０は、ＣＭＯＳスイッチ１０_１を導通させる場合には、第２の入力信号を検出しつつ検出された第２の入力信号をＶｃｌｐ２に近づけるようクランプし、ＣＭＯＳスイッチ１０_２を導通させる場合には、第１の入力信号を検出しつつ検出された第１の入力信号をＶｃｌｐ２に近づけるようクランプする。 （もっと読む）