【課題】固定が容易で且つ設置スペースを削減できるようにしたスイッチング素子の駆動回路を提供する。
【解決手段】多層配線板８の下面が主電流経路６上に搭載する搭載面とされているため、その多層配線板８の搭載面を平坦面にすることができる。したがって、主電流配線６は、その上面が平坦な設置面として形成されていれば、単に多層配線板８の搭載面を主電流配線６の上面に配置することで設置できる。これにより、コイルＬを容易に固定でき設置スペースを削減できる。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子を誤動作させずに高速低損失動作が可能なゲート駆動回路を部品点数の少ない簡易な回路を提供する。
【解決手段】ローサイドゲート駆動回路２から正極性の電圧が出力されるとハイサイドゲート駆動回路１は０Ｖを維持または負極性の電圧を出力し、ローサイドゲート駆動回路２からの出力が０Ｖまたは負極性の電圧を出力する時はハイサイドゲート駆動回路１から正極性の電圧が出力されるように制御を行なう。ハイサイドスイッチング素子５のゲート・ソース間にＮｃｈノーマリーオン型補助スイッチング素子１３のドレイン・ソースを接続し、トランス１５の1次側をゲート駆動回路１の出力に接続し、２次側をＮｃｈノーマリーオン型スイッチング素子１３のゲート・ソース間に接続し、ローサイドスイッチング素子６側もトランス及びＮｃｈノーマリーオン型スイッチング素子をハイサイドと同様に接続して電力変換回路を構成する。 （もっと読む）

【課題】簡略化された回路構成でノイズ低減効果を持つ多相駆動型の昇圧回路を実現する。
【解決手段】昇圧回路は、所定周期のクロック信号を出力する発振回路と、前記クロック信号の１本の配線に直列接続され、トータル遅延時間が前記所定周期よりも長い複数の遅延回路と、前記複数の遅延回路に対応して前記１本の配線に接続された複数の分割昇圧回路と、を含む。 （もっと読む）

【課題】大型化することなく、アーム短絡および損失増大の問題を解消したスイッチング電源装置を構成する。
【解決手段】ローサイドスイッチング制御部８１は、ローサイドスイッチング素子（Ｑ１）へ駆動電圧信号を出力している期間にトランスの巻線電圧の極性反転を検出したときに、遅延時間（ｔｄ１）の後にローサイドスイッチング素子（Ｑ１）をターンオフさせるローサイドターンオフ回路を備え、ハイサイドスイッチング制御部６１は、トランスの巻線電圧の極性が反転してからハイサイドスイッチング素子（Ｑ２）をターンオンさせるまでの時間（ｔｄ２）を遅延させる。そして、ローサイドターンオフ遅延回路の遅延時間（ｔｄ１）はハイサイドターンオン遅延回路の遅延時間（ｔｄ２）よりも短く設定されている。 （もっと読む）

【課題】トランスの補助巻線を用いることなく、制御回路の電源を確保して安価にできるドライブ回路を提供する。
【解決手段】ノーマリオン型のハイサイドスイッチＱ１とノーマリオフ型のローサイドスイッチＱ２との直列回路が直流電源に並列に接続され、ハイサイドスイッチとローサイドスイッチとをオンオフドライブするドライブ回路であって、ハイサイドスイッチとローサイドスイッチとを制御信号によりオンオフさせる制御回路１０と、ハイサイドスイッチとローサイドスイッチとの接続点に一端が接続された整流手段Ｄ２と、整流手段の他端と直流電源の一端とに接続され且つ制御回路に電源を供給するコンデンサＣ２と、制御回路からの制御信号とコンデンサからの電圧とに基づいてハイサイドスイッチとローサイドスイッチとをオンオフドライブするドライブ部Ａ１，ＡＮＤ１，Ｑ３，Ｑ４とを備える。 （もっと読む）

【課題】グランド端子からグランド電位の供給を受けることなく、スイッチ素子をオン状態に維持することを可能とするスイッチ素子駆動回路を提供する。
【解決手段】本発明によるスイッチ素子駆動回路（１００）は、電源と負荷との間に接続されたスイッチ素子を駆動するためのスイッチ素子駆動回路であって、前記電源と前記負荷との間に設けられた電圧降下素子（１０）と、前記電圧降下素子の端子間に発生する電圧を動作電源として該電圧を昇圧し、該昇圧により得られた電圧から前記スイッチ素子を制御するための制御信号を生成する信号生成部（２０）とを備える。 （もっと読む）

【課題】電力変換回路において、ノーマリオン型トランジスタを利用したスイッチング素子への貫通電流を抑制する。
【解決手段】本発明による電力変換回路は、相互に直列接続されハーフブリッジ回路を構成するハイサイドトランジスタ１１及びローサイドトランジスタ１２と、ハイサイドトランジスタ１１及びローサイドトランジスタ１２のゲートを相補に駆動する２つの駆動回路２１、２２とを具備する。ハイサイドトランジスタ１１はノーマリオフ型トランジスタであり、ローサイドトランジスタ１２は、ノーマリオン型トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチを小さい負担で駆動できるとともに、半導体スイッチに十分なゲート電流を流すことができ、しかも、ゲート配線のインピーダンスによる障害を回避できる半導体モジュール。
【解決手段】ゲートに印加される電圧に応じてオンオフする半導体スイッチＱ１と、半導体スイッチのソース電位に対して正極性を有する正極コンデンサ１１０と、半導体スイッチのソース電位に対して負極性を有する負極コンデンサ１１１と、正極コンデンサを充電する機能を有し、半導体スイッチをターンオンさせる場合は正極コンデンサからの電流を半導体スイッチのゲートに流すターンオン制御部１１２と、負極コンデンサを充電する機能を有し、半導体スイッチをターンオフさせる場合は負極コンデンサからの電流を半導体スイッチのゲートに流すターンオフ制御部１１３を備える。 （もっと読む）

【課題】ペルチェ素子を加熱および冷却を切替えて使用する。
【解決手段】一端が負荷と接続され、他端が負荷を駆動する駆動用電源と接続され、少なくとも、入力端子に入力される第１の制御信号に応じてオン状態およびオフ状態を切り替える第１のスイッチング素子と、一端が負荷および第１のスイッチング素子の一端と接続され、他端が基準電位と接続され、第２の制御信号に応じてオン状態およびオフ状態を切り替える第２のスイッチング素子と、第２のスイッチング素子がオフ状態である場合に、第１のスイッチング素子の入力端子に電圧を供給する電圧供給部と、第１の制御信号および第２の制御信号のそれぞれを、第１のスイッチング素子および第２のスイッチング素子のそれぞれに供給し、第１のスイッチング素子と第２のスイッチング素子とを交互にオン・オフ動作させる制御部とを備える。 （もっと読む）

【課題】双方向に導通可能なスイッチング素子に逆電流が流れた場合であってもスイッチング素子の損失を低減させることができるゲート駆動回路。
【解決手段】双方向に導通可能なスイッチング素子ＳＷと、スイッチング素子のオンオフを制御する制御部１１と、スイッチング素子に流れる電流を検出する電流検出部１２と、電流検出部によってスイッチング素子に逆方向の電流が流れたことが検出された時に、制御部によるオンオフの制御とは独立に、スイッチング素子をオン制御するゲート駆動部１３とを備える。 （もっと読む）

【課題】より簡単な構成で、出力トランジスタを確実にオフ状態に維持できるトランジスタ駆動回路を提供する。
【解決手段】ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ５とコイル２との共通接続点；出力端子ＯＵＴとグランドとの間にフライホイールダイオード３を接続する。ＦＥＴ５のゲートには、ＮＰＮトランジスタ６及びＰＮＰトランジスタ７のプッシュプル回路により制御信号を出力し、トランジスタ７のベースとグランドとの間にＮＰＮトランジスタ１１を接続し、トランジスタ１１のベースとグランドとの間にＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１４を接続して、ＦＥＴ１４にＰＷＭ信号を入力する。ダイオード１３は、ＦＥＴ１４がオフ状態になるとトランジスタ１１のベースにベース電流を供給し、ダイオード１５をダイオード１３のアノードとトランジスタ６及び７のベースとの間に接続する。ＮＰＮトランジスタ２２をＦＥＴ５のゲートと出力端子との間に接続し、トランジスタ２２をＰＷＭ信号に応じてＦＥＴ５がオフする際にオンさせる。 （もっと読む）

【課題】オンデューティが５０％以上のパルス信号でもスイッチング素子のゲートをドライブできる安価なゲートドライブ回路。
【解決手段】直流電源Vcc1の両端にトーテムポール接続され且つ各ベースにパルス信号が入力されるトランジスタQ2,Q3と、直流電源Vcc2の両端にトーテムポール接続され且つ各エミッタがスイッチング素子Q1のゲートに接続されるトランジスタQ4,Q5と、一次巻線P1がトランジスタQ2,Q3の各エミッタとトランジスタQ2,Q3の一方のコレクタとにコンデンサC1を介して接続され、二次巻線S1がトランジスタQ4,Q5の各ベースとトランジスタQ4,Q5の各エミッタとに接続されたトランスT1とを有し、パルス信号Vinの最大オンデューティは、トランスT1の一次巻線電圧VpとトランジスタQ4,Q5のベース−エミッタ間順方向電圧とに基づいて決定される。 （もっと読む）

【課題】ベース電流による電力損失を低減するドライブ回路を提供する。
【解決手段】ＢＪＴ２１のベース端子にベース電流を供給するドライブ回路１は、ＢＪＴ２１のベース電流を生成するベース回路部３０と、制御端子に供給される制御電圧に基づき、ベース電流を生成するための駆動電圧をベース回路部３０に供給するドライブ部１０と、ＢＪＴ２１のベース端子とＢＪＴ２１のエミッタ端子との間に発生する第１のベース−エミッタ間電圧Ｖｂｅを検出し、検出した第１のベース−エミッタ間電圧Ｖｂｅに応じたベース電流をＢＪＴ２１に供給するように制御電圧を制御して、ドライブ部１０に供給するベース電流制御部５０とを備える。 （もっと読む）

【課題】電圧駆動型素子を駆動状態と非駆動状態の間で遷移させるときの遷移期間において、電圧駆動型素子のゲート電圧を柔軟に制御するための技術を提供する。
【解決手段】駆動装置１は、電圧駆動部３と電流駆動部４を備えている。電圧駆動型素子２を駆動状態と非駆動状態の間で遷移させるときの遷移期間のうちの一部の区間では、電圧駆動部３を利用した電圧駆動型素子２のゲート電圧Ｖｇの制御が停止され、電流駆動部４を利用した電圧駆動型素子２のゲート電圧Ｖｇの制御が実行されるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】高速スイッチング素子である電圧駆動型トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）のターンオン・オフ時の電圧変化（ｄＶ／ｄｔ）と電流変化（ｄｉ／ｄｔ）を緩和して、ノイズとサージ電圧の発生を抑制する電源回路を提供する。
【解決手段】トランス２に流れる電流をスイッチングさせるためのＭＯＳＦＥＴ１のゲート抵抗値を、スイッチング期間内で、ＭＯＳＦＥＴ１のドレイン電圧Ｖｄｓの変化の検出と共に切り替える、ＭＯＳＦＥＴ１のゲート電圧Ｖｇは、ＭＯＳＦＥＴ１のゲート電圧の最大定格Ｖｇｍａｘ以下とする。 （もっと読む）

【課題】パワーデバイス（メインスイッチＭ）のゲートの印加電圧をバッテリ１２の正電圧より高い電圧と負電圧との双方の電圧とする場合、電源装置の小型化が困難なこと。
【解決手段】バッテリ１２、端子Ｔ３、スイッチング素子ＳＷ１、コンデンサＣ、スイッチング素子ＳＷ２、逆流防止用ダイオードＤ１、端子Ｔ１および充電用抵抗体１４によって、メインスイッチＭのゲート充電経路が構成される。また、放電用抵抗体１６、端子Ｔ２、逆流防止用ダイオードＤ２、スイッチング素子ＳＷ３、コンデンサＣ，スイッチング素子ＳＷ４、および端子Ｔ４によって、メインスイッチＭのゲート放電経路が構成される。さらに、端子Ｔ３、スイッチング素子ＳＷ６、逆流防止用ダイオードＤ４、コンデンサＣ、逆流防止用ダイオードＤ３、スイッチング素子ＳＷ５および端子Ｔ４によって、コンデンサＣの充電経路が構成される。 （もっと読む）

【課題】ノーマリオン型のトランジスタをオンオフ駆動できるようにする。
【解決手段】電圧レギュレータは，入力電圧に接続されたノーマリオン型の第１のトランジスタと，第１のトランジスタと出力端子との間に設けられたインダクタと，第１のトランジスタとインダクタとの接続ノードとグランド電圧との間に設けられた還流回路と，第１のトランジスタのゲートに駆動信号を供給する駆動回路と，グランド電圧に接続され，第１のトランジスタのオンオフ動作により接続ノードに生成されるパルス信号に基づいて負電圧を生成し，負電圧を駆動回路に供給する負電圧生成回路とを有する。 （もっと読む）

【課題】絶縁ゲート型半導体素子を駆動する半導体集積回路内において、貫通電流の発生を抑制することが可能な技術を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体集積回路は、制御信号Ｖ_inを遅延させて得られる遅延信号を、ＰＭＯＳ１及びＮＭＯＳ２のゲート端子に出力する遅延回路１９を備える。ＮＭＯＳ４が、第２出力信号の変化に応じてオンからオフに切り替えられるタイミング（ｔ₂）は、ＰＭＯＳ１が、遅延信号の変化に応じてオフからオンに切り替えられるタイミング（ｔ₂）よりも遅くなく、かつ、ＰＭＯＳ３が、第１出力信号の変化に応じてオンからオフに切り替えられるタイミング（ｔ₇）は、ＮＭＯＳ２が、遅延信号の変化に応じてオフからオンに切り替えられるタイミング（ｔ₇）よりも遅くない。 （もっと読む）

【課題】 絶縁ゲート型スイッチング素子のゲートの電位を制御する半導体装置であって、低速スイッチング用と高速スイッチング用とで共通して使用可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】 絶縁ゲート型スイッチング素子のゲートの電位を制御する信号を出力する半導体装置であって、第１信号出力端子を有しており、第１電位と第１電位よりも高い第２電位の間で変動する基準信号の入力を受けるか、または、内部で前記基準信号を生成することが可能であり、前記基準信号が第１電位にあるときには第３電位となり、前記基準信号が第２電位にあるときには第３電位よりも高い第４電位となる信号を第１信号出力端子に出力する第１動作と、前記基準信号が第１電位にあるときには第４電位となり、前記基準信号が第２電位にあるときには第３電位となる信号を第１信号出力端子に出力する第２動作とを切り換えて実行することができる。 （もっと読む）