【課題】高速スイッチング性能を低下させることなく、パワー半導体素子のサージ耐量向上と過電圧保護を図る。
【解決手段】ドレイン端子１ｂから所定距離離間した位置にゲート制御端子５を備え、サージ発生時にドレイン端子１ｂとゲート制御端子５との間に放電が起こるようにする。この放電現象に伴ってゲート制御端子５にサージ電圧が印加されることで、パワー半導体素子１のゲートを充電し、パワー半導体素子１をオンさせることでサージエネルギーを吸収する。これにより、ドレイン端子１ｂに印加されるサージ電圧を抑制することが可能となり、パワー半導体素子１が破壊に至ることを抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチにおいて、エネルギー効率を高くする。
【解決手段】半導体スイッチ１は、ＬＥＤ２を駆動回路３により駆動して発光させ、ＬＥＤ２から発光された光を受光部４により受光する。駆動回路３は、バイポーラトランジスタ３１と、コイル３２と、ダイオード３３等を有する。バイポーラトランジスタ３１は、導通状態と非導通状態とに切換えられ、導通状態のときに、電源からＬＥＤ２に電流が供給される状態にし、非導通状態のときに、電源からＬＥＤ２に電流が供給されない状態にする。コイル３２は、ＬＥＤ２に直列に接続されており、バイポーラトランジスタ３１が導通状態から非導通状態になったときに、自己誘導作用によって誘導起電力を発生する。ダイオード３３は、ＬＥＤ２及びコイル３２に並列に接続されており、バイポーラトランジスタ３１が非導通状態のときに、コイル３２が発生する誘導起電力によって、ＬＥＤ２に電流を還流させる。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮトランジスタを理想的な還流ダイオードとして動作させ、低損失のスイッチ装置を実現できるようにする。
【解決手段】スイッチ装置は、窒化物半導体素子３０１と、窒化物半導体素子３０１を駆動する駆動部３０２とを備えている。窒化物半導体素子３０１は、第１のオーミック電極、第２のオーミック電極及び第１のゲート電極を有している。駆動部３０２は、第１のゲート電極にバイアス電圧を印加するゲート回路３１１と、第１のゲート電極と第１のオーミック電極との間に接続され、双方向に電流を流すスイッチ素子３１２とを有している。駆動部３０２は、第１のオーミック電極から第２のオーミック電極への電流を通電し且つ第２のオーミック電極から第１のオーミック電極への電流を遮断する動作を行う場合には、スイッチ素子３１２をオン状態とする。 （もっと読む）

【課題】高耐圧回路の素子破壊を防止する際、半導体チップ面積の増大を軽減する。
【解決手段】半導体集積回路ＩＣは、高電源電圧で動作する高耐圧回路１００、２００と低電源電圧で動作する低耐圧回路３００、４００を内蔵する。入力信号Ａに応答して、高耐圧回路の第１素子５と第２素子３はオン状態とオフ状態に、低耐圧回路の第３素子７と第４素子８はオフ状態とオン状態に制御される。この状態において、高電源電圧供給端子に所定レベルのサージ電圧が供給される。この状態で、初期サージ電流が第１素子５と第２素子３の容量を介して低耐圧回路の出力端子Ｙに流入する。出力端子Ｙの電圧降下は、高耐圧回路の第２素子３のターンオン電圧に設定される。第２素子３はオフ状態からオン状態に制御されて、サージ電圧のエネルギーを吸収するサージ吸収電流が第１素子５と第２素子３に流入する。 （もっと読む）

【課題】微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）アレイを含む電力切替システムを提供すること。
【解決手段】切替システム（４）は、ダイオードブリッジを形成する複数のダイオードと、複数のダイオードに接近して結合された微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）スイッチアレイ（１２）とを含む。ＭＥＭＳスイッチアレイ（１２）は（Ｍ×Ｎ）アレイをなして電気的に接続される。（Ｍ×Ｎ）アレイは、第２のＭＥＭＳスイッチ脚部（４４）に並列に電気的に接続された第１のＭＥＭＳスイッチ脚部（４０）を含む。第１のＭＥＭＳスイッチ脚部（４０）は直列に電気的に接続された第１の複数のＭＥＭＳダイを含み、第２のＭＥＭＳスイッチ脚部（４４）は直列に電気的に接続された第２の複数のＭＥＭＳダイを含む。 （もっと読む）

【課題】
サージ電圧を効果的に低減するとともに、簡易な回路構成で消費電力を低減した電源供給装置及び情報処理装置を提供する。
【解決手段】
電源供給装置は、交流電力が入力される入力端子と、前記入力端子に入力される交流電力を整流する整流回路と、前記整流回路で整流された電力を平滑化する平滑用キャパシタと、前記平滑用キャパシタの両端子間に直列に接続される、トランス用一次巻線及びスイッチング素子と、前記トランス用一次巻線に結合されるトランス用二次巻線と、前記トランス用二次巻線に接続される出力端子と、前記スイッチング素子に並列に接続されるスナバ回路であって、第１キャパシタ及び第２キャパシタの並列回路と、前記並列回路に直列に接続される抵抗器とを有するスナバ回路とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体素子のスイッチング時において、スイッチング損失の増加を抑制しつつ、サージ電圧を低減すること。
【解決手段】電子回路１の半導体素子駆動回路１３は、ゲート抵抗２１と、電圧源２２と、ｄｉ／ｄｔ帰還部２３と、バッファ１１１と、を備えている。バッファ１１１は、従来良く使われる方式であるトランジスタ１１１ｔａ，１１１ｔｂで構成されるＩＧＢＴ駆動用のバッファ回路の少なくとも一部である。ｄｉ／ｄｔ帰還部２３は、トランス１２１と、抵抗１２２と、を備えている。即ち、トランス１２１が、ｄｉ／ｄｔ検出部及びゲイン部に対応する。なお、電圧源２２とバッファ１１１とを結ぶ経路に抵抗１２２が直列接続され、抵抗１２２の両端が、トランス１２１の２次側に接続されており、当該経路上の抵抗１２２の両端の間が、電圧源に対応する。 （もっと読む）

【課題】放熱設計や配線設計によるコストを抑制するスナバデバイスを備えた半導体装置の提供を目的とする。
【解決手段】本発明の半導体装置は、スイッチングトランジスタ１と、スイッチングトランジスタ１と同一導電性基板（フレーム）上に実装されるリカバリーダイオード２及びスナバデバイス６とを備える。スナバデバイス６は、スイッチングトランジスタ１の出力端子Ｃ−基準端子Ｅ間に接続されたＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴ３と、ＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴ３のゲート端子Ｇ−ドレイン端子Ｄ間に形成されたツェナーダイオード４と、ＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴ３のゲート端子Ｇ−ソース端子Ｓ間に形成された抵抗器５とを備える。スイッチングトランジスタ１の基準端子Ｅ、ＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴ３のソース端子、リカバリーダイオード２のアノード端子が共通接続される。 （もっと読む）

【課題】初期充電回路が不要な自己給電形のゲート駆動回路の電源装置を提供することである。
【解決手段】電力用半導体スイッチ素子（３）に並列接続された、スナバダイオード（３５）とスナバコンデンサ（３７）とからなる直列回路と、端子電圧をゲート駆動回路（１１）に電源電圧として印加する電源用コンデンサ（５１）と、スナバコンデンサ（３７）の正電位側端子と電源用コンデンサの正電位側端子間に介在されて、電源用コンデンサ（５１）に充電電流を流すノーマリオンタイプのスイッチ素子（４３）と、 ノーマリオンタイプのスイッチ素子（４３）を制御するスイッチ制御回路と、を備える。スイッチ制御回路は、電源用コンデンサ（５１）の端子電圧が所定値以上になったときにノーマリオンタイプのスイッチ素子（４３）をオフさせるように構成される。 （もっと読む）

【課題】 パワースイッチング素子直列電圧制限回路を提供する。
【解決手段】 パワースイッチング素子直列電圧制限回路は、複数のパワースイッチング素子（Q1〜Qn）などからなるパワースイッチング素子直列分岐回路を含み、当該パワースイッチング素子は制御端と、高端(SD)と低端(WD)とを含み、パワースイッチング素子は分岐回路に直列にされるが、当該複数のパワースイッチング素子(Q1〜Qn)直列方式は1つのパワースイッチング素子における高端(SD)と別の1つのパワースイッチング素子における低端(WD)とを順に従って直列する。また、複数のエネルギー一時記憶回路(K1〜Kn)を含み、各パワースイッチング素子の両端が1つのエネルギー一時記憶回路を対応並列するが、各パワースイッチング素子の開/閉が非同期短時間過電流の負荷エネルギーを記憶するためである。また、前記パワースイッチング素子直列分岐回路に電圧制限を行う集中電圧制限回路Hを含む。 （もっと読む）

【課題】素子数が少なくでき、且つグランドバウンスの影響が抑えられるようにしたＢＴＬ回路を提供する。
【解決手段】トランジスタＭＰ１，ＭＰ２と、該各トランジスタＭＰ１，ＭＰ２に直列接続されたトランジスタＭＮ１，ＭＮ２とからなり、トランジスタＭＰ１とＭＮ１の共通接続点を出力端子ＯＵＴＰとし、トランジスタＭＰ２とＭＮ２の共通接続点を出力端子ＯＵＴＮとするＢＴＬ回路である。入力端子ＶＩＮの入力信号とトランジスタＭＰ１のゲート電位を反転遅延させた信号とトランジスタＭＮ２のゲート電位の信号とを入力して、出力を、トランジスタＭＮ１のゲートにそのままの位相で帰還させ、トランジスタＭＰ２のゲートに反転して帰還させるノア回路ＮＯＲ１を有する。また、入力端子ＶＩＮの入力信号とトランジスタＭＮ１のゲート電位を反転遅延させた信号とトランジスタＭＰ２のゲート電位の信号とを入力して、出力を、トランジスタＭＰ１のゲートにそのままの位相で帰還させ、トランジスタＭＮ２に反転して帰還させるナンド回路ＮＡＮＤ１を有する。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳＦＥＴの切り替え時に発生する回生電流が周辺回路に与える影響を低減することができるＨブリッジ回路を提供する。
【解決手段】寄生ＮＰＮトランジスタＴｒ_２は、寄生ＮＰＮトランジスタＴｒ_１よりも、ＬＤＭＯＳ２０（ＭＯＳＦＥＴＱ２）への距離が近いため、電流増幅率ｈ_ＦＥも大きい。このように意図的に発生させた寄生ＮＰＮトランジスタＴｒ_２からドレインへの電流供給が増加することで、ＩＳＯ端子６やＶＤＤ端子７を介して周辺回路から引き抜かれる電流量が減少する。 （もっと読む）

【課題】負荷回路でデッドショートが発生した場合に、即時にこの負荷回路のみを遮断して負荷回路を保護する負荷回路の保護装置を提供する。
【解決手段】複数の負荷回路と電源ＶＢを接続する共通配線に生じる逆起電力Ｅ１を検出するＥ１検出回路１３と、各負荷回路を接続する負荷接続配線の一部に生じる逆起電力Ｅ２を検出するＥ２検出回路１２を備える。そして、Ｅ１検出回路１３にて共通配線に生じる逆起電力Ｅ１が所定の閾値を超えたことが検出され、且つ、Ｅ２検出回路１２にて負荷接続配線にＥ１と同一の向きとなる逆起電力Ｅ２が発生した場合に、この負荷回路を遮断する。従って、短絡事故が発生した場合には即時にこの負荷回路を遮断することができる。また、その他の負荷回路を継続して作動させることができる。 （もっと読む）

【課題】パルストランスを用いた信号伝達回路に接続される回路要素の誤動作を回避する。
【解決手段】パルストランスＴの２次側において、スイッチ素子Ｑ２は、ＩＧＢＴのゲート・エミッタ間に設けられる。コンデンサＣは、スイッチ素子Ｑ２の制御端子に接続される。スイッチ素子Ｑ３は、コンデンサＣに接続される。パルストランスＴの１次側に設けられているスイッチ素子Ｑ１をターンオフすると、２次側において負電圧が発生し、コンデンサＣがチャージされる。スイッチ素子Ｑ１がオフ状態である期間は、パルストランスＴの励磁エネルギーが放出された後であっても、コンデンサＣの負電圧は保持され、スイッチ素子Ｑ２はオン状態に保持されるので、ＩＧＢＴのゲート・エミッタ間のインピーダンスは低い状態に維持される。 （もっと読む）

【課題】逆起電圧を吸収させるに際して所望の還元電流特性を得つつ、過度な発熱が生じるのを防止できるような誘導性負荷の駆動装置を提供する。
【解決手段】第１のスイッチング素子２８と、第２のスイッチング素子３０と、外部供給電源１２に接続される電路４４を有すると共に、第１のスイッチング素子がオフ、第２のスイッチング素子がオンされるとき、誘導性負荷の逆起電圧によって生じる逆起電流をアースに還流させる還流回路１８と、第１、第２のスイッチング素子２８，３０がオフされるとき、逆起電圧を外部供給電源１２に吸収させると共に、逆起電圧を吸収する逆起電圧吸収回路２０と、逆起電圧吸収回路２０に介挿されると共に、逆起電圧吸収回路２０に吸収される逆起電圧の電圧量を切り換える切換手段５２を備えるように構成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高速ターンオフが可能なスイッチング素子の高速な電流遮断に伴い発生するスイッチングノイズを確実に低減するとともに、スイッチング素子の駆動回路系を安定に動作させることができる半導体素子の駆動回路を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体素子ＱのゲートにダイオードＤｒのカソードを接続し、前記半導体素子のソースに前記ダイオードのアノードを接続するとともに、
前記ゲートと前記カソードとの間又は前記ソースと前記アノードとの間に抵抗Ｒｒが挿入接続されたフィードバック回路１０を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スイッチを閉じた場合に、電源から負荷装置に突入電流が流れ込んで、スイッチに大きな負荷がかかることを防ぐことができるスイッチ制御装置、開閉器及びスイッチ制御方法を提供する。
【解決手段】電源と負荷装置との間に接続されるスイッチ２１を制御するスイッチ制御装置２２であって、スイッチ２１の閉命令を取得する開閉命令取得部２２１と、開閉命令取得部２１が閉命令を取得した場合にスイッチ２１を閉時間だけ閉じる第１の処理と、スイッチ２１を開時間だけ開く第２の処理とを交互に行なう制御部２２５とを備え、閉命令を取得後の通電開始時にスイッチ２１の開閉を繰り返すことによってスイッチ２１に流れる突入電流を抑制する。 （もっと読む）

【課題】コストの上昇を抑制すると共に、異常動作を防止し、且つスナバ回路の抵抗近傍部品が故障してしまうことを防止することが可能なソリッドステートリレーを提供する。
【解決手段】ソリッドステートリレー２０は、スナバ回路Ｓを構成するコンデンサＣ_０と抵抗Ｒ_０との接続点ｄと、トライアックＴＡのゲート端子Ｇとを接続する第３接続ライン２８ｃを備えている。さらに、ソリッドステートリレー２０は、第３接続ライン２８ｃ上に設けられた抵抗Ｒ_２と、接続点ｅと接続点ｂとの間に設けられたコンデンサＣとを備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチ素子だけではなく、半導体スイッチ素子に並列に接続される保護回路の異常を検出できる半導体スイッチ素子の制御回路を得る。
【解決手段】ゲート端子に電圧を供給することでオン・オフを制御する半導体スイッチの駆動回路において、駆動回路３の出力ゲート電圧を検出するゲート電圧検出手段５と、半導体スイッチ４の主端子電圧を検出する主電圧検出手段９と、ゲート電圧状態を光絶縁して低圧回路に伝達する第一の信号絶縁手段６と、半導体スイッチの主電圧状態を光絶縁して低圧回路に伝達する第二の信号絶縁手段１０と、第一の信号絶縁手段の信号と半導体スイッチの駆動指令、第二の信号絶縁手段の信号と半導体スイッチの駆動指令とを各々比較し、正常又は異常を判別する判別手段７、１１とを備える。 （もっと読む）