【課題】
ユーザの使い勝手を格段と向上し得る情報処理装置及びその設定方法を提案する。
【解決手段】
外部入力による各種の操作内容に応じた処理を実行する情報処理装置及びその設定方法において、それぞれ所定の操作内容が割り当てられた複数の操作子のうち指定された各操作子を操作禁止対象として設定して記憶しておき、続いて各操作子からの入力を無効にするための設定スイッチがオン状態で、かつ複数の操作子のうち任意の操作子からの入力があったとき、記憶された設定内容に基づいて、当該操作子が操作禁止対象であるか否かを判断した後、当該判断結果に基づいて、操作された操作子が操作禁止対象である場合には当該操作子からの入力を無効にする一方、操作された操作子が操作禁止対象でない場合には当該操作子からの入力を有効にするようにした。 （もっと読む）

【課題】 システムの製造コストを低減し、このシステムに大きな電流と電圧の状況下で操作できるようにさせ、且つ、システムの安定性を高めるファンモジュールのホットスワップ回路システムを提供する。
【解決手段】 ファンモジュールのホットスワップ回路システムは、ファンモジュールがアプリケーションシステムにホットプラグされた時にファンモジュールの電源を駆動するソフトスタート回路モジュールを含む。このソフトスタート回路モジュールは、コンデンサと電界効果トランジスタを有し、コンデンサは、ソフトスタート回路モジュールの入力電圧が非ゼロ値からゼロ値に切換えられた時、電荷を放電し、電界効果トランジスタは、ソフトスタート回路モジュールの入力電圧が非ゼロ値からゼロ値に切換えられた時、ＯＦＦになる。 （もっと読む）

【課題】ＩＣデバイスの通常の最大電圧定格よりも高い電圧において、より広い電圧レンジで作動できるゲートドライバーを提供する。
【解決手段】 簡単で、低コストのゲートドライバー、およびバイアス回路は、ＮＭＯＳトランジスタおよびＰＭＯＳトランジスタのような構成部品の通常の部品のブレークダウン電圧を超える、より広い作動電圧レンジを可能にしている。回路を実現するために、バルクおよびＰタイプの基板として、エピタキシャル層を備えるＣＭＯＳプロセスを使用する。 （もっと読む）

【課題】
規定電流値検出のための外付け基準電圧発生回路が故障したときに過電流の発生を防止してパワートランジスタを保護しかつドライバＩＣとして継続使用できる電流制限回路およびモータドライブ回路を提供することにある。
【解決手段】
この発明は、出力電流検出回路がパワートランジスタに直列に設けられ、コンパレータと第１の基準電圧発生回路と第２の基準電圧発生回路とを有し、パワートランジスタの出力電流が所定の規定値に達したときに出力電流検出回路から得られるその検出信号と第１の基準電圧発生回路から得られる第１の基準電圧とに応じてコンパレータがパワートランジスタの駆動を所定期間停止させるための制御信号を発生し、パワートランジスタの出力電流が規定値を越えた所定値になったときに出力電流検出回路から得られるその検出信号と第２の基準電圧発生回路から得られる第２の基準電圧とに応じてコンパレータが制御信号を発生するものであって、第１の基準電圧発生回路がＩＣに外付けされ、第２の基準電圧発生回路がＩＣに内蔵されているものである。 （もっと読む）

高電圧システムに共通する、高電源リプルにおいて有用である静電結合を用いた高電圧ドライバである。それは、デューティサイクルの最大範囲を許容するが、変圧器の磁気の制限はなく、または、光学式の結合方法における複雑さの増加もない。それはまた、出力駆動ラインにアークする高電圧によって作成される過渡電圧においても、強固である。本発明はまた、特に例示的ディスプレイの応用における使用のために、低コストでの静電結合の使用を再構築するが、静電結合に特有の制限はない。
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共振ゲート・ドライバ回路は、例えばＭＯＳＦＥＴの効率的なスイッチングを実現する。しかし、共振ゲート・ドライバ回路の動作は、しばしば、高いスイッチング周波数が必要とされる応用分野を可能としない。本発明によれば、共振ゲート・ドライバ回路のインダクタのプリチャージが実行される。これは、ＭＯＳＦＥＴの非常に効率的かつ高速な動作を可能にする。
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電源変換回路は、しばしば並列に動作するいくつかのMOSFETからなる。温度サイクリングと機械動作とが原因で、MOSFET又はMOSFETにおける各電子接続は故障する場合がある。本発明によれば、複数の並列なMOSFETに対する診断回路が与えられ、それが、MOSFETの温度又はMOSFETのゲート電圧の少なくとも一方に基づき、起こりうる障害を予測又は決定する。有利には、MOSFETの連続的な監視が与えられることができ、MOSFETの障害の早期決定が与えられることができる。
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スイッチ（１０）とキャパシタ（１２）を備えるトラック／ホールド回路である。第１のブートストラップスイッチ（１４ａ）は、その入力として、クロック信号ｃｌｋｉｎ及び入力信号Ｖｉｎを有する。第１のブートストラップスイッチ（１４ａ）から出力されるクロック信号ｃｌｋｂｏｏｔは、スイッチ（１０）のゲートに印加される。第１のブートストラップスイッチ（１４ａ）は、電流源（２０）という形のレベルシフト手段及びバッファ手段（３０）を介して、当該回路の入力Ｖｉｎと出力Ｖｓとの間に接続されている。第２のブートストラップスイッチ（１４ｂ）が設けられており、第２のブートストラップスイッチ（１４ｂ）は、その入力として、クロック信号ｃｌｋｉｎ及び入力信号Ｖｉｎを有する。第２のブートストラップスイッチ（１４ｂ）から出力される逆位相クロック信号ｃｌｋｎｂｏｏｔは、スイッチ（１０）のいずれかの側に接続されている２つのダミースイッチ（１６）のゲートに印加される。
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データ転送回路は、ｎビット（ｎは２以上の整数）の第１の２値電圧データを２^ｎ値の多値電流データに変換して、単一のデータ転送線に出力する電圧電流変換回路を備えている。電流比較回路は、前記データ転送線上の前記多値電流データを（２^ｎ−１）ビットの２値電流データに変換し、電流電圧変換回路は、前記（２^ｎ−１）ビットの前記２値電流データを（２^ｎ−１）ビットの第２の２値電圧データに変換する。計数回路は、前記（２^ｎ−１）ビットの前記第２の２値電圧データから前記ｎビットの前記第１の２値電圧データを復元する。 （もっと読む）

低速出力エッジを有するバッファ回路が記載されている。パルスのより高値の電流が、ワンショットタイミング回路から駆動されて、出力ＭＯＳＦＥＴのターンオンか又はターンオフの開始を加速させるために、電流パルスが前記バッファの該出力ＭＯＳＦＥＴの制御ゲート内へと注入される。前記開始とターンオン及びターンオフとに至る時には、より低値の電流源が、前記出力ＭＯＳＦＥＴの前記ゲートを駆動するために継続する。一実施形態において、ワンショットは、入力信号の立ち上がりエッジと立ち下がりエッジとからトリガされる。前記より高値の電流パルスの効果は、バッファによる回路遅延を低減することである。更にまた、温度、供給電圧、及びプロセスの変動が起きる時に、実質的に一定となるようバッファ回路の遅延を維持するために、温度に応じるように、及び供給電圧に応じるように、パルス幅を設計することができる。

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【課題】 クロストークノイズを安定して減少させることができ、クロストークノイズに起因する回路誤動作を確実に防止できるノイズ低減回路を提供する。
【解決手段】 電源側に並列に接続された第一及び第二のトランジスタと、前記第二のトランジスタの出力側に直列接続された抵抗手段とを設け、前記抵抗手段の出力側と前記第一のトランジスタの出力側とを出力ノードで接続し、前記出力ノードから出力される出力電圧の変化が段階的になるように前記第一及び第二のトランジスタのオン／オフ動作タイミングを制御する制御回路を備えた。 （もっと読む）