【課題】レベルシフト回路を高速動作する。
【解決手段】一つの実施形態によれば、レベルシフト回路は、第一のトランジスタ、第二のトランジスタ、第一のコンデンサ、及び第二のコンデンサが設けられる。第一のトランジスタは、制御端子に入力電圧が入力される。第二のトランジスタは、制御端子に入力電圧の反転信号が入力される。第一のコンデンサは、一端が第一のトランジスタの第一の端子に接続され、他端に入力電圧の反転信号が入力され、入力電圧の立ち上りのときに電荷を蓄積して第一のトランジスタの第一の端子側から一端側へ第一の電流を発生する。第二のコンデンサは、一端が第二のトランジスタの第一の端子に接続され、他端に入力電圧が入力され、入力電圧の立ち下りのときに電荷を蓄積して第二のトランジスタの第一の端子側から一端側へ第二の電流を発生する。 （もっと読む）

【課題】出力信号の応答特性および消費電流を一定にする。
【解決手段】入力信号の論理に応じた電圧の出力信号を出力するドライバ回路であって、定電圧のバイアス電圧を発生する定電圧発生部と、内部に流れる定電流の電流値に応じて出力信号の振幅が定まり、バイアス電圧の電圧値に応じて出力信号の電位が定まり、入力信号の論理に応じた電圧の出力信号を出力する電流モードロジック回路と、定電圧発生部におけるバイアス電圧の出力端から、設定された電流値の定電流を流し出す調整用定電流源と、電流モードロジック回路内に流れる定電流の電流値に応じて、調整用定電流源に流す定電流の電流値を予め設定する電流設定部とを備えるドライバ回路を提供する。 （もっと読む）

【課題】駆動回路の低駆動電圧化に対応し、入力信号の電圧振幅が小さい場合にも十分な
振幅変換能力を有するレベルシフタを提供する。
【解決手段】信号の電圧振幅の変換部分に、カレントミラー回路１５０および差動回路１
６０を利用したレベルシフタを用いる。トランジスタ１０５、１０６を介して差動回路１
６０に入力された信号の電位差を増幅して出力するため、入力信号の電圧振幅が小さい場
合にも、トランジスタのしきい値の影響を受けることなく、正常な電圧振幅の変換を可能
とする。 （もっと読む）

【課題】ｎＭＯＳトランジスタＭ２のゲート−ソース間に加わる電圧を耐圧電圧未満に制限する際に消費電流の増加を抑制する。
【解決手段】ｐＭＯＳトランジスタＭ１がオフし、かつｎＭＯＳトランジスタＭ２がオンしたとき、ツェナーダイオードＺＤ２により、ｎＭＯＳトランジスタＭ２のゲート端子とソース端子との間の電圧を一定電圧に制限する。ｎＭＯＳトランジスタＭ２のゲート端子とソース端子との間に耐圧電圧よりも高い電圧が加わることを避けることが可能になる。このとき、定電流電源２０ｂが電源からツェナーダイオードＺＤ２を通してグランドに流れる電流を制限する。電源からトランジスタＭ３、Ｍ５ｂ、Ｍ６ｂを通してｎＭＯＳトランジスタＭ２のゲート端子に流れる電流をｎＭＯＳトランジスタＭ６ｂが制限する。 （もっと読む）

【課題】占有面積が小さく、温度変化や素子のバラツキの影響を受け難く、さらに、ノイズを低減することで高品位のレベルシフトを実現することができるレベルシフト回路を提供する。
【解決手段】レベルシフト回路１は、主に、第１の信号（Ｖ_ＩＮ）をレベルシフトして第２の信号（Ｖ_ｍ）を出力するレベルシフト部１０と、ｐＭＯＳトランジスタ３２ａとｎＭＯＳトランジスタ３２ｂを含み、第２の信号を反転させた第３の信号（Ｓ_１）を出力するＣＭＯＳインバータ回路部３２、偶数個のインバータ素子（第１のインバータ３３ａ〜第ｍのインバータ３３ｍ）を含み、第３の信号を遅延させた第４の信号（Ｓ_３）を生成する遅延回路部３３、論理素子を含み、第３の信号及び第４の信号が入力して第５の信号（Ｓ_５）を出力する論理回路部３４、及び第４の信号と第５の信号が入力するＤ−ＦＦ素子３５、を含む出力バッファ部３０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】駆動回路の低駆動電圧化に対応し、入力信号の電圧振幅が小さい場合にも十分な
振幅変換能力を有するレベルシフタを提供する。
【解決手段】信号の電圧振幅の変換部分に、カレントミラー回路１５０および差動回路１
６０を利用したレベルシフタを用いる。トランジスタ１０５、１０６を介して差動回路１
６０に入力された信号の電位差を増幅して出力するため、入力信号の電圧振幅が小さい場
合にも、トランジスタのしきい値の影響を受けることなく、正常な電圧振幅の変換を可能
とする。 （もっと読む）

【課題】 1個の基準電圧源を用いて、中間電圧(コモン電圧)及び出力振幅について温度特性がフラットになり、搭載されるＩＣチップの面積増大を防ぐことが出来るＬＶＤＳ出力回路を提供する。
【解決手段】 中間電圧(コモン電圧)作成用の基準電圧はバンドギャップリファレンス回路１の演算増幅器５の出力部から引き出し、振幅を決める定電流回路の基準電圧はバンドギャップ電圧を作る際に使用する抵抗Ｒ４１、Ｒ４２の節点１４（中間タップ）から引き出す。そして、引き出し部分は電流検出用抵抗Ｒ６の温度特性に合わせる。検出用抵抗の温度特性と中間タップの位置での温度特性を合わせることにより、定電流回路３全体としての温度変化を無くすようにする。このようにして、１つのバンドギャップリファレンス回路１を用いて温度変化無しにＬＶＤＳ出力回路を駆動できる。 （もっと読む）

【課題】最適の時期に出力電流を流して、それ以外の時期には出力電流を止めることによって省エネ性能に優れた小振幅差動パルス送信回路を提供すること。
【解決手段】定電流を送信データに応じて差動的に出力する定電流差動出力回路１０１と、前記定電流差動出力回路１０１の出力を、送信データの値の変化による該出力の過渡現象が収束した後であって次のデータが出力される前における所定期間通過させるスイッチ回路１０２と、前記スイッチ回路１０２の出力を所定電位にバイアスするバイアス回路１０３とを備える小振幅差動パルス送信回路。 （もっと読む）

【課題】安定な断熱的回路動作を実現し、消費電力を抑制することができる電源回路、回路装置及び電子機器等を提供すること。
【解決手段】電源回路２００は、第１の基準電圧を基準として電圧が周期的に変化する、断熱的回路動作用の第１の電源電圧ＶＰと、第２の基準電圧を基準として電圧が周期的に変化する、断熱的回路動作用の第２の電源電圧ＶＭとを出力する電圧出力回路１００と、制御信号ＳＣに基づいて電圧出力回路１００を制御する制御回路２１０と、第１の電源電圧ＶＰ及び第２の電源電圧ＶＭに基づいて制御信号ＳＣを生成して制御回路２１０に出力する制御信号生成回路２４０とを含み、制御回路２１０は、制御信号ＳＣに基づいて、電圧出力回路１００から出力される第１の電源電圧ＶＰ及び第２の電源電圧ＶＭの振幅を可変に制御する。 （もっと読む）

【課題】安定な断熱的回路動作を実現し、消費電力を抑制することができる電源回路、回路装置及び電子機器等を提供すること。
【解決手段】電源回路２００は、第１の基準電圧を基準として電圧が周期的に変化する、断熱的回路動作用の第１の電源電圧ＶＰと、第２の基準電圧を基準として電圧が周期的に変化する、断熱的回路動作用の第２の電源電圧ＶＭとを共振により出力する電圧出力回路１００と、電圧出力回路１００の発振を制御する発振制御回路２１０とを含む。発振制御回路２１０は、第１の電源電圧ＶＰが出力されるノード及び第２の電源電圧ＶＭが出力されるノードのいずれか一方のノードである第１のノードＮ１に接続される駆動回路２２０と、駆動回路２２０を制御する制御回路２３０とを含む。発振制御回路２１０は、制御信号ＳＣに基づいて、第１、第２の電源電圧ＶＰ、ＶＭの振幅を可変に制御する発振制御を行う。 （もっと読む）

【課題】差動出力電圧の振幅のばらつきを抑制した出力回路を提供する。
【解決手段】出力回路は，定電圧ノードと基準電源との間に，複数のスイッチ素子のオン，オフにより合成抵抗値が可変制御可能な複数の抵抗を有し，定電圧ノードに第１の電流を生成する定電流生成回路と，第１の電流をカレントミラーにより生成した第２の電流を，内部回路から供給される内部差動信号に応じて，出力端子対に出力する出力駆動回路と，出力端子対の出力差動電圧の差が所望の電圧差と一致するように，定電流生成回路の複数のスイッチ素子を制御するスイッチ素子制御信号を生成する出力振幅調整部とを有する。 （もっと読む）

【課題】クロック信号の出力バッファにおいて、クロック信号の周波数に応じたスルーレートの調整を行うことによりＥＭＩノイズを抑制することが可能なスルーレートコントロール装置、およびスルーレートコントロール方法を提供すること。
【解決手段】変換ゲインＧｉに応じて、入力されるＶＣＯ入力電圧Ｖｉをクロック信号ＣＫｏに変換する電圧制御発振器１５ａを有するＰＬＬ回路２４ａと、ＶＣＯ入力電圧Ｖｉおよび変換ゲインＧｉの各々に対して正の相関関係を有する制御電流Ｉｂを出力する電圧電流変換器１９ａと、制御電流Ｉｂに応じてドライブ電流を設定するバッファ制御回路２１ａと、ドライブ電流で、クロック信号ＣＫｏを出力する出力回路２２ａとを備える。よって、クロック信号ＣＫｏの周波数ｆに比例して出力回路２２ａのドライブ能力が大きくなる関係を有し、周波数ｆに応じて好適なスルーレートが決定することができる。 （もっと読む）

【課題】効果的に雑音レベルを低減した半導体集積回路を提供する。
【解決手段】差動入力トランジスタであるＰチャネル型ＭＯＳトランジスタＭ１，Ｍ２は、雑音レベルを低減するために薄いゲート酸化膜を有している。これらのＰチャネル型ＭＯＳトランジスタＭ１，Ｍ２を過電圧から保護する保護回路は、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタＭ３，Ｍ４を含んで構成されている。Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタＭ３はＰチャネル型ＭＯＳトランジスタＭ１を過電圧から保護する第１の保護トランジスタであり、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタＭ１のドレイン側に直列に接続されている。Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタＭ４は、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタＭ２を過電圧から保護する第２の保護トランジスタであり、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタＭ２のドレイン側に直列に接続されている。 （もっと読む）

【課題】ソースが共通接続されそれぞれのゲートが二つの入力端子に接続さた二つのトランジスタを有する差動対を備える差動入力回路において、より適正に入力オフセットをより小さくする。
【解決手段】トランジスタＴｉｎ１，トランジスタＴｉｎ２のドレインに高電圧印加回路６０を接続し、トランジスタＴｉｎ１のソースおよびトランジスタＴｉｎ２のソースと接地電圧印加点ＧＮＤとの間にトランジスタＴｓｅｎを設け、論理ローレベルの電圧の制御信号ＳＥＮをスイッチング回路７０に入力すると共に制御信号Ｔｃとしてクロック信号を入力して入力端子ＩＮ１に電圧Ｖ１を印加すると共に入力端子ＩＮ２に電圧Ｖ２を印加し、検出した出力端子ＯＵＴ，ＯＵＴＢの電圧に応じてトランジスタＴｉｎ１，Ｔｉｎ２のドレインに高電圧印加回路６０により電源電圧Ｖｄｄｈを印加する （もっと読む）

【課題】Lレベル出力も高電位側電源から決定されるようにできるレベル変換回路を提供する。
【解決手段】高電位電源VDDから論理レベル設定抵抗R_Lを経由して出力ノードBに至る第1経路と、高電位電源VDDから論理レベル設定抵抗R_Lを経由しないで出力ノードBに至る第2経路と、を設ける。切換えスイッチ部120,110は、Lレベル出力の場合には第1経路を導通させ、Hレベル出力の場合には第2経路を導通させる。さらに、Lレベル出力の場合には、カレントミラー回路130を有する定電流源がONになり、出力ノードBから一定電流を引き抜く。前記出力ノードBは、終端抵抗R_Lを介して終端電圧V_Tに接続されている。Lレベル出力の電位V_OUTは、終端電圧V_Tの値ではなく、論理レベル設定抵抗R_Lの値によって調整される。 （もっと読む）

【課題】 耐圧の低いMOSFETを保護するためにゲート接地として動作する、MOSFETのゲート電圧を生成するための外部電源を不要にする。
【解決手段】 第１電源電圧から一定の大きさの第１電流を生成する定電流生成部と、第１薄膜NMOSFETと第２薄膜NMOSFETから構成され、第１電流に比例した大きさの第２電流を出力する第１カレントミラー回路部と、第２薄膜NMOSFETを保護するためにゲート接地として用いる第３薄膜NMOSFET及び第１厚膜PMOSFETと、第１電源への電流の逆流を防ぐための第１ダイオードと、第３薄膜NMOSFETのゲート−ソース間電圧がマイナスになることを防ぐための第２ダイオードとからなる保護回路部と、第２電流に比例した大きさの第３電流を出力する第２カレントミラー回路部と、第３電流により第１定電圧を生成する第１ツェナーダイオード部とを備える。 （もっと読む）

【課題】レベルシフト回路のデータレートの変化時に発生するスキューを抑制する。
【解決手段】一つの実施形態によれば、レベルシフト回路には第１及び第２のレベルシフタが設けられる。第１のレベルシフタは、第１乃至４のトランジスタが設けられ、レベルシフトされた第１の出力信号を出力する。第２のレベルシフタは、第５乃至８のトランジスタが設けられ、レベルシフトされた第１の出力信号とは逆位相の第２の出力信号を出力する。第１の入力信号が入力される第１のトランジスタと差動対をなす第２のトランジスタに、第１の入力信号とは逆位相のハイレベルの第２の入力信号が入力されると第３及び４のトランジスタも同時にオンする。第２の入力信号が入力される第５のトランジスタと差動対をなす第６のトランジスタに、ハイレベルの第１の入力信号が入力されると第７及び８のトランジスタも同時にオンする。 （もっと読む）

【課題】レベル変換時の信号の立ち上がりを速くすることのできるレベル変換バススイッチを提供する。
【解決手段】実施形態のレベル変換バススイッチは、低電圧レベル信号が伝送される低電圧レベル信号線と高電圧レベル信号が伝送される高電圧レベル信号線との間に、低電圧レベルの制御信号により導通が制御されるＭＯＳトランジスタ型のスイッチ１が接続され、高電圧レベル信号線と高電圧電源線ＶｃｃＢとの間に、プルアップ抵抗２が接続される。このレベル変換バススイッチでは、加速回路３が、高電圧レベル信号の立ち上がりをプルアップ抵抗２による立ち上がりよりも速くし、加速期間制御回路４が、加速回路３の作動期間を制御する。 （もっと読む）