【課題】高電位信号を低電位信号に変換する入力回路であって、適切なターゲット反転電位で動作可能な入力回路を提供する。
【解決手段】入力回路は、インバータ、第１パス制御回路、及び第２パス制御回路を備える。インバータの入力は第１ノードに接続される。ターゲット反転電位は、インバータの反転電位よりも高い。第１パス制御回路は、入力電位がターゲット反転電位より低い場合、入力端子と第１ノードとの間の電気的接続を遮断し、入力電位がターゲット反転電位より高い場合、入力端子と第１ノードとを電気的に接続する。第２パス制御回路は、入力電位がターゲット反転電位より低い第２反転電位より低い場合、グランド端子と第１ノードとを電気的に接続し、入力電位が第２反転電位より高い場合、グランド端子と第１ノードとの間の電気的接続を遮断する。 （もっと読む）

【課題】高電圧信号を出力する回路を低耐圧トランジスタで構成しても、信頼性を向上させることのできる出力回路を提供する。
【解決手段】実施形態の出力回路は、出力部１が、高電圧電源端子ＶＣＣＨと出力端子とＺの間に接続されＰＭＯＳトランジスタＰ１１、Ｐ１２と、接地電位端子ＧＮＤと出力端子Ｚとの間に接続されたＮＭＯＳトランジスタＮ１１、Ｎ１２とを有し、低電圧入力信号ＩＮが入力されるプリバッファ部２が、ＰＭＯＳトランジスタＰ１１、ＮＭＯＳトランジスタＮ１１へ、ＶＣＣＨよりも小さい振幅のゲート電圧ＰＧ、ＮＧを出力する。ＰＭＯＳトランジスタＰ１２およびＮＭＯＳトランジスタＮ１２のゲート端子へＶＣＣＨよりも低い定電圧ＶＧが印加され、ＰＭＯＳトランジスタＰ１２の基板へＶＣＣＨよりも低い基板バイアス電圧ＶＢＰが印加され、ＮＭＯＳトランジスタＮ１２の基板へ接地電位よりも高い基板バイアス電圧ＶＢＮが印加される。 （もっと読む）

【課題】電源線と機能回路の間に電源スイッチとして接続されるＭＯＳトランジスタのオン時のバックゲートの電圧を簡単な構造で調整することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】一対の電源線２、３と、機能回路４ａ_０〜４ａ_ｎと、一対の電源線２、３との少なくとも一方と機能回路４ａ_０〜４ａ_ｎの間に接続されるスイッチング回路６ａ_０〜６ａ_ｎ、７ａ_０〜７ａ_ｎとを有し、スイッチング回路６ａ_０〜６ａ_ｎ、７ａ_０〜７ａ_ｎは、ソース／ドレインの一方が機能回路４ａ_０〜４ａ_ｎに接続され、他方が前記一対の電源線２、３の一方に接続される第１のＭＯＳトランジス１１と、第１のＭＯＳトランジスタ１１のゲートとバックゲートを接続する抵抗素子１２、２１と、第１のＭＯＳトランジスタ１１のゲートに接続されるゲート電圧制御回路１３と、を有する。 （もっと読む）

【課題】広いダイナミックレンジと良好な周波数特性を得ることができる信号出力回路を提供する。
【解決手段】実施形態の信号出力回路は、ゲート端子へ一定の電圧Ｖｇが印加され、ソース端子へ入力信号ＩＮが印加されるゲート接地型のＮＭＯＳトランジスタ１と、ゲート端子がＮＭＯＳトランジスタ１のドレイン端子に接続され、ソース端子から出力信号ＯＵＴが出力されるソースフォロワであるＮＭＯＳトランジスタ２とを備える。この信号出力回路は、バックゲートバイアス生成部３が、ＮＭＯＳトランジスタ１およびＮＭＯＳトランジスタ２のバックゲート端子へ印加する共通のバックゲートバイアス電圧Ｖｂを生成する。 （もっと読む）

【課題】素子面積の増加を抑制しつつ、動作速度が向上する半導体装置を提供する。
【解決手段】本明細書に開示する半導体装置は、ボディ領域１１ａ、１１ｂと、ボディ領域１１ａ、１１ｂ上にゲート絶縁層１２ａ、１２ｂを介して配置されるゲート電極１３ａ、１３ｂと、ボディ領域１１ａ、１１ｂを挟んで配置される一対のソース／ドレイン領域１４ａ、１４ｂ、１４ｃと、を有する電界効果型トランジスタ１０ａ、１０ｂを複数備え、複数のトランジスタ１０ａ、１０ｂは、ボディ領域１１ａ、１１ｂ同士が電気的に接続されており、複数のトランジスタ１０ａ、１０ｂの内の一のトランジスタ１０ａのゲート電極１３ａのみが、複数のトランジスタ１０ａ、１０ｂの内の何れかのトランジスタのボディ領域と電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】入力信号の交流成分の歪み等の影響をなるべく受けることなく、本来のデューティー比（目標デューティー比）で出力信号を出力することのできるバッファ回路を提供する。
【解決手段】バッファ回路１０は、デューティー比検出部１６と直流成分生成部１７とから構成される負帰還回路部によって、入力信号増幅部１５の入出力間で出力信号ＳＯのデューティー比に応じた直流成分の信号を帰還させている。つまり、バッファ回路１０は、出力信号ＳＯのデューティー比に応じて、入力信号ＳＩ´の直流成分をさらに小さくしたり、大きくしたりする。これにより、バッファ回路１０は、出力信号ＳＯのデューティー比を目的デューティー比に変更した上で、その出力信号ＳＯを出力することができる。 （もっと読む）

【課題】切り替えスイッチのオンオフに伴うノイズがバイアスラインに重畳するのを防ぐ。
【解決手段】バイアス電流が流れるバイアスラインＶＬと、バイアス電流の量を制御信号ＤＤに基づいて切り替える切り替えスイッチ７０と、制御信号ＤＤが供給される制御ラインとバイアスラインＶＬとの間の寄生容量を介して制御信号ＤＤの変化時に生じるバイアスラインＶＬの電位変動を相殺する相殺回路９１〜９３とを備える。本発明によれば、切り替えスイッチ７０のオンオフに伴ってバイアスラインＶＬに生じるノイズを相殺することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】
ＣＭＯＳ回路に中間電圧の入力信号が長時間連続して入力された場合にも貫通電流の発生を短時間にとどめることができる半導体集積回路を提供する。
【解決手段】
本発明の一実施態様に係る半導体集積回路は、入力端子と、出力端子と、ゲートが前記入力端子に接続されソースが高電位電源配線に接続された第１ＰＭＯＳトランジスタ及びゲートが前記入力端子に接続されソースが低電位電源配線に接続された第１ＮＭＯＳトランジスタを含み、当該第１ＰＭＯＳトランジスタと当該第１ＮＭＯＳトランジスタとが同時に導通しないように構成された第１ＣＭＯＳ回路と、入力端が前記第１ＣＭＯＳ回路に接続され出力端が前記出力端子に接続された第２ＣＭＯＳ回路と、この第２ＣＭＯＳ回路の出力端とと高電位電源配線及び高電位電源配線との間にそれぞれ配置された第２ＰＭＯＳトランジスタと第２ＮＭＯＳトランジスタと、を備える。 （もっと読む）

【課題】電源電圧が低電圧化したときの動作不良の発生を抑制することのできるレベルシフト回路を提供する。
【解決手段】レベルシフト回路１は、第１の高電位電圧ＶＬを信号レベルとする入力信号Ｓｉに応じて相補的にスイッチング制御されるＮチャネルＭＯＳトランジスタＴＮ１，ＴＮ２を有するレベル変換部１０を備える。レベルシフト回路１は、第１の高電位電圧ＶＬの低下を検出したことを示す検出信号ＤＳを生成する検出部２０と、検出信号ＤＳに応じて、トランジスタＴＮ１，ＴＮ２の閾値電圧が低くなるようにトランジスタＴＮ１，ＴＮ２のボディバイアスＶｂｂを制御する制御部３０とを備える。 （もっと読む）

【課題】昇圧した電圧でＬＣＤを駆動するような場合でも、その共用の入出力端子から実用的な出力データ信号の出力が可能となる。
【解決手段】入出力回路１００において、スリーステート出力バッファが出力データ信号とＬＣＤ駆動信号の両方に対してそれぞれ第１、第２出力バッファ１０６、１０８として設けられ、第１出力バッファ１０６を構成するＰチャンネルＭＯＳトランジスタ１１６のソース端子に電源電圧Ｖ１が供給され、且つ出力データ信号が出力として選択されていない状態でＰチャンネルＭＯＳトランジスタ１１６、１１８のバックゲート端子に電源電圧Ｖ１から昇圧された昇圧電圧Ｖ２が供給され、更に、第２出力バッファ１０８を構成するＰチャンネルＭＯＳトランジスタ１１６のソース端子とバックゲート端子とに昇圧電圧Ｖ２が供給される。 （もっと読む）

【課題】チップ面積を削減させると共に、動作周波数をより高くする。
【解決手段】外部接続端子ＶＩＯと、ソースを電源に接続し、ドレインを外部接続端子ＶＩＯに接続し、ゲートに駆動信号が供給可能とされるＰＭＯＳトランジスタＭＰ７と、ＰＭＯＳトランジスタＭＰ７のバックゲートと電源間に接続され、開閉が制御されるバックゲート制御回路２２と、ＰＭＯＳトランジスタＭＰ７のドレイン・ゲート間に接続され、開閉が制御されるゲート制御回路２３と、ＰＭＯＳトランジスタＭＰ７のゲートと駆動信号が供給される駆動端との間に接続され、開閉が制御される駆動側制御回路２４と、を備え、外部接続端子ＶＩＯから駆動信号に係る信号を出力しないハイインピーダンス状態において、バックゲート制御回路２２および駆動側制御回路２４が開放状態とされ、ゲート制御回路２３が短絡状態とされる。 （もっと読む）

【課題】回路規模を増大させることなくトランジスタの閾値電圧に応じた制御電圧を精度良く生成することが可能な制御電圧生成回路を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる制御電圧生成回路は、高電位側電源と低電位側電源との間に直列に接続された同一導電型の複数のＭＯＳトランジスタを有し、何れかのＭＯＳトランジスタのドレイン電圧を参照電圧Ｖｐ１として生成する参照電圧生成部１１と、高電位側電源と低電位側電源との間に直列に接続され参照電圧生成部１１と同一導電型の複数のＭＯＳトランジスタを有し、何れかのＭＯＳトランジスタのゲートに参照電圧が供給され、何れかのＭＯＳトランジスタのドレイン電圧を制御電圧（バイアス電圧）として出力する電圧変換部１２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】リーク電流がスイッチ回路に接続される回路に影響を与えることを抑制することが可能なスイッチ回路の提供。
【解決手段】第１の電位と第２の電位の間の接続状態をオンオフする第１のトランジスタと、該第１のトランジスタのドレインにソースが接続され、前記第１のトランジスタと略同一の特性を有する第２のトランジスタとを備え、前記第１のトランジスタをオフした時に、前記第１のトランジスタのゲート−ソース間電圧Ｖ_GS1と、前記前記第２のトランジスタのゲート−ソース間電圧Ｖ_GS2が略等しくなることを特徴とするスイッチ回路。 （もっと読む）

【課題】出力端子をシンク型又はソース型に切換える場合に、基板を交換する必要がなく、また出力端子に誤って電源を接続してもスイッチング素子の破損を防止することができる出力回路及び該出力回路を備える出力装置を提供する。
【解決手段】ディップスイッチ８１にてソース型出力対応モードを選択した場合に、第２スイッチング素子３２を常時オンにし、第１スイッチング素子３１のオン／オフ制御によって、外部機器への出力をオン／オフ制御する。ディップスイッチ８１にてシンク型出力対応モードを選択した場合に、第１スイッチング素子３１を常時オンにし、第２スイッチング素子３２のオン／オフ制御によって、外部機器への出力をオン／オフ制御する。またソース型出力対応モードを選択した状態で、第２出力端子３２に誤って外部電源を接続した場合、第２スイッチング素子３２に大電流が流れるが、直ちにヒューズ３５が切断される。 （もっと読む）

【課題】 電源ノイズを緩和しながら、内部回路が動作を開始するまでの時間を短縮する。
【解決手段】 内部回路は、基板電圧が供給されるトランジスタを含み、内部電源電圧を受けて動作する。電源スイッチは、内部回路を動作させるための電源オン信号の活性化中に外部電源線を内部電源線に接続する。基板電圧制御回路は、電源オン信号の活性化により上昇する内部電源電圧が目標電圧を超えたときに、基板電圧を第１電圧から第２電圧に変更する。第１電圧を基板電圧として受けているトランジスタのソース・ドレイン間電流は、第２電圧を基板電圧として受けているトランジスタのソース・ドレイン間電流より少ない。このため、電源スイッチがオンした後、内部電源電圧が低い期間にトランジスタのソース・ドレイン間電流を少なくでき、内部回路を流れる貫通電流を少なくできる。 （もっと読む）

【課題】従来技術によるスイッチ回路装置では、ドライバ回路がアンテナ端子とポートとの間に振幅の大きい高周波信号を入力した際に、ドライバ回路内部でリーク電流が発生し、スイッチ回路装置の消費電力が増大する、という問題がある。
【解決手段】ドライバ回路の出力部に、リーク電流抑制回路部を設ける。本発明のスイッチ回路装置によれば、リーク電流抑制回路部が高周波信号の侵入を抑制するので、ドライバ回路は出力状態を保持することが出来て、リーク電流の問題が解決される。 （もっと読む）

【課題】回路構成が簡易、小型でウェル・バイアス電圧の立ち上がり時間が短く、安定した負昇圧クロックを供給することが可能なクロック負昇圧回路を提供する。
【解決手段】クロック負昇圧回路部３０１、クロック負昇圧回路部３０２、クロック負昇圧回路部３０１、クロック負昇圧回路部３０２のウェル層上に設けられたＮＭＯＳトランジスタ１０７に電圧を供給するキャパシタ４０３、ＮＭＯＳトランジスタ１０４を備え、クロック負昇圧回路部３０１が備えるＮＭＯＳトランジスタ１０４とキャパシタ４０３とを接続する電圧ライン３０３、クロック負昇圧回路部３０２が備える２つのＮＭＯＳトランジスタ１０４の出力を接続する電圧ライン３０３によってクロック負昇圧回路を提供する。 （もっと読む）

【課題】電源電圧の変動に起因する入力信号と出力信号のデューティばらつきを抑制する。
【解決手段】トランスミッタ１０は、一端から充電電圧Ｖａが引き出されるコンデンサ１０５と、コンデンサ１０５の充電電流Ｉ１を生成する第１定電流源１０３と、コンデンサ１０３の放電電流Ｉ２を生成する第２定電流源１０４と、送信入力信号ＩＮの論理レベル、及び、充電電圧Ｖａと基準電圧Ｖｒｅｆとの比較結果に基づいて、コンデンサ１０５の充放電制御を行う充放電制御部（１０１、１０２、１０６）と、充電電圧Ｖａに応じてスルーレートが設定され、出力側電源電圧Ｖ２に応じて信号振幅が設定される送信出力信号ＯＵＴを生成する出力段（１０９〜１１６）と、出力側電源電圧Ｖ２に依存して基準電圧Ｖｒｅｆを変動させる基準電圧生成部１０７と、基準電圧Ｖｒｅｆに依存して充電電流Ｉ１及び放電電流Ｉ２の各電流値を変動させる定電流制御部１０８と、を有する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構造により、ＭＯＳＦＥＴのサブスレショールドリーク電流を低減することができる半導体集積回路装置を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる半導体集積回路装置は、被制御回路５と基板バイアス制御回路１０１を有する。被制御回路５は、基板上に形成される１以上のＭＯＳＦＥＴを有する。基板バイアス制御回路１０１は、出力端から被制御回路５の基板に供給する基板バイアスを制御する。基板バイアス制御回路１０１は、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴ１及び２を有する。Ｎ型ＭＯＳＦＥＴ２は、被制御回路５のＭＯＳＦＥＴと同じ電流−電圧特性を有し、サブスレショールドリーク電流を接点Ｂの電圧ＶＢに変換する。Ｎ型ＭＯＳＦＥＴ１は、一端が基板バイアス制御回路１０１の出力端と接続され、接点Ｂの電圧ＶＢに応じて基板バイアスを接地電位以下に制御する。 （もっと読む）

【課題】メモリアレイのワードライン・ドライバ回路として使用できる、大きくなく、低消費電力の回路を提供する。
【解決手段】半導体・オン・インシュレータ（ＳｅＯＩ）基板上に形成された回路であって、電源電位を印加する為の第１、第２の端子間に第２のチャネル型のトランジスタと直列の第１のチャネル型のトランジスタを含み、トランジスタの各々が薄層におけるドレイン領域およびソース領域と、ソース領域とドレイン領域間に延びるチャネルと、チャネルの上方に配置されたフロント・コントロール・ゲートとを備え、各トランジスタが、トランジスタのチャネルの下方のベース基板に形成され、かつトランジスタの閾値電圧を調整する為にバイアスされうるバック・コントロール・ゲートを有し、トランジスタのうちの少なくとも１つが閾値電圧を十分に調整するバックゲート信号の作用の下、空乏モードで動作するように構成される。 （もっと読む）