説明

Fターム[5J067QA02]の内容

マイクロ波増幅器 (6,140) | 構造 (223) | 半導体構造 (100) | 断面構造、積層構造 (34)

Fターム[5J067QA02]に分類される特許

1 - 20 / 34


【課題】ユニットセルの組み合わせで形成されるすべてのループ発振を抑制することができる高周波増幅器を提供する。
【解決手段】実施の形態に係る高周波増幅器は、入力された信号を分配する分配回路と、分配回路が分配した信号を増幅するFETセルと、分配回路とFETセルのゲート端子との間に直列に接続され、キャパシタと抵抗との並列回路から構成される安定化回路と、FETセルが増幅した信号を合成する合成回路とを備え、安定化回路をFETセルごとに配置する。 (もっと読む)


【課題】ICチップのプロセスばらつきによって高周波特性がばらついた場合でも、回路特性を最適化できるICチップを基板にフリップチップ実装する無線装置を提供する。
【解決手段】無線装置は、マイクロ波、ミリ波帯の電力増幅器用高周波ICチップ100、バンプ102、入力端子103、出力端子104、基板105、アンダーフィル106、プロセスばらつき検出部110を有する。プロセスばらつき検出部は、プロセスばらつきによる回路特性の変動量をモニタし、モニタされた回路特性の変動量を用いて、算出されたパラーメータを有するアンダーフィル106が、基板105とミリ波帯の電力増幅器用高周波ICチップ100との間に充填されることで、プロセスばらつき及びアンダーフィルの影響があっても、所望の回路特性が得られる無線装置を提供できる。 (もっと読む)


【課題】高周波電力増幅器の汎用性を確保しつつ、低コスト化及び小型化が可能な半導体パッケージ(P)を提供すること。
【解決手段】接地導体(131)と、前記接地導体(131)の上部に設けられた2層の高周波基板(130)と、上層の前記高周波基板(130)を挟むように設けられた一対の導体(134)と、を含む、半導体パッケージ(P)が提供される。また、この半導体パッケージ(P)を含む高周波電力増幅器(100)が提供される。 (もっと読む)


【課題】差分周波数Δfが数百MHzにおいても高周波半導体チップのドレイン端面の電圧が平滑化された半導体装置を提供する。
【解決手段】高周波半導体チップと、高周波半導体チップの入力側に配置された入力側分布回路と、高周波半導体チップの出力側に配置された出力側分布回路と、入力側分布回路に接続された高周波入力端子と、出力側分布回路に接続された高周波出力端子と、高周波半導体チップのドレイン端子電極近傍に配置された平滑化キャパシタとを備え、高周波半導体チップと、入力側分布回路と、出力側分布回路と、平滑化キャパシタとが1つのパッケージに収納されたことを特徴とする半導体装置。 (もっと読む)


【課題】 平衡型増幅器の性能を損なわず、小型のモジュールを提供すること、他の回路機能とともに複合して無線通信装置の高周波回路部を構成可能なモジュールを提供することを目的とする。
【解決手段】
絶縁体層と導体パターンとを含む多層基板に、一対の増幅器の入力側に第1ハイブリッド回路を出力側に第2ハイブリッド回路を有する平衡型増幅器を構成したモジュールで、 積層方向に連なる複数のビアホールでなるビアホール群を縦列して構成されたシールドによって、前記第1ハイブリッド回路と前記第2ハイブリッド回路とを区画した。 (もっと読む)


【課題】分布定数型増幅器を用いた光変調器の駆動回路であって、光変調器からの光出力の立ち上がり時間や立ち下がり時間を短くし得る駆動回路を提供する。
【解決手段】光変調器駆動回路は、複数の第1の非反転増幅器及び反転増幅器を備える。第1の非反転増幅器は、入力端と出力端との間に設けられている。第1の非反転増幅器はそれぞれ、入力端からの入力信号を固有の遅延時間で受け、出力端において第1の遅延時間で出力信号を与える。反転増幅器は、入力端と出力端との間に設けられている。反転増幅器は、入力信号を受け、出力端において第1の遅延時間より大きい第2の遅延時間で出力信号を与える。 (もっと読む)


【課題】差分周波数Δfが数百MHzにおいても高周波半導体チップのドレイン端面の電圧が平滑化された半導体装置を提供する。
【解決手段】高周波半導体チップと、高周波半導体チップの入力側に配置された入力整合回路と、高周波半導体チップの出力側に配置された出力整合回路と、入力整合回路に接続された高周波入力端子と、出力整合回路に接続された高周波出力端子と、高周波半導体チップに接続される平滑化キャパシタ用端子とを備え、高周波半導体チップと、入力整合回路と、出力整合回路とが1つのパッケージに収納された半導体装置。 (もっと読む)


【課題】差分周波数Δfが数百MHzにおいても電力増幅器用バイアス回路のリップル電圧ΔVが抑制されてバイアス回路電圧が平滑化され、マイクロ波/ミリ波/サブミリ波帯の高周波に適用可能な電力増幅器用バイアス回路を提供する。
【解決手段】電力増幅器の出力側整合伝送線路のバイアス回路接続点に接続された第1ボンディングワイヤと、第1ボンディングワイヤの終端に接続された第2ボンディングワイヤと、第1ボンディングワイヤの終端に接続されたオープンスタブ伝送線路と、第2ボンディングワイヤの終端に接続されたバイパスリザバーキャパシタとを備える電力増幅器用バイアス回路。 (もっと読む)


【課題】パッケージの電極部と整合回路との間で生ずるインピーダンスの不整合を改善することができる高周波半導体装置を提供すること。
【解決手段】入出力用電極部16、17を有するパッケージ11とパッケージ内部に載置された半導体チップ12と半導体チップおよび入出力用電極部にそれぞれ電気的に接続された入出力整合回路パターン22、31と、入出力整合回路パターンと入出力用電極部16、17とをそれぞれ接続する第1、第5の導体線23、32と、入力整合回路パターン22および出力整合回路パターン31上にそれぞれ載置された小型チップコンデンサ24、33と、これらの小型チップコンデンサと入力用電極部とを接続する第2、第6の導体線25、34と、を具備し、小型チップコンデンサは、小型チップコンデンサの容量および第2、第6の導体線25、34のインダクタンスによって決定される共振周波数が、使用周波数帯に含まれる容量を有する。 (もっと読む)


【課題】高温通電時には、バイアスジャンプを回避することができ、実運用時には、外部電源を製品によらず共通化することができる。
【解決手段】半導体装置24と、入力整合回路17と、出力整合回路18と、入力整合回路17に接続された高温動作用ゲートバイアス回路60および運用時用ゲートバイアス回路70と、高温動作用ゲートバイアス回路60に接続された高温動作用ゲートバイアス端子31aと、運用時用ゲートバイアス回路70に接続された運用時用ゲートバイアス端子41aと、入力整合回路17に接続された高周波入力端子21aと、出力整合回路18に接続されたドレインバイアス回路80と、ドレインバイアス回路80に接続されたドレインバイアス端子41bと、出力整合回路18に接続された高周波出力端子21bとを備え、1つのパッケージに収納された高周波モジュール1。 (もっと読む)


【課題】高温通電時にはバイアスジャンプを回避し、実運用時には外部電源を製品によらず共通化し、かつ端子数を削減する。
【解決手段】半導体装置24と、入力整合回路17と、出力整合回路18と、運用時用ゲートバイアス回路70と、運用時用ゲートバイアス回路70に接続された運用時用ゲートバイアス端子41aと、入力整合回路17に接続された高周波入力端子兼高温動作時用ゲートバイアス端子21aと、出力整合回路18に接続されたドレインバイアス回路80と、ドレインバイアス回路80に接続されたドレインバイアス端子41bと、出力整合回路18に接続された高周波出力端子21bとを備え、1つのパッケージに収納された高周波モジュール1およびその動作方法。 (もっと読む)


【課題】高い入力電力耐性と、低い雑音指数の両者を達成する低雑音増幅器を提供すること。
【解決手段】低雑音増幅器は、第一のIII族窒化物系トランジスタと、第一のIII族窒化物系トランジスタに結合された第二のIII族窒化物系トランジスタとを含んでいる。第一のIII族窒化物系トランジスタは、入力信号に対する第一増幅段を提供するように構成され、第二のIII族窒化物系トランジスタは、入力信号に対する第二増幅段を提供するように構成される。 (もっと読む)


【課題】小型で伝送損失の少ないインピーダンス変換器、集積回路装置を実現する。
【解決手段】集積回路装置は、インピーダンス変換器15と、集積回路11A,11Bとを有し、インピーダンス変換器15は、第1の誘電率を有する第1の基板21の上方に設けられ、第1のインピーダンスを有する第1の伝送線路22A,22Bと、第1の誘電率より高い誘電率を有する第2の基板31の上方に設けられ、第1の伝送線路22A,22Bと電気的に接続され、第1のインピーダンスよりも低い特性インピーダンスを有する第2の伝送線路32AA,32ABおよび第3の伝送線路32BA,32BBと、第2の伝送線路32AA,32ABと第3の伝送線路32BA,32BBとの間に接続される抵抗35A,35Bとを有し、集積回路11A,11Bは、第2の伝送線路32AA,32ABおよび第3の伝送線路32BA,32BBと電気的に接続される。 (もっと読む)


【課題】 簡単な構造で枝回路間の位相ずれによる利得低下を防止可能な信号合成分配回路を提供する。
【解決手段】 本発明の信号合成分配回路10は、基板11に、信号合成点または信号分配点14を有する複数の枝回路12a、12bおよび12cが配線され、前記複数の枝回路の少なくとも1本の枝回路12bが、他の枝回路12aおよび12cと異なる線路長であり、前記異なる線路長の枝回路12bの一部または全部15が、前記基板11中に配線されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】基板やレイアウトの制限がある場合においても、実現可能なレイアウトで広帯域に出力整合することが可能な高出力増幅器を得る。
【解決手段】入力端子1に入力される高周波信号を整合する入力整合回路4と、入力整合回路4で整合された高周波信号を増幅させる増幅素子3と、増幅素子3で増幅された高調波信号の出力インピーダンスを、出力端子2の特性インピーダンスに整合する出力整合回路7,8と、増幅素子3と出力整合回路7,8とを接続する出力ワイヤ6とを備え、出力ワイヤ6のワイヤ長を、増幅素子3の出力容量を打ち消すインダクタ成分が得られる長さに略々設定した高出力増幅器である。 (もっと読む)


【課題】電力効率を向上できるマイクロ波高調波処理回路。
【解決手段】入力端子がトランジスタの出力端子に接続され、所定の電気長を有する直列伝送線路T11の出力端子に1点で並列接続され2次以上でn次(nは任意の整数)までの高調波に対してそれぞれが所定の電気長を持つ異なる長さの(n−1)個の並列先端開放スタブT21〜T26、直列伝送線路と(n−1)個の並列先端開放スタブの内の2つの並列先端開放スタブT25,T26が1つの接続点で接続されて構成された第1ストリップ導体7、(n−3)個の並列先端開放スタブT21,T22,T34,T24が1つの接続点で接続されて構成された第2ストリップ導体3、第1ストリップ導体と第2ストリップ導体との間に配置された接地層5、第1ストリップ導体の接続部20と第2ストリップ導体の接続部22とを電気的に接続するビア10を有する。 (もっと読む)


【課題】広帯域に渡りインピーダンス整合する接続構造を実現すること。
【解決手段】高周波回路チップ100と伝送線路Fとの間に、高周波回路チップに対してワイヤボンディングされ、誘電体上に形成された第1信号線路61Lと、誘電体上において第1信号線路の両側に形成され、誘電体の裏面全体に形成された裏面接地導体と接続された、表面導体50Lの第1部分51Lから成る第1コプレーナ部Aと、第1コプレーナ部の第1信号線路に接続され、信号の伝送方向に沿った2辺に沿って、裏面接地導体と電気的に接続する複数のビアホールから成る側壁導体と、第1信号線路と連続する表面導体の第2部分と、裏面接地導体と、から成る集積導波管とを有する。第1信号線路と第2部分との接続点を、側壁導体間の幅の中点からずれた位置にすることで、この接続点から高周波回路チップ側を見たインピーダンスと集積導波管側を見たインピーダンスを等しくした。 (もっと読む)


【課題】回路構成を複雑にすることなく、所望の周波数帯域において利得を向上させる増幅回路を提供する。
【解決手段】本発明の増幅回路は、半導体基板3と、前記半導体基板3上に形成され、高周波信号を増幅するトランジスタ1と、前記トランジスタ1のソース電極10sに接続された誘導性リアクタンス素子とを有し、前記誘導性リアクタンス素子は、前記半導体基板1の上方に形成され、有機物で構成される有機誘電体層6と、前記有機誘電体層6の前記半導体基板3側と反対側の面上に形成された配線を有する金属再配線層7とを含み、前記配線の一端は、前記トランジスタ1のソース電極10sに接続され、前記配線の他端は接地され、前記誘導性リアクタンス素子のリアクタンス値は、前記高周波信号の周波数帯域の中心周波数において10Ω以下である。 (もっと読む)


【課題】小型化及び利得等の高周波性能の向上を図ることができる半導体装置として、実用的な高周波増幅器を実現する。
【解決手段】トランジスタ101の入力端に配線層103がコプレーナ線路で接続されており、配線層103には、開放端を有する配線層104が二つの方向に分岐されて終端され、配線層103上の位置から、高周波信号が入出力される。 (もっと読む)


無線アプリケーション用の5Wを超える電力で動作する高出力半導体素子(400)は、高出力半導体素子の活性領域(404)を含む半導体基板(402)と、高出力半導体素子の活性領域にコンタクトを提供する、半導体基板上に形成された接触領域(408)と、半導体基板の一部を覆うように形成された誘電体層(412)と、高出力半導体素子に外部接続部を提供するリード線(500、502)と、高出力半導体素子の活性領域とリード線との間の半導体基板上に形成されたインピーダンス整合回路網(510、512)であって、インピーダンス整合回路網は、誘電体層上に形成された複数の導体線(414)であって、活性領域の接触領域に高出力接続部を提供する、接触領域に結合された複数の導体線を含み、該複数の導体線はインピーダンス整合のための所定のインダクタンスを有する、インピーダンス整合回路網とを備える。
(もっと読む)


1 - 20 / 34