【課題】圧電基板に水晶基板を用い励振波をＳＨ波としたＳＡＷデバイスにおいて、広帯域で、且つ優れた周波数温度特性を実現することを目的とする。
【解決手段】圧電基板１２上にＩＤＴ１４と反射器２２（２２ａ，２２ｂ）とを有するＳＡＷ素子片１０を備える。前記圧電基板１２は、回転Ｙカット水晶基板のカット角θを結晶Ｚ軸より反時計方向を正として−６２°≦θ≦−５１°の範囲に設定し、且つ、ＳＡＷの伝播方向を結晶Ｘ軸に対し９０°±５°とした水晶平板であり、前記ＩＤＴ１４を含む励振電極がＷ又はＷを主成分とする合金にて形成されていることを特徴とする。また、このような特徴を有するＳＡＷ共振子１００では、励振するＳＡＷの波長をλ、励振電極の膜厚をＨ、ＩＤＴを構成する電極指のライン占有率をｍｒとした時に、基準化膜厚Ｈ／λとライン占有率ｍｒとの積を、０．００１≦Ｈ／λ・ｍｒ＜０．０２７の範囲内となるように定める。 （もっと読む）

【課題】水晶振動子よりも安価で小型の安定した振動性回路の実現
【解決手段】振動性回路(100)。振動性回路は第１の発振器(110)と、第２の発振器(120)と、ミクサ回路(130)とを含む。第１の発振器は第１の周波数において第１の発振信号(115)を生成するように構成され、第１の周波数温度係数を有する。第２の発振器は第２の周波数において第２の発振信号(125)を生成するように構成され、第２の周波数温度係数を有する。第２の周波数は第１の周波数よりも高く、第２の周波数温度係数は第１の周波数温度係数よりも小さい。ミクサ回路は第１の発振器から第１の発振信号を受信し、第２の発振器から第２の発振信号を受信し、且つ第１の発振信号及び第２の発振信号からミクサ信号を生成するように構成される。ミクサ信号(135)はビート周波数(ｆ_B）における信号成分(136)を含む。ビート周波数は第２の周波数と第１の周波数との差に等しい。 （もっと読む）

【課題】 大規模な回路を必要とせずに比較的精度のよい温度補償をできるようにする。
【解決手段】 周波数温度特性が二次関数で表される弾性表面波共振子の周囲温度を検出し、周囲温度に対応した制御電圧を発生する。制御電圧は、周波数温度特性の頂点温度Ｔｐに対して低温側の領域において、温度の変化に対応させて勾配の異なる直線ａと直線ｂとに沿って変化させる。制御電圧は、頂点温度Ｔｐに対して高温側の領域において、温度の変化に対応させて勾配の異なる直線ａと直線ｂとに沿って変化させる。 （もっと読む）

【課題】 発振回路が発生するノイズが、半導体基板の外周端面に反射し再度発振回路に侵入すること、且つ、外周端面から弾性表面波素子の表面層に回りこむことを抑制する。
【解決手段】 弾性表面波素子１０は、半導体基板２０の表面層に少なくとも発振回路３０と、ＩＤＴ領域４０と、を混在してなる弾性表面波素子１０であって、発振回路３０とＩＤＴ領域４０とを含む周囲、またはそのどちらか一方の周囲をリング形状に取り囲む導電体層としての金属層５０を備え、金属層５０がＧＮＤに接続されている。このようにすることで、発振回路３０が発生するノイズが、半導体基板２０の外周端面に反射し、再度発振回路に侵入すること、且つ、外周端面から弾性表面波素子の表面層に回りこむことを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】 圧電体薄膜の割れ、剥離を生じることなく高温処理などの加熱、冷却を行うことが可能な、薄膜振動片の製造方法、薄膜振動片、薄膜振動子及び圧電発振器を提供する。
【解決手段】 本発明の薄膜振動片の製造方法は、基板１１上に電極部としてのＰＡＤ電極１２を形成し、さらに基板１１上、及びＰＡＤ電極１２の上面に、非晶質薄膜としての、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）薄膜１３を形成する。次に、ＳｉＯ₂薄膜１３上に、圧電体薄膜としての酸化亜鉛（ＺｎＯ）薄膜１４を形成し、ＺｎＯ薄膜１４上面に、励振電極１６、反射器１７を形成する。次に、ＰＡＤ電極１２に対応する部分のＺｎＯ薄膜１４とＳｉＯ₂薄膜１３とを除去し、ＰＡＤ電極１２を露出するための開口部１５を形成する。 （もっと読む）

【課題】 従来構造よりデバイスサイズが小型で、Ｑ値が高く、周波数温度特性に優れたＳＡＷデバイスで、且つ、横高次モードスプリアスレベルを抑制することができるＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】 回転Ｙカット水晶基板のカット角θを結晶Ｚ軸より反時計方向に−６４．０°＜θ＜−４９．３°の範囲に設定した水晶基板１と、該水晶基板１上に形成されたＡｌ又はＡｌを主成分とする合金からなるＩＤＴ２とを備え、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対して直交方向、励振される弾性表面波を水晶基板１の表面付近を伝搬するＳＨ波とし、弾性表面波の波長λで基準化した電極膜厚Ｈ／λを０．０４＜Ｈ／λ＜０．１２に設定した弾性表面波デバイスにおいてＩＤＴ２にダミー電極１１を設けるようにした。 （もっと読む）

【課題】
小型・薄型化することに適し、ＳＡＷ素子片への応力の伝播を抑制することができ、ＩＣを実装する場合には、このＩＣに物理的な負荷をかけること無くＳＡＷ素子片を実装することができるＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】
上記課題を解決するためのＳＡＷデバイス１１０は、ベース１１６の底部にＩＣ１２８を実装し、前記ＩＣ１２８の上部にＳＡＷ素子片１１２を実装するＳＡＷデバイス１１０であって、前記ＩＣ１２８の上部空間に掛け渡され、板面に開口部１２２ａを形成したＴＡＢ基板１２２を備え、前記ＳＡＷ素子片１１２は、励振電極１１２ａを前記開口部１２２ａに対向させた状態で実装し、前記励振電極１１２ａがベース１１６の上部開口部側を向くように配置する構成としたことを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】 実装面積の増大を抑制しつつ、周波数可変発振器に用いられる可変容量素子の大容量化を図る。
【解決手段】 周波数可変発振器には、帰還回路Ｂ１１が形成された半導体チップ１１が設けられるとともに、ＳＡＷ振動子Ｗ１１および可変容量コンデンサＣ１１は半導体チップ１１上に積層され、ＳＡＷ振動子Ｗ１１を構成する薄膜圧電体層１４を用いることで、可変容量コンデンサＣ１１を形成する。 （もっと読む）

【課題】 ニオブ酸カリウムの薄膜を有するニオブ酸カリウム堆積体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係るニオブ酸カリウム堆積体１００は、
Ｒ面サファイア基板１１と、
Ｒ面サファイア基板１１の上方に形成された、金属酸化物からなるバッファ層１２と、
バッファ層１２の上方に形成されたニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層１３と、
ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層１３の上方に形成された、ニオブ酸カリウム層１４またはニオブ酸カリウム固溶体層と、
を含む。 （もっと読む）

【課題】 ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛膜とニオブ酸カリウム膜とが積層された圧電体膜積層体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る圧電体膜積層体１００は、サファイア基板１１と、サファイア基板１１の上に形成されたニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛膜１２と、ニオブ酸カリウム膜１３と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 組み立て工程を簡略化して生産性を向上させることができる圧電振動子を提供することにある。
【解決手段】 本発明の圧電振動子は、支持基板の上面とカバー部材とを、封止部材で両者間に封止空間を形成するように接合し、前記封止空間内に圧電振動素子を収容してなる圧電振動子において、前記支持基板をシリコン基板によって形成するとともに、前記シリコン基板には、貫通配線が設けられ、シリコン基板の外周領域には、封止する為の導体パターンが形成されていることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】 小型化・薄型化を実現し、弾性表面波素子片の実装に適したパッケージの構造を提供する。
【解決手段】 上記課題を解決するための弾性表面波デバイスのパッケージ構造は、弾性表面波素子片１２を配置する厚底部１６ｂと、電子部品１４を配置する薄底部１６ａとを備え、平面座標系における前記弾性表面波素子片と前記電子部品との搭載位置を近接させたベース１６を有することを特徴とする。また上記のようなパッケージ構造において、前記薄底部１６ａと前記厚底部１６ｂとの高低差は、前記薄底部１６ａに搭載する電子部品１４の厚さ以上すると良い。 （もっと読む）

【課題】 ニオブ酸カリウムの薄膜を有するニオブ酸カリウム堆積体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係るニオブ酸カリウム堆積体１００は，
Ｒ面サファイア基板１１と、
Ｒ面サファイア基板１１の上方に形成されたニオブ酸カリウム層１３またはニオブ酸カリウム固溶体層と、
を含み、
ニオブ酸カリウム層１３またはニオブ酸カリウム固溶体層は、擬立方晶表示において（１００）配向でエピタキシャル成長しており、
ニオブ酸カリウム層１３またはニオブ酸カリウム固溶体層の（１００）面は、Ｒ面サファイア基板１１のＲ面（１−１０２）に対して、［１１−２０］方向ベクトルを回転軸として傾いている。 （もっと読む）

【課題】回路要素の配置も考慮に入れることで、発振器自体の小型化並びに該発振器を実装した電子機器の小型化をさらに促進させる。
【解決手段】発振器１０は、複数の誘電体層が積層されて構成された誘電体基板３０に、少なくとも位相器１２と、電力分配器１８とを有する発振器であって、誘電体基板３０内に、位相器１２のカプラ２０を構成する複数の電極が形成された第１の形成領域Ａ１と、位相器１２の反射回路２２を構成する複数の電極が形成された第２の形成領域Ａ２と、電力分配器１８を構成する複数の電極が形成された第３の形成領域Ａ３とを有し、第１の形成領域Ａ１、第２の形成領域Ａ２及び第３の形成領域Ａ３が、それぞれ平面的に分離した位置に配置されている （もっと読む）

【課題】 論理演算により高精度に温度補償を行える温度補償回路を備えた温度補償発振回路を提供する。
【解決手段】 温度補償回路を備えた温度補償発振回路は、圧電振動子１２の周囲温度を測定し、当該測定結果をディジタル信号で出力する温度検出部２２と、前記ディジタル信号を論理演算し、当該演算結果を前記圧電振動子１２の周波数温度特性を補償する補償信号として出力する変換処理部２８と、所定の周波数で発振する前記圧電振動子１２と、前記補償信号に応じて素子値を変化させて前記圧電振動子１２の発振周波数を調整する周波数調整手段とを備えた構成である。 （もっと読む）

【課題】水晶基板を用いたＳＡＷデバイスにおいて、容量比γを小さくし、周波数制御性を高めたＳＡＷデバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】圧電基板１は、回転Ｙカット水晶基板のカット角θを結晶Ｚ軸より反時計方向に−６４．０°＜θ＜−４９．３°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対し９０°±５°にした水晶平板であり、励振する弾性表面波はＳＨ波である。また、ＩＤＴ２及びグレーティング反射器３ａ、３ｂはＡｌ又はＡｌを主成分とする合金からなり、弾性表面波の波長λで基準化した電極膜厚Ｈ／λを０．０４＜Ｈ／λ＜０．１２に設定する。そして、前記ＩＤＴを構成する電極指のライン占有率ｍｒを電極指幅／（電極指幅＋電極指間スペース）とした時に、前記ライン占有率ｍｒを０．５３≦ｍｒ≦０．６５、又は０．５５≦ｍｒ≦０．６８に設定する。 （もっと読む）

【目的】
水晶振動子の位相特性に影響されず、またQ値が低く、直列抵抗の大きな水晶振動子を用いても安定な発振周波数を得ることができる発振器を提供する。
【構成】
コイルとコンデンサからなる共振回路で発振する発振回路の発振ループに発振周波数に等しい共振周波数の共振器を介挿した構成とする。また、コイルとコンデンサからなる共振回路で発振するエミッタ接地のコルピッツ発振回路の分割コンデンサの直列接続点とエミッタとの間に水晶振動子を介挿した構成とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板のＩＣ形成層に積層して弾性表面波素子を備えた弾性表面波装置において、ＩＣと弾性表面波素子の間の素子分離をし、ノイズの発生を防止する弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板１０と、半導体基板１０に形成されたＩＣ形成層１１と、ＩＣ形成層１１に積層された反射層２０と、反射層２０上に形成された圧電薄膜層３０と、圧電薄膜層３０上に形成された弾性表面波素子３１とを備え、反射層２０で弾性表面波素子３１から励振される弾性波を反射させるために、反射層２０の厚さｄ１を、弾性波が反射層２０を伝搬するときの波長の１／４の厚さに形成する。 （もっと読む）

【課題】 反射形アナログ移相器の制御電圧に対する周波数可変幅の直線性を確保しつつ、部品点数の削減を図る。
【解決手段】 第２ポートＰ２にそれぞれ接続される付加制御部４ｂのキャパシタＣ５と３ｄＢ９０°ハイブリッドカプラ４ａのキャパシタＣ４とを共有化するとともに、第３ポートＰ３にそれぞれ接続される付加制御部４ｂのキャパシタＣ７と３ｄＢ９０°ハイブリッドカプラ４ａのキャパシタＣ２とを共有化することにより、３ｄＢ９０°ハイブリッドカプラ４ａの第２ポートＰ２および第３ポートＰ３にそれぞれ接続される付加制御部４ｂのキャパシタＣ５、Ｃ７を除去し、付加制御部４ｂのキャパシタＣ５、Ｃ７を除去した時の３ｄＢ９０°ハイブリッドカプラのキャパシタＣ４、Ｃ２の容量は、付加制御部４ｂのキャパシタＣ５、Ｃ７を除去する前の容量の１．４倍とする。 （もっと読む）

【課題】 複数の周波数帯での通信を１つの送信機、又は受信機で選択的に切り替えて行うことができる送受信機を提供する。
【解決手段】 上記課題を達成するための送信機は、送信信号を出力するための発振器２０と、前記発振器からの出力信号を電波として放出するためのアンテナ４４とを備える送信機である。前記発振器２０は、１つの圧電基板の一主面に、並列配置した複数のＩＤＴを有するＳＡＷ素子と、前記弾性表面波素子に配設された複数のＩＤＴと並列接続した増幅器と、前記増幅器と前記ＩＤＴとの間に設けられ、前記増幅器と前記複数のＩＤＴの中から選択されたものとを並列に接続する接続切替回路と、を備える発振装置２０ａと、入力された信号に従って前記接続切替回路の接続切り替え制御を行うモード切替制御部２６と、前記発振装置からの出力信号を、入力された出力制御信号に従って振幅変調するための出力制御部４０とを有することを特徴とする。また、受信機は、前記発振装置を局部発振器に備えることを特徴とする。 （もっと読む）