【課題】ＩＣチップ又はパッケージの反りならびに破損を回避し、薄型化が可能となる圧電デバイスを提供する。
【解決手段】パッケージ１に形成されている貫通部８の少なくとも一部を塞ぐようにして、ＩＣチップ２が第二凹部６内に配置され、接合力を有する樹脂等からなる接着剤により第二凹部６を構成する回路基板１２の下面に固定されている。そして、ＩＣチップ２と第二凹部６との間には、エポキシ樹脂等の接合力を有する樹脂からなる封止部７が形成されている。このようにして、貫通部８はＩＣチップ２と封止部７とにより塞がれている。このため、第二凹部６内にＩＣチップ２が配置された構造となっていることから、従来のように収納凹部を形成するパッケージ凹部の底面の上にＩＣチップが配置された構造と比べて、ＩＣチップ２又はパッケージ１の反りならびに破損を回避して収納凹部の底面の厚み分、水晶発振器１０の薄型化を実現できる。 （もっと読む）

【課題】可変容量ダイオードのアノード電圧を調整して、制御電圧と周波数との関係の直線性を向上する電圧制御発振器の基準電圧調整方法および電圧制御発振器を提供する。
【解決手段】電圧制御発振器１０は、圧電振動片１２と、カソード側が圧電振動片１２に接続した可変容量ダイオードＣｖと、この可変容量ダイオードＣｖのアノード側に接続した基準電圧発生源１６と、可変容量ダイオードＣｖのアノード側に一方が接続するとともに、他方がパッド１８に接続した抵抗とを備えている。また電圧制御発振器１０は、圧電振動片１２、可変容量ダイオードＣｖ、基準電圧発生源１６および前記抵抗を搭載するパッケージを備えている。そして、このパッケージは、パッド１８と導通し又は導通しないグランド用のボンディング電極を備えている。 （もっと読む）

【課題】小型化された圧電デバイスにおいて、ＩＣチップなどのＩＣ部品の大きさが圧電素子パッケージの大きさに対して相対的に大きくなっても、接続端子と外部電極との接続を容易に確保でき、また、精度よく外部電極を構成できる圧電デバイスを提供する。
【解決手段】水晶振動片１２が収容され側面および底面に接続端子１７、２５を有する水晶振動子パッケージ１８と、水晶振動子パッケージ１８の底面の接続端子２５に接続されるＩＣチップ２０と、ＩＣチップ２０を覆い外形が略直方体形状の絶縁性の樹脂部２２と、樹脂部２２の底面に形成された外部電極２６と、を備え、水晶振動子パッケージ１８の側面に形成された接続端子１７と樹脂部２２の外部電極２６とが、水晶振動子パッケージ１８の側面および樹脂部２２の側面に形成された接続電極２７にて接続されている。 （もっと読む）

【課題】水晶基板を用いた表面波デバイスであり、小型で、Ｑ値が大きく、周波数エージング特性の優れたＳＨ波型ＳＡＷデバイスを得る。
【解決手段】圧電基板と、該圧電基板上に形成されＡｌを主成分とする合金からなるＩＤＴ電極とを備え、励振波をＳＨ波とした弾性表面波デバイスであって、前記圧電基板は、回転Ｙカット水晶基板のカット角θを−６４．０°＜θ＜−４９．３°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対し９０°±５°とした水晶平板であり、励振する弾性表面波の波長をλとした時、前記ＩＤＴ電極の波長で基準化した電極膜厚Ｈ／λを０．０４＜Ｈ／λ＜０．１２としたＳＨ波型弾性表面波デバイスにおいて、前記圧電基板はウエットエッチングにより形成されたエッチング痕を有しており、前記ＩＤＴ電極が前記圧電基板の前記エッチング痕を有する表面に形成されているＳＨ波型弾性表面波デバイス。 （もっと読む）

【課題】寄生容量や寄生インダクタンスを低減しながら初期周波数調整を行なうことを可能とし、安定した特性を有する小型の弾性表面波デバイス、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＳＡＷ発振器１０は、回路定数の異なる複数の発振回路１４〜１６を有する半導体回路領域１３と、ＩＤＴ電極４を有する弾性表面波素子領域１２とを有している。そして、ＩＤＴ電極４のＩＤＴ接続パッド５ａ，５ｂと、複数の発振回路１４〜１６のうち選択された一つの発振回路１５の回路接続パッド１５ａ，１５ｂのそれぞれとが、液滴吐出用導電材料からなる回路接続配線９により接続され、ＳＡＷ発振器１０の一つの回路が形成されている。回路接続配線９は液滴吐出用導電材料からなり、液滴吐出法により形成されているので、マスクが不要で工程の簡略化も可能となり、寄生容量や寄生インダクタンスを低減できる。 （もっと読む）

【課題】スイッチによる周波数の切り替え時に発生する発振波形の乱れを解消した発振回路を提供することにある。
【解決手段】第１のＩＤＴとしてのＩＤＴ１２ａおよび第２のＩＤＴとしてのＩＤＴ１２ｂの極性を反転する際に、スイッチ手段としてのスイッチＳＷ５〜ＳＷ８が遮断されて、第１のＩＤＴとしてのＩＤＴ１２ａおよび第２のＩＤＴとしてのＩＤＴ１２ｂの並列接続状態が解除される期間である期間Ｔｄにおいては、スイッチＳＷ５〜ＳＷ８がすべて遮断状態となる。期間Ｔｄを必要最小限にして十分な値に設定しておけば、何らかの要因で信号Ｖ１１または信号Ｖ２１のレベルが若干ずれたタイミングで切り替わったとしても、両信号が同時にハイレベルとなる事態を回避することができる。したがって、スイッチＳＷ５とスイッチＳＷ６、あるいは、スイッチＳＷ７とスイッチＳＷ８が、それぞれ同時に導通状態となることが回避される。 （もっと読む）

【課題】１つのＳＡＷ共振片を使用して異なる周波数の信号を出力し、インピーダンス素子でＳＡＷ共振片の周波数変化量と制御電圧の関係を調整するＳＡＷ発振器を提供する。
【解決手段】ＳＡＷ発振器１０は、第１ＩＤＴ１４および第２ＩＤＴ１６を圧電基板上に直列配設したＳＡＷ共振片１２と、第１ＩＤＴ１４に入力される信号の位相と第２ＩＤＴ１６に入力される信号の位相とを同じまたは異にするスイッチ部３０と、第１ＩＤＴ１４および第２ＩＤＴ１６に信号を供給する発振段３６と、ＳＡＷ共振片１２に接続されたインピーダンス素子４０とを備えた構成である。 （もっと読む）

【課題】低背化されるとともに、低コストで、且つ安定して製造される圧電デバイスを提供する。
【解決手段】圧電デバイス１０は、圧電振動片２２が内部に搭載された振動子パッケージ２４の裏面に凹部３０を設け、圧電振動片２２を発振させるＩＣチップ４０を凹部３０に搭載し、振動子パッケージ２４に隣接してリード端子５０を配置し、ＩＣチップ４０とリード端子５０とを導通し、振動子パッケージ２４、ＩＣチップ４０およびリード端子５０のインナーリード部をモールド材１６で封止した構成である。 （もっと読む）

【課題】寄生容量および寄生インダクタンスを低減でき、安定した特性を有する小型の弾性表面波デバイスを提供すること。
【解決手段】ＩＤＴ電極７のバスバー７５，７７からそれぞれ引出し電極９により延長され、回路接続パッド５に接続されているため、ＩＤＴ電極７を延長して発振回路などと接続するための接続パッドを設ける必要がない。これにより、寄生容量により電流が消費されることを低減し、発振回路などの消費電力を低減することができる。また、接続パッドと回路接続パッド５とを繋げる金属ワイヤが不要となる。これにより、発振周波数および位相のずれを低減することができる。したがって、発振回路における寄生容量および寄生インダクタンスを低減できる。特に、低電圧駆動に対応し、安定した特性を有するＳＡＷ発振器１０を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】超小形なＦＳＫ送受信装置を提供すること。
【解決手段】デジタルデータをシリアル信号列に変調するエンコーダ回路と前記シリアル信号列により２値の周波数をＦＳＫ変調させＳＡＷ共振素子を発振させる増幅器と、２値の発振周波数状態を切り替えるＳＷ回路を含むＦＳＫ変調回路と、前記ＦＳＫ変調回路からの出力をアンテナに接続するアンテナＳＷ回路とを備える送信系と、前記アンテナからの受信信号は前記アンテナＳＷ回路から２者択一的に選択されてＳＡＷフィルタ素子に入力され、ｆＬ成分とｆＨ成分に分離された後、２チャンネルで構成されているローノイズアンプと検波回路、差動増幅器で構成された周波数弁別回路を経てベースバンド信号として再生され、デコーダ回路により復調されてデジタルデータとする復調系とを備えていることを特徴とするＦＳＫ送受信装置。 （もっと読む）

【課題】寄生容量および寄生インダクタンスを低減でき、安定した特性を有する小型の弾性表面波デバイスを提供する。
【解決手段】ＩＤＴ電極７の左右両側のバスバー７５，７７が形成される領域に回路接続パッド５を含み、バスバー７５，７７が回路接続パッド５に接続されているため、ＩＤＴ電極７を延長して発振回路などと接続するための接続パッドを設ける必要がない。これにより、発振回路における寄生容量による電流の消費を低減し、発振回路などの消費電力を低減することができる。また、接続パッドと回路接続パッド５とを繋げる金属ワイヤが不要となる。これにより、発振回路における寄生インダクタンスによる発振周波数および位相のずれを低減することができる。特に、低電圧駆動に対応し、安定した特性を有するＳＡＷ発振器１０を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】低消費電力でありながら大きな負性抵抗を得ることができる発振回路を提供する。
【解決手段】発振回路は、ＳＡＷ振動子Ｘと、ＳＡＷ振動子Ｘと信号路を介して並列接続され発振駆動されるＣＭＯＳインバータＡ１〜Ａ３と、ＣＭＯＳインバータＡ１〜Ａ３の出力側と入力側との間に、ＣＭＯＳインバータＡ１〜Ａ３の出力側から入力側に信号が正帰還するように、接続された負性抵抗増加回路１０と、負性抵抗増加回路１０とＣＭＯＳインバータＡ１〜Ａ３の入力側との間に接続する容量素子としての帰還用コンデンサＣｆと、を含む。 （もっと読む）

【課題】電子部品を覆う封止材にクラックが入るのを防ぎ、基板と電子部品を接合させる接合材の流れ出しを防いだ電子デバイスを提供する。
【解決手段】表面実装型の電子部品の下面に外部端子１６が設けられている。また前記電子部品が搭載される基板３０上に接合電極３２が設けられている。さらに基板には、開口部３８および切り込み部４０の少なくともいずれか一方が接合電極３２に隣接して設けられている。そして電子デバイスは、外部端子１６と接合電極３２を導電性の接合材１８で接合させて前記電子部品を基板３０に搭載し、前記電子部品の周囲を封止材１２で封止した構成である。この場合、開口部３８や切り込み部４０を前記電子部品の下側に設けることができる。 （もっと読む）

【課題】周波数安定性に優れているとともに、小型化を図れるようにする。
【解決手段】ＳＡＷ発振器１０は、ＩＤＴ２８がすだれ状に形成された、ＳＨ波が伝播する水晶基板２６からなるＳＡＷ素子１４を備えている。ＳＡＷ素子１４は、パッケージ本体１２内に収容してある。また、パッケージ本体１２には、ＩＤＴ２８を介して水晶基板２６を励振し、水晶基板２６にＳＨ波を発生させる発振回路を備えた集積回路１６がＳＡＷ素子１４とともに収容してある。 （もっと読む）

【課題】ＦＳＫ変調器において、周波数の切り替え時における出力振幅の変動を低減する。
【解決手段】圧電体平板上に形成した２個の振動状態を有するＳＡＷ共振子と、増幅器とＳＷ回路からなるＦＳＫ変調器において、前記ＳＡＷ共振子は、主ＩＤＴ、ゲイトＩＤＴ、副ＩＤＴ、1対の反射器で構成した２ポート型のＳＡＷ共振子からなり、かつ前記主ＩＤＴと前記副ＩＤＴの極性をＳＷ回路にて同符号として発振器の増幅器に接続して第１の発振周波数ｆＨを発生し、また前記主ＩＤＴと前記副ＩＤＴの極性を前記のＳＷ回路にて逆符号として発振器の増幅器に接続して第１と若干異なる第２の発振周波数ｆＬを発生する構成とした。 （もっと読む）

【課題】発振周波数の調整を容易にしたインダクタを有する弾性表面波発振器を提供する。
【解決手段】発振用増幅器と帰還回路とから発振閉ループを形成し、前記帰還回路には少なくとも弾性表面波フィルタと、発振周波数を変化させるインダクタと有する弾性表面波発振器において、前記インダクタは少なくともトリミングパターンを有し、前記トリミングパターンの両端子間に最下段が接続した２段以上の第１梯子状パターンと、前記第１梯子状パターンに並列方向に接続した少なくとも第２梯子状パターンを有することを構成とする。 （もっと読む）

【課題】
高周波帯域で使用できると共に低ドライブレベルでの発振が可能な高周波コルピッツ発振回路を提供すること。
【解決手段】
コルピッツ発振回路とコレクタ接地増幅回路とを備え、前記コルピッツ発振回路の出力端子を前記コレクタ接地増幅回路の入力端子とを接続し、前記コレクタ接地増幅回路の出力を前記コルピッツ発振回路に帰還接続するよう構成を有することを特徴とする高周波コルピッツ発振回路。 （もっと読む）

【課題】 ＩＣの小型化、集積化に寄与し、より高い周波数の信号を安定して発生することができる発振回路を提供する。
【解決手段】 発振回路は、所定の共振周波数で共振する圧電振動子１０と、差動接続された少なくとも一対の能動素子を有する差動増幅器と、を含み、圧電振動子１０は一対の能動素子の間に接続されている。ここで、能動素子は電界効果トランジスタであり、圧電振動子１０は、電界効果トランジスタのドレイン間またはゲート間に接続されていてもよい。 （もっと読む）

【課題】 取り扱いが簡便で、生産性に優れ、小型化に対応する。
【解決手段】 圧電振動素子である水晶振動素子３０と、水晶振動素子３０が搭載されるキャビティＫを有する基体１０と、この基体１０のキャビティＫに設けられ、圧電振動素子３０の振動に基づいて発振出力を制御する集積回路素子４０と、圧電振動素子３０を気密封止しつつ集積回路素子４０に所定のデータを書き込むための書込制御端子となる導電性の蓋体２０とを備えて構成される。 （もっと読む）

【課題】圧電基板に水晶基板を用い励振波をＳＨ波としたＳＡＷデバイスにおいて、広帯域で、且つ優れた周波数温度特性を実現することを目的とする。
【解決手段】圧電基板１２上にＩＤＴ１４と反射器２２（２２ａ，２２ｂ）とを有するＳＡＷ素子片１０を備える。前記圧電基板１２は、回転Ｙカット水晶基板のカット角θを結晶Ｚ軸より反時計方向を正として−６２°≦θ≦−５１°の範囲に設定し、且つ、ＳＡＷの伝播方向を結晶Ｘ軸に対し９０°±５°とした水晶平板であり、前記ＩＤＴ１４を含む励振電極がＷ又はＷを主成分とする合金にて形成されていることを特徴とする。また、このような特徴を有するＳＡＷ共振子１００では、励振するＳＡＷの波長をλ、励振電極の膜厚をＨ、ＩＤＴを構成する電極指のライン占有率をｍｒとした時に、基準化膜厚Ｈ／λとライン占有率ｍｒとの積を、０．００１≦Ｈ／λ・ｍｒ＜０．０２７の範囲内となるように定める。 （もっと読む）