【課題】 電界効果トランジスタを用いる電圧制御発振器において、電源電圧変動に伴う発振周波数の揺れを小さくするためにバックゲート端子をソースに接続すると、基板ロスが大きくなり位相雑音特性が劣化する。
【解決手段】 発振トランジスタ１１５のバックゲート端子を、高インピーダンス素子１１９を介してソース端子に接続し、発振トランジスタ１１６のバックゲート端子を、高インピーダンス素子１２０を介してソース端子に接続する。 （もっと読む）

Ｑエンハンスメント回路および方法である。ほとんどの一般的な実施形態において、本発明の回路は寄生抵抗Ｒを有するコンポーネントにより使用されるように構成され、第１の抵抗Ｒ₁がこのコンポーネントと直列に配置され、この構成により抵抗Ｒ₁は負性抵抗になる。示されている実施形態において、第１および第２のインダクタは、Ｑエンハンスメントが行われるコンポーネントを構成する。抵抗Ｒ₁は第１のインダクタと直列に配置され、その寄生抵抗Ｒ_L1と等しい。同様に、第２の抵抗Ｒ₂は第２のインダクタと直列に配置され、その寄生抵抗Ｒ_L2と等しい。Ｑエンハンスメント回路はさらに第１のトランジスタＱ₁および第２のトランジスタＱ₂を備えている。 （もっと読む）

ＬＣ発振器（１）は、一対のコンデンサ（Ｃｖａ，Ｃｖｂ）及び一対のインダクタンス（Ｌａ，Ｌｂ）が結合される交差結合されたＰＭＯＳトランジスタ対（Ｍａ，Ｍｂ）を有する。発振器の信号増幅を向上させるために、各々のＰＭＯＳトランジスタのドレインと、好ましくはソースとの間に結合される一対の補助トランジスタ回路（Ｑａ，Ｑｂ；Ｎａ，Ｎｂ）が設けられる。同調範囲を拡大することを可能にするためにコンデンサ（Ｃｖａ，Ｃｖｂ）は好ましくは可変コンデンサであり、インダクタンス（Ｌａ，Ｌｂ）は好ましくはグランドに接続される。
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【課題】 簡素な構造で、優れたＱ値、およびＣ／Ｎ特性を有し、負荷特性に優れる高周波発振器を構成する。
【解決手段】 高周波発振器は、共振回路１０と、該共振回路１０に接続するとともに出力端子ＯＵＴに接続する帰還増幅回路１とを備える。帰還増幅回路１は、ベースが共振回路１０に接続し、コレクタがインダクタＬ１１を介して駆動電源端子Ｖｂに接続するとともにコンデンサＣ２を介してグランドに接続することにより高周波的に接地し、エミッタがエミッタ抵抗Ｒ１、インダクタＬ１の直列回路とコンデンサＣ１とを介してグランドに接続し、ベース−エミッタ間に帰還用コンデンサＣ３が接続した発振用トランジスタＴｒ１を備える。この発振用トランジスタＴｒ１のベースがバイアス抵抗Ｒ１２を介して出力端子ＯＵＴに接続する。 （もっと読む）

セルラー電話のような電池から電力を得る装置中の集積回路電圧制御発振器（ＶＣＯ）は、比較的狭い制御電圧範囲を使用して非常に広い周波数範囲にわたって同調するように構成されることができる。ＶＣＯの周波数応答は、ＶＣＯ共振回路の一部を形成するバラクタ310a-310bに温度可変電圧ソースを与えることにより温度補償されることができる。バラクタのレファレンス端部は、バラクタ温度依存性を実質的に補償する温度依存性を有する温度依存電圧ソース370、380により供給されることができる。温度依存電圧ソース370,380は、絶対温度比例（ＰＴＡＴ）装置であることができる。ＶＣＯは、基板上に製造されたＣＭＯＳ発振器、基板上のＬＣ共振タンク、および共通の陽極接続を有する少なくとも一対のバラクタ310a、310b；320a、320bを含んでいる。 （もっと読む）

電力節約モード、クロック・モード、リファレンス・モード、およびパルス化モードなどの複数の動作モードと共に、クロック・ジェネレータおよび／またはタイミングおよび周波数のリファレンスを提供する。共振周波数を有する第１の信号を供給するようになっている共振器と、増幅器と、温度に応じてこの共振周波数を修正するようになっている温度補償器と、製造プロセス変動に応じてこの共振周波数を修正するようになっているプロセス変動補償器とを含んでいる。さらに、実質的にこの共振周波数以下の対応する複数の周波数を有する複数の第２の信号に、この共振周波数を有する第１の信号を分周するようになっている周波数分割器と、これらの複数の第２の信号から１つの出力信号を供給するようになっている周波数セレクタとを含むことができる。
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ＬＣ発振器のチューニング方法と装置が開示されている。本発明の実施形態は、ビット比較時間を適応的に制御し、最少の粗チューニング時間が得られるようにすることを含んでいる。ビット比較時間は、ＬＣ発振器のキャパシタアレイ内の対応する加重キャパシタの冗長量に逆比例してスケーリングされる。 （もっと読む）

周波数およびプロトコルにとらわれない、デジタル入力および出力を有する無線周波数集積回路（ＲＦＩＣ）から構成される、完全統合型の、プログラム可能な混合信号トランシーバで、トランシーバは、複数の無線周波数帯域および規格にプログラム可能かつ構成可能で、多くのネットワークおよびサービスプロバイダに接続可能である。ＲＦＩＣは、インダクタンスと、第１の制御信号に応じて同調可能な共振回路にスイッチを入れられ切られるように構成される複数の切り替え可能なキャパシタと、第２の制御信号に応じて変更されることができる少なくとも１つの可変キャパシタとを有する伝送回線を含む同調可能な共振回路を含み、共振回路の共振中心周波数は、複数の切り替え可能なキャパシタの第１のキャパシタンス値と、少なくとも１つの可変キャパシタの第２のキャパシタンス値とを制御する第１および第２の制御信号に応じて電気的に同調可能である。
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従来技術の不利な点を取り除き、特性（１）高い長期安定性、（２）低位相雑音、（３）高耐熱性、（４）その基準発振器の周波数についての正確な値、を改善したＭＥＭＳ基準発振器を提供することが、本発明の目的である。
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本発明は、発振器および周波数シンセサイザに関する。特に、電圧制御デジタルアナログ発振器およびこれを用いた周波数シンセサイザに関する。
本発明は、アナログ入力端に入力される電圧およびデジタル入力端に入力されるデジタル値によって出力信号の周波数が決定される発振器と、間欠的に前記アナログ入力端に入力される電圧を第１の閾値電圧および第２の閾値電圧と大小を比較し、その結果に応じて前記デジタル入力端に入力されるデジタル値を変化させるデジタル同調器と、を備える電圧制御デジタルアナログ発振器を提供する。また、これを用いた周波数シンセサイザを提供する。本発明に係る発振器および周波数シンセサイザは、雑音が少ないながらも、広帯域の周波数出力を得ることができる長所がある。

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ストレインド・シリコン電圧制御発振器（ＶＣＯ）は、ストレインド・シリコン層を有する第１Ｐチャネル金属酸化膜半導体（ＰＭＯＳ）装置を含み、ストレインド・シリコン層を有する第２ＰＭＯＳ装置に結合される。
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集積回路パッケージが、リードワイアと１つまたは複数の入出力（Ｉ／Ｏ）パッケージピンとの接続から形成されるインダクタループを含む。一実施形態では、インダクタループは、集積回路チップ上の第１のボンディングパッドをパッケージの第１のＩ／Ｏピンに接続する第１および第２のワイアと、チップ上の第２のボンディングパッドをパッケージの第２のＩ／Ｏピンに接続する第３および第４のワイアとから形成される。インダクタループを完成するために、第１のＩ／Ｏピンと第２のＩ／Ｏピンは、ピン間の第３の導体によって接続される。第３の導体は、１つまたは複数のボンディングワイアを含むことができ、Ｉ／Ｏピンは、互いに隣接するものであることが好ましい。しかし、ループは、例えばループ長要件、空間の考慮すべき点、および／または他の設計要因もしくは機能要因に基づいて、Ｉ／Ｏピンの非隣接接続から形成することができる。他の実施形態では、第１のＩ／Ｏピンと第２のＩ／Ｏピンの間の接続が、Ｉ／Ｏピンに単一構造を持たせることによって確立される。他の実施形態では、第１のＩ／Ｏピンと第２のＩ／Ｏピンの間の接続が、パッケージ基板の表面上に、またはこの基板内に位置するメタライゼーション層によって確立される。集積回路パッケージの境界線内でインダクタループを形成することにより、空間要件における実質的な削減が実現され、これは小型化を促進する。また、集積回路は、その少なくとも１つのパラメータがパッケージのインダクタループの長さによって制御される様々なシステムのいずれか１つで実装することができる。

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【課題】 ＶＣＯ発振周波数の調整を容易にする。
【解決手段】 ＶＣＯ用共振回路が接続されるボンディングパッド５下のエピタキシャル層２Ａの電位を、従来のフローティング状態から抵抗６を介して所定（Ｖｃｃ）電位に固定することで、エピタキシャル層２Ａの電位変化を速くして、寄生容量値が速やかに安定することから、電源ＯＮ時のドリフトが改善する。 （もっと読む）

【課題】出力高調波が少なく安定性が高いフィルタ帰還型の特性を有し、発振周波数を広い範囲で制御することができる発振回路を提供する。
【解決手段】増幅回路１０の出力は、周波数特性の異なる２つのバンドパスフィルタ１３、１４に分配回路１１により所定の比率に分配されて供給される。バンドパスフィルタ１３、１４の出力は加算回路１５により加算される。さらに、この加算後の出力は増幅回路１０の入力に帰還され、この増幅回路１０により増幅される。このような処理により、増幅回路１０の出力の一部が入力側に正帰還され、所定周波数の信号の増幅が繰り返されて、所定周波数にて発振する出力信号Ｖoutが生成される。このとき、制御回路１２により、前記分配回路１１によって分配される前記所定の比率を変更することにより、出力信号Ｖoutの発振周波数が制御される。 （もっと読む）