【課題】基体上にニオブ酸カリウムナトリウムからなる圧電体層が形成された圧電体積層体を提供する。
【解決手段】圧電体積層体１００は、基体１と、前記基体１の上方に形成された、ニオブ酸カリウムナトリウムからなる第１圧電体層３と、を含む。前記第１圧電体層３は、組成式（Ｋ_ａＮａ_１−ａ）_ｘＮｂＯ_３で表され、該組成式において、０．１＜ａ＜１であり、１≦ｘ≦１．２であることができる。 （もっと読む）

【課題】圧電デバイス用基板の製造方法と圧電デバイス用基板、及びこれを用いた弾性表面波デバイスにおいて、結晶中の欠陥等が少ないとともに、バラツキの少ない伝搬速度が得られること。
【解決手段】Ｌａ_３Ｇａ_５ＳｉＯ_１４単結晶を育成して圧電デバイス用基板に加工する圧電デバイス用基板の製造方法であって、Ｌａ_２Ｏ_３を、４８．０６から４８．８０重量％とし、Ｇａ_２Ｏ_３を、４５．２５から４６．６０重量％とし、ＳｉＯ_２を、５．２１から６．１９重量％とした組成範囲内で秤量してルツボ１内で融解させ、該ルツボ内からＬａ_３Ｇａ_５ＳｉＯ_１４の単結晶Ｃを引き上げ育成する。 （もっと読む）

【課題】ハンドリングの容易な単結晶薄膜からなるAT‐cut水晶振動子用や高機能弾性表面波（SAW）素子用基板の実現とその光ＣＶＤ製造装置を提供する。
【解決手段】シリコン（０１１）基板１０１上にβ‐SiC（０１１）緩衝層（低温成長緩衝層である水晶薄膜）１０２、成長層として水晶（０１１）１０３をヘテロエピタキシャルに結晶成長させた後、前記シリコン基板の裏面に形成されたSiO2膜をマスクとして異方性エッチングで不要なシリコンを除去して水晶エピタキシャル薄膜が露出して存在する領域１０４を形成し、ダイアフラム構造とする。 （もっと読む）

【課題】 コンタクト電極と電解液の液面との距離を短くしても、コンタクト電極と電解液のショートをすることのない、弾性表面波素子片の製造方法、陽極酸化方法およびウエハを提供する。
【解決手段】 ウエハ１２に形成した弾性表面波素子片の電極パターン１４を陽極酸化する工程を有する弾性表面波素子片の製造方法であって、前記電極パターン１４に接続して前記ウエハ１２に設けた導通パターン１６の、電解液から露出させてコンタクト電極１８を接触させる部分の下側に前記電解液の這い上がりを阻止する防液パターン３２の少なくとも一部を前記電解液から露出させて陽極酸化する構成である。 （もっと読む）

【課題】 損失劣化などの影響を生じない高品質な酸化膜を形成することができるＳＡＷデバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】 圧電基板３２上にＩＤＴ電極３３を形成した後で、前記圧電基板の主としてＩＤＴ電極上に二酸化珪素による保護膜を形成するようにしたＳＡＷデバイスの製造方法であって、チャンバー内に、不活性ガスを導入するとともに、該チャンバー内に酸素を同時に導入しながらスパッタリングにより前記二酸化珪素膜を成膜することにより形成する。 （もっと読む）

【課題】圧電性結晶材料などの異方性を有する前記素子材料の表面に損傷を与えることなく、簡便に結晶軸の方向を明確に認識することにより、製造工程の効率化や収率向上が図れるような結晶軸合わせ手法を採用したボールＳＡＷデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】特定の結晶軸方向に光の旋光性を有する透明な球状の圧電性結晶材料の表面に、前記弾性表面波励起手段にあたる電気音響変換手段を形成するにあたり、前記結晶材料に偏光光を入射すると共に、その透過光を、ある偏光方向の光を選択的に高い透過率で通過させる偏光選別手段を経て観察し、前記結晶材料の旋光性と屈折効果に基づく光強度分布を観察すると共に、前記結晶材料に対する前記光強度分布の位置情報により、結晶軸方向を認識する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】 結晶性の良好な圧電体層を含む圧電体堆積体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る圧電体堆積体１００の製造方法は，
Ｒ面サファイア基板１１の上方に第１酸化マグネシウム層２０を形成する工程と、
第１酸化マグネシウム層２０の上方に第２酸化マグネシウム層１２を形成する工程と、
第２酸化マグネシウム層１２の上方に圧電体層１３を形成する工程と、を含み、
第１酸化マグネシウム層２０を形成する工程における酸素の供給量に対するマグネシウムの供給量は、第２酸化マグネシウム層１２を形成する工程における酸素の供給量に対するマグネシウムの供給量より多く、
第１酸化マグネシウム層２０を形成する工程における酸素分圧は，第２酸化マグネシウム層１２を形成する工程における酸素分圧より低い。 （もっと読む）

【課題】 ニオブ酸カリウム層の薄膜を含むニオブ酸カリウム堆積体の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係るニオブ酸カリウム堆積体１００の製造方法は，
基板１１の上方にニオブ酸カリウム層１３を形成する工程と、
少なくともニオブ酸カリウム層１３に対して、大気圧より低い圧力下で行う熱処理工程と，を含む。 （もっと読む）

【課題】基板間の音速バラツキが小さく、ＳＡＷデバイス製造の歩留まりが良好なランガサイト単結晶及びその製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキ法によるランガサイト単結晶Ｃの製造方法であって、ランガサイト単結晶Ｃを引き上げるための引き上げ軸５にＹ５４方位のランガサイト種結晶Ｓを取り付け、引き上げ軸５の回転数を、２０ｒｐｍ以上、３０ｒｐｍ以下の状態で、ランガサイト単結晶Ｃを引き上げることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高性能素子に対応するタンタル酸リチウム基板およびその製造方法ならびにタンタル酸リチウム基板の表面処理方法を提供する。
【解決手段】素子基板として各種素子に用いられるタンタル酸リチウム基板の製造方法であって、タンタル酸リチウム基板を、大気中において、７００℃で所定の時間加熱処理する第１の工程と、上記第１の工程で加熱処理された上記タンタル酸リチウム基板を、毎分２℃よりも速くかつ毎分５℃よりも遅い冷却速度で冷却する第２の工程とを有するようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】７０００ｍ／ｓｅｃ以上の波速、０．２％以上の電気機械結合係数、絶対値が２５ｐｐｍ以下の周波数温度特性（ＴＣＦ）を持つ弾性表面波素子を提供すること。
【解決手段】ダイヤモンド基板４０と、ダイヤモンド基板４０の上に設けられたＳｉＯ_２から成る絶縁膜５０と、絶縁膜５０の上に設けられたＺｎＯから成る圧電膜６０と圧電膜６０の上に設けられた櫛歯電極３０とを有する弾性表面波素子１０であって、圧電膜６０の表面を伝播する弾性表面波の波数（ｋ）と絶縁膜の厚さ（ｈ１）との積ｋｈ１が０．２以上１．２以下であり、圧電膜の表面を伝播する弾性表面波の波数（ｋ）と前記圧電膜の厚さ（ｈ２）との積ｋｈ２が０．６以上１．２以下であることを特徴とする弾性表面波素子１０。 （もっと読む）

【課題】櫛形電極を覆うように絶縁膜が形成された弾性波デバイスの損失を低減する。
【解決手段】圧電性基板１０上の所定方向において間隔が空けられた電極指形成領域１６の間の領域１８にＳｉＯ₂膜１４ａを形成する。ＳｉＯ₂膜１４ａの形成後は、電極指形成領域１６に各電極指１２ａを形成する。各電極指１２ａの形成後は、各電極指１２ａ上及びその間のＳｉＯ₂膜１４ａ上にＳｉＯ₂膜１４ｂを形成する。 （もっと読む）

周波数ばらつきの低減と、反共振周波数におけるＱ値の改善の双方を図り得る１ポート型弾性表面波共振子を提供する。 回転ＹカットＬｉＴａＯ_３基板２と、該ＬｉＴａＯ_３基板２上に形成されたインターデジタル電極３と、インターデジタル電極３の表面波伝搬方向両側に設けられた反射器４，５とが形成されている１ポート型弾性表面波共振子であって、インターデジタル電極３の電極指の幅をａ、電極指間ギャップをｂとしたときに、メタライゼーション比ａ／（ａ＋ｂ）が０．５５〜０．８５の範囲とされており、かつインターデジタル電極３が交差幅重み付けを施されている、１ポート型弾性表面波共振子１。
（もっと読む）

【課題】小型・低挿入損失の音響結合型ＳＡＷデバイスで設計の自由度を高める。
【解決手段】互いに音響結合する第一交差指状電極（ＩＤＴ）と第二ＩＤＴとを含むＳＡＷ装置で、第一ＩＤＴは、少なくとも音響結合される側の端部において第一交差幅を有し、第二ＩＤＴは、少なくとも音響結合される側の端部において第一交差幅より小さい第二交差幅を有し、第二ＩＤＴの開口長を、音響結合される側の端部において第一交差幅以上とした。第二ＩＤＴは、一方のバスバーから延びる交差電極指に対向するように他方のバスバーから当該交差電極指に向け延び且つ第二ＩＤＴの開口長を第一交差幅以上にした拡張部分に延在して第一ＩＤＴの交差幅と第二ＩＤＴの交差幅との差分領域内に侵入する長さ寸法を有する非交差電極指を備える。 （もっと読む）

【課題】 ダイヤモンド積層構造の基板にＩＤＴを形成したダイヤモンドＳＡＷ素子により高周波化を図ることに加え、周波数を高精度に調整し、優れた周波数安定性を実現し、周波数調整量に対する伝送特性及び温度特性の変動を抑制する。
【解決手段】 Ｓｉ基板２の主面にダイヤモンド層３とＺｎＯの圧電体層４と交差指電極からなるＩＤＴ６，８とＳｉＯ_２ の絶縁保護膜１１とを積層してＳＡＷ素子１を形成し、その表面にＡｕ粒子１２をスパッタリングで均一に被着させて、ＳＡＷ素子の周波数を調整する。周波数の調整量は、スパッタ電力を適当に選択しかつその加工時間を設定することによって線形的に制御する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、結合係数が大きな弾性表面波デバイスを素子特性のばらつきなく提供することを目的とする。
【解決手段】そして、この目的を達成するために本発明は、チタンあるいはニオブの少なくとも一方を白金に混入したものをバッファ層３に用いたことにより、バッファ層に酸化物を用いないため組成ずれを起こすことがなく、そのため素子特性のばらつきを生むこともなく、且つ、白金に混入されたチタンあるいはニオブが白金の上層に偏析することにより形成されるチタンあるいはニオブの酸化物を成長の核として、その上面にＸ線構造解析において回折強度が最大となる第１の角度を２２度付近に有し、この第１の角度の次に大きな回折強度を持つ第２の角度を４５度付近に有するニオブ酸カリウムで圧電体層を形成することができるため、電気機械結合係数の大きな弾性表面波デバイスを素子特性のばらつきなく提供することができる。 （もっと読む）

本発明は、無指向性の弾性波反射器(32)上の圧電膜(41)と、圧電膜の表面上に設けてあり、弾性波鏡の禁制帯内の波を励振すべく用いられる励振及び／又は受容手段(43, 44)とを備える弾性波装置に関する。
（もっと読む）

【課題】 液状材料が膜パターン形成領域から流出したり、領域外に濡れ広がることを抑制して、所定のパターン形状及び厚さの膜パターンを形成することができる、膜パターン形成方法、膜パターン、レジスト膜、及び絶縁膜、並びに回路基板、半導体装置、表面弾性波デバイス、表面弾性波発振装置、電気光学装置、及び電子機器を実現する。
【解決手段】 基板１の面を撥液化処理し、液状材料の液滴４を、レジスト膜９を形成する領域２の周縁部に配置し、周縁帯膜７ａを形成する。次に、基板１の面を親液化処理し、周縁帯膜７ａに囲まれた領域内に液状材料を充填して中央膜８を形成し、周縁帯膜７ａと中央膜８とで、レジスト膜９を形成する。絶縁膜も同様に形成する。回路基板、半導体装置、表面弾性波デバイスは、上記方法で形成された膜を備え、電気光学装置は当該半導体装置を備え、電子機器は上記電気光学装置、回路基板、表面弾性波発振装置を備える。 （もっと読む）

【課題】 ＩＤＴの電極の膜厚を大きくしても、所望の周波数特性・性能を維持し得るＳＡＷ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 面内回転ＳＴカット水晶板からなる水晶基板１１の主面に、ＳＡＷの波長λに対してＨ／λ＝０．０５〜０．１５となる厚さＨのＡｌ電極膜１５を形成する。電極膜の上にレジストパターン１６を形成し、電極膜の露出部分をドライエッチングしてその一部を除去しかつその残余部分１５ａをウエットエッチングにより完全に除去することにより、ＩＤＴ１３の交差指電極１２ａ，１２ｂを形成する。このとき、ＳＡＷ伝搬方向に沿って交差指電極の下辺及び上辺における線幅ｄ１，ｄ２が（ｄ１−ｄ２）／電極ピッチｐ＝０〜０．１６となるように設定する。 （もっと読む）

【課題】 良好な圧電特性を得ることができる圧電素子を提供する。
【解決手段】 本発明に係る圧電素子１０は，
基板１と、
基板１の上方に形成された第１導電層４と、
第１導電層４の上方に形成された、ペロブスカイト構造を有する圧電体からなる圧電体層５と、
圧電体層５に電気的に接続された第２導電層６と、を含み、
第１導電層４は，（００１）に優先配向しているランタン系層状ペロブスカイト化合物からなるバッファ層４１を１層以上含む。 （もっと読む）