【課題】不要波が抑圧されており、高性能な弾性境界波装置を提供する。
【解決手段】弾性境界波装置１は、圧電体からなる第１の媒質１１と、第１の媒質１１の上に形成されており、窒化ケイ素からなる第２の媒質１２と、第１の媒質１１と第２の媒質１２との間に形成されており、酸化ケイ素からなる第３の媒質１３と、第２の媒質１２の上に形成されている吸音層と、第１の媒質１１と第３の媒質１３との間に形成されているＩＤＴ電極１６とを備えている。第２の媒質１２の波長規格化厚みｈ２／λは０．６０×（ｈ３／λ）^２−１．２４×（ｈ３／λ）＋０．９４よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】スマートカット法で圧電複合基板を製造する際に、圧電基板の周囲の数箇所を固定治具で固定してイオン注入層を形成しても、圧電基板から圧電薄膜を問題なく分離できる圧電デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】圧電単結晶基板の周囲を固定治具で固定後に、水素イオンを注入して圧電単結晶基板内にイオン注入層を形成後に、圧電単結晶基板表面を固定治具で固定していた部分以外に絶縁膜を形成する。そして、この絶縁膜に支持体を接合し、イオン注入層が形成された圧電基板を加熱する。このとき、圧電基板は、加熱によりイオン注入層に沿ってマイクロキャビティが発生し、またイオン注入層の端部では、イオン注入領域と非注入領域との境界部と、絶縁膜と絶縁膜の非形成領域である凹部の境界部との間にクラックが発生して分離面が生成される。これにより、圧電基板や支持体が割れることなく圧電薄膜を分離できる。 （もっと読む）

【課題】エッチング加工される被加工層の全面を、均一にエッチングすることが可能なエッチング方法を提供する。
【解決手段】本発明のエッチング方法は、水晶基板（基板）２に形成されたＡｕ膜（被加工層）５を所定の形状に加工するための方法であって、Ａｕ膜５は、所定の形状である複数のＳＡＷパターン３にエッチング加工され、このエッチング加工時において、水晶基板２をエッチング液２１に浸漬した状態では、水晶基板２のＡｕ膜５の側が下方へ向いて配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、ＥＳＤ保護機能を向上させたＳＡＷフィルタ回路に関する。本発明によるＳＡＷフィルタ回路においては、ＳＡＷ共振器の直列接続配列を、第１信号ポート（ＳＰ１）とＤＭＳポート（ＤＭＳＰ１，ＤＭＳＰ２）との間に接続する。この場合の直列接続配列における静電容量が、この直列接続配列に接続されたＤＭＳ変換器の静電容量に比べ、最大で４倍になるようにする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、熱処理後の反り増加量が小さく、クラックが生じにくい複合圧電基板の製造方法を提供することにある。
【解決手段】 少なくとも、圧電基板と絶縁体基板とを接着剤で貼り合わせ、前記貼り合わせた基板に熱処理を行うことにより、前記接着剤を硬化させる複合化された圧電基板の製造方法であって、前記絶縁体基板として導電率が１×１０^−１４［Ω^−１・ｃｍ^−１］以下のものを用い、前記熱処理による接着剤の硬化は、除電処理を施しながら行うことを特徴とする複合化された圧電基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】効率よく高精度に弾性表面波素子を容易に製造することができる弾性表面波素子の製造方法を提供する。
【解決手段】弾性表面波素子の製造方法は、（ａ）圧電基板１０の一方主面１０ｂを加工して、圧電基板１０を薄くする基板薄化工程と、（ｂ）薄くされた圧電基板１０に樹脂の接着剤１２を介して、圧電基板１０の線膨張係数よりも小さい線膨張係数を有する支持基板１４を接着する接着工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】圧電基板と絶縁体基板とが接着剤を介して貼り合わされた複合化された圧電基板の製造方法において、安価な絶縁体基板を用いたとしても熱処理後のソリの量が小さく、かつソリの大きさのバラツキが小さく安定している複合化された圧電基板の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、圧電基板と絶縁体基板のどちらか一方の主表面に接着剤を塗布する第１の工程と、前記接着剤を介して前記圧電基板と前記絶縁体基板とをお互いに貼り合わせる第２の工程と、前記貼り合わせた基板の温度を２５±５℃となるように制御して、前記接着剤に紫外光を照射して該接着剤を硬化させる第３の工程と、前記貼り合わせた基板を所望の厚さまで研削する第４の工程と、該研削後の貼り合わせた基板を加熱して前記接着剤を完全に硬化させる第５の工程と、を具備することを特徴とする複合化された圧電基板の製造方法。 （もっと読む）

本発明は、自然一方向性を有する音響表面波用変換器に関しており、
ここではインターデジタル電極構造体が圧電結晶基板に配置されており、この電極構造体は、集電電極および櫛歯からなるインターデジタル変換器によって形成されており、
これらの櫛歯のうちの少なくとも２つの櫛歯は、変換器セルを構成し、これらの変換器セルは、電位の波を励起する少なくとも１つの励起中心部と、電位の波反射する反射中心部とを有している。本発明の課題は、自然一方向性を有する変換器に対し、帯域の広い変換器の場合であっても挿入減衰が小さい材料、材料断面および伝搬方向を見つけることであり、またこの変換器の一方向特性にもかかわらず周波数位置が、基板上で電極構造体を配向する際の誤差によって影響を受けないかまたはわずかにしか影響を受けないようにすることである。本発明の重要な１特徴的構成によれば、上記の櫛歯は、向きＲに対して垂直に配向されており、ここで向きＲは、基板結晶の１回回転軸または３回回転軸に対して平行であり、またＲに対して微分ｄｖ/ｄθ＝０が成り立ち、ただしｖは表面波の位相速度であり、θは櫛歯方向に対する垂直線と、上記の向きＲとの角度偏差である。本発明の別の１特徴的構成によれば、上記の電極材料およびその層厚を選択して、各変換器セルにおける励起中心部と反射中心部との間の位相シフトΦ_sが、式sin²(Φ_s)=(ω_o2-ω_s2)(ω_s2-ω_s1)/(ω_s2-ω_s1)(ω_o1+ω_o2-ω_s1-ω_s2)により、41.4°と48.6°との間か、-48.6°と-41.4°との間か、131.4°と138.6°との間か、または-138.6°と-131.4°との間にあるようにする。本発明による変換器は、機能の仕方が音響表面に基づくものであれば、例えばセンサ、識別素子（IDタグ）、共振器、フィルタ、遅延線路および発振器などに適用可能である。 （もっと読む）

【課題】レジストの開口部の形状異常を抑制すること。
【解決手段】圧電基板１０と、前記圧電基板１０上に形成された櫛型電極１２と、前記圧電基板１０上に形成され前記櫛型電極１２と接続する金属パターン２０と、前記圧電基板１０および前記金属パターン２０上に形成され、開口部４０を有するレジスト４０と、を具備し、前記開口部４０端下の前記金属パターン２０は、第１金属層１６と、前記第１金属層１６上に形成され前記第１金属層１６より光反射率の小さい最上層の第２金属層１８と、を含む弾性波デバイス。 （もっと読む）

同じ周波数帯域の互いに近接して位置する２つのチャネルをフィルタリングするために、４つのＤＭＳトラック（ＤＭＳ１−ＤＭＳ４）の相応の配線によって得ることができる、２つの通過帯域（ＰＢ１，ＰＢ２）を有するＳＡＷフィルタを使用することが提案される。個々のＤＭＳトラックのデザインパラメータは、２つのＤＭＳトラックのそれぞれ２つの主共振（Ｈ１−Ｈ６）が通過帯域に加算されるとともに、それぞれ２つのＤＭＳトラックで形成される部分フィルタの副共振（Ｎ１−Ｎ６）（ＴＦ１−ＴＦ２）が同じ周波数で、他方の部分フィルタの主共振と同相で一致するように調整される。
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【課題】従来よりも微少な単位での共振周波数の設計が可能な構造とする。また、共振周波数を微小な単位で簡便に調整できるようにする。
【解決手段】圧電材料上に櫛歯電極３および反射器４が形成された弾性表面波素子において、反射器５、６に対して、複数本の電極５ａ、６ａ同士が短絡されていないオープンの領域７、８と、複数本の電極５ａ、６ａ同士が短絡されているショートの領域９、１０とを設けることで、反射効率が最大となる周波数が異なる領域を形成する。このとき、オープンの領域７、８とショートの領域９、１０との比率を変化させることで、従来よりも微小な単位で素子全体の共振周波数を設定もしくは調整することができる。 （もっと読む）

【課題】周波数のばらつきが小さいラム波装置を提供する。
【解決手段】ラム波装置１０２は、圧電体薄膜１０６と、圧電体薄膜１０６の主面に設けられたＩＤＴ電極１０８と、ＩＤＴ電極１０８及び圧電体薄膜１０６の積層体１０４を支持し、積層体１０４を離隔させるキャビティ１８０が形成された支持構造体１２２とを備える。圧電体薄膜１０６の膜厚ｈ及びＩＤＴ電極１０８のフィンガー１１０のピッチｐは、圧電体薄膜１０６の膜厚ｈに対する音速ｖの分散性が小さくなるラム波が目的の周波数において励振されるように選択される。 （もっと読む）

【課題】圧電体の単結晶基材が再利用可能になり、圧電体の単結晶基材の配置方向に応じた結晶軸の配向方向の均質な厚みの単結晶薄膜を得られ、効率的にマイクロキャビティを形成できる圧電性複合基板の製造方法の提供を図る。
【解決手段】圧電体の単結晶薄膜を備える圧電性複合基板の製造方法であって、イオン注入工程（Ｓ１）と剥離工程（Ｓ２）とを含む。イオン注入工程（Ｓ１）では、圧電体の単結晶基材１へHe⁺イオンを注入する。これにより、単結晶基材１の表面から内部に離れた剥離層３に、マイクロキャビティを集積して形成する。そして、剥離工程（Ｓ２）では、イオン注入工程（Ｓ１）で形成したマイクロキャビティに熱応力を作用させる。これにより、単結晶基材１を剥離層３で分断して単結晶薄膜４を剥離する。 （もっと読む）

【課題】好適に球面基体に対しすだれ状電極パターンを形成することのできる弾性表面波素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の球状弾性表面波素子の製造方法は、ポジ型レジストに対し、すだれ状電極パターンを非露光部とする露光を行った後、すだれ状電極パターンを包括する領域を非露光部とする露光を行う。すだれ状電極パターンを包括する領域を非露光部とする二度目の露光を行うことにより、球面基体の表面に対し露光光が斜めに照射される領域を現像工程に必要なエネルギー量まで露光することが出来る。よって、弾性表面波周回路上に導電膜が残存することを抑制することが出来る。 （もっと読む）

【課題】周波数安定度の高い高品質なＳＡＷデバイスを製造することのできるＳＡＷデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】パッケージベース１４にＳＡＷ素子片２８を実装する実装工程と、パッケージベース１４に実装されたＳＡＷ素子片２８を構成する電極パターンをエッチングして励起される弾性表面波の周波数を変化させる粗調工程と、パッケージベース１４にキャップ１６を接合してパッケージ１２を構成し、ＳＡＷ素子片２８をパッケージ１２のキャビティ１５に収容する第１封止工程と、パッケージベース１４またはキャップ１６に形成された封止孔２４からキャビティ１５に不活性ガスを供給またはキャビティ１５に供給した不活性ガスを吸引してキャビティ１５の圧力を変化させて前記弾性表面波の周波数を変化させる微調工程と、封止孔２４を封止材２６で塞ぐ第２封止工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】弾性表面波周回路に何も付着させずに弾性表面波伝搬基体を支持体により支持させたり、新たな感応膜を有した弾性表面波伝搬基体と交換することを、確実に容易に素早く行うことが出来る簡易な構成の球状弾性表面波装置を提供することである。
【解決手段】この装置１０は：外表面の円環状の弾性表面波周回路１２ａに弾性表面波・励起／検知手段１４が設けられている弾性表面波伝搬基体１２と；上記基体の外表面において上記周回路を除く領域が載置された座部１６ａを含む基体支持体１６と；曲げに対し弾性抵抗を発揮し、基体支持体に載置された上記基体の外表面において基体支持体とは反対側で上記周回路を除いた位置に接触するとともに上記接触する位置の両側が基体支持体に向け弾性抵抗に抗して押圧され、上記両側の端部が基体支持体において上記座部の両側で上記座部から離れた位置に固定された基体弾性保持体１８と；を備える。 （もっと読む）

【課題】構造簡易で製造容易であり、しかも弾性表面波伝搬基体の周回路に励起させ周回させた弾性表面波の強度や位相を製造容易の割には精密に検出出来る球状弾性表面波装置を提供することである。
【解決手段】上記球状弾性表面波装置１０は：少なくとも球形状の一部により円環状に連続して構成され弾性表面波が励起可能で励起された弾性表面波が上記円環の連続する方向に伝搬し周回可能な弾性表面波周回路１２ａを外表面に含む基体１２と；上記基体の上記外表面において上記周回路を除く領域を支持する基体支持体１４と；そして、弾性表面波・励起／検知手段１６を支持している弾性変形部材１８を支持し、弾性変形部材を介して上記励起／検知手段を上記基体の上記外表面の上記周回路に当接させるとともに弾性変形部材を弾性変形させる励起／検知手段・支持体２０と；を備える。 （もっと読む）

【課題】入力変換ユニットおよび出力変換ユニットの線幅を変更することなしに中心周波数を調整することができる高周波表面音波装置の提供。
【解決手段】高周波表面音波装置が開示されている。開示の高周波表面音波装置は、そのナノ結晶ダイヤモンド層の厚さを変更することによってその中心周波数を容易に調整することができる。開示の高周波表面音波装置は、シリコン基板、シリコン基板の上に位置するナノ結晶ダイヤモンド層、ナノ結晶ダイヤモンド層の表面に形成した圧電層、入力変換ユニット、および出力変換ユニットを備え、そこでは入力変換ユニットおよび出力変換ユニットは圧電層の表面上か、または下に対で形成される。また、ナノ結晶ダイヤモンド層の厚さは０．５μｍ〜２０μｍであることができる。圧電層はＺｎＯ、ＡｌＮ、またはＬｉＮｂＯ₃から作られることができる。圧電層の厚さは０．５μｍ〜５μｍであることができる。 （もっと読む）

【課題】櫛型電極の周囲に空隙が無く、かつ誘電体層がその表面が平坦となる弾性波デバイスを提供する。
【解決手段】弾性波デバイスの製造方法は、圧電基板１上に設けられた弾性波を励振する櫛型電極２と、櫛型電極２を覆うように設けられた誘電体層３を具備する弾性波デバイスの製造方法であって、圧電基板１に櫛型電極２を形成する工程と、櫛型電極１を覆うように、櫛型電極１の膜厚より厚い膜厚を有する誘電体層３を形成する工程と、誘電体層３を覆うようにエッチバック層４を形成する工程と、エッチバック層４と誘電体層３の一部をエッチングまたは研磨する工程とを有する。エッチングまたは研磨する工程において、エッチバック層４を削る速さと誘電体層３を削る速さが等しくなる条件で、エッチバック層が全て除去されるまでエッチングまたは研磨がなされる。 （もっと読む）

本発明は、基板と、対応する電極構造物とを有する電子音響部品（１）、特に、表面音波またはバルク音波で動作する部品に誘電体層（３）を形成する製造方法に関し、多重部品システムとしてのホウケイ酸ガラスなどの蒸着ガラス材料や、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化アルミニウムなどの単部品システムからなる、蒸着材料のグループから選ばれる少なくとも一つの蒸着材料が、熱蒸着により析出するので、上記誘電体層（３）が、少なくとも部分的に形成される。本発明は、さらに、電子音響部品に関する。
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