圧電体基板（１１）と、この圧電体基板（１１）上の第１の弾性表面波伝播路上に設けた複数個のＩＤＴ電極（１２、１３）と、これらのＩＤＴ電極（１２、１３）を含む第１の電極パターンの両端部に配設された反射器電極（１４、１５）と、上記圧電体基板（１１）上で、かつ第１の弾性表面波伝播路上とは異なる第２の弾性表面波伝播路上に設けた１個以上のＩＤＴ電極（１６）と、このＩＤＴ電極（１６）を含む第２の電極パターンの両端部に配設された反射器電極（１７、１８）とを有し、第１の弾性表面波伝播路上のＩＤＴ電極（１２、１３）間を接続配線部（１９）で電気的に直列に接続するとともに、この接続配線部（１９）とグランド（２０）との間に第２の弾性表面波伝播路上のＩＤＴ電極（１６）を接続した構成からなり、ＳＡＷフィルタ（１０）を小型化できる。
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周波数ばらつきの低減と、反共振周波数におけるＱ値の改善の双方を図り得る１ポート型弾性表面波共振子を提供する。 回転ＹカットＬｉＴａＯ_３基板２と、該ＬｉＴａＯ_３基板２上に形成されたインターデジタル電極３と、インターデジタル電極３の表面波伝搬方向両側に設けられた反射器４，５とが形成されている１ポート型弾性表面波共振子であって、インターデジタル電極３の電極指の幅をａ、電極指間ギャップをｂとしたときに、メタライゼーション比ａ／（ａ＋ｂ）が０．５５〜０．８５の範囲とされており、かつインターデジタル電極３が交差幅重み付けを施されている、１ポート型弾性表面波共振子１。
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【課題】各種特性（特に、温度特性）に優れる弾性表面波素子、および、かかる弾性表面波素子を備える電子機器を提供すること。
【解決手段】弾性表面波素子１は、基板２としてオイラー角が（０、θ、ψ）で表される水晶基板を有し、この基板２上に設けられたＩＤＴ３および反射器４、５と、ＩＤＴ３および反射器４、５の上面に選択的に設けられた絶縁保護膜とを有している。この弾性表面波素子１は、ＩＤＴ３および反射器４、５を、弾性表面波の伝搬方向と基板２のＸ軸とのなす角度ψが９０±１０゜となるように配置し、横波型弾性表面波が励振されるよう構成されている。そして、カット角θが、１２６〜１５０°であり、絶縁保護膜の規格化膜厚Ｈｚ／λ（Ｈｚは絶縁保護膜の平均厚さを示し、λは横波型弾性表面波の波長を示す。）が、０．０２〜０．４であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】挿入損失の悪化をさほど招くことなく、帯域外減衰量の拡大を図り得る端面反射型表面波フィルタを提供する。
【解決手段】 ＳＨタイプの表面波を利用した縦結合共振子型表面波フィルタであって、圧電基板２の上面２ａにおいて、所定距離を隔てて互いに平行に第１，第２の溝２ｂ，２ｃが形成されており、溝２ｂ，２ｃ間において、縦結合共振子型弾性表面波フィルタを構成するためのＩＤＴ５，６が形成されており、第１，第２の溝２ｂ，２ｃのＩＤＴが形成されている側の側面２ｂ₁，２ｃ₁が反射端面を構成しており、圧電基板２の上面２ａにおいて、（ａ）ＩＤＴ５，６の２０％以上を覆うように樹脂被覆層３または（ｂ）ＩＤＴ５，６を覆うようにＳｉＯ₂膜からなる保護層が形成されている、縦結合共振子型弾性表面波フィルタ１。 （もっと読む）

【課題】電極寸法の製造偏差による周波数偏差が小さいＡｌを主成分とした電極を用い、反射特性に優れ製品の小型化を図ることが可能であり、電気機械結合係数が大きく、かつ、温度に対する周波数変動が小さい弾性表面波素子を提供する。
【解決手段】水晶基板２の表面の切り出し角および伝搬方向が、オイラー角（０°、１３５〜１８６°、９０±２°）の範囲になるように設定されるとともに、規格化電極膜厚ｈ／λは０．０８２〜０．１５０に設定し、ＳＨ型表面波を励振する。 （もっと読む）

弾性表面波素子上に反応膜が形成された質量負荷による周波数変化量の測定により検出対象物質を検出もしくは定量する弾性表面波センサーであって、弾性表面波素子自体の構造の改良により感度が高められた弾性表面波センサーを提供する。ＳＨタイプの弾性表面波を利用しており、オイラー角が（０°，０°〜１８°，０°±５°）または（０°，５８°〜１８０°，０°±５°）である回転ＹカットＬｉＴａＯ_３基板と、該ＬｉＴａＯ_３基板２上に形成されており、Ａｕを主成分とする表面波励振用電極３と、表面波励振用電極３を覆うようにＬｉＴａＯ_３基板上に形成されており、検出対象物質または検出対象物質を結合する結合物質を結合する反応膜４とを備え、上記インターデジタル電極３の波長で規格化された膜厚が０．８〜９．５％の範囲とされている、弾性表面波センサー１。
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【課題】水晶基板を用いたＳＡＷデバイスにおいて、通電時の周波数変動を抑圧したＳＡＷデバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】圧電基板１と、圧電基板１上にＡｌ又はＡｌを主成分とする合金の金属膜で形成したＩＤＴ２とを備え、励振波をＳＨ波とした弾性表面波デバイスであって、圧電基板１は、回転Ｙカット水晶基板のカット角θを結晶Ｚ軸より反時計方向に−６４．０°＜θ＜−４９．３°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対し９０°±５°とした水晶平板であり、ＩＤＴ２の電極指間スペースには溝１２が形成され、溝１２の深さをＨｐ、金属膜１１の膜厚をＨｍとした時に、弾性表面波の波長λで基準化した電極膜厚Ｈ／λを０．０４＜Ｈ／λ＜０．１２（ただし、Ｈ＝Ｈｐ＋Ｈｍ）の範囲に設定する。 （もっと読む）

Ｃｕを主成分とするインターデジタル電極を用いた弾性表面波装置であって、耐電力性が著しく改善された弾性表面波装置を提供する。圧電基板２と、圧電基板２上に形成されたインターデジタル電極３とを備え、インターデジタル電極３が、ＣｕまたはＣｕを主成分とする合金からなる主電極層３ａと、主電極層３ａと圧電基板２との間に配置されたＮｉＣｒを主成分とする密着層３ｂ、あるいはＴｉを主成分とし、膜厚が１８〜６０ｎｍの範囲にある密着層３ｂとを備える、弾性表面波装置１。
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圧電素子（Ｘ）は、基板（１１）、圧電膜（１２）、第１電極（１３）、および第２電極（１４）を備え、第１電極（１３）および／または第２電極（１４）は、基板（１１）および圧電膜（１２）の間に介在し、且つ、Ｔｉ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｈｆ，Ｗ，Ｐｔ，およびＡｕからなる群より選択される金属を０．１〜３ｗｔ％含有するＡｌ合金よりなる。
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【課題】圧電基板に水晶基板を用い励振波をＳＨ波としたＳＡＷデバイスにおいて、広帯域で、且つ優れた周波数温度特性を実現することを目的とする。
【解決手段】圧電基板１上に、ＩＤＴ２とその両側にグレーティング反射器３ａ、３ｂを配置する。圧電基板１は、回転Ｙカット水晶基板のカット角θを結晶Ｚ軸より反時計方向に−６５°≦θ≦−５１°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対し９０°±５°にした水晶平板であり、励振する弾性表面波はＳＨ波である。ＩＤＴ２及びグレーティング反射器３ａ、３ｂはＴａ又はＴａを主成分とする合金からなり、弾性表面波の波長をλとした時、波長λで基準化した電極膜厚Ｈ／λをＨ／λ≧０．０１の範囲に設定する。 （もっと読む）

【課題】 ＩＤＴの電極の膜厚を大きくしても、所望の周波数特性・性能を維持し得るＳＡＷ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 面内回転ＳＴカット水晶板からなる水晶基板１１の主面に、ＳＡＷの波長λに対してＨ／λ＝０．０５〜０．１５となる厚さＨのＡｌ電極膜１５を形成する。電極膜の上にレジストパターン１６を形成し、電極膜の露出部分をドライエッチングしてその一部を除去しかつその残余部分１５ａをウエットエッチングにより完全に除去することにより、ＩＤＴ１３の交差指電極１２ａ，１２ｂを形成する。このとき、ＳＡＷ伝搬方向に沿って交差指電極の下辺及び上辺における線幅ｄ１，ｄ２が（ｄ１−ｄ２）／電極ピッチｐ＝０〜０．１６となるように設定する。 （もっと読む）

【課題】 ＳＡＷデバイスを特性の変化無く、より一層薄型化し、簡単な構造でＩＤＴ電極と外部電極との電気的導通性及び気密封止性を確保する。
【解決手段】 ＳＡＷデバイス１は、圧電基板４にＩＤＴ電極５、ＩＤＴ電極から引き出した取出電極８、及び圧電基板の周辺全体に沿って設けた金属接合部９を有するＳＡＷチップ２と、ガラス基板１０に取出電極８に対応して設けた貫通孔１１、ガラス基板下面の周辺全体に沿って設けた金属接合部１３、ガラス基板下面に貫通孔の開口周辺に設けた接続電極１２を有するカバー３とを備える。ＳＡＷチップの金属接合部及び取出電極とカバーの金属接合部及び接続電極とをそれぞれ熱圧着で接合し、ＩＤＴ電極をカバー下面と接触した状態で気密に封止する。貫通孔内に形成した金属膜１４及び封止材１６で、ガラス基板上面の外部電極１５とＩＤＴ電極とを電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯ_２膜による電極保護効果及び温度特性改善効果を有するだけでなく、挿入損失の劣化を抑制し得る弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】回転ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ_３基板と、ＬｉＴａＯ_３基板上に形成されており、かつＡｌまたはＡｌを主成分とする金属からなる少なくとも１つのインターデジタルトランスデューサと、インターデジタルトランスデューサを覆うようにＬｉＴａＯ_３基板表面に形成されたＳｉＯ_２膜と、反射器とを備え、ＳｉＯ_２膜の表面波の波長λで規格化された膜厚をＨｓとし、ＬｉＴａＯ_３基板のカット角をθとしたときに、規格化膜厚Ｈｓが所定の範囲にあり、かつ反射器がＬｉＴａＯ_３基板の端面により構成されており、それによって端面反射型の表面波装置とされていることを特徴とする、表面波装置。 （もっと読む）

【課題】水晶基板を用いたＳＡＷデバイスにおいて、容量比γを小さくし、周波数制御性を高めたＳＡＷデバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】圧電基板１は、回転Ｙカット水晶基板のカット角θを結晶Ｚ軸より反時計方向に−６４．０°＜θ＜−４９．３°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対し９０°±５°にした水晶平板であり、励振する弾性表面波はＳＨ波である。また、ＩＤＴ２及びグレーティング反射器３ａ、３ｂはＡｌ又はＡｌを主成分とする合金からなり、弾性表面波の波長λで基準化した電極膜厚Ｈ／λを０．０４＜Ｈ／λ＜０．１２に設定する。そして、前記ＩＤＴを構成する電極指のライン占有率ｍｒを電極指幅／（電極指幅＋電極指間スペース）とした時に、前記ライン占有率ｍｒを０．５３≦ｍｒ≦０．６５、又は０．５５≦ｍｒ≦０．６８に設定する。 （もっと読む）

電気機械結合係数が大きく、伝搬損失及びパワーフロー角が小さく、周波数温度係数ＴＣＦが適度な範囲にあり、簡潔な構造により簡単な工法で製造され得るＳＨ型の弾性境界波を用いた弾性境界波装置を提供する。圧電体の一面に誘電体が積層されており、圧電体と誘電体との間の境界に電極としてＩＤＴ及び反射器が配置されており、誘電体を伝搬する遅い横波の音速及び圧電体を伝搬する遅い横波の音速よりもＳＨ型弾性境界波の音速を低くするように、上記電極の厚みが決定されている、弾性境界波装置。
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【課題】広帯域化を図り得るだけでなく、通過帯域内における挿入損失を小さくし得る縦結合共振子型弾性表面波フィルタを得る。
【解決手段】圧電基板２上に、弾性表面波伝搬方向に沿ってそれぞれ複数本の電極指を有する少なくとも３つのＩＤＴ１３〜１５を備え、少なくとも１つのＩＤＴ１３〜１５が、表面波伝搬方向に隣接している他のＩＤＴ端部から一部分である狭ピッチ部分の電極指の周期が、該ＩＤＴの残りの部分の電極指の周期より狭くされており、かつ０次モード、２次モード及びＩＤＴ−ＩＤＴ間共振モードを利用している、縦結合共振子型弾性表面波フィルタ１。 （もっと読む）

【課題】 帯域幅におけるリップルを低減できるようにする。
【解決手段】 弾性表面波素子片１０は、圧電基板１２がタンタル酸リチウムのＸカット板から形成してある。圧電基板１２の表面には、すだれ状電極からなる一対のＩＤＴ１４（１４ａ、１４ｂ）と、これらのＩＤＴを挟むように一対の反射器２０（２０ａ、２０ｂ）とが設けてある。ＩＤＴ１４を形成している電極指部１８（１８ａ、１８ｂ）は、アルミニウム系金属膜からなる電極指本体３０を有する。電極指本体３０の表面には、電極指本体３０を陽極酸化して形成した陽極酸化膜３２が設けてある。陽極酸化膜３４は、二酸化ケイ素膜２６によって覆われている。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能で、不要共振による電気特性上の不具合が抑制された弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】圧電基板１０と、その上に弾性表面波の伝搬方向に沿って形成された一対の反射器電極２１ａ、２１ｂと、その間に形成された少なくとも一つのＩＤＴ電極２２とを有する弾性表面波装置において、一対の反射器電極２１ａ、２１ｂの一方の電極厚みと他方の電極厚みとを異ならせる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯ_２膜による電極保護効果及び温度特性改善効果を有するだけでなく、挿入損失の劣化を抑制し得る弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】回転ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ_３からなる圧電基板１２上に、ＡｌまたはＡｌを主成分とする金属からなる少なくとも１つのＩＤＴ１３ａ，１３ｂが形成されており、ＩＤＴ１３ａ，１３ｂを覆うようにＳｉＯ_２膜１５が形成されており、ＳｉＯ_２膜の規格化膜厚Ｈｓ及びＬｉＴａＯ_３からなる圧電基板のカット角θとの組合せを所定の範囲となる様選択することにより、温度特性改善の効果を維持しつつ弾性表面波の減衰定数を小さくでき、それによって挿入損失を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】 超音波接合によって形成される境界領域の構成に着目して、機械的な接合力を向上させた超音波接合構造を得る。
【解決手段】 圧電基板１上にアルミニウム又はアルミニウム合金により形成されるパッド電極５を含む導体層と、前記パッド電極５に超音波接合される金又は金合金により形成されるバンプ電極１２とを有する電子部品において、前記パッド電極５と前記バンプ電極１２が接合して形成される接合界面領域１５の少なくとも一部に高融点金属化合物からなる分散領域を散在させ、しかも、前記接合界面領域１５の周囲では前記高融点金属化合物からなる保護層が圧電基板１の上面及び前記導体層の上面を覆っている。 （もっと読む）